JP5125481B2

JP5125481B2 - Photomask manufacturing method

Info

Publication number: JP5125481B2
Application number: JP2007329830A
Authority: JP
Inventors: 元也田中; 健司松政; 寿二安原
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2007-12-21
Filing date: 2007-12-21
Publication date: 2013-01-23
Anticipated expiration: 2027-12-21
Also published as: JP2009151150A

Description

本発明は、ＬＣＤ（液晶表示装置）、有機ＥＬＤ（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）などのディスプレイ装置のカラー化等に使用されるカラーフィルタに関する。また本発明は、複数の異なる高さを有するパターンを一括形成するためのフォトリソグラフィー技術およびフォトマスクに関する。 The present invention relates to a color filter used for colorization of a display device such as an LCD (liquid crystal display device) or an organic ELD (organic electroluminescence display device). The present invention also relates to a photolithography technique and a photomask for collectively forming a plurality of patterns having different heights.

携帯電話、デジタルカメラ（ＤＳＣ）やテレビ（ＴＶ）等に使用されるＬＣＤパネルは、カラーフィルタ（ＣＦ）と対向基板とを貼り合わせ、その間に液晶を封入することにより製造する。このパネル組み立ての最初の貼り合わせ工程の際には、ＣＦ基板側と対向基板側の両側から荷重を加え、両基板の間に挟まれるシール部およびフォトスペーサを圧着して貼り合わせる。 An LCD panel used for a mobile phone, a digital camera (DSC), a television (TV), or the like is manufactured by bonding a color filter (CF) and a counter substrate and enclosing a liquid crystal therebetween. In the first bonding process of the panel assembly, a load is applied from both sides of the CF substrate side and the counter substrate side, and a seal portion and a photo spacer sandwiched between the two substrates are pressed and bonded together.

フォトスペーサは基板間ギャップ（基板間距離）を所期の大きさにするために使用されるものであるが、貼り合わせ工程の圧着時フォトスペーサは多少弾性変形するので、実際の基板間ギャップはフォトスペーサの弾性変形を織り込んだ値で設定される。 Photo spacers are used to make the inter-substrate gap (inter-substrate distance) the expected size, but the photo spacers are somewhat elastically deformed during pressure bonding in the bonding process, so the actual inter-substrate gap is It is set to a value that incorporates elastic deformation of the photo spacer.

フォトスペーサにより基板間ギャップを設定する場合、圧着時に過剰な荷重が加わることでフォトスペーサに塑性変形や破壊が発生する危険がある。そこで、これを防ぐ方法が必要である。 When the gap between the substrates is set by the photospacer, there is a risk that the photospacer may be plastically deformed or broken due to an excessive load applied during pressure bonding. Therefore, a method for preventing this is necessary.

その一つとして、フォトスペーサに加え、フォトスペーサよりも高さが低い別のスペーサ（サブフォトスペーサと称する）を配置する方法がある。圧着時にＣＦと対向基板との間に過剰な荷重が加わった際に、余分な荷重をサブフォトスペーサに分散させ、フォトスペーサへ荷重が集中して塑性変形や破壊が発生することを回避させるというものである。 As one of them, there is a method of arranging another spacer (referred to as a sub-photo spacer) having a lower height than the photo spacer in addition to the photo spacer. When an excessive load is applied between the CF and the counter substrate during crimping, the excess load is distributed to the sub-photo spacers, and the load is concentrated on the photo spacers to avoid plastic deformation and breakage. Is.

このようにフォトスペーサ、サブフォトスペーサという２種類のスペーサを有する、ＬＣＤ用カラーフィルタ（ＣＦ）の断面図の例を図１中に示す。図１自体は、ＬＣＤパネルの断面模式図の例であり、ＣＦと対向基板が貼り合わされたものである。 FIG. 1 shows an example of a cross-sectional view of an LCD color filter (CF) having two types of spacers, photo spacers and sub photo spacers. FIG. 1 itself is an example of a schematic cross-sectional view of an LCD panel, in which a CF and a counter substrate are bonded together.

図１のＣＦでは、ガラス製ＣＦ基板１０１上にブラックマトリックス（ＢＭ）１０２および着色画素１０３Ｒ・１０３Ｇ・１０３Ｂが形成されており、その上をオーバーコート層１１１が覆っている。オーバーコート層１１１上には、フォトスペーサ１１２とサブフォトスペーサ１１３が形成されている。そして、その上側から逆向きに対向基板１２２が貼り合わされており、両基板間ギャップ１３１には液晶が封入されている。対向基板上には、電極や配線１２２が形成されており、さらに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やＴＦＴ回路が形成されていることもある。 In the CF of FIG. 1, a black matrix (BM) 102 and colored pixels 103 </ b> R, 103 </ b> G, and 103 </ b> B are formed on a glass CF substrate 101, and an overcoat layer 111 covers the black matrix (BM) 102. Photo spacers 112 and sub photo spacers 113 are formed on the overcoat layer 111. A counter substrate 122 is bonded in the opposite direction from the upper side, and liquid crystal is sealed in the gap 131 between both substrates. On the counter substrate, electrodes and wirings 122 are formed, and a thin film transistor (TFT) and a TFT circuit may be further formed.

ここでＣＦのオーバーコート層の役割は主に次のようなものである。ＬＣＤパネルにおいては、カラーフィルタ表面が平坦化されておらず凹凸が存在すると、封入された液晶分子が商品設計どおりの電気光学的特性を示すような所期の配向を行わない、「液晶配向不良」が発生する。そこで、ガラス基板上にBMや着色画素を形成することで凹凸化してしまったＣＦ表面に、透明樹脂等で上からオーバーコート処理を施し、表面を平坦化して配向不良の発生を抑制するのである。 Here, the role of the CF overcoat layer is mainly as follows. In the LCD panel, if the surface of the color filter is not flattened and there are irregularities, the encapsulated liquid crystal molecules do not perform the desired orientation that shows the electro-optical characteristics as designed, Is generated. Therefore, the CF surface that has been roughened by forming BM and colored pixels on the glass substrate is overcoated with a transparent resin or the like from above, and the surface is flattened to suppress the occurrence of alignment defects. .

またオーバーコート層には次のような役割もある。すなわち、ＬＣＤパネルにおいては
、カラーフィルタ（特にＢＭや着色画素等）から基板間の液晶層（液晶セル）へ汚染物質が浸入することで、液晶や対向基板上の回路等の誤動作、反応等の原因となることがある。そこでオーバーコート層を配することにより、ＣＦ表面から汚染物質が放出されることを防止するのである。 The overcoat layer also has the following role. That is, in the LCD panel, contaminants enter the liquid crystal layer (liquid crystal cell) between the substrates from the color filter (especially BM and colored pixels), thereby causing malfunctions and reactions of the circuits on the liquid crystal and the counter substrate. It can be a cause. Therefore, by providing an overcoat layer, contaminants are prevented from being released from the CF surface.

ＣＦ基板上にフォトスペーサ、サブフォトスペーサという高さが相異なる２種類のスペーサを形成する方法としては、フォトマスクにハーフトーン加工された部分（ハーフトーン部）を形成する方法がある（特許文献１）。
特開２００７−２７９１９２号公報。 As a method of forming two types of spacers having different heights, a photo spacer and a sub photo spacer, on a CF substrate, there is a method of forming a half-tone processed portion (half tone portion) on a photo mask (Patent Document). 1).
JP2007-279192A.

本件明細書では、ハーフトーン加工とは、フォトマスク上において遮光材を開口した部分に光透過率が0％でも100％でもないハーフトーン部を形成することをいうものとする。遮光材を開口していることから遮光部とは異なり、他方、ハーフトーン材を成膜してある点で開口部とも異なる。 In this specification, halftone processing means forming a halftone portion having a light transmittance of neither 0% nor 100% in a portion where a light shielding material is opened on a photomask. Since the light shielding material is opened, it is different from the light shielding portion. On the other hand, it differs from the opening portion in that a halftone material is formed.

フォトマスク上のハーフトーン部を透過した照射光は、フォトマスク上の開口部を通過した照射光よりも強度が弱くなる。そのためハーフトーン部として描画する部分と、開口部として描画する部分とを使い分けすることにより、露光時のフォトレジストへの照射光強度を２段階設定できる（ただし、フォトレジストのネガポジ特性によっては、ハーフトーン部として描画する部分と、遮光部として描画する部分との使い分けをすることにより、露光時のフォトレジストへの照射光強度を２段階設定する。）。 Irradiation light transmitted through the halftone portion on the photomask has a lower intensity than irradiation light that has passed through the opening on the photomask. Therefore, by selectively using a portion to be drawn as a halftone portion and a portion to be drawn as an opening portion, the irradiation light intensity to the photoresist at the time of exposure can be set in two stages (however, depending on the negative / positive characteristics of the photoresist, half (2) The irradiation light intensity to the photoresist at the time of exposure is set in two steps by properly using a portion to be drawn as a tone portion and a portion to be drawn as a light shielding portion.

ここで感光硬化性の樹脂材料（フォトレジスト）をスペーサとして使用する場合を想定してみると、露光時の照射光強度が強い部分ではフォトレジストは強く硬化し、露光時の照射光強度が弱い部分ではフォトレジストは弱く硬化する。そのため、フォトレジストを現像したとき、前記照射光強度が弱かった部分は、照射光強度が強かった部分よりも高さが低い（膜厚が薄い）パターン像となる。こうして、露光時のフォトレジストへの照射光強度を２段階設定にすることにより、高さが相異なる２種類のパターン像（スペーサ）を形成することができる。 Here, assuming that a photosensitive curable resin material (photoresist) is used as a spacer, the photoresist is hardened in a portion where the irradiation light intensity at the time of exposure is strong, and the irradiation light intensity at the time of exposure is weak. In part, the photoresist is weakly cured. Therefore, when the photoresist is developed, a portion where the irradiation light intensity is weak becomes a pattern image having a lower height (thin film thickness) than a portion where the irradiation light intensity is high. Thus, by setting the intensity of light irradiated to the photoresist during exposure to two levels, two types of pattern images (spacers) having different heights can be formed.

フォトレジストのネガポジ特性が逆の場合（感光溶解性の場合）には、これと反対に、照射光強度が弱かった部分（又は遮光されていた部分）の方が高い（膜厚が厚い）パターン像となるが、高さが相異なる２種類のパターン像（スペーサ）を形成できる点は同様である。 If the negative / positive characteristics of the photoresist are reversed (in the case of photosensitive solubility), the pattern where the irradiated light intensity is weaker (or the part that was shielded from light) is higher (thick film thickness). Although it becomes an image, it is the same in that two types of pattern images (spacers) having different heights can be formed.

CF基板上にフォトスペーサ、サブフォトスペーサという高さが相異なる２種類のスペーサを形成する他の方法としては、フォトマスクにグレートーン加工された部分（グレートーン部）を形成する方法もある（特許文献１）。そのメカニズムは上記ハーフトーン部を形成する方法と同様である。 As another method for forming two types of spacers having different heights such as a photo spacer and a sub photo spacer on the CF substrate, there is a method of forming a gray tone processed portion (gray tone portion) on the photo mask ( Patent Document 1). The mechanism is the same as the method for forming the halftone portion.

本件明細書では、グレートーン加工とは、露光機又は／及び現像機の解像限界（厳密に機器性能に起因する解像限界のみならず、使用されるフォトレジストやエッチング溶媒等の特性に起因する場合も含めて、「露光機又は／及び現像機の解像限界」と称することにする）を超えるような微細パターンを使用して描画した領域をフォトマスク上に作成することをいうものとする。またグレートーン部とは、前記領域が作成されたフォトマスク上の部分をいうものとする。グレートーン加工を施すと、露光時においてグレートーン部を通過して照射された光の強度は、直射光よりも低減される。 In this specification, the gray tone processing means the resolution limit of the exposure machine or / and the developing machine (strictly due to the characteristics of the photoresist, etching solvent, etc. used as well as the resolution limit caused by the equipment performance). Including creating a region drawn on a photomask using a fine pattern exceeding “the resolution limit of an exposure device or / and a developing device”. To do. Further, the gray tone portion means a portion on the photomask where the region is created. When the gray tone processing is performed, the intensity of light irradiated through the gray tone portion at the time of exposure is reduced as compared with direct light.

よって、フォトマスク上のグレートーン部を透過した照射光は、フォトマスク上の開口部（完全開口部）を通過した照射光よりも強度が弱くなる。そのためグレートーン部とし
て描画する部分と、開口部（完全開口部）として描画する部分とを使い分けすることにより、露光時のフォトレジストへの照射光強度を２段階設定できる（ただし、フォトレジストのネガポジ特性によっては、グレートーン部として描画する部分と、遮光部として描画する部分との使い分けをすることにより、露光時のフォトレジストへの照射光強度を２段階設定する。）。 Therefore, the intensity of the irradiation light transmitted through the gray tone portion on the photomask is lower than that of the irradiation light that has passed through the opening (complete opening) on the photomask. Therefore, by selectively using a portion to be drawn as a gray tone portion and a portion to be drawn as an opening portion (complete opening portion), the irradiation light intensity to the photoresist at the time of exposure can be set in two stages (however, the positive / negative of the photoresist) (Depending on the characteristics, the irradiation light intensity to the photoresist at the time of exposure is set in two stages by properly using a portion to be drawn as a gray tone portion and a portion to be drawn as a light shielding portion.)

ここで感光硬化性の樹脂材料（フォトレジスト）をスペーサとして使用する場合を想定してみると、露光時の照射光強度が強い部分ではフォトレジストは強く硬化し、露光時の照射光強度が弱い部分ではフォトレジストは弱く硬化する。そのため、フォトレジストをエッチングし現像したとき、前記照射光強度が弱かった部分は、照射光強度が強かった部分よりも高さが低い（膜厚が薄い）パターン像となる。こうして、露光時のフォトレジストへの照射光強度を２段階設定にすることにより、高さが相異なる２種類のパターン像（スペーサ）を形成することができる。 Here, assuming that a photosensitive curable resin material (photoresist) is used as a spacer, the photoresist is hardened in a portion where the irradiation light intensity at the time of exposure is strong, and the irradiation light intensity at the time of exposure is weak. In part, the photoresist is weakly cured. For this reason, when the photoresist is etched and developed, the portion where the irradiation light intensity is weak becomes a pattern image having a lower height (thin film thickness) than the portion where the irradiation light intensity is high. Thus, by setting the intensity of light irradiated to the photoresist during exposure to two levels, two types of pattern images (spacers) having different heights can be formed.

フォトレジストのネガポジ特性が逆の場合（感光溶解性の場合）には、これと反対に、照射光強度が弱かった部分（又は遮光されていた部分）の方が高い（膜厚が薄い）パターン像となるが、高さが相異なる２種類のパターン像（スペーサ）を形成できる点は同様である。 When the negative / positive characteristics of the photoresist are reversed (in the case of photosensitive solubility), on the contrary, the portion where the irradiation light intensity was weak (or the portion that was shielded from light) is higher (thin film thickness). Although it becomes an image, it is the same in that two types of pattern images (spacers) having different heights can be formed.

このように高さが相異なる２種類のスペーサ、フォトスペーサとサブフォトスペーサとは、ハーフトーン部又はグレートーン部を有するフォトマスクを使用することにより一括作製する方法がある。 As described above, there is a method in which two types of spacers having different heights, that is, a photo spacer and a sub photo spacer, are collectively manufactured by using a photomask having a halftone portion or a gray tone portion.

しかし、その下のオーバーコート層に関しては、別途形成（成膜およびパターニング、焼成処理等）をせざるを得なかった。 However, the overcoat layer below it had to be formed separately (film formation and patterning, baking treatment, etc.).

カラーフィルタはＬＣＤ等の基幹部材の一つであることから、カラーフィルタ製造には、絶え間の無く生産性向上の要求が突き付けられており、工程数削減や製造コスト低減は常に大きな課題である。 Since color filters are one of the key components such as LCDs, there is a constant demand for productivity improvement in color filter production, and reduction in the number of processes and production cost are always major issues.

本発明は、カラーフィルタの生産性向上や工程数削減、製造コスト低減について、従来の技術からさらに一歩進めた手段を提供することを課題とする。 It is an object of the present invention to provide means that are one step further than conventional techniques for improving color filter productivity, reducing the number of processes, and reducing manufacturing costs.

本件発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、本件の請求項１の発明は、ＣＦ基板上にブラックマトリックスと着色画素を形成した後、着色画素上に感光硬化性樹脂を全面一括塗布し、
次いで、フォトマスクを介したフォトリソグラフィー工程で前記感光硬化性樹脂を一括露
光描画し、一括塗布した前記同一材料にて、オーバーコート層とフォトスペーサとサブフォトスペーサとを有するカラーフィルタとするフォトマスクであって、
フォトマスクは、フォトスペーサ用の開口部と、サブフォトスペーサ用の第一層ＩＴＯからなる第一ハーフトーン部と、第一ハーフトーン部材と第二層ＩＴＯからなる部材との積層部であり、前記積層部をオーバーコート層用の第二ハーフトーン部とする、
以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
Ａ）フォトマスクとする基板に遮光膜を成膜後、遮光膜をパターニングするため、さらにフォトレジストを成膜する。
Ｂ）開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部になる部分は開口するように露光描画し、続いて、フォトレジストをエッチングし現像する。
Ｃ）その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、遮光膜材をエッチングしパターニングする。
Ｄ）次いで、残っているフォトレジストを溶解させ剥離することで、遮光膜の形成ができ、開口部を完成させる。
Ｅ）次いで、第二層ＩＴＯを全面に成膜し、さらにフォトレジストを上から成膜する。
Ｆ）次いで、所定の第二ハーフトーン部位のみにフォトレジストが残るような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストをエッチングし現像する。
Ｇ）現像されたフォトレジストを乗せたまま、第二層ＩＴＯをエッチングしパターニングする。
Ｈ）次いで、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離し、第二層ＩＴＯを形成する。
Ｉ）次いで、第一層ＩＴＯを全面に成膜し、さらにフォトレジストを上から成膜する。
Ｊ）続いて、前記第一ハーフトーン部位および第二ハーフトーン部位にフォトレジストが残るような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストをエッチングし現像する。
Ｋ）最後に上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離し、第一層ＩＴＯを形成し、第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部とを完成する。 The present invention has been made in view of the above problems. The invention of claim 1 of the present invention is that a black matrix and colored pixels are formed on a CF substrate, and then a photosensitive curable resin is applied all over the colored pixels. ,
Then, simultaneously exposing draw the photosensitive curable resin in a photolithography process through a photomask, in the same material collectively applied, a photomask to a color filter having an overcoat layer and the photo-spacers and the sub photo spacers Because
Off Otomasuku is a laminated portion of the opening portion of the photo spacer, a first half-tone portion consisting of the first layer ITO for the sub photo spacers, with a member comprising a first half-tone member and the second layer ITO, The laminated portion is a second halftone portion for an overcoat layer ,
A photomask manufacturing method comprising the following steps.
A) After forming a light shielding film on a substrate to be a photomask, a photoresist is further formed to pattern the light shielding film.
B) Exposure and drawing are performed so that the opening, the first halftone portion, and the second halftone portion are opened, and then the photoresist is etched and developed.
C) Thereafter, the light shielding film material is etched and patterned while the developed photoresist is placed.
D) Next, the remaining photoresist is dissolved and peeled to form a light shielding film, thereby completing the opening.
E) Next, a second layer ITO is formed on the entire surface, and further a photoresist is formed from above.
F) Next, exposure drawing is performed through a photomask on which a planar pattern is drawn so that the photoresist remains only in a predetermined second halftone portion, and the photoresist is etched and developed.
G) The second layer ITO is etched and patterned with the developed photoresist on it.
H) Next, the remaining photoresist is dissolved and peeled to form a second layer ITO.
I) Next, a first layer ITO is formed on the entire surface, and further a photoresist is formed from above.
J) Subsequently, exposure drawing is performed through a photomask on which a planar pattern is drawn so that the photoresist remains in the first halftone portion and the second halftone portion, and the photoresist is etched and developed.
K) Finally, the remaining photoresist is dissolved and peeled to form the first layer ITO, thereby completing the first halftone portion and the second halftone portion.

本件の請求項２の発明は、ＣＦ基板上にブラックマトリックスと着色画素を形成した後、着色画素上に感光硬化性樹脂を全面一括塗布し、
次いで、フォトマスクを介したフォトリソグラフィー工程で前記感光硬化性樹脂を一括露光描画し、一括塗布した前記同一材料にて、オーバーコート層とフォトスペーサとサブフォトスペーサとを有するカラーフィルタとするフォトマスクであって、
フォトマスクは、フォトスペーサ用の開口部と、サブフォトスペーサ用の第一層ＩＴＯからなる第一ハーフトーン部と、第一ハーフトーン部材と第二層ＩＴＯからなる部材との積層部であり、前記積層部をオーバーコート層用の第二ハーフトーン部とする、
以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法である。
Ａ）フォトマスクとする基板全面に第一層ＩＴＯ、第二層ＩＴＯ、遮光膜の順で成膜する。このとき、第二層ＩＴＯの最下部に、ＩＴＯのエッチング液によりエッチングされないストッパを入れておく。さらにフォトレジストを成膜する。
Ｂ）次いで、開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部になる部分は開口するように露光描画する。続いて、フォトレジストを現像する。
Ｃ）その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、遮光膜材をエッチングしパターニ
ングする。
Ｄ）次いで、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離することで、遮光膜を形成させる。
Ｅ）次いで、フォトレジストを全面に成膜する。
Ｆ）次いで、第二ハーフトーン部にはフォトレジストが残り開口部と第一ハーフトーン部にはフォトレジストが残らないような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストを現像する。
Ｇ）その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、第二層ＩＴＯをエッチングしパターニングする。このとき第二層ＩＴＯの最下部にはストッパーがあるため、第一層ＩＴＯはエッチングされない。
Ｈ）次いで、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離して、第二層ＩＴＯ膜を形成し、第二ハーフトーン部を完成する。
Ｉ）さらに、第一層ＩＴＯのパターニングを同様の手順で行い、フォトレジストを上から全面に成膜する。
Ｊ）続いて、第一ハーフトーン部および第二ハーフトーン部にフォトレジストが残り開口部にはフォトレジストが残らないような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストを現像する。
Ｋ）その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、第一層ＩＴＯをエッチングしパターニングする。
Ｌ）最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離して、第一層ＩＴＯ膜を形成し、第一ハーフトーン部を完成する。 In the invention of claim 2 of the present invention, after forming a black matrix and colored pixels on a CF substrate, a photosensitive curable resin is applied all over the colored pixels,
Then, simultaneously exposing draw the photosensitive curable resin in a photolithography process through a photomask, in the same material collectively applied, a photomask to a color filter having an overcoat layer and the photo-spacers and the sub photo spacers Because
Off Otomasuku is a laminated portion of the opening portion of the photo spacer, a first half-tone portion consisting of the first layer ITO for the sub photo spacers, with a member comprising a first half-tone member and the second layer ITO, The laminated portion is a second halftone portion for an overcoat layer ,
A photomask manufacturing method comprising the following steps.
A) A first layer ITO, a second layer ITO, and a light shielding film are formed in this order on the entire surface of the substrate serving as a photomask. At this time, a stopper that is not etched by the ITO etchant is placed at the bottom of the second layer ITO. Further, a photoresist is formed.
B) Next, exposure drawing is performed so that the opening, the first halftone portion, and the second halftone portion are opened. Subsequently, the photoresist is developed.
C) Thereafter, the light shielding film material is etched and patterned while the developed photoresist is placed.
D) Next, the light-shielding film is formed by dissolving and removing the photoresist remaining on the top.
E) Next, a photoresist is formed on the entire surface.
F) Next, exposure and drawing are performed through a photomask on which a planar pattern is drawn so that the photoresist remains in the second halftone portion and no photoresist remains in the opening and the first halftone portion, and the photoresist is developed. .
G) Thereafter, the second layer ITO is etched and patterned while the developed photoresist is placed thereon. At this time, since there is a stopper at the bottom of the second layer ITO, the first layer ITO is not etched.
H) Next, the photoresist remaining thereon is dissolved and peeled to form a second layer ITO film, thereby completing the second halftone portion.
I) Further, patterning of the first layer ITO is performed in the same procedure, and a photoresist is formed on the entire surface from above.
J) Subsequently, the photoresist is left in the first halftone portion and the second halftone portion and exposed and drawn through a photomask on which a planar pattern is drawn so that no photoresist remains in the opening, and the photoresist is developed. .
K) Thereafter, the first layer ITO is etched and patterned while the developed photoresist is placed thereon.
L) Finally, the remaining photoresist is dissolved and peeled to form a first layer ITO film, thereby completing the first halftone portion.

本件の請求項３の発明は、遮光膜を低反射クロムとしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの製造方法である。 A third aspect of the present invention is the photomask manufacturing method according to the first or second aspect , wherein the light-shielding film is made of low-reflection chrome .

本発明により、カラーフィルタのオーバーコート層は、フォトスペーサ、サブフォトスペーサと一括形成することができる。その結果、カラーフィルタ製造工程数は削減され、生産性向上や製造コスト低減をすることができる。 According to the present invention, the overcoat layer of the color filter can be formed together with the photo spacer and the sub photo spacer. As a result, the number of color filter manufacturing steps is reduced, and productivity can be improved and manufacturing costs can be reduced.

以下、この発明を実施するための最良の形態につき説明する。ただし、本発明は全くこれに限られるものではない。 The best mode for carrying out the present invention will be described below. However, the present invention is not limited to this.

〈発明の実施の形態１〉
本発明の実施の形態では、カラーフィルタのオーバーコート層を、フォトスペーサ、サブフォトスペーサと一括形成する。つまり、オーバーコート層とフォトスペーサとサブフォトスペーサとは、一括塗布された同一材料を、フォトリソグラフィー工程で一括露光して一括描画し、現像も一括で行われる。前記一括塗布された同一材料には、感光硬化性樹脂を使用する。 <Embodiment 1 of the Invention>
In the embodiment of the present invention, the overcoat layer of the color filter is formed together with the photo spacer and the sub photo spacer. That is, the overcoat layer, the photo spacer, and the sub-photo spacer are collectively drawn by simultaneously exposing the same material applied in a lump in a photolithography process, and development is also performed in a lump. A photosensitive curable resin is used for the same material applied in a lump.

以下、図２〜図４に沿って、オーバーコート層をフォトスペーサ・サブフォトスペーサと一括形成する過程について説明する。図２〜図４はＣＦを模式的に示した図であるが、図１におけるＣＦ基板１０１とＢＭ１０２は、図２〜図４においては省略されている。実際には、着色画素２１１Ｒ・２１１Ｇ・２１１Ｂの下にCF基板とBMがある。 Hereinafter, the process of forming the overcoat layer together with the photo spacer and the sub photo spacer will be described with reference to FIGS. 2 to 4 schematically show the CF, the CF substrate 101 and BM 102 in FIG. 1 are omitted in FIGS. Actually, the CF substrate and the BM are under the colored pixels 211R, 211G, and 211B.

オーバーコート層をフォトスペーサ・サブフォトスペーサと一括形成するには、まず図２に示すのように、原材料である感光硬化性樹脂２１４を着色画素２１１Ｒ・２１１Ｇ・
２１１Ｂ上に一括塗布する。 In order to form the overcoat layer together with the photo spacer / sub photo spacer, first, as shown in FIG.
Apply all over 211B.

その後図３に示すように、開口部２２５以外にグレートーン部２２６とハーフトーン部２２７を有するフォトマスクを通して、感光硬化性樹脂２１４を全面一括露光する。矢印２２０は露光方向を表している。
なお、本フォトマスクは、本発明に係るフォトマスクの参考のための例である。 Then I are shown in Figure 3 sea urchin, through a photomask having a gray-tone unit 226 and the halftone portion 227 other than the opening 225 is entirely batch exposing the photosensitive curable resin 214. An arrow 220 represents the exposure direction.
This photomask is an example for reference of the photomask according to the present invention.

その後、感光硬化性樹脂を現像すると、図４に示すような形でフォトスペーサ２３８・サブフォトスペーサ２３９とオーバーコート層２３４が一括形成される。フォトマスクの開口部２２５で露光された部分がフォトスペーサ２３８となり、フォトマスクのグレートーン部２２６で露光された部分がサブフォトスペーサ２３９となり、フォトマスクのハーフトーン部２２７で露光された部分がオーバーコート層２３４となる。形成されたフォトスペーサ２３８・サブフォトスペーサ２３９とオーバーコート層２３４は、強度を上げたり安定化させるために、さらに焼成（加熱処理）される。 Thereafter, when the photosensitive curable resin is developed, a photo spacer 238, a sub photo spacer 239, and an overcoat layer 234 are collectively formed as shown in FIG. The portion exposed at the opening 225 of the photomask becomes a photo spacer 238, the portion exposed at the gray tone portion 226 of the photo mask becomes the sub-photo spacer 239, and the portion exposed at the half tone portion 227 of the photo mask is over. Coat layer 234 is formed. The formed photo spacers 238, sub photo spacers 239, and overcoat layer 234 are further baked (heat treated) in order to increase the strength and stabilize it.

〈発明の実施の形態２〉
ここからは、感光硬化性樹脂２１４の全面一括露光に用いる、本発明に係るフォトマスクの参考のためのフォトマスクの形態例について、図６〜図８を用いて説明する。感光硬化性樹脂２１４の全面一括露光に用いるフォトマスクの最良の形態では、フォトスペーサ用の平面パターンが開口部として描画され、サブフォトスペーサ用の平面パターンがグレートーン部として描画され、オーバーコート層の平面パターンがハーフトーン部として描画されるものである。よって、フォトマスク表面には、開口部とグレートーン部とハーフトーン部とが存在する。場合によっては、さらに遮光部が存在してもよい。 <Embodiment 2 of the Invention>
From here, the example of the photomask for reference of the photomask which concerns on this invention used for the whole surface batch exposure of the photosensitive curable resin 214 is demonstrated using FIGS. In the best mode of the photomask used for the entire surface exposure of the photosensitive curable resin 214, the planar pattern for the photo spacer is drawn as an opening, the planar pattern for the sub-photo spacer is drawn as a gray tone portion, and the overcoat layer The plane pattern is drawn as a halftone portion. Therefore, an opening, a gray tone portion, and a half tone portion exist on the photomask surface. Depending on the case, a light shielding part may further exist.

図６はそのようなフォトマスクの断面模式図例である。基板３４０上に、開口部３４３とグレートーン部３４４とハーフトーン部３４５とが存在している。開口部３４３とグレートーン部３４４、ハーフトーン部３４５以外の場所には、遮光膜３４１が塗工されている。素材として代表的なものは、基板が各種ガラス、遮光膜が低反射クロム、ハーフトーン部材がＩＴＯ（インジウム錫酸化物）であるが、これに限定される訳ではない。 FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of such a photomask. An opening 343, a gray tone part 344, and a halftone part 345 exist on the substrate 340. A light shielding film 341 is applied to a place other than the opening 343, the gray tone part 344, and the halftone part 345. Typical examples of the material include various kinds of glass as a substrate, low-reflective chromium as a light-shielding film, and ITO (indium tin oxide) as a halftone member, but are not limited thereto.

サブフォトスペーサ用の描画パターンであるグレートーン部３４４の平面図例が図７である。実寸を例示すると、全体幅３５１及び３５２が共に１３μm、遮光幅３５３が２.６μm、開口幅３５４が１.３μmであるが、勿論本発明はこれに限るものではない。本発明において各数値は、商品設計に適合するＣＦを作製すべく広い範囲から適宜選ぶことができる。グレートーン部３４４の描画パターンの微細度は、露光装置又は／及び現像装置の解像限界を超えている。そのため、形成されるフォトスペーサは結果的に円柱に近い形状となる。 FIG. 7 shows an example of a plan view of a gray tone portion 344 that is a drawing pattern for the sub-photo spacer. Illustratively, the overall widths 351 and 352 are both 13 μm, the light-shielding width 353 is 2.6 μm, and the opening width 354 is 1.3 μm, but the present invention is not limited to this. In the present invention, each numerical value can be appropriately selected from a wide range in order to produce a CF suitable for product design. The fineness of the drawing pattern of the gray tone portion 344 exceeds the resolution limit of the exposure apparatus and / or the development apparatus. Therefore, the formed photo spacer has a shape close to a cylinder as a result.

開口部とグレートーン部とハーフトーン部とが存在するフォトマスクの作製方法例を、図８を用いて述べる。 An example of a method for manufacturing a photomask having an opening, a graytone portion, and a halftone portion will be described with reference to FIGS.

まず、基板４０１上に遮光膜材４０２を成膜する。遮光膜材４０２をパターニングするために、さらにフォトレジスト４０３を成膜する（Ａ）。開口部とグレートーン部とハーフトーン部になる部分は開口するような平面パターンが描画された、フォトマスクを通して露光描画する。但し開口部とハーフトーン部の開口は全面開口であるが、グレートーン部の開口は全面開口でなく、例えば図８のような部分開口の平面パターンである。続いて、フォトレジストを現像する（Ｂ）。その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、遮光膜材４０２をエッチングしパターニングする（Ｃ）。最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離する（Ｄ）。これで、遮光膜４０２の形成ができ、開口部とグレートーン部は完成した。 First, a light shielding film material 402 is formed on the substrate 401. In order to pattern the light shielding film material 402, a photoresist 403 is further formed (A). Exposure and drawing are performed through a photomask in which a planar pattern is drawn so that the opening, the gray tone portion, and the half tone portion are drawn. However, although the opening of the opening and the halftone part is a full surface opening, the opening of the gray tone part is not a full surface opening, but is a planar pattern of partial openings as shown in FIG. 8, for example. Subsequently, the photoresist is developed (B). Thereafter, the light shielding film material 402 is etched and patterned while the developed photoresist is placed (C). Finally, the remaining photoresist is dissolved and stripped (D). Thus, the light shielding film 402 was formed, and the opening and the gray tone portion were completed.

続いて、ハーフトーン膜４０４の形成を同様の手順で行う。ハーフトーン膜材４０４を全面に成膜し、さらにフォトレジスト４０５を上から成膜する（Ｅ）。続いて、ハーフトーン部のみにフォトレジスト４０５が残るように露光描画し、フォトレジストを現像する（Ｆ）。その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、ハーフトーン膜材４０４をエッチングしパターニングする（Ｇ）。最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離する（Ｈ）。これで、ハーフトーン膜４０４の形成もでき、ハーフトーン部も完成である。 Subsequently, the halftone film 404 is formed in the same procedure. A halftone film material 404 is formed on the entire surface, and a photoresist 405 is formed from above (E). Subsequently, exposure drawing is performed so that the photoresist 405 remains only in the halftone portion, and the photoresist is developed (F). Thereafter, the halftone film material 404 is etched and patterned with the developed photoresist placed thereon (G). Finally, the remaining photoresist is dissolved and peeled off (H). Thus, the halftone film 404 can be formed, and the halftone portion is also completed.

本実施例では、先に述べた「発明の実施の形態１」の場合と同様に、カラーフィルタのオーバーコート層を、フォトスペーサ、サブフォトスペーサと一括形成することを前提にした、他の形態を述べる。本実施例でも、オーバーコート層とフォトスペーサとサブフォトスペーサとは、一括塗布された同一材料を、フォトリソグラフィー工程で一括露光して一括描画し、現像も一括で行う。前記一括塗布された同一材料には、感光硬化性樹脂を使用するものとする。 In the present embodiment, as in the case of “Embodiment 1 of the invention” described above, another embodiment is based on the premise that the overcoat layer of the color filter is formed together with the photo spacer and the sub photo spacer. To state. Also in this embodiment, the overcoat layer, the photo spacer, and the sub-photo spacer are collectively drawn by simultaneously exposing the same material applied in a lump in a photolithography process, and development is also performed in a lump. A photosensitive curable resin is used for the same material applied in a lump.

以下、図２〜図４に沿って、オーバーコート層をフォトスペーサ・サブフォトスペーサと一括形成する過程について説明する。図２〜図４はCFを模式的に示した図であるが、図１におけるＣＦ基板１０１とＢＭ１０２は、図２〜図４においては省略されている。実際には、着色画素２６１R・２６１G・２６１Bの下にＣＦ基板とＢＭがある。これらの点は、先に述べた「発明の実施の形態１」の場合と同様である。 Hereinafter, the process of forming the overcoat layer together with the photo spacer and the sub photo spacer will be described with reference to FIGS. 2 to 4 are diagrams schematically showing the CF, but the CF substrate 101 and the BM 102 in FIG. 1 are omitted in FIGS. Actually, the CF substrate and the BM are under the colored pixels 261R, 261G, and 261B. These points are the same as in the case of “Embodiment 1 of the invention” described above.

オーバーコート層をフォトスペーサ・サブフォトスペーサと一括形成するには、まず図２に示すのように、原材料である感光硬化性樹脂２６４を着色画素２６１Ｒ・２６１Ｇ・２６１Ｂ上に一括塗布する。 In order to form the overcoat layer together with the photospacer / subphotospacer, first, as shown in FIG. 2, a photosensitive curable resin 264 as a raw material is applied onto the colored pixels 261R / 261G / 261B at a time.

その後図３に示すように、開口部２７５以外に第一ハーフトーン部２７６と第二ハーフトーン部２７７を有するフォトマスクを通して、感光硬化性樹脂２１４を全面一括露光する。矢印２７０は露光方向を表している。２７６、２７７が第一ハーフトーン部、第二ハーフトーン部である点が、先に述べた「発明の実施の形態１」の場合と異なる点である。そして、本フォトマスクは、本発明に係るフォトマスクの参考のための例である。 I are shown in subsequent Figure 3 sea urchin, through a photomask having a first halftone section 276 a second half-tone unit 277 in addition to the opening 275 is entirely batch exposing the photosensitive curable resin 214. An arrow 270 represents the exposure direction. 276 and 277 are the first halftone portion and the second halftone portion, which is different from the case of “Embodiment 1 of the invention” described above. The photomask is an example for reference of the photomask according to the present invention.

その後、感光硬化性樹脂を現像すると、図４に示すような形でフォトスペーサ２８８・サブフォトスペーサ２８９とオーバーコート層２８４が一括形成される。フォトマスクの開口部２７５で露光された部分がフォトスペーサ２８８となり、フォトマスクのグレートーン部２７６で露光された部分がサブフォトスペーサ２８９となり、フォトマスクのハーフトーン部２７７で露光された部分がオーバーコート層２８４となる。形成されたフォトスペーサ２８８・サブフォトスペーサ２８９とオーバーコート層２８４は、強度を上げたり安定化させるために、さらに焼成（加熱処理）される。 Thereafter, when the photosensitive curable resin is developed, a photo spacer 288, a sub photo spacer 289, and an overcoat layer 284 are collectively formed as shown in FIG. The portion exposed at the opening 275 of the photomask becomes the photo spacer 288, the portion exposed at the gray tone portion 276 of the photo mask becomes the sub photo spacer 289, and the portion exposed at the half tone portion 277 of the photo mask is over. Coat layer 284 is formed. The formed photo spacers 288 and sub photo spacers 289 and the overcoat layer 284 are further baked (heat treatment) in order to increase the strength and stabilize it.

実施例２では、感光硬化性樹脂２１４の全面一括露光に用いるフォトマスクの形態について、図５（Ａ）及び図９を用いて説明する。実施例２は、フォトスペーサ用の平面パターンが開口部として描画され、サブフォトスペーサ用の平面パターンが第一ハーフトーン部として描画され、オーバーコート層の平面パターンが第二ハーフトーン部として描画されるものである。よって、フォトマスク表面には、開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部とが存在する。場合によっては、さらに遮光部が存在してもよい。 In Example 2, the form of a photomask used for the entire surface batch exposure of the photosensitive curable resin 214 will be described with reference to FIGS. In Example 2, the planar pattern for the photo spacer is drawn as the opening, the planar pattern for the sub-photo spacer is drawn as the first halftone part, and the planar pattern of the overcoat layer is drawn as the second halftone part. Is. Therefore, an opening, a first halftone portion, and a second halftone portion exist on the photomask surface. Depending on the case, a light shielding part may further exist.

図５（Ａ）はそのようなフォトマスクの断面模式図例である。基板３１０上に、開口部３１３と第一ハーフトーン部３１４と第二ハーフトーン部３１５とが存在している。開口
部３１３と第一ハーフトーン部３１４、第二ハーフトーン部３１５以外の場所には、遮光膜３１１が塗工されている。素材として代表的なものは、基板が各種ガラス、遮光膜が低反射クロム、第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材とがＩＴＯ（インジウム錫酸化物）であるが、これに限定される訳ではない。第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材とが全く異なる元素や化学組成からなる素材であってもよい。 FIG. 5A is a schematic cross-sectional view of such a photomask. An opening 313, a first halftone part 314, and a second halftone part 315 exist on the substrate 310. A light shielding film 311 is applied at a place other than the opening 313, the first halftone part 314, and the second halftone part 315. Typical materials include various types of glass for the substrate, low-reflection chrome for the light-shielding film, and ITO (indium tin oxide) for the first halftone member and the second halftone member. is not. The first halftone member and the second halftone member may be made of completely different elements or chemical compositions.

第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材とがＩＴＯである場合、各ＩＴＯは同じ組成のＩＴＯでもよいし、相異なる組成のＩＴＯでもよい。本実施例では、第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材が同じ組成のＩＴＯであるとし、第一ハーフトーン部３１４と第二ハーフトーン部３１５では、トータルの膜厚を変えることにより光透過率を変えるものとする。具体的には、第一ハーフトーン部３１４は第一層ＩＴＯ３１６のみからなり、第二ハーフトーン部３１５は第一層ＩＴＯ３１６と第二層ＩＴＯ３１７からなるものとする。 When the first halftone member and the second halftone member are ITO, each ITO may be an ITO having the same composition or an ITO having a different composition. In the present embodiment, the first halftone member and the second halftone member are made of ITO having the same composition, and the first halftone portion 314 and the second halftone portion 315 transmit light by changing the total film thickness. The rate shall be changed. Specifically, the first halftone portion 314 is composed of only the first layer ITO 316, and the second halftone portion 315 is composed of the first layer ITO 316 and the second layer ITO 317.

このような、開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部とが存在するフォトマスクの作製方法例を、図９を用いて述べる。 An example of a method for manufacturing such a photomask having an opening, a first halftone portion, and a second halftone portion will be described with reference to FIGS.

まず、基板５０１に遮光膜５０２を成膜する。遮光膜５０２をパターニングするために、さらにフォトレジスト５０３を成膜する（Ａ）。開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部になる部分は開口するように露光描画する。続いて、フォトレジストをエッチングし現像する（Ｂ）。その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、遮光膜材５０２をエッチングしパターニングする（Ｃ）。最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離する（Ｄ）。これで、遮光膜５０２の形成ができ、開口部は完成した。 First, the light shielding film 502 is formed on the substrate 501. In order to pattern the light shielding film 502, a photoresist 503 is further formed (A). Exposure drawing is performed so that the opening, the first halftone portion, and the second halftone portion are opened. Subsequently, the photoresist is etched and developed (B). Thereafter, the light shielding film material 502 is etched and patterned while the developed photoresist is placed (C). Finally, the remaining photoresist is dissolved and stripped (D). Thus, the light shielding film 502 was formed, and the opening was completed.

次に、第二層ＩＴＯ５０４の形成を上記遮光膜５０２の形成と同様の手順で行う。第二層ＩＴＯ５０４を全面に成膜し、さらにフォトレジスト５０５を上から成膜する（Ｅ）。続いて、第二ハーフトーン部のみにフォトレジスト５０５が残るような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストをエッチングし現像する（Ｆ）。その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、第二層ＩＴＯ５０４をエッチングしパターニングする（Ｇ）。最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離する（Ｈ）。これで、第二層ＩＴＯ膜５０４の形成もできた。 Next, the second layer ITO 504 is formed in the same procedure as the formation of the light shielding film 502. A second layer ITO 504 is formed on the entire surface, and a photoresist 505 is formed from above (E). Subsequently, exposure is drawn through a photomask on which a planar pattern is drawn so that the photoresist 505 remains only in the second halftone portion, and the photoresist is etched and developed (F). Thereafter, the second layer ITO 504 is etched and patterned while the developed photoresist is placed (G). Finally, the remaining photoresist is dissolved and peeled off (H). Thus, the second layer ITO film 504 was also formed.

さらに、第一層ＩＴＯ５０６の形成も同様の手順で行う。第一層ＩＴＯ５０６を全面に成膜し、さらにフォトレジスト５０７を上から成膜する（Ｉ）。続いて、第一ハーフトーン部および第二ハーフトーン部にフォトレジスト５０７が残るような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストをエッチングし現像する（Ｊ）。その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、第一層ＩＴＯ５０６をエッチングしパターニングする（Ｋ）。最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離する（Ｌ）。これで、第一層ＩＴＯ膜５０６の形成もでき、第一ハーフトーン部および第二ハーフトーン部も完成である。 Further, the first layer ITO 506 is formed in the same procedure. A first layer ITO 506 is formed on the entire surface, and a photoresist 507 is formed from above (I). Subsequently, exposure and drawing are performed through a photomask on which a planar pattern in which the photoresist 507 remains in the first halftone portion and the second halftone portion is drawn, and the photoresist is etched and developed (J). Thereafter, the first layer ITO 506 is etched and patterned while the developed photoresist is placed (K). Finally, the remaining photoresist is dissolved and stripped (L). Thus, the first layer ITO film 506 can be formed, and the first halftone portion and the second halftone portion are also completed.

実施例３では、感光硬化性樹脂２１４の全面一括露光に用いるフォトマスクの他の形態について、図５（Ｂ）及び図１０を用いて説明する。実施例３も実施例２同様、フォトスペーサ用の平面パターンが開口部として描画され、サブフォトスペーサ用の平面パターンが第一ハーフトーン部として描画され、オーバーコート層の平面パターンが第二ハーフトーン部として描画されるフォトマスクの例である。よって、フォトマスク表面には、開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部とが存在する。場合によっては、さらに遮光部が存在してもよい。 In Example 3, another form of a photomask used for the entire surface exposure of the photosensitive curable resin 214 will be described with reference to FIGS. In Example 3, as in Example 2, the planar pattern for the photo spacer is drawn as the opening, the planar pattern for the sub-photo spacer is drawn as the first halftone part, and the planar pattern of the overcoat layer is the second half tone. It is an example of the photomask drawn as a part. Therefore, an opening, a first halftone portion, and a second halftone portion exist on the photomask surface. Depending on the case, a light shielding part may further exist.

図５（Ｂ）は実施例３のフォトマスクの断面模式図である。基板３２０上に、開口部３２３と第一ハーフトーン部３２４と第二ハーフトーン部３２５とが存在している。開口部３２３と第一ハーフトーン部３２４、第二ハーフトーン部３２５以外の場所には、遮光膜３２１が塗工されている。素材として代表的なものは、基板が各種ガラス、遮光膜が低反射クロム、第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材とがＩＴＯ（インジウム錫酸化物）であるが、これに限定される訳ではない。第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材とが全く異なる元素や化学組成からなる素材であってもよい。 FIG. 5B is a schematic cross-sectional view of the photomask of Example 3. An opening 323, a first halftone part 324, and a second halftone part 325 exist on the substrate 320. A light shielding film 321 is applied at a place other than the opening 323, the first halftone part 324, and the second halftone part 325. Typical materials include various types of glass for the substrate, low-reflection chrome for the light-shielding film, and ITO (indium tin oxide) for the first halftone member and the second halftone member. is not. The first halftone member and the second halftone member may be made of completely different elements or chemical compositions.

第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材とがＩＴＯである場合、各ＩＴＯは同じ組成のＩＴＯでもよいし、相異なる組成のＩＴＯでもよい。本実施例では、第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材が同じ組成のＩＴＯであるとし、第一ハーフトーン部３２４と第二ハーフトーン部３２５では、トータルの膜厚を変えることにより光透過率を変えるものとする。具体的には、第一ハーフトーン部３２４は第一層ＩＴＯ３２６のみからなり、第二ハーフトーン部３２５は第一層ＩＴＯ３２６と第二層ＩＴＯ３２７からなるものとする。実施例３のフォトマスクが、実施例２のフォトマスクと異なっている点は、第一層ＩＴＯと第二層ＩＴＯの積層の順序である。実施例２のフォトマスクでは、第一層ＩＴＯ３２６の上に第二層ＩＴＯ３２７が積層される。 When the first halftone member and the second halftone member are ITO, each ITO may be an ITO having the same composition or an ITO having a different composition. In this embodiment, the first halftone member and the second halftone member are made of ITO having the same composition, and the first halftone portion 324 and the second halftone portion 325 transmit light by changing the total film thickness. The rate shall be changed. Specifically, the first halftone portion 324 is composed of only the first layer ITO 326, and the second halftone portion 325 is composed of the first layer ITO 326 and the second layer ITO 327. The photomask of Example 3 is different from the photomask of Example 2 in the order of stacking the first layer ITO and the second layer ITO. In the photomask of Example 2, the second layer ITO 327 is stacked on the first layer ITO 326.

このような、開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部とが存在するフォトマスクの作製方法例を、図１０を用いて述べる。 An example of a method for manufacturing such a photomask having an opening, a first halftone portion, and a second halftone portion will be described with reference to FIGS.

まず、基板６０１全面に第一層ＩＴＯ６０４、第二層ＩＴＯ６０５、遮光膜６０２の順で成膜する。なお、第二層ＩＴＯ６０５の最下部にはストッパーを入れておく。遮光膜６０２をパターニングするために、さらにフォトレジスト６０３を成膜する（Ａ）。開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部になる部分は開口するように露光描画する。続いて、フォトレジストを現像する（Ｂ）。その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、遮光膜材６０２をエッチングしパターニングする（Ｃ）。最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離する（Ｄ）。これで、遮光膜６０２の形成ができ、開口部は完成した。 First, a first layer ITO 604, a second layer ITO 605, and a light shielding film 602 are formed on the entire surface of the substrate 601 in this order. A stopper is placed at the bottom of the second layer ITO 605. In order to pattern the light shielding film 602, a photoresist 603 is further formed (A). Exposure drawing is performed so that the opening, the first halftone portion, and the second halftone portion are opened. Subsequently, the photoresist is developed (B). Thereafter, the light shielding film material 602 is etched and patterned while the developed photoresist is placed (C). Finally, the remaining photoresist is dissolved and stripped (D). Thus, the light shielding film 602 was formed, and the opening was completed.

次に、第二層ＩＴＯ６０５のパターニング形成を行う。フォトレジスト６０６を全面に成膜する（Ｅ）。続いて、第二ハーフトーン部にはフォトレジスト６０６が残り開口部と第一ハーフトーン部にはフォトレジスト６０６が残らないような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストを現像する（Ｆ）。その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、第二層ＩＴＯ６０５をエッチングしパターニングする（Ｇ）。このとき第二層ＩＴＯ６０５の最下部にはストッパーがあるため、第一層ＩＴＯ６０４はエッチングされない。最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離する（Ｈ）。これで、第二層ＩＴＯ膜６０５の形成ができ、第二ハーフトーン部も完成した。 Next, the second layer ITO 605 is patterned. A photoresist 606 is deposited on the entire surface (E). Subsequently, exposure and drawing are performed through a photomask on which a planar pattern is drawn so that the photoresist 606 remains in the second halftone part and the photoresist 606 does not remain in the first halftone part, and the photoresist is developed. (F). Thereafter, the second layer ITO 605 is etched and patterned while the developed photoresist is placed (G). At this time, since there is a stopper at the bottom of the second layer ITO 605, the first layer ITO 604 is not etched. Finally, the remaining photoresist is dissolved and peeled off (H). Thus, the second layer ITO film 605 was formed, and the second halftone portion was also completed.

さらに、第一層ＩＴＯ６０４のパターニング形成を同様の手順で行う。フォトレジスト６０７を上から全面に成膜する（Ｉ）。続いて、第一ハーフトーン部および第二ハーフトーン部にフォトレジスト６０７が残り開口部にはフォトレジスト６０７が残らないような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストを現像する（Ｊ）。その後、現像されたフォトレジスト６０７を乗せたまま、第一層ＩＴＯ６０４をエッチングしパターニングする（Ｋ）。最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離する（Ｌ）。これで、第一層ＩＴＯ膜６０４の形成もでき、第一ハーフトーン部も完成である。 Further, patterning of the first layer ITO 604 is performed in the same procedure. A photoresist 607 is formed on the entire surface from above (I). Subsequently, exposure and drawing are performed through a photomask on which a planar pattern is drawn so that the photoresist 607 remains in the first halftone portion and the second halftone portion and the photoresist 607 does not remain in the opening, and the photoresist is developed. (J). Thereafter, the first layer ITO 604 is etched and patterned with the developed photoresist 607 placed thereon (K). Finally, the remaining photoresist is dissolved and stripped (L). Thus, the first layer ITO film 604 can be formed, and the first halftone portion is also completed.

本実施例は、参考のための例である。
実施例４では、感光硬化性樹脂２１４の全面一括露光に用いるフォトマスクの、さらに他の形態について、図５（Ｃ）及び図１１を用いて説明する。実施例４も実施例２および３と同様、フォトスペーサ用の平面パターンが開口部として描画され、サブフォトスペーサ用の平面パターンが第一ハーフトーン部として描画され、オーバーコート層の平面パターンが第二ハーフトーン部として描画されるフォトマスクの例である。よって、フォトマスク表面には、開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部とが存在する。場合によっては、さらに遮光部が存在してもよい。 This example is an example for reference.
In Example 4, still another embodiment of the photomask used for the entire surface batch exposure of the photosensitive curable resin 214 will be described with reference to FIGS. In Example 4, similarly to Examples 2 and 3, the planar pattern for the photo spacer is drawn as the opening, the planar pattern for the sub-photo spacer is drawn as the first halftone part, and the planar pattern of the overcoat layer is the first pattern. It is an example of the photomask drawn as a two halftone part. Therefore, an opening, a first halftone portion, and a second halftone portion exist on the photomask surface. Depending on the case, a light shielding part may further exist.

図５（Ｃ）は実施例４のフォトマスクの断面模式図である。基板３３０上に、開口部３３３と第一ハーフトーン部３３４と第二ハーフトーン部３３５とが存在している。開口部３３３と第一ハーフトーン部３３４、第二ハーフトーン部３３５以外の場所には、遮光膜３３１が塗工されている。素材として代表的なものは、基板が各種ガラス、遮光膜が低反射クロム、第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材とがＩＴＯ（インジウム錫酸化物）であるが、これに限定される訳ではない。第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材とが全く異なる元素や化学組成からなる素材であってもよい。 FIG. 5C is a schematic cross-sectional view of the photomask of Example 4. An opening 333, a first halftone part 334, and a second halftone part 335 are present on the substrate 330. A light shielding film 331 is applied at a place other than the opening 333, the first halftone part 334, and the second halftone part 335. Typical materials include various types of glass for the substrate, low-reflection chrome for the light-shielding film, and ITO (indium tin oxide) for the first halftone member and the second halftone member. is not. The first halftone member and the second halftone member may be made of completely different elements or chemical compositions.

本実施例では、第一ハーフトーン部材と第二ハーフトーン部材がＩＴＯであるとし、第一ハーフトーン部３３４と第二ハーフトーン部３３５では、ＩＴＯの成膜条件（酸素流量、電力、ガス圧等）を変えることにより光透過率を変えるものとする。そして、第一ハーフトーン部３２４は第一ＩＴＯ３３６からなり第二ハーフトーン部３３５は第二ＩＴＯ３３７からなるものとし、第一ハーフトーン部３２４は第二ハーフトーン部３３５よりも光透過率が高いものとする。 In the present embodiment, the first halftone member and the second halftone member are made of ITO, and the first halftone portion 334 and the second halftone portion 335 have ITO film forming conditions (oxygen flow rate, power, gas pressure). Etc.) to change the light transmittance. The first halftone portion 324 is made of the first ITO 336, the second halftone portion 335 is made of the second ITO 337, and the first halftone portion 324 has higher light transmittance than the second halftone portion 335. And

このような、開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部とが存在するフォトマスクの作製方法例を、図１１を用いて述べる。 An example of a method for manufacturing such a photomask having an opening, a first halftone portion, and a second halftone portion will be described with reference to FIGS.

まず、基板７０１全面に遮光膜７０２を成膜する。遮光膜７０２をパターニングするために、さらにフォトレジスト７０３を成膜する（Ａ）。開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部になる部分は開口するように露光描画する。続いて、フォトレジストを現像する（Ｂ）。その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、遮光膜７０２をエッチングしパターニングする（Ｃ）。最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離する（Ｄ）。これで、遮光膜７０２の形成ができた。 First, a light shielding film 702 is formed on the entire surface of the substrate 701. In order to pattern the light shielding film 702, a photoresist 703 is further formed (A). Exposure drawing is performed so that the opening, the first halftone portion, and the second halftone portion are opened. Subsequently, the photoresist is developed (B). Thereafter, the light-shielding film 702 is etched and patterned while the developed photoresist is placed (C). Finally, the remaining photoresist is dissolved and stripped (D). Thus, the light shielding film 702 was formed.

次に、第一層ＩＴＯ７０５の形成をリフトオフにより行う。最初にフォトレジスト７０４を全面に成膜する（Ｅ）。第一層ＩＴＯ７０５を形成することになる領域のみにフォトレジスト７０４が残らなくなるように露光描画した後、フォトレジスト７０４を現像する（Ｆ）。続いて、第一層ＩＴＯ７０５を全面に成膜する（Ｇ）。上に第一層ＩＴＯ７０５を載せたこの状態のまま、残っている全てのフォトレジスト７０４を溶解剥離する（Ｈ）。この結果、（Ｆ）でフォトレジスト７０４を取除いておいた領域のみに第一層ＩＴＯ７０５が形成され、第一ハーフトーン部が完成した。 Next, the first layer ITO 705 is formed by lift-off. First, a photoresist 704 is formed on the entire surface (E). After exposure and drawing so that the photoresist 704 does not remain only in the region where the first layer ITO 705 is to be formed, the photoresist 704 is developed (F). Subsequently, a first layer ITO 705 is formed on the entire surface (G). In this state where the first layer ITO 705 is placed thereon, all the remaining photoresist 704 is dissolved and peeled off (H). As a result, the first layer ITO 705 was formed only in the region where the photoresist 704 was removed in (F), and the first halftone portion was completed.

さらに、第二層ＩＴＯ７０７の形成も同様の手順で行う。最初にフォトレジスト７０６を全面に成膜する（Ｉ）。第二層ＩＴＯ７０７を形成することになる領域のみにフォトレジスト７０６が残らなくなるような露光描画した後、フォトレジスト７０６を現像する（Ｊ）。続いて、第二層ＩＴＯ７０７を全面に成膜する（Ｋ）。上に第二層ＩＴＯ７０７を載せたこの状態のまま、残っている全てのフォトレジスト７０６を溶解剥離する（Ｌ）。この結果、（Ｊ）でフォトレジスト７０６を取除いておいた領域のみに第二層ＩＴＯ７０７も形成され、第二ハーフトーン部、開口部も完成した。 Further, the second layer ITO 707 is formed in the same procedure. First, a photoresist 706 is formed on the entire surface (I). After carrying out exposure drawing so that the photoresist 706 does not remain only in the region where the second layer ITO 707 is to be formed, the photoresist 706 is developed (J). Subsequently, a second layer ITO 707 is formed on the entire surface (K). In this state where the second layer ITO 707 is placed thereon, all the remaining photoresist 706 is dissolved and peeled off (L). As a result, the second layer ITO 707 was also formed only in the region where the photoresist 706 was removed in (J), and the second halftone portion and the opening were also completed.

先に述べた「発明の実施の形態１」や「実施例１」では、感光硬化性樹脂を原料に使用してオーバーコート層、フォトスペーサ、サブフォトスペーサを一括形成した。しかし、感光硬化性樹脂を原料とすることは必須ではない。感光硬化性樹脂を原料とする代わりに、感光溶解性樹脂を原料とすることもできる。 In “Embodiment 1” and “Example 1” described above, an overcoat layer, a photo spacer, and a sub-photo spacer are collectively formed using a photosensitive curable resin as a raw material. However, it is not essential to use a photosensitive curable resin as a raw material. Instead of using a photosensitive curable resin as a raw material, a photosensitive soluble resin can also be used as a raw material.

「実施例５」のように、感光溶解性樹脂をオーバーコート層、フォトスペーサ、サブフォトスペーサの原料とした場合のフォトマスクの例について述べる。感光溶解性樹脂を原料とする場合、フォトスペーサ、サブフォトスペーサ、オーバーコート層の順に露光時の照射光強度が弱くなる必要がある。そこで、例えば「実施例４」のように、第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部を有し、第一ハーフトーン部の方が第二ハーフトーン部よりも光透過率が高いようなフォトマスクを使用する場合、遮光部でフォトスペーサ・第二ハーフトーン部でサブフォトスペーサ・第一ハーフトーン部でオーバーコート層の平面パターンを描画するとよい。 An example of a photomask in the case where a photosensitive soluble resin is used as a material for an overcoat layer, a photospacer, and a subphotospacer as in “Example 5” will be described. When a photosensitive soluble resin is used as a raw material, the irradiation light intensity at the time of exposure needs to decrease in the order of the photo spacer, the sub photo spacer, and the overcoat layer. Therefore, for example, as in “Example 4”, a photo having a first halftone part and a second halftone part, in which the first halftone part has higher light transmittance than the second halftone part. When a mask is used, a planar pattern of the overcoat layer may be drawn with the photo spacer at the light shielding portion, the sub photo spacer at the second half tone portion, and the first half tone portion.

カラーフィルタ付き液晶パネルの一例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows an example of the liquid crystal panel with a color filter. 本発明のカラーフィルタを作製する工程例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a process which produces the color filter of this invention. 本発明のカラーフィルタを作製する工程例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a process which produces the color filter of this invention. 本発明のカラーフィルタを作製する工程例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a process which produces the color filter of this invention. 第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部を有する本発明のフォトマスクの断面模式図例である。It is a cross-sectional schematic diagram example of the photomask of this invention which has a 1st halftone part and a 2nd halftone part. グレートーン部とハーフトーン部を有する本発明のフォトマスクの断面模式図例である。It is a cross-sectional schematic diagram example of the photomask of this invention which has a gray tone part and a halftone part. グレートーン部とハーフトーン部を有する本発明のフォトマスクにおける、サブフォトスペーサを描画したグレートーン部の平面図例である。It is an example of a plan view of a gray tone portion in which a sub-photo spacer is drawn in the photomask of the present invention having a gray tone portion and a half tone portion. グレートーン部とハーフトーン部を有する本発明のフォトマスクの作製工程例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a manufacturing process of the photomask of this invention which has a gray tone part and a halftone part. 第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部を有する本発明のフォトマスクの作製工程例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a manufacturing process of the photomask of this invention which has a 1st halftone part and a 2nd halftone part. 第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部を有する本発明のフォトマスクの作製工程例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a manufacturing process of the photomask of this invention which has a 1st halftone part and a 2nd halftone part. 第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部を有する本発明のフォトマスクの作製工程例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the example of a manufacturing process of the photomask of this invention which has a 1st halftone part and a 2nd halftone part.

符号の説明Explanation of symbols

１０１・・・（カラーフィルタの）基板
１０２・・・（カラーフィルタの）ブラックマトリックス
１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ、２１１Ｒ、２１１Ｇ、２１１Ｂ、２６１Ｒ、２６１Ｇ、２６１Ｂ・・・着色画素
１１１、２３４、２８４・・・オーバーコート層
１１２、２３８、２８８・・・フォトスペーサ
１１３、２３９、２８９・・・サブフォトスペーサ
１０１・・・対向基板
１２２・・・対向基板上にある電極、配線など
１３１・・・基板間ギャップ（セルギャップ。液晶を封入する。）
２１４、２６４・・・感光硬化性樹脂材料
２２０、２７０・・・露光
２２５、３１３、３２３、３３３、３４３・・・（フォトマスクの）開口部
２２６・・・（フォトマスクの）グレートーン部
２２７・・・（フォトマスクの）ハーフトーン部
２７６・・・（フォトマスクの）第一ハーフトーン部
２７７・・・（フォトマスクの）第二ハーフトーン部
３１０、３２０、３３０、３４０、４０１、５０１、６０１、７０１・・・（フォトマスクの）基板
３１１、３２１、３３１、３４１、４０２、５０２、６０２、７０２・・・（フォトマスクの）ブラックマトリックス（遮光部、遮光膜）
３１４、３２４、３３４・・・（フォトマスクの）第一ハーフトーン部
３１５、３２５、３３５・・・（フォトマスクの）第二ハーフトーン部
３４４・・・（フォトマスクの）グレートーン部
３４５・・・（フォトマスクの）ハーフトーン部
３１６、３２６、３３６、５０６、６０４、７０５・・・第一層ＩＴＯ
４０４・・・ハーフトーン膜
３１７、３２７、３３７、５０４、６０５、７０７・・・第二層ＩＴＯ
４０３、４０５、５０３、５０５、５０７、６０３、６０６、６０７、７０３、７０４、７０６・・・フォトレジスト 101 ... (color filter) substrate 102 ... (color filter) black matrix 103R, 103G, 103B, 211R, 211G, 211B, 261R, 261G, 261B ... colored pixels 111, 234, 284,. Overcoat layer 112, 238, 288 ... Photo spacer 113, 239, 289 ... Sub photo spacer 101 ... Counter substrate 122 ... Electrode, wiring, etc. on counter substrate 131 ... Between substrates Gap (cell gap. Encloses liquid crystal)
214, 264 ... photosensitive curable resin material 220, 270 ... exposure 225, 313, 323, 333, 343 ... (photomask) opening 226 ... (photomask) gray tone part 227 ... halftone part 276 (of photomask) ... first halftone part 277 (of photomask) ... second halftone part 310, 320, 330, 340, 401, 501 (of photomask) , 601, 701... (Photomask) substrate 311, 321, 331, 341, 402, 502, 602, 702... (Photomask) black matrix (light shielding part, light shielding film)
314, 324, 334 (first photomask) first halftone part 315, 325, 335 (photomask) second halftone part 344 (photomask) graytone part 345 ..Halftone parts (of photomask) 316, 326, 336, 506, 604, 705 ... first layer ITO
404: Halftone film 317, 327, 337, 504, 605, 707 ... Second layer ITO
403, 405, 503, 505, 507, 603, 606, 607, 703, 704, 706... Photoresist

Claims

ＣＦ基板上にブラックマトリックスと着色画素を形成した後、着色画素上に感光硬化性樹脂を全面一括塗布し、
次いで、フォトマスクを介したフォトリソグラフィー工程で前記感光硬化性樹脂を一括露光描画し、一括塗布した前記同一材料にて、オーバーコート層とフォトスペーサとサブフォトスペーサとを有するカラーフィルタとするフォトマスクであって、
フォトマスクは、フォトスペーサ用の開口部と、サブフォトスペーサ用の第一層ＩＴＯからなる第一ハーフトーン部と、第一ハーフトーン部材と第二層ＩＴＯからなる部材との積層部であり、前記積層部をオーバーコート層用の第二ハーフトーン部とする、
以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Ａ）フォトマスクとする基板に遮光膜を成膜後、遮光膜をパターニングするため、さらにフォトレジストを成膜する。
Ｂ）開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部になる部分は開口するように露光描画し、続いて、フォトレジストをエッチングし現像する。
Ｃ）その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、遮光膜材をエッチングしパターニングする。
Ｄ）次いで、残っているフォトレジストを溶解させ剥離することで、遮光膜の形成ができ、開口部を完成させる。
Ｅ）次いで、第二層ＩＴＯを全面に成膜し、さらにフォトレジストを上から成膜する。
Ｆ）次いで、所定の第二ハーフトーン部位のみにフォトレジストが残るような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストをエッチングし現像する。
Ｇ）現像されたフォトレジストを乗せたまま、第二層ＩＴＯをエッチングしパターニングする。
Ｈ）次いで、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離し、第二層ＩＴＯを形成する。
Ｉ）次いで、第一層ＩＴＯを全面に成膜し、さらにフォトレジストを上から成膜する。
Ｊ）続いて、前記第一ハーフトーン部位および第二ハーフトーン部位にフォトレジストが残るような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストをエッチングし現像する。
Ｋ）最後に上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離し、第一層ＩＴＯを形成し、第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部とを完成する。 After forming the black matrix and colored pixels on the CF substrate, the entire surface of the colored pixels is coated with a photosensitive curable resin,
Then, simultaneously exposing draw the photosensitive curable resin in a photolithography process through a photomask, in the same material collectively applied, a photomask to a color filter having an overcoat layer and the photo-spacers and the sub photo spacers Because
Off Otomasuku is a laminated portion of the opening portion of the photo spacer, a first half-tone portion consisting of the first layer ITO for the sub photo spacers, with a member comprising a first half-tone member and the second layer ITO, The laminated portion is a second halftone portion for an overcoat layer ,
A photomask manufacturing method comprising the following steps.
A) After forming a light shielding film on a substrate to be a photomask, a photoresist is further formed to pattern the light shielding film.
B) Exposure and drawing are performed so that the opening, the first halftone portion, and the second halftone portion are opened, and then the photoresist is etched and developed.
C) Thereafter, the light shielding film material is etched and patterned while the developed photoresist is placed.
D) Next, the remaining photoresist is dissolved and peeled to form a light shielding film, thereby completing the opening.
E) Next, a second layer ITO is formed on the entire surface, and further a photoresist is formed from above.
F) Next, exposure drawing is performed through a photomask on which a planar pattern is drawn so that the photoresist remains only in a predetermined second halftone portion, and the photoresist is etched and developed.
G) The second layer ITO is etched and patterned with the developed photoresist on it.
H) Next, the remaining photoresist is dissolved and peeled to form a second layer ITO.
I) Next, a first layer ITO is formed on the entire surface, and further a photoresist is formed from above.
J) Subsequently, exposure drawing is performed through a photomask on which a planar pattern is drawn so that the photoresist remains in the first halftone portion and the second halftone portion, and the photoresist is etched and developed.
K) Finally, the remaining photoresist is dissolved and peeled to form the first layer ITO, thereby completing the first halftone portion and the second halftone portion.

ＣＦ基板上にブラックマトリックスと着色画素を形成した後、着色画素上に感光硬化性樹脂を全面一括塗布し、
次いで、フォトマスクを介したフォトリソグラフィー工程で前記感光硬化性樹脂を一括露光描画し、一括塗布した前記同一材料にて、オーバーコート層とフォトスペーサとサブフォトスペーサとを有するカラーフィルタとするフォトマスクであって、
フォトマスクは、フォトスペーサ用の開口部と、サブフォトスペーサ用の第一層ＩＴＯからなる第一ハーフトーン部と、第一ハーフトーン部材と第二層ＩＴＯからなる部材との積層部であり、前記積層部をオーバーコート層用の第二ハーフトーン部とする、
以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Ａ）フォトマスクとする基板全面に第一層ＩＴＯ、第二層ＩＴＯ、遮光膜の順で成膜する。このとき、第二層ＩＴＯの最下部に、ＩＴＯのエッチング液によりエッチングされないストッパを入れておく。さらにフォトレジストを成膜する。
Ｂ）次いで、開口部と第一ハーフトーン部と第二ハーフトーン部になる部分は開口するように露光描画する。続いて、フォトレジストを現像する。
Ｃ）その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、遮光膜材をエッチングしパターニングする。
Ｄ）次いで、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離することで、遮光膜を形成させる。
Ｅ）次いで、フォトレジストを全面に成膜する。
Ｆ）次いで、第二ハーフトーン部にはフォトレジストが残り開口部と第一ハーフトーン部にはフォトレジストが残らないような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストを現像する。
Ｇ）その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、第二層ＩＴＯをエッチングしパターニングする。このとき第二層ＩＴＯの最下部にはストッパーがあるため、第一層ＩＴＯはエッチングされない。
Ｈ）次いで、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離して、第二層ＩＴＯ膜を形成し、第二ハーフトーン部を完成する。
Ｉ）さらに、第一層ＩＴＯのパターニングを同様の手順で行い、フォトレジストを上から全面に成膜する。
Ｊ）続いて、第一ハーフトーン部および第二ハーフトーン部にフォトレジストが残り開口部にはフォトレジストが残らないような平面パターンが描画されたフォトマスクを通して露光描画し、フォトレジストを現像する。
Ｋ）その後、現像されたフォトレジストを乗せたまま、第一層ＩＴＯをエッチングしパターニングする。
Ｌ）最後に、上に残っているフォトレジストを溶解させ剥離して、第一層ＩＴＯ膜を形成し、第一ハーフトーン部を完成する。 After forming the black matrix and colored pixels on the CF substrate, the entire surface of the colored pixels is coated with a photosensitive curable resin,
Then, simultaneously exposing draw the photosensitive curable resin in a photolithography process through a photomask, in the same material collectively applied, a photomask to a color filter having an overcoat layer and the photo-spacers and the sub photo spacers Because
Off Otomasuku is a laminated portion of the opening portion of the photo spacer, a first half-tone portion consisting of the first layer ITO for the sub photo spacers, with a member comprising a first half-tone member and the second layer ITO, The laminated portion is a second halftone portion for an overcoat layer ,
A photomask manufacturing method comprising the following steps.
A) A first layer ITO, a second layer ITO, and a light shielding film are formed in this order on the entire surface of the substrate serving as a photomask. At this time, a stopper that is not etched by the ITO etchant is placed at the bottom of the second layer ITO. Further, a photoresist is formed.
B) Next, exposure drawing is performed so that the opening, the first halftone portion, and the second halftone portion are opened. Subsequently, the photoresist is developed.
C) Thereafter, the light shielding film material is etched and patterned while the developed photoresist is placed.
D) Next, the light-shielding film is formed by dissolving and removing the photoresist remaining on the top.
E) Next, a photoresist is formed on the entire surface.
F) Next, exposure and drawing are performed through a photomask on which a planar pattern is drawn so that the photoresist remains in the second halftone portion and no photoresist remains in the opening and the first halftone portion, and the photoresist is developed. .
G) Thereafter, the second layer ITO is etched and patterned while the developed photoresist is placed thereon. At this time, since there is a stopper at the bottom of the second layer ITO, the first layer ITO is not etched.
H) Next, the photoresist remaining thereon is dissolved and peeled to form a second layer ITO film, thereby completing the second halftone portion.
I) Further, patterning of the first layer ITO is performed in the same procedure, and a photoresist is formed on the entire surface from above.
J) Subsequently, the photoresist is left in the first halftone portion and the second halftone portion and exposed and drawn through a photomask on which a planar pattern is drawn so that no photoresist remains in the opening, and the photoresist is developed. .
K) Thereafter, the first layer ITO is etched and patterned while the developed photoresist is placed thereon.
L) Finally, the remaining photoresist is dissolved and peeled to form a first layer ITO film, thereby completing the first halftone portion.

遮光膜を低反射クロムとしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフォトマスクの製造方法。 3. The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the light shielding film is made of low-reflection chrome.