JP5122386B2 - 半導体用ケース - Google Patents
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Description
高周波プラズマ法では、メタンガスを原料に使い、容量結合型のプラズマ電極を用いる。この方法により生成するDLC膜の膜質は、膜中水素が多いため、平滑性に優れ、摩擦係数も小さいが、若干硬度が低いことが知られている。イオン化蒸着法では、原料にベンゼンを用い、イオン化した炭化水素を直流で加速することにより、生成したDLC膜の膜中から水素が除去される。このため、膜質が硬くなり、若干面粗度が悪くなるとことが知られている。したがって、通常、高周波プラズマ法によるDLC膜は摺動用途に用いられ、イオン化蒸着法によるDLC膜は金型や刃物等に用いられる。
したがって、本構成によれば、ケース本体の内部に樹脂由来のガスが放散してレチクルやウェハに付着することを防止でき、レチクルやウェハを安定に保つことができる。
そこで、本構成のように、密度を1.6〜2.6g/cm3の範囲にすることにより、良好な耐ガス透過性を保ちつつ、割れ難いダイヤモンドライクカーボン膜とすることができる。
尚、樹脂由来のガス(樹脂に含まれる気化物質)は、特に限定はされないが、例えば、安定剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、難燃剤等、重合前のモノマーや重合後の樹脂に添加する各種添加剤、未重合の原料モノマーやオリゴマー、溶融工程等で生じる低分子量分解物等を含む。
前処理ガス:水素(H2)ガス、500sccm
高周波電力:周波数13.56MHz、300W
真空度 :0.1Torr
処理時間 :1min
それぞれのDLC膜を形成した基材について発生するガス量を調べ、表2及び図3に示した。ガス量は、基材をサンプリング装置にセットした時のガス量から基材をセットしていない時のガス量(試験器ブランク)を引いて算出した。また、DLC膜を形成していない基材についても、比較例として発生するガス量を調べ、表2に示した。
DLC膜の厚みについては、大きい方が発生するガス量が低下する傾向にあることが分かったが、硬度がHK900及び1000のDLC膜では、膜厚が大きくなると割れが発生し、却ってガス量が多くなっていた。このため、DLC膜の厚みは、0.05〜1μmが好ましく、0.2〜1μmがより好ましく、0.5〜1μmがさらに好ましい。
2 チャンバ
6 電力印加電極
7 接地電極
9 高周波電力発生装置
Claims (1)
- 少なくとも内側面が樹脂で構成され、レチクルまたはウェハを収容するケース本体と、
前記内側面を被覆すると共に、前記内側面から前記樹脂に含まれる気化物質が放散することを防止するダイヤモンドライクカーボン膜とを備え、
前記ダイヤモンドライクカーボン膜の硬度が、HK500〜900の範囲にあり、密度が、1.6〜2.6g/cm 3 の範囲にあり、厚みが0.2〜1.0μmの範囲にある半導体用ケース。
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