JP5133570B2 - 改質器の保温方法 - Google Patents
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Description
このような改質器において、例えばメタンを原料ガスとして使用した場合の水蒸気改質の反応式は、CH4+2H2O→CO2+4H2で示すことができ、好ましい改質反応温度は、650〜750℃の範囲である。
内部加熱型の改質器はその供給側(上流側)に部分酸化反応層を設け、該部分酸化反応層で発生した熱を用いて下流側に配備した水蒸気改質反応層を水蒸気改質反応温度まで加熱し、該加熱された水蒸気改質触媒層で水蒸気改質反応をさせて水素リッチな改質ガスを生成するようになっている。
特許文献1、2の改質器は外側の予備改質室とそれに連通する内側の主改質室を備えた二重構造になっており、予備改質室には改質触媒層が設けられ、主改質室には酸化空気の供給管、改質触媒と酸化触媒を混合した混合触媒層、シフト触媒層等が設けられる。なお主改質室の中央部に酸化空気を供給する供給管が延長され、その供給管が混合触媒層に延長する部分に複数のノズルからなる空気噴出部が形成される。
すなわち改質システムの停止後に改質器を一旦高温領域に上昇し、その余熱を保温に利用している。また停止期間が長くなると温度低下してくるので、所定の間隔で改質器に原料ガスと空気を補給し、原料ガスの燃焼熱で改質器の温度を再度高温に上昇させて保温温度の維持を繰り返すことも記載されている。
改質器1の停止後、予熱で発生する水蒸気により、改質器内部に残留する原料ガスがパージされて置換され、
次いでその内部温度が原料ガスの炭素析出温度以下になった時点で、原料ガスを改質器1の供給部11に所定量供給し、改質器1の内部の水蒸気を原料ガスで置換して改質器1内を原料ガス封入状態にし、
保温のため改質器1を電気ヒータ13で加熱して触媒層の温度を150℃以上で200℃未満に維持することにより、ニッケル系の改質触媒の表面に炭素の析出やニッケルカルボニルが生成して触媒を劣化させることを防止することを特徴とする(請求項1)。
改質器1は二重に配置した外側の予備改質室2と内側の主改質室3を備えており、全体が薄型に形成される。予備改質室2と主改質室3はそれぞれ細長く断面が偏平状に形成されると共に、それらの断面は互いに相似形とされる。予備改質室2は外筒と内筒の間に形成され、主改質室3は内筒の内側に形成される。
(実験例)
一方、改質触媒の温度を250℃に維持した場合は改質触媒の表面に炭化物の生成がかなりの量見受けられた。また、改質触媒の温度を120℃に維持した場合はニッケルカルボニルの発生が見受けられた。
2 予備改質室
3 主改質室
4 改質触媒層
5 混合触媒層
7 高温シフト触媒層
8 低温シフト触媒層
9 供給管
11 供給部
12 排出部
13 電気ヒータ
Claims (3)
- 内部にニッケル系の改質触媒層を収容した改質器1で原料ガスを水蒸気改質して水素リッチな改質ガスを生成するようにした改質器の保温方法において、
改質器1の停止後、予熱で発生する水蒸気により、改質器内部に残留する原料ガスがパージされて置換され、
次いでその内部温度が原料ガスの炭素析出温度以下になった時点で、原料ガスを改質器1の供給部11に所定量供給し、改質器1の内部の水蒸気を原料ガスで置換して改質器1内を原料ガス封入状態にし、
保温のため改質器1を電気ヒータ13で加熱して触媒層の温度を150℃以上で200℃未満に維持することにより、ニッケル系の改質触媒の表面に炭素の析出やニッケルカルボニルが生成して触媒を劣化させることを防止することを特徴とする改質器の保温方法。 - 請求項1において、
前記改質器1は外側に予備改質室2を配置し内側に主改質室3を配置した二重構造を有し、予備改質室2にニッケル系の改質触媒層4を収容し、主改質室3にニッケル系の改質触媒と酸化触媒を混合した混合触媒層5とシフト触媒層6を収容して構成され、前記予備改質室2の外側から改質器1を加熱し保温することを特徴とする改質器の保温方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記改質器1の周囲に電気ヒータ13を配置し、その外側を断熱層で被覆し、前記触媒の温度を150℃以上で200℃未満に維持するように電気ヒータ13への電力供給を制御することを特徴とする改質器の保温方法。
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