JP5124930B2 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Description
[1] (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール系樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)フェライトを含むエポキシ樹脂組成物において、前記(A)エポキシ樹脂と(B)フェノール系樹脂の配合量が、全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール系樹脂のフェノール性水酸基数との比が0.8以上、1.3以下であり、前記(D)フェライトの含有量がエポキシ樹脂組成物全体に対して70重量%以上、95重量%以下であり、
前記(D)フェライトがFe2O3、Y2O3、SiO2を必須成分として含むフェライトであり、前記(D)フェライト中に含まれるSiO2換算成分の含有量が0.1重量%以上、1重量%以下であり、前記(D)フェライト中に含まれるインジュウムの含有量が0.02重量%以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[2] 前記(D)フェライトが球状である、第[1]項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[3] 第[1]項又は第[2]項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を混合及び/又は溶融混練してなる半導体封止用エポキシ樹脂成形材料、
[4] 第[3]項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
以下、本発明について詳細に説明する。
また、BGA等の片面封止の半導体装置用には、硬化時の反りの少ないトリフェノールメタン型エポキシ樹脂、及び/又はフィラー高充填が可能で成形収縮率を低く出来るビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂を用いるのが好ましい。また、QFP、SOP等のリードフレームを用いる半導体装置用には、リードフレームとの密着性が高く、耐リフロー性の良好なジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂(フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する)、及び/又はフィラー高充填が可能で低吸水化による耐半田リフロー性が良好なビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂を用いるのが好ましい。さらに、トランジスター等のディスクリート用途には、コストの点で有利なフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等を用いるのが好ましい。
(アスペクト比)=(粒子の短辺の長さ)/(粒子の長辺の長さ)
アスペクト比の実際の測定には、電子顕微鏡による映像から短辺と長辺の長さを測定し、n数が100の平均値などとして算出することができる。また、本発明で用いるフェライト(D)の粒度は、最大粒径75μm以下、平均粒径1μm以上、50μm以下が望ま
しい。また、これらのフェライトはカップリング剤により表面処理されていても差し支えない。
樹脂組成物中のフェライト(D)の含有量としては、70重量%以上、95重量%以下が好ましい。下限値を下回ると電磁波吸収特性が不足し、十分なノイズ対策が出来ない恐れがある。上限値を超えると、流動性が低下し成形性を損なう恐れがある。
ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX−4000、エポキシ当量190、融点105℃、150℃ICI粘度0.02ポイズ)
7.48重量部
フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XLC−4L、水酸基当量168、軟化点62℃) 6.62重量部
硬化促進剤(トリフェニルホスフィン−1,4−ベンゾキノン)
0.30重量部
球状ガーネット型フェライトA(組成:Fe2O3=58.4重量%、Y2O3=41.0重量%、SiO2=0.6重量%の混合物を焼成したフェライト、平均粒径25μm、最大粒径74μm) 85.00重量部
シランカップリング剤(N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン)
0.20重量部
カーボンブラック 0.20重量部
カルナバワックス 0.20重量部
をミキサーにて混合した後、熱ロールを用いて、95℃で8分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂成形材料を得た。得られたエポキシ樹脂成形材料を、以下の方法で評価した。結果を表1に示す。
スパイラルフロー:低圧トランスファー成形機を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用金型に、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒の条件でエポキシ樹脂成形材料を注入し、流動長を測定した。単位はcm。
表1の配合に従い、実施例1と同様にしてエポキシ樹脂成形材料を得て、実施例1と同様にして評価した。結果を表1に示す。
実施例1で用いたもの以外で、該実施例及び比較例で用いた原材料を以下に示す。
ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂(日本化薬(株)製、NC−3000、エポキシ当量272、軟化点58℃、150℃ICI粘度1.3ポイズ)
球状ガーネット型フェライトC(組成:Fe2O3=58.3重量%、Y2O3=41.0重量%、In2O3=0.7重量%の混合物を焼成したフェライト、平均粒径25μm、最大粒径74μm)
球状溶融シリカ(平均粒径20μm)
Claims (4)
- (A)エポキシ樹脂、(B)フェノール系樹脂、(C)硬化促進剤、及び(D)フェライトを含むエポキシ樹脂組成物において、
前記(A)エポキシ樹脂と(B)フェノール系樹脂の配合量が、全エポキシ樹脂のエポキシ基数と全フェノール系樹脂のフェノール性水酸基数との比が0.8以上、1.3以下であり、前記(D)フェライトの含有量がエポキシ樹脂組成物全体に対して70重量%以上、95重量%以下であり、
前記(D)フェライトがFe2O3、Y2O3、SiO2を必須成分として含むフェライトであり、前記(D)フェライト中に含まれるSiO2換算成分の含有量が0.1重量%以上、1重量%以下であり、前記(D)フェライト中に含まれるインジュウムの含有量が0.02重量%以下であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 - 前記(D)フェライトが球状である、請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1又は2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を混合及び/又は溶融混練してなる半導体封止用エポキシ樹脂成形材料。
- 請求項3に記載の半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
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