JP5131860B2 - シリコンシートおよび太陽電池 - Google Patents
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Description
図1から図7、表1および表2を用いて本発明に係る実施形態を説明する。ここで、本実施形態においてはシリコン融液に基体を接触させて液相からの凝固によって直接的にシート状のシリコン基板を得る方法(シート形成法)によって作成されたシリコンシートについて説明するが、ウエブ(web)法やEFG(edge-defined film-fed growth)法、RGS(ribbon growth on substrate)法などのリボン作成法などの他の製造方法であっても、以下に説明する特性を有するシリコンシートが得られる方法であれば特に限定されるものではない。また、本実施形態においては「被接触体」として「基体」を用いたが、本発明に用いられる「被接触体」とは、Web法であれば「回転体」、RGS法なら「下面支持平板」、シート形成法なら「基体」などであり、シリコン融液に浸漬・接触させて表面にシリコンシートを形成するもの全てをいう。
次に図2を用いて本発明のシリコンシートをシート形成法によって製造するための方法を説明する。図2(a)の模式的な断面図に示されているように、シリコンの融点である1415℃より低い温度に加熱冷却し得る温度制御手段5によって温度制御された耐熱性の基体2の表面を坩堝4中のシリコン融液3に接触(または浸漬)させることによって、基体2の表面にシリコンシート1が成長する。必要な厚さのシリコンシート1が成長した後に、そのシートが付着した基体2が坩堝4から取り出される。基体2に付着しているシリコンシート1は高温から冷却される段階で、図1(b)に示されるように、基体2とシリコンシート1の熱膨張係数差に起因して基体2とシリコンシート1は自然に分離し、または小さい衝撃を基体2に加えることにより分離され、液相からの凝固によって直接的に形成されたシリコンシート1が得られる。
次に表1、表2および図3、図4を用いて本発明に係るシリコンシートの特性を説明する。表1はボロン濃度が0.05ppmwであり比抵抗が10Ω・cmである厚み324μmのシート形成法により作成したシリコンシート(実施例1)と、ボロン濃度が0.15ppmwであり比抵抗が2Ω・cmである厚み336μmのシート形成法により作成したシリコンシート(比較例1)の逆耐圧試験における電流値を比較した表であり、図3はその結果をグラフ化したものである。
表1において実施例1および比較例1のシリコンシートに、1〜15Vの逆方向の電圧をシートの厚み方向にかけたときの電流値(逆方向の電流値)を示す。なお、逆方向とは、シリコンシートを太陽電池としたときに光を受けて発電する方向(順方向)と逆の方向であり、電流値の測定は電流計により行った。
次に表2と図4を用いてボロン濃度と比抵抗の関係を説明する。表2は従来のシリコンシートの一例としてキャスト法によって得られるシリコンシートと、上記シート形成法によって得られたシリコンシートとのボロン濃度と比抵抗の関係を比較したものである。また図4は表2の結果をグラフ化したものである。これより、キャスト法、シート形成法によって作成されたシリコンシートは両者共にボロン濃度が低くなるほど比抵抗は高くなる傾向があることがわかる。
本発明のシリコンシートを利用して太陽電池を作製する方法について、一例としては、図5のフロー図に示された手順に従う方法を挙げることができる。この実施例では、シリコンシートがp型半導体にされたが、n型半導体であってもよい。pまたはnの導電型のシリコンシートを形成する場合には、原料シリコンの溶融時にボロン(B)またはリン(P)のようなドーパントを混入することが望ましい。
本実施形態のシリコンシートの形状は、その両方または一方の主面に凹凸を有することを特徴とするものであり、図7から図9を用いてその説明をする。
Claims (7)
- シリコン融液に被接触体を接触させて形成されるシリコンシートであって、0.04〜0.2ppmwのボロンを含有することを特徴とするシリコンシート。
- 両方または一方の主面に凹凸を有する、請求項1に記載のシリコンシート。
- 前記両方の主面の凹凸の周期が同一である、請求項2に記載のシリコンシート。
- 最も薄い箇所の厚みが100μm以上である、請求項2〜3のいずれかに記載のシリコンシート。
- 前記凹凸の大きさが200μm以下である、請求項2〜4のいずれかに記載のシリコンシート。
- 100μmから1mmの範囲内の平均厚さを有する、請求項2〜5のいずれかに記載のシリコンシート。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のシリコンシートを備えた太陽電池。
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