JP5127602B2 - 樹脂封止半導体装置の製造方法および樹脂封止半導体装置 - Google Patents
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Description
また、接続リードは、少なくとも一つ以上が基台から延在させてもよい。
金型40には、所望形状のキャビティ41と称される空間を有しており、該キャビティ41内に樹脂が供給され、当該樹脂が硬化することで樹脂部1が形成される。また、金型40には、キャビティ41内にリードフレーム20の一部を収容すると共に、キャビティ41外へリードフレーム20の一部を導出するための溝42(切り欠き)が設けられている。
先ず、前記した基台22から接続リード21、バリ受けリード24が延在し、一対のバリ受けリード24を連成するためのバリ受けバー25と、該バリ受けバー25と平行なタイバー23とが一体的に形成されたリードフレーム20を用意する。
このとき、キャビティ41には、樹脂が10〜20MPaの高圧力で注入される。
その後、図7の破線によって示された箇所においてリードフレーム20から樹脂封止半導体装置10が切り離される。
10 樹脂封止半導体装置
20 リードフレーム
21 接続リード
22 基台
23 タイバー
24 バリ受けリード
25 バリ受けバー
40 金型
41 キャビティ
42 溝
Claims (4)
- 樹脂から露出する部位が屈曲している接続リードを有する樹脂封止半導体装置の製造方法において、
樹脂から一部を露出させる基台と、該基台と対向する位置に設けられたタイバーと、前記基台から前記タイバーまで延在しており樹脂のバリを受ける一対のバリ受けリードと、前記一対のバリ受けリード間において前記基台から前記タイバーに向かって該タイバーに接することなく延在する前記接続リードとが一体的に形成されたリードフレームを用意する工程と、
前記リードフレームを金型に配置し、前記基台の封止させる部位を金型のキャビティ内に収容すると共にキャビティから露出する部位を上下からクランプする工程と、
前記基台の一部を収容した状態で樹脂を供給する封止工程と、
樹脂硬化後のリードフレームにおいて、前記基台から前記バリ受けリード間を切断する工程と、を備えることを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。 - 前記リードフレームは、隣接する前記一対のバリ受けリード間を連成するバリ受けバーを含むように一体的に形成されていることを特徴とする請求項1記載の樹脂封止半導体装置の製造方法。
- 前記接続リードは、少なくとも一つ以上が前記基台から延在することを特徴とする請求項1乃至請求項2いずれか記載の樹脂封止半導体装置の製造方法。
- 封止のための樹脂から露出する接続リードを有する樹脂封止半導体装置において、
樹脂から一部を露出させる基台と、該基台と対向する位置に設けられたタイバーと、前記基台から前記タイバーまで延在しており樹脂のバリを受ける一対のバリ受けリードと、前記一対のバリ受けリード間において前記基台から前記タイバーに向かって該タイバーに接することなく延在する前記接続リードとが一体的に形成されたリードフレームを金型に配置して、前記基台の封止させる部位を金型のキャビティ内に収容すると共にキャビティから露出する部位を上下からクランプした状態で樹脂を供給し、樹脂硬化後のリードフレームにおいて、前記基台および前記バリ受けリード間を切断して成ることを特徴とする樹脂封止半導体装置。
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JP2008175326A JP5127602B2 (ja) | 2008-07-04 | 2008-07-04 | 樹脂封止半導体装置の製造方法および樹脂封止半導体装置 |
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