JP5131438B2 - 圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
蓋と圧電振動片が固定されたベースとの間に、AuSn合金層とNi層とを有するろう材を設ける工程と、
前記ろう材を使用して前記蓋を前記ベースに固定する工程と、
を含み、
前記固定する工程は、前記ろう材を加熱することにより、前記Ni層と前記AuSn合金層とが拡散し、NiSn層およびζ相のAuSn合金層を形成する工程を含み、
前記加熱は、340℃以上360℃未満の温度で30分以上加熱、360℃以上400℃未満で10分以上加熱、及び400℃以上の温度で5分以上加熱のいずれか1つである。
前記加熱される前のAuSn合金層は、前記ζ相のAuSn合金層よりSnの割合が高くてもよい。
前記ベースは、貫通穴を有し、
前記固定する工程の後に、前記貫通穴を封止材で封止する工程をさらに含んでもよい。
圧電振動片と、
前記圧電振動片が固定されるベースと、
前記圧電振動片を間に挟むようにして前記ベースとオーバーラップして配置される蓋と、
前記ベースと前記蓋との間に介在して前記ベースと前記蓋とを接合するろう材と、
を含み、
前記ろう材はAuSn合金およびNiSn合金を含み、当該AuSn合金はζ相のみからなる。
図1は、本発明の実施の形態に係る圧電振動子に含まれる圧電振動片10(音叉型圧電振動片)を示す平面図である。なお、圧電振動片10の底面図は平面図と対称に表れる。圧電振動片10は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料からなる。圧電振動片10は、基部12と、基部12から延びる一対の振動腕14と、を含む。
図3〜図5は、本実施の形態に係る圧電振動子の製造方法を示す断面図である。図3〜図5を用いて、本実施の形態に係る圧電振動子の製造方法を以下に説明する。
本実施の形態に係る圧電振動子は、圧電振動片がベース61および蓋72に封止されている構造を有するが、これにかえて、圧電振動片が外枠と一体に形成され、この圧電振動片が上側基板と下側基板に挟まれた積層体構造を有してもよい。以下に積層体構造を有する圧電振動子の一例を説明する。
、たとえば溶融、めっき、圧延等によって設けられる。
次に本実施の形態にかかる実験例について説明する。実験例では、AuSn合金を用いてベースと蓋との接合を行い、接合後のAuSu合金の融点を測定した。
本実施の形態に係る圧電振動子の製造方法は、上記プロセスを含み、上述した圧電振動子の構成から自明の製造プロセスをさらに含む。また、本実施の形態では圧電デバイスの一例として圧電振動子について説明したが、これに限定されるわけではなく、本発明に係る圧電デバイスおよびその製造方法は、他の用途に適用することが可能である。圧電デバイスは、たとえば、共振子、発振器、圧電振動ジャイロセンサ、周波数フィルタ等に適用することができる。
38…切り込み、 42…第1の側面電極膜、 44…第2の側面電極膜、 46…第1の内面電極膜、 48…第2の内面電極膜、 50…第1の励振電極、 52…第2の励振電極、 54…引き出し電極、 56…接続電極、 58…金属膜、 61…ベース、 62…底部、 64…枠壁部、 66…上端面、 68…貫通穴、 69…金属材料、 70…接着剤、 72…蓋、 74…枠体、 76…ガラス、 78…金属の積層体、 79…ろう材、 80…接着剤、 100…圧電振動子、 110…圧電振動片、 111…振動腕、 112…外枠部、 113…基部、 114、115…励振電極、 120…下側基板、125…貫通孔、 126…シール材料、 130…上側基板、 179…ろう材、 200…圧電振動子
Claims (2)
- 蓋と圧電振動片が固定されたベースとの間に、AuSn合金層とNi層とを有するろう材を設ける工程と、
前記ろう材を使用して前記蓋を前記ベースに固定する工程と、
を含み、
前記固定する工程は、前記ろう材を加熱することにより、前記Ni層と前記AuSn合金層とが拡散し、NiSn層およびζ相のAuSn合金層を形成する工程を含み、
前記加熱は、340℃以上360℃未満の温度で30分以上加熱、360℃以上400℃未満で10分以上加熱、及び400℃以上の温度で5分以上加熱のいずれか1つであることを特徴とする圧電デバイスの製造方法。 - 請求項1において、
前記加熱される前のAuSn合金層は、前記ζ相のAuSn合金層よりSnの割合が高いことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
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