JP5121744B2 - 製版装置及び製版方法 - Google Patents

Description

製版装置及び製版方法に関する。

外周面に記録プレート（記録媒体）が装着されたドラムを主走査方向に回転させると共に、記録プレートに彫刻（記録）すべき画像の画像データに応じたレーザビームを主走査方向と直交する副走査方向に走査させることで、２次元画像を記録プレートに彫刻（記録）して製版する製版装置が知られている。

このような製版装置において、フレキソ印刷版等の凸版印刷版やグラビア版等の凹版印刷版をレーザビームで直彫りする上での課題として、狭い領域を彫刻する浅彫り（精密彫刻）における細線や網点などの再現性と、広い領域を彫刻する深彫り（粗彫刻）と、の両立が上げられる。

一般的にこれらを両立させることは困難であるので、浅彫り（精密彫刻）用のスポット径の小さなレーザビームと、深彫り（粗彫刻）用のハイパワーのレーザビームと、の両方備え、それぞれ分けて彫刻する方法が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３を参照）。

ＵＳ６１５０６２９Ａ号 ＵＳ２００６／０２７９７９４Ａ１号公報 特開２００５−２２４４８１号公報

しかしながら、より高精細に彫刻することが求められている。

本発明は上記課題を解消するためになされたものであり、従来よりも高精細に彫刻することができる製版装置及び製版方法を提供することが目的である。

請求項１に記載の製版装置は、光ビームで記録媒体を所定の画素ピッチで走査することにより、前記記録媒体の表面を彫刻して製版する製版装置であって、前記記録媒体の表面を凸状に残す凸部に隣接する隣接領域における一部領域又は全領域を彫刻する光ビームの光パワーは、前記凸部の上面が彫刻閾値エネルギー以下になるように設定され、前記隣接領域とされた領域の外側に近接する近接領域の光ビームの光パワーは、前記隣接領域よりも上げられることを特徴としている。

請求項１に記載の製版装置では、記録媒体の表面を凸状に残す凸部に隣接する隣接領域における一部領域又は全領域に照射する光ビームの光パワーが、凸部の上面にかかる光ビームの露光が彫刻閾値エネルギー以下になるように下げられることで、凸部上面の彫刻が防止又は抑制される。

よって、例えば、凸部が線状の場合は、凸部の上面の幅が所望する幅に近づけられる（所望する幅が確保又は略確保される）。或いは、例えば、凸部が点状（平面視多角形状や平面視円形状等の二次元形状）の場合は、凸部の上面が所望する大きさ（幅など）や形状に近づけられる。

更に、隣接領域における彫刻閾値エネルギー以下とされた領域の外側に近接する近接領域では、隣接領域よりも光ビームの光パワーが上げられて彫刻されることで、凸部の側面の傾きが急角度となる。換言すると、凸部の断面形状が矩形状に近づけられる。

このように、凸部の上面が所望の幅、形状、大きさ等に近づけられると共に、凸部の断面形状が矩形状に近づけられる。つまり、凸部が高精細に彫刻される。よって、製版後の記録媒体で印刷した印刷物における細線や網点などの再現性が向上される。

なお、このように、本構成を適用することで、光ビーム径が大きくても、凸部が高精細に彫刻される。また、光ビーム径が小さい場合でも、本構成を適用しない場合よりも凸部が高精細に彫刻される。

また、近接領域で光ビームの光パワーが上げられる上げ幅は、記録媒体の種類等を考慮して決定される。

また、隣接領域及び近接領域は、凸部の大きさ、光ビームのビーム径、画素ピッチ、記録媒体の種類等を考慮して決定される。

請求項２に記載の製版装置は、請求項１に記載の構成において、前記隣接領域における領域は、１画素以上であることを特徴としている。

請求項２に記載の製版装置では、前記隣接領域を１画素以上とすることで、凸部の上面が所望の幅、形状、大きさ等により効果的に近づけられる。また、画素単位で光パワー制御されるので、光パワー制御が容易である。

請求項３に記載の製版装置は、請求項１又は請求項２に記載の構成において、前記近接領域では、１画素以下のパルス幅でパルス露光して彫刻することを特徴としている。

請求項３に記載の製版装置では、１画素以下のパルス幅でパルス露光して彫刻することで、凸部の側面の傾きがより急角度となる。換言すると、凸部の断面形状が矩形状により効果的に近づけられる。

なお、ここで言うパルス露光とは、光ビームの光パワーを「オフ→オン→オフ」とする制御をさし、パルス幅とはオンしている幅（間）をさす。

請求項４に記載の製版装置は、請求項３に記載の構成において、前記パルス露光のパルス幅が、０．５画素以下であることを特徴としている。

請求項４に記載の製版装置では、パルス露光のパルス幅が０．５画素以下とされることで、凸部の側面の傾きがより急角度となる。換言すると、凸部の断面形状が矩形状により効果的に近づけられる。

請求項５に記載の製版装置は、請求項３に記載の構成において、前記パルス露光のパルス幅が、０．２５画素以下であることを特徴としている。

請求項５に記載の製版装置では、パルス露光のパルス幅が０．２５画素以下とされることで、凸部の側面の傾きがより急角度となる。換言すると、凸部の断面形状が矩形状により効果的に近づけられる。

請求項６に記載の製版装置は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の構成において、前記記録媒体を彫刻する前記光ビームは、ファイバーアレイ光源から出射されたのち、結像レンズで集光された光ビームとされていることを特徴としている。

請求項６に記載の製版装置では、ファイバーアレイ光源から出射されたのち、結像レンズで集光された光ビームで記録媒体が彫刻されている。よって、例えば、ファイバーレーザやＣＯ２レーザ等の高価な光源と比較し、低コストとされる。

なお、このように低コストであっても、凸部の上面が所望の幅、形状、大きさ等に近づけられると共に凸部の断面形状が矩形状に近づけられる。つまり、製版後の記録媒体で印刷した印刷物における細線や網点などの再現性が向上される。

請求項７に記載の製版装置は、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の構成において、前記凸部が平面視多角形状の場合、彫刻閾値エネルギー以下になるように設定する領域は、平面多角形状の前記凸部の少なくとも一つの角部に隣接する領域を含むことを特徴としている。

請求項７に記載の製版装置では、彫刻閾値エネルギー以下に設定される領域に隣接する凸部の角部は、角がより明確に形成される（角が面取りされた状態にならない）。

請求項８に記載の製版装置は、請求項７に記載の構成において、平面視矩形状の前記凸部の全周に亘って、彫刻閾値エネルギー以下になるように設定されることを特徴としている。

請求項８に記載の製版装置では、平面視矩形状の凸部の全周に亘って、凸部の上面が彫刻閾値エネルギー以下になるように設定されるので、全角部がより明確に形成される。

請求項９に記載の製版装置は、請求項７又は請求項８に記載の構成において、前記凸部が平面視矩形状であることを特徴としている。

請求項９に記載の製版装置では、平面視矩形状の凸部の角部に隣接する領域を全て露光する場合と比較し、所望の平面視矩形状の凸部が得られる。

請求項１０に記載の製版方法は、光ビームで記録媒体を所定の画素ピッチで走査することにより、前記記録媒体の表面を彫刻して製版する製版方法であって、前記記録媒体の表面を凸状に残す凸部に隣接する隣接領域における一部領域又は全領域を彫刻する光ビームの光パワーを、前記凸部の上面が彫刻閾値エネルギー以下になるように下げ、前記隣接領域の外側に近接する近接領域を彫刻する光ビームの光パワーは、前記隣接領域よりも上げて彫刻することを特徴としている。

請求項１０に記載の製版方法では、凸部の上面が所望の幅、形状、大きさ等に近づけられると共に凸部の断面形状が矩形状に近づけられる。凸部が高精細に彫刻される。よって、製版後の記録媒体で印刷した印刷物における細線や網点などの再現性が向上される。

なお、彫刻閾値エネルギーとは、記録媒体の表面を彫刻するために必要な光ビームの光エネルギーとされ、この彫刻閾値エネルギーよりも大きなエネルギーでないと記録媒体は彫刻されない。換言すると、彫刻閾値エネルギー以下の光ビームが露光されていても記録媒体の表面は彫刻されない。なお、この彫刻閾値エネルギーは記録媒体の種類（材質など）によって異なる。

請求項１に記載の製版装置によれば、凸部の上面が所望の幅、形状、大きさ等に近づけられると共に凸部の断面形状が矩形状に近づけられるので、記録媒体を高精細に彫刻することができる、という優れた効果を有する。

請求項２に記載の製版装置によれば、凸部の上面が所望の幅、形状、大きさ等により効果的に近づけけることができる、という優れた効果を有する。

請求項３〜請求項５に記載の製版装置によれば、凸部の断面形状を矩形状により効果的に近づけることができる、という優れた効果を有する。

請求項６に記載の製版装置によれば、例えば、ファイバーレーザなどの高価な光源と比較し、コストを抑えることができる、という優れた効果を有する。

請求項７に記載の制搬装置によれば、凸部の角部をより明確に形成することができる、という優れた効果を有する。

請求項８に記載の製版装置によれば、凸部の全角部をより明確に形成することができる、という優れた効果を有する。

請求項９に記載の制搬装置によれば、平面視矩形状の凸部の角部に隣接する領域を全て露光する場合と比較し、凸部を所望する平面四角形状に近づけることができる、という優れた効果を有する。

請求項１０に記載の製版方法によれば、凸部の上面が所望の幅、形状、大きさ等に近づけることができる共に凸部の断面形状を矩形状に近づけることができるので、記録媒体を高精細に彫刻することができる、という優れた効果を有する。

本発明に係る実施形態の製版装置を示す概略構成図（斜視図）である。 レーザ記録装置のファイバーアレイ部及び光ファイバを示す斜視図である。 ファイバーアレイ部の露光部を示す模式図である。 光ファイバ端部の配置位置と走査線とを説明するため説明図である。 製版装置を平面視で見た図である。 製版装置の制御系の構成を示すブロック図である。 レーザ記録装置によって画像記録を行なう際の処理の概要を示すフローチャートである。 露光ヘッドの主要部と射出されたレーザビームとを模式的に図示しした説明図である。 本発明が適用されていない光パワー制御及びビーム径Ｄが２０μｍとされた場合における、（ａ）の右図はレーザビームのスポット径（スポット形状）を示し左図は中心断面の光パワーの示すグラフ図であり、（ｂ）は（ａ）に示すスポット径（スポット形状）のレーザビームで走査して２１．２μｍの凸細線（残す画素領域）を形成する場合の光パワー変化を模式的に示す図であり、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面の光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの（ｂ）のＡ−Ａ’に沿った断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用されていない光パワー制御及びビーム径Ｄが２０μｍとされた場合における、（ａ）の右図はレーザビームのスポット径（スポット形状）を示し左図は中心断面の光パワーの示すグラフ図であり、（ｂ）は（ａ）に示すスポット径（スポット形状）のレーザビームで走査して２１．２μｍの凸細線（残す画素領域）を形成する場合の光パワー変化を模式的に示す図であり、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面の光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの（ｂ）のＡ−Ａ’に沿った断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用された光パワー制御及びビーム径Ｄが２０μｍとされた場合における、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面の光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの（ｂ）のＡ−Ａ’に沿った断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用されていない光パワー制御及びビーム径Ｄが４０μｍとされた場合における、（ａ）の右図はレーザビームのスポット径（スポット形状）を示し左図は中心断面の光パワー分布を示すグラフであり、（ｂ）は（ａ）に示すスポット径（スポット形状）のレーザビームで走査して２１．２μｍの凸細線を形成する場合の光パワー変化を模式的に示す図であり、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの（ｂ）のＡ−Ａ’線に沿った断面の光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの（ｂ）のＡ−Ａ’に沿った断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用されていない光パワー制御及びビーム径Ｄが４０μｍとされた場合における、（ａ）の右図はレーザビームのスポット径（スポット形状）を示し左図は中心断面の光パワー分布を示すグラフであり、（ｂ）は（ａ）に示すスポット径（スポット形状）のレーザビームで走査して２１．２μｍの凸細線を形成する場合の光パワー変化を模式的に示す図であり、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの（ｂ）のＡ−Ａ’線に沿った断面の光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの（ｂ）のＡ−Ａ’に沿った断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用されていない光パワー制御及びビーム径Ｄが４０μｍとされた場合における、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用された光パワー制御及びビーム径Ｄが４０μｍとされた場合における、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用された光パワー制御及びビーム径Ｄが２０μｍとされた場合における、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用された光パワー制御及びビーム径Ｄが２０μｍとされた場合における、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用された光パワー制御及びビーム径Ｄが２０μｍとされた場合における、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの断面形状を模式的に示す図である。 本発明が適用されていない光パワー制御及びビーム径Ｄが４０μｍとされた場合における、（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示し、（Ｂ）はレーザビームの光パワーの積算エネルギーを示すグラフであり、（Ｃ）は凸細線Ｐの断面形状を模式的に示す図である。 本発明を適用して平面視矩形状の凸点を形成する場合の光パワー制御を説明する説明図である。 本発明を適用して平面視矩形状の凸点を形成する場合の光パワー制御を説明する説明図である。 図２０の光パワー制御で平面視矩形状の凸点を形成した場合の凸点部を示す図である。 図２１の光パワー制御で平面視矩形状の凸点を形成した場合の凸点部を示す図である。 本発明を適用して平面視矩形状の凸点を形成する場合の光パワー制御を説明する説明図である。

以下、本発明の実施形態に係る製版装置１１の構成について説明する。なお、製版装置１１は、外周面に記録プレートＦ（記録媒体）が装着されたドラム５０を主走査方向に回転させると共に、記録プレートＦに彫刻（記録）すべき画像の画像データに応じた複数のレーザビームを同時に射出しつつ、所定ピッチで露光ヘッド３０を主走査方向と直交する副走査方向に走査させることで、２次元画像を記録プレートに高速で彫刻（記録）し、凸版印刷版を製版する。また、狭い領域（細線や網点など）を残す場合は記録プレートＦを浅彫りし（精密彫刻）、広い領域を残す場合は記録プレートＦを深彫りする（粗彫り）。

図１は、製版装置１１を示す概略構成図（斜視図）である。この図１に示すように、製版装置１１は、レーザビームによって彫刻され画像が記録される記録プレートＦが装着され且つ記録プレートＦが主走査方向に移動するように図１矢印Ｒ方向に回転駆動されるドラム５０と、レーザ記録装置１０とを含んで構成されている。レーザ記録装置１０は、複数のレーザビームを生成するファイバーアレイ光源としての光源ユニット２０と、光源ユニット２０で生成された複数のレーザビームを記録プレートＦに露光する露光ヘッド３０と、露光ヘッド３０を副走査方向に沿って移動させる露光ヘッド移動部４０と、を含んで構成されている。なお、ドラム５０の回転方向Ｒが主走査方向とされ、矢印Ｓで示すドラム５０の軸方向（長手方向）に沿って露光ヘッド３０が移動する方向（詳細は後述する）が副走査方向とされる。

光源ユニット２０には、各々光ファイバ２２Ａ、２２Ｂの一端部が個別にカップリングされたブロードエリア半導体レーザによって構成された各３２個の半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂ（合計６４個）と、半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂが表面に配置された光源基板２４Ａ，２４Ｂと、光源基板２４Ａ，２４Ｂの一端部に垂直に取り付けられると共にＳＣ型光コネクタ２５Ａ、２５Ｂのアダプタが複数（半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂと同数）設けられたアダプタ基板２３Ａ，２３Ｂと、光源基板２４Ａ，２４Ｂの他端部に水平に取り付けられると共に記録プレートＦに彫刻（記録）する画像の画像データに応じて半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂを駆動するＬＤドライバー回路２６（図６参照）が設けられたＬＤドライバー基板２７Ａ，２７Ｂと、が備えられている。

各光ファイバ２２Ａ，２２Ｂの他端部には各々ＳＣ型光コネクタ２５Ａ、２５Ｂが設けられており、ＳＣ型光コネクタ２５Ａ、２５Ｂはアダプタ基板２５Ａ，２５Ｂに接続されている。したがって、各半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂから射出されたレーザビームは、それぞれ光ファイバ２２Ａ、２２Ｂによってアダプタ基板２３Ａ，２３Ｂに接続されているＳＣ型光コネクタ２５Ａ、２５Ｂに伝送される。

また、ＬＤドライバー基板２７Ａ，２７Ｂに設けられているＬＤドライバー回路２６における半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂの駆動用信号の出力端子は、半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂに個別に接続されており、各半導体レーザ２１Ａ，２１ＢはＬＤドライバー回路２６（図６参照）によって各々個別に駆動が制御される。

一方、露光ヘッド３０には、複数の半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂから射出された各レーザビームを取り纏めて射出するファイバーアレイ部３００（図２参照）が備えられている。このファイバーアレイ部３００には、各々アダプタ基板２３Ａ，２３Ｂに接続されたＳＣ型光コネクタ２５Ａ，２５Ｂに接続された複数の光ファイバ７０Ａ，７０Ｂによって、各半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂから射出されたレーザビームが伝送される。

図３には、ファイバーアレイ部３００の露光部２８０（図２参照）を図１に示す矢印Ａ方向に見た図が示されている。この図３に示すように、ファイバーアレイ部３００の露光部２８０は、２枚の基台３０２Ａ、３０２Ｂを有している。基台３０２Ａ，３０２Ｂには各々片面に半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂと同数、すなわち夫々３２個のＶ字溝２８２Ａ，２８２Ｂが所定の間隔で隣接するように形成されている。そして、基台３０２Ａ、３０２Ｂは、Ｖ字溝２８２Ａ，２８２Ｂが対向するように配置されている。

基台３０２Ａの各Ｖ字溝２８２Ａには、光ファイバ７０Ａの他端部の光ファイバ端部７１Ａが１本ずつ嵌め込まれている。同様に基台３０２Ｂの各Ｖ字溝２８２Ｂに各光ファイバ７０Ｂの他端部の光ファイバ端部７１Ｂが１本ずつ嵌め込まれている。したがって、ファイバーアレイ部３００の露光部２８０から、各半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂから射出された複数、本実施形態では６４本（３２本×２）のレーザビームが同時に射出される。

すなわち、本実施の形態のファイバーアレイ部３００は、複数（本実施形態では３２本×２＝合計６４個）の光ファイバ端部７１Ａ、７２Ｂが所定方向に沿った直線状に配置されて構成された光ファイバ端部群３０１Ａ，３０１Ｂが、上記所定方向と直交する方向に平行に２列設けられて構成されている。

そして、図１及び図３に示すように、本実施形態に係るレーザ記録装置１０では、以上のように構成されたファイバーアレイ部３００（露光ヘッド３０）が、上記所定方向が副走査方向に対して傾斜された状態とされている。また、図３と図４とに示すように、ファイバーアレイ部３００を主走査方向に見て、副走査方向に光ファイバ端部群３０１Ａと光ファイバ端部群３０１Ｂとが重ならないで並ぶように配設されている。

図１に示すように、露光ヘッド３０には、ファイバーアレイ部３００側より、コリメータレンズ３２、開口部材３３、及び結像レンズ３４が、順番に並んで配列されている。なお、開口部材３３は、ファイバーアレイ部３００側から見て、開口がファーフィールド（ｆａｒ ｆｉｅｌｄ）の位置となるように配置されている。これによって、ファイバーアレイ部３００における複数の光ファイバ７０Ａ，７０Ｂの光ファイバ端部７１Ａ，７１Ｂから射出された全てのレーザビームに対して同等の光量制限効果を与えることができる。

なお、本実施の形態では、レーザビームを高出力とするために、コア径の比較的大きな多モード光ファイバを光ファイバ２２Ａ，２２Ｂに適用している。具体的には、本実施形態においては、コア径が１０５μｍとされている。また、半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂは最大出力が８．５ｗ（６３９７−Ｌ３）を使用している。また、光ファイバ７０Ａ、７０Ｂのコア径は１０５μｍとされている。

図８に示すように、コリメータレンズ３２及び結像レンズ３４で構成される結像手段によって、レーザビームは記録プレートＦの露光面（表面）ＦＡの近傍に結像される（開口部材３３は図８では図示略）。なお、本実施形態では、結像位置（結像位置）Ｘは、露光面ＦＡ上に設定することが、細線再現性等の観点から望ましい。なお、光ファイバ端部７１Ａ（光ファイバ端部群３０１Ａ）から射出されたレーザビームがレーザビームＬＡとされ、光ファイバ端部７２Ｂ（光ファイバ端部群３０１Ｂ）から射出されたレーザビームがレーザビームＬＢとされる。なお、特に両方を区別する必要がない場合は、単に「レーザビーム」と記載する。

そして、光ファイバ端部群３０１Ａの端の光ファイバ端部７１Ａの次に光ファイバ端部群３０１Ｂの端の光ファイバ端部７１Ｂが並ぶ構成とされている（図３も参照）。図４では判りやすくするため、光ファイバ端部７１Ａ，７１Ｂの数を実際よりも少なく図示している。

図５に示すように、レーザビームによって彫刻され画像が記録される記録プレートＦは、矢印Ｒ方向に回転駆動されるドラム５０の外周面に装着されている。なお、ドラム５０の回転軸方向を長手方向とした帯状とされたチャック部材９８によって、ドラム５０の外周面に記録プレートＦが装着される。より詳しく説明すると、記録プレートＦの端部ＦＴ同士の合わせ部分の上を押さえるようにドラム５０にチャック部材９８を取り付けることで、記録プレートＦがドラム５０の外周面に装着される。なお、このチャック部材９８部分は、非記録領域とされる。

図１と図５とに示すように、露光ヘッド移動部４０には、長手方向が副走査方向に沿うように配置されたボールネジ４１及び２本のレール４２（図１参照）が備えられており、ボールネジ４１を回転駆動する副走査モータ４３を作動させることによって、露光ヘッド３０が設けられた台座部３１０をレール４２に案内された状態で副走査方向に移動させることができる。また、ドラム５０は主走査モータ５１（図６参照）を作動させることによって、図１の矢印Ｒ方向に回転させることができ、これによって主走査がなされる。なお、露光ヘッド３０は、台座部３１０の上に、設けられている。

また、本実施形態においては、前述したように一度に６４本のレーザビームＬＡ，ＬＢで露光し走査する。

次に、本実施形態に係る製版装置１１（図１参照）の制御系の構成について説明する。

図６に示すように、製版装置１１の制御系は、画像データに応じて各半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂを駆動するＬＤドライバー回路２６と、主走査モータ５１を駆動する主走査モータ駆動回路８１と、副走査モータ４３を駆動する副走査モータ駆動回路８２と、アクチュエータ３０４を駆動するアクチュエータ駆動回路２９９と、主走査モータ駆動回路８１・副走査モータ駆動回路８２・アクチュエータ駆動回路を制御する制御回路８０と、を備えている。制御回路８０には、記録プレートＦに彫刻（記録）する画像を示す画像データが供給される。

次に、以上のように構成された製版装置１１（図１参照）によって、記録プレートＦに彫刻（記録）する工程の概要について説明する。なお、図７は、製版装置１１によって画像記録を行なう際の処理の流れを示すフローチャートである。

図７に示すように、まず、記録プレートＦに彫刻（記録）する画像の画像データを一時的に記憶する不図示の画像メモリから制御回路８０に転送する（ステップ１００）。制御回路８０は、転送されてきた画像データ、及び記録画像の予め定められた解像度を示す解像度データ、浅彫り及び深彫り等を示すデータに基づいて、調整された信号をＬＤドライバー回路２６、主走査モータ駆動回路８１、副走査モータ駆動回路８２、アクチュエータ駆動回路２９９に供給する。

次に、主走査モータ駆動回路８１は、制御回路８０から供給された信号に基づいて回転速度でドラム５０を図１矢印Ｒ方向に回転させるように主走査モータ５１を制御する（ステップ１０２）。

副走査モータ駆動回路８２は、副走査モータ４３による露光ヘッド３０の副走査方向に対する送り間隔を設定する（ステップ１０４）。

次いで、ＬＤドライバー回路２６は、画像データに応じて各半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂの駆動を制御する（ステップ１０６）。

各半導体レーザ２１Ａ，２１Ｂから射出されたレーザビームＬＡ，ＬＢは、光ファイバ２２Ａ，２２Ｂ、ＳＣ型光コネクタ２５Ａ、２５Ｂ、及び光ファイバ７０Ａ，７０Ｂを介してファイバーアレイ部３００の光ファイバ端部７１Ａ，７１Ｂから射出され、図１と図８に示すように、コリメータレンズ３２によって略平行光束とされた後、開口部材３３によって光量が制限され、結像レンズ３４を介してドラム５０上の記録プレートＦの露光面ＦＡの近傍（結像面ＸとＦＡが一致してもよい）に結像される（集光される）。

この場合、記録プレートＦには、各半導体レーザ２１から射出されたレーザビームＬＡ，ＬＢに応じてビームスポットが形成される。これらのビームスポットにより、露光ヘッド３０が前述したステップ１０４で設定された送り間隔のピッチで副走査方向に送られると共に、前述したステップ１０２により開始されたドラム５０の回転によって、解像度が解像度データによって示される解像度となる２次元画像が、記録プレートＦ上に彫刻（形成）される（ステップ１０８）。

なお、記録プレートＦ上への２次元画像の彫刻（記録）が終了すると、主走査モータ駆動回路８１は主走査モータ５１の回転駆動を停止し（ステップ１１０）、その後に本処理を終了する。

つぎに、ステップ１０８におけるレーザビームＬＡ，ＬＢの光パワー制御について説明し、本実施形態の作用及び効果について説明する。

なお、図４に示すように、光ファイバ端部群３０１Ａと光ファイバ端部群３０１Ｂとを主走査方向に見ると、光ファイバ端部７１Ａ，７１Ｂの間隔、すなわち走査線Ｋの間隔（画素ピッチ）が１０．５８μｍ（解像度２４００ｄｐｉ）。換言すると、1画素は１０．５８μｍ。

また、記録プレートＦの表面ＦＡを凸状に残した凸細線Ｐを形成する場合について説明する。なお、凸細線Ｐは副走査方向を長手方向とし、所望する幅（主走査方向幅）は２１．２μｍとする。

そして、まず、レーザビームのスポット径Ｄがφ２０μｍとされている場合について、図９〜図１１を用いて説明する。

なお、各図において、（ａ）の右図はレーザビームのスポット径（スポット形状）を示し左図は中心断面の光パワー分布を示すグラフである。（ｂ）は（ａ）に示すスポット径（スポット形状）のレーザビームで走査して２１．２μｍの凸細線Ｐを形成する場合の光パワー変化を模式的に示す図である。なお、色が濃いほど光パワーが強く、薄いほど光パワーが弱いことを示している。（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示している。（Ｂ）はレーザビームの（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面の光パワーの積算エネルギーを示すグラフである。（Ｃ）は凸細線Ｐの（ｂ）のＡ−Ａに沿った断面形状（凸方向を上方向とした場合の垂直断面形状）を模式的に示す図である。また、図におけるＧは、１画素幅（１０．５８μｍ）を示している。なお、図１１は、（ａ）、（ｂ）に相当する図は省略され、（Ａ）〜（Ｃ）に相当する図のみ記載されている。更に、図の矢印Ｒ方向がレーザビームの走査方向（本実施形態では主走査方向）とされる。

また、彫刻閾値エネルギー（（Ｂ）参照）とは、記録プレートＦの表面を彫刻するために必要なレーザビームのエネルギーとされ、この彫刻閾値エネルギーよりも大きなエネルギーでないと記録プレートＦを彫刻することができない。換言すると、彫刻閾値エネルギー以下であると、レーザビームが照射されていても記録プレートＦの表面は彫刻されない。なお、この彫刻閾値エネルギーは記録プレートＦの種類（材質など）によって異なる。

図９は、２１．２μｍ幅の凸細線Ｐに対応する部分のみレーザビームの画素露光量信号をオフした光パワー制御を行なった場合を示している（本発明が適用されていない光パワー制御）。この場合、レーザビームの画素露光量信号をオフしても、凸細線Ｐの領域にまで露光されてしまう。このため、図９（Ｃ）に示すように、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅は彫刻閾値エネルギー以下となる部分となるので、凸細線Ｐの断面形状は略台形状となる。よって、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅は所望する２１．２μｍに満たない。

図１０は、２１．２μｍ幅の凸細線Ｐの走査方向上流側及び下流側を夫々一画素分（両方で２画素分）もレーザビームの画素露光量信号をオフした光パワー制御を行なった場合を示している。この場合、凸細線Ｐ部分は完全に露光されないので、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅を、所望の２１．２μｍに近づけられる（２１．２μｍ幅が確保又は略確保される）。なお、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅は彫刻閾値エネルギー以下となる部分となるので、正確には、図におけるα１部分だけ幅広となる。また、図１０（Ｃ）に示すように台形の底辺部分が約２０μｍとなる。

この図１０の場合、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅を所望する約２０μｍに近づけられるが、図１０（Ｃ）に示すように、凸細線Ｐの走査方向上流側と下流側の側壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜角度が緩やかである。つまり、上面Ｐ５と側壁面Ｐ１，Ｐ２とで構成するエッジ部Ｅの角度が寝ている（角度が９０°よりも大きい）。しかしながら、印刷後の細線を高精細に印刷するためには、このエッジ部Ｅを立てる必要がある（９０°に近づける必要がある）。つまり、側壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜角度を垂直に近づける必要がある。

そこで、本実施形態の製版装置１１では、本発明を適用して、図１１に示すように、レーザビームをオフした外側の１画素分の光パワーを上げることで、壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜角度を垂直に近づけている。つまり、エッジ部Ｅをより立てている（９０°に近づけている）。これにより、凸細線Ｐの断面形状（図のように凸方向を上方向とした場合の垂直断面）が矩形状に近づけられる。

なお、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅は彫刻閾値エネルギー以下となる部分となるので、正確には、図におけるα２部分だけ幅広となるが、壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜角度を垂直に近づけているので、非常に僅かであり、問題とならない。また、このα２分だけ幅狭となるように（幅を所望する２１．２μｍに近づけるため）、レーザビームの光パワーを上げる上げ幅を大きくしたり、画素露光量信号をオフする幅を若干狭くするなどして、調整してもよい。

このように本実施形態の製版装置１１では、凸細線Ｐの隣接する隣接領域における走査方向上流側と下流側とで１画素分、光パワーをオフすると共に、レーザビームをオフした外側に近接する１画素分（近接領域）の光パワーを上げることで、壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜角度を垂直に近づけている（エッジ部Ｅをより立てている（９０°に近づけている））。

このように、ビーム径Ｄが２０μｍと大きくても（ビーム径Ｄが１画素よりも大きくても）、本発明の光パワー制御を適用することで、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅を所望する幅（本実施形態では２１．２μｍ）に近づけることができると共に、凸細線Ｐの断面形状を矩形状に近づけることができる。つまり、凸細線Ｐが高精密に彫刻することができる。よって、製版後の記録プレートＦで印刷した印刷物における細線の再現性を向上させることができる。

なお、図１８に示すように、約２０μ幅の凸細線Ｐの走査方向上流側及び下流側を夫々１画素分（両方で２画素分）、レーザビームの画素露光量信号をオフ（光パワーを０（ゼロ））とするのではなく、彫刻閾値エネルギー以下で露光するように光パワー制御を行なってもよい。

つぎに、レーザビームのスポット径Ｄがφ４０μｍとされている場合について、図１２〜図１５を用いて説明する。

各図において、スポット径Ｄがφ２０μｍの場合と同様に、（ａ）の右図はレーザビームのスポット径（スポット形状）を示し左図は中心断面の光パワー分布を示すグラフである。（ｂ）は（ａ）に示すスポット径（スポット形状）のレーザビームで走査して２０μｍの凸細線Ｐを形成する場合の光パワー変化を模式的に示す図である。なお、色が濃いほど光量が強く、薄いほど光パワーが弱いことを示している。（Ａ）はレーザビームの画素露光量信号を示している。（Ｂ）はレーザビームの（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面の光パワーの積算エネルギーを示すグラフである。（Ｃ）は凸細線Ｐの（ｂ）のＡ−Ａに沿った断面形状（凸方向を上方向とした場合の垂直断面）を模式的に示す図である。また、図におけるＧは、１画素幅（１０．５８μｍ）を示している。なお、図１４と図１５は、（ａ）、（ｂ）に相当する図は省略され、（Ａ）〜（Ｃ）に相当する図のみ記載されている。更に、図の矢印Ｒ方向がレーザビームの走査方向（本実施形態では主走査方向）とされる。

図１２は、２１．２μｍ幅の凸細線Ｐに対応する部分のみレーザビームの露光信号をオフした光パワー制御を行なった場合を示している（発明が適用されていない光パワー制御）。この場合、レーザビームの画素露光量信号をオフしても、凸細線Ｐにまで露光されてしまう。また、スポット径Ｄがφ４０μｍと大きいため、図１２（Ｂ）に示すように、凸細線Ｐ上でレーザビームが重なり、積算エネルギーが大きくなるので、図１２（Ｃ）に示すように、凸細線Ｐは、形成されない。

図１３は、２１．２μｍ幅の凸細線Ｐの走査方向上流側及び下流側を夫々一画素分（両方で２画素分）もレーザビームの画素露光量信号をオフした光パワー制御を行なった場合を示している（本発明が適用されていない光パワー制御）。この場合でも、スポット径Ｄがφ４０μｍと大きいため凸細線Ｐにまで露光されてしまう。このため、図１３（Ｃ）に示すように、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅は彫刻閾値エネルギー以下となる部分となるので、断面形状が略台形状となる。よって、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅は所望する２０μｍに満たない。

図１４は、更に、２１．２μｍ幅の凸細線Ｐの走査方向上流側及び下流側を夫々２画素分（両方で４画素分）もレーザビームの画素露光量信号をオフした光パワー制御を行なった場合を示している（本発明が適用されていない光パワー制御）。この場合、凸細線Ｐ部分は略完全に露光されないので、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅を、所望する２１．２μｍに近づけることができる。

しかし、この図１４の場合、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅を所望の２１．２μｍに近づけられるが、図１４（Ｃ）に示すように、凸細線Ｐの走査方向上流側と下流側の側壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜角度が緩やかである。つまり、上面Ｐ５と側壁面Ｐ１，Ｐ２とで構成するエッジ部Ｅの角度が寝ている（角度が９０°よりも大きい）。印刷後の細線をより高精細とするためには、このエッジ部Ｅを立てる必要がある（９０°に近づける必要がある）。つまり、側壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜角度を垂直に近づける必要がある。

そこで、前述したビーム径Ｄが２０μｍの時と同様に、本発明を適用して、図１５に示すように、レーザビームをオフした外側の１画素分の光パワーを上げ、壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜を垂直に近づけることで（エッジ部Ｅをより立てることで（９０°に近づけることで））、凸細線Ｐの断面形状が矩形状に近づけられる。

このように、ビーム径Ｄが４０μｍと大きくても（ビーム径Ｄが１画素よりも大きく、且つ、凸細線Ｐの幅よりも大きくても）、本発明を適用することで、凸細線Ｐの上面Ｐ５の幅を所望する２０μｍに近づけることができると共に、凸細線Ｐの断面形状を矩形状に近づけることができる。つまり、ビーム径Ｄが４０μｍと大きくても、凸細線Ｐを高精密に彫刻することができる。よって、製版後の記録プレートＦで印刷した印刷物における細線の再現性が向上される。

なお、図１９に示すように、約２０μ幅の凸細線Ｐの走査方向上流側及び下流側を夫々２画素分（両方で４画素分）におけるレーザビームの画素露光量信号をオフするのでなく、彫刻閾値エネルギー以下で露光する光パワー制御を行なってもよい。この場合も、レーザビームを彫刻閾値エネルギー以下とした外側の１画素分のパワー光量を上げ、壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜を垂直に近づけることで（エッジ部Ｅをより立てることで（９０°に近づけることで））、凸細線Ｐの断面形状が矩形状に近づけられる。

なお、レーザビーム径Ｄは、レーザビームＬＡとレーザビームＬＢ（図８参照）で同じであってよいし、異なっていてもよい。例えば、浅彫り用にレーザビームＬＡのビーム径Ｄを２０μｍとし、深彫り用にレーザビームＬＢを４０μｍとした構成であってもよい。

つぎに、レーザビームをオフした（又は彫刻閾値エネルギー以下とした）外側の一画素分のパワー光量を上げる際に、パルス露光を行なうことで、壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜を垂直に更に近づける（エッジ部Ｅをより立てることで（９０°に近づけることで））、光パワー制御について説明する。換言すると、凸細線Ｐの断面形状を矩形状により近づける光パワー制御について説明する。

なお、ここでは、ビーム径Ｄが約２０μｍの例で説明するが、ビーム径Ｄが４０μｍでも同様である。

図１６は、０．５画素のパルス幅でパルス露光した場合を示している。この図１６を見ると判るように、パルス露光することで、壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜がより垂直に近づけられることが判る。なお、このとき、図１１の場合と積算エネルギーが略同じとなるように、光パワーの最大値を上げることが望ましい。

更に、図１７は、０．２５画素のパルス幅でパルス露光した場合を示している。この図１７を見ると判るように、パルス幅を更に狭くすることで、壁面Ｐ１，Ｐ２の傾斜が更に垂直に近づけられることが判る。なお、このとき、図１１（図１６）の場合と積算エネルギーが略同じとなるように、光パワーの最大値を更に上げることが望ましい。

なお、上記実施形態では、光パワーを制御する領域は、主走査方向の上流側と下流側、夫々行なったが、上流側及び下流側のいずれか一方側にのみ適用してもよい。

また、走査方向（主走査方向）の上流側と下流側でなく、副走査方向の上流側と下流側の少なくとも一方側に本発明の光パワー制御を適用してもよい。つまり。図９に示すＢ−Ｂ’線に沿った断面における上面Ｐ５の幅を所望する２１．２μｍに近づけ、且つ断面形状を矩形状に近づけてもよい（側壁面Ｐ３，Ｐ４も垂直に近づける）。

今までは、凸細線Ｐについて説明したが、次に平面視矩形状の凸点Ｑを形成する（凸点Ｑを残す）場合の光パワー制御について説明する。なお、ここでは、所望の凸点Ｑの大きさは２１．２μｍ×２１．２μｍとする。また、ビーム径Ｄの大きさやパルス幅の制御等は、今まで説明した凸細線Ｐと同様であるので、説明を省略する。

図２０は、凸点Ｑの角部ＱＡ，ＱＢ，ＱＣ，ＱＤに隣接する一画素分（画素Ａ，画素Ｂ，画素Ｃ，画素Ｄ）はレーザビームをオフ（閾値エネルギー以下）とせずに光パワーを上げた近接領域Ｒに設定した場合を説明する説明図である。図２２は、図２０のように光パワーを制御した場合の凸点Ｑを平面視における形状を模式的に示す図である。図２１は、凸点Ｑの全周に亘って（画素Ａ，画素Ｂ，画素Ｃ，画素Ｄを含む）一画素分、レーザビームをオフし、その外側全周に亘って光パワーを上げた近接領域Ｒに設定した場合を説明する説明図である。図２３は、図２１のように光パワーを制御した場合の凸部Ｑの形状を模式的に示す図である。図２４は凸点Ｑの一部の角部（この場合は角部ＱＡ，ＱＢ，ＱＣ，ＱＤ）に隣接する一画素分はレーザビームをオフせずに光パワーを上げた近接領域Ｒに設定した場合を説明する説明図である。

図２０に示すように、凸点Ｑの角部ＱＡ，ＱＢ，ＱＣ，ＱＤに隣接する一画素分（画素Ａ，画素Ｂ，画素Ｃ，画素Ｄ）、レーザビームをオフせずに露光すると、図２２に示すように凸点Ｑの形状が、平面視矩形状に十分に近づかない。なお、図２２は判りやすくするために、デフォルメ（歪曲）させて図示されている。

これに対して、図２１に示すように、凸点Ｑの全周に亘って（画素Ａ，画素Ｂ，画素Ｃ，画素Ｄを含む）一画素分、レーザビームをオフし、その外側全周に亘って光パワーを上げると、図２３のように凸点Ｑの形状が平面視矩形状に近づく。

なお、図２０、図２２のように、凸点Ｑの角部ＱＡ，ＱＢ，ＱＣ，ＱＤに隣接する一画素分（画素Ａ，画素Ｂ，画素Ｃ，画素Ｄ）、レーザビームをオフせずに光パワーを上げる場合も、本願発明に含まれる。

また、図２４に示すように凸点Ｑの一部の角部ＱＡ、ＱＢ，ＱＤに隣接する一画素分は、レーザビームをオフせずに光パワーを上げる場合も、本願発明に含まれる。なお、この場合も、図２４に示すように、（図２１のように）全周に亘ってレーザビームの光パワーを上げた方が好ましい。

しかし、前述したように図２１、図２３のように、凸点Ｑの角部ＱＡ，ＱＢ，ＱＣ，ＱＤに隣接する一画素分（画素Ａ，画素Ｂ，画素Ｃ，画素Ｄ）、に隣接する領域を露光しない（凸部Ｑの上面が閾値エネルギー以下となるように設定する）ことで、より効果的に所望の平面視矩形状の凸点部Ｑが得られる。

なお、平面視における形状が平面視矩形状以外（例えば、円形状や三角形状）の凸点部の場合も、記録媒体の表面を凸点部に隣接する隣接領域における一部領域又は全領域（凸点部の全周に亘って）を彫刻する光ビームの光パワーを、凸点部の上面にかかる光ビームの露光が彫刻閾値エネルギー以下になるように設定することで、本発明を適用しない場合と比較し、所望する大きさや形状の凸点部により近づけることができる。

また、平面視における形状が平面視矩形状以外の多角形状（例えば、三角形状や五角形状）の凸点部の場合も、隣接領域における彫刻閾値エネルギー以下に設定される領域を、平面視多角形の凸部の角部に隣接する領域を含むことで、平面視多角形状の凸部の角部に隣接する領域を全て露光する場合と比較し、凸部の角部をより明確に形成することができる（角部が面取りされた状態にならない）。

なお、本発明は上記実施形態に限定されない。

本実施形態では、レーザビームを出射するレーザ露光系が、光源ユニット２０（ファイバーアレイ光源）から出射されたのち、結像レンズ３４で集光するファイバーアレイ露光系とされているが、例えば、ファイバーレーザやＣＯ２レーザ光源を用いるレーザ露光系と比較し、低コストとされる。

なお、前述したように、彫刻閾値エネルギーとは、記録媒体の表面を彫刻するために必要な光ビームの光エネルギーとされ、この彫刻閾値エネルギーよりも大きなエネルギーでないと記録媒体は彫刻されない。また、彫刻閾値エネルギーは、先行技術には開示されていない技術とされており、これを考慮することで、より微細彫刻が可能とされる。

１０ レーザ記録装置
１１ 製版装置
２０ 光源ユニット（ファイバ光源）
３０ 露光ヘッド
３４ 結像レンズ
５０ ドラム
７０Ａ 光ファイバ
７０Ｂ 光ファイバ
７１Ａ 光ファイバ端部
７１Ｂ 光ファイバ端部
３００ ファイバーアレイ部
ＬＡ レーザビーム（光ビーム）
ＬＢ レーザビーム（光ビーム）
Ｆ 記録プレート（記録媒体）
ＦＡ 露光面（記録媒体の表面）
Ｐ 凸細線（凸部）
Ｑ 凸点部（凸部）
ＱＡ 角部
ＱＢ 角部
ＱＣ 角部
ＱＤ 角部

Claims (10)

1. 光ビームで記録媒体を所定の画素ピッチで走査することにより、前記記録媒体の表面を彫刻して製版する製版装置であって、
   前記記録媒体の表面を凸状に残す凸部に隣接する隣接領域における一部領域又は全領域を彫刻する光ビームの光パワーは、前記凸部の上面が彫刻閾値エネルギー以下になるように設定され、
   前記隣接領域とされた領域の外側に近接する近接領域の光ビームの光パワーは、前記隣接領域よりも上げられることを特徴とする製版装置。
2. 前記隣接領域における彫刻閾値エネルギー以下とされた領域は、１画素以上であることを特徴とする請求項１に記載の製版装置。
3. 前記近接領域では、パルス幅が１画素以下とされたパルス露光で彫刻されることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載の製版装置。
4. 前記パルス露光のパルス幅が、０．５画素以下であることを特徴とする請求項３に記載の製版装置。
5. 前記パルス露光のパルス幅が、０．２５画素以下であることを特徴とする請求項３に記載の製版装置。
6. 前記記録媒体を彫刻する前記光ビームが、ファイバーアレイ光源から出射されたのち、結像レンズで集光された光ビームとされていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の製版装置。
7. 前記凸部が平面視多角形状の場合、
   彫刻閾値エネルギー以下になるように設定される領域は、平面視多角形状の前記凸部の少なくとも一つの角部に隣接する領域を含むことを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の製版装置。
8. 平面視多角形状の前記凸部の全周に亘って、彫刻閾値エネルギー以下になるように設定されることを特徴とする請求項７に記載の製版装置。
9. 前記凸部が平面視矩形状であることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の製版装置。
10. 光ビームで記録媒体を所定の画素ピッチで走査することにより、前記記録媒体の表面を彫刻して製版する製版方法であって、
    前記記録媒体の表面を凸状に残す凸部に隣接する隣接領域における一部領域又は全領域を彫刻する光ビームの光パワーを、前記凸部の上面が彫刻閾値エネルギー以下になるように下げ、
    前記隣接領域の外側に近接する近接領域を彫刻する光ビームの光パワーは、前記隣接領域よりも上げて彫刻することを特徴とする製版方法。