JP5120967B2 - 可変抵抗素子 - Google Patents
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第1電極および第2電極と、上記第1電極と上記第2電極とに挟まれた金属酸化物とを備え、上記第1電極および上記第2電極間に印加する電圧に応じて上記第1電極および上記第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、上記金属酸化物内に、上記第1電極および上記第2電極の少なくとも一方から離間した、上記金属酸化物よりも電気抵抗の低い低抵抗物をさらに備えていることを特徴としている。
上記低抵抗物は、上記第1電極を構成する元素、および、第2電極を構成する元素の少なくとも一方から構成されることが好ましい。
上記低抵抗物は、上記金属酸化物を構成する少なくとも1種類の金属元素から構成されることが好ましい。
上記金属酸化物は多結晶であり、上記低抵抗物は、上記金属酸化物の粒界に形成されることが好ましい。
上記低抵抗物は、熱処理によって、上記第1電極または上記第2電極の少なくとも一方を構成する元素が上記金属酸化物に拡散されることで、形成されていることが好ましい。
第1電極および第2電極と、上記第1電極と上記第2電極とに挟まれた金属酸化物とを備え、上記第1電極および上記第2電極間に印加する電圧に応じて上記第1電極および上記第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、上記第1電極および第2電極の少なくとも一方と上記金属酸化物との間に、金属酸化物側から順に、上記金属酸化物を構成する第1金属元素と酸素とから構成された、上記第1金属元素の原子数に対する、上記酸素の原子数の比率が高い第1の領域と、上記第1の領域に隣接し、かつ、上記第1電極および上記第2電極の少なくとも一方を構成する第2金属元素と、上記第1金属元素と、酸素と、から構成された第2の領域と、を備えていることを特徴としている。
上記第2金属元素は、アルミニウムであることが好ましい。
上記金属酸化物は、ニッケル酸化物であることが好ましい。
第1電極および第2電極と、上記第1電極と上記第2電極とに挟まれた金属酸化物とを備え、上記第1電極および上記第2電極間に印加する電圧に応じて上記第1電極および上記第2電極間の抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子の製造方法であって、上記第1電極または第2電極の少なくとも一方を構成する元素を、上記金属酸化物に拡散させる拡散工程と、上記拡散工程において拡散された上記元素によって、上記金属酸化物内に、上記第1電極および上記第2電極の少なくとも一方から離間した、上記金属酸化物よりも電気抵抗の低い低抵抗物を形成する形成工程と、を備えていることを特徴としている。
上記拡散工程を、熱処理によって行うことが好ましい。
請求項1から5までのいずれか一項に記載の可変抵抗素子を有するメモリセルと、外部より入力された情報に応じた電圧を、上記第1電極および上記第2電極に印加し、上記可変抵抗素子の電気抵抗を変化させることによって、上記情報を上記メモリセルに書き込む、データ書き込み手段と、上記第1電極および上記第2電極に所定の電圧を印加し、上記可変抵抗素子に流れる電流値を検出することによって、検知した電流値から上記メモリセルが記憶する情報を読み出す、情報読み出し手段と、を備えていることを特徴としている。
図15は、従来技術における、フォーミング前の可変抵抗素子3の構成を示す断面図である。なお、フォーミングの詳細な説明は後述とする。図15に示すように、可変抵抗素子3は、電極11および12と、電極11と電極12とに挟まれた金属酸化物からなる金属酸化物層10とを備えている。
ここで、上述したような、可変抵抗素子3がスイッチング動作するためには、図15に示す可変抵抗素子3に対して、予め、フォーミングと呼ばれる、金属酸化物層10にソフトブレークダウンを起こさせる初期化処理が必要となる。具体的には、電極11および12間に対して所定の電圧(以下、フォーミング電圧とする)を印加することにより、金属酸化物層10内に、局所的な導電パスであるフィラメントを形成する必要がある。
次に、このリーク電流の増加に起因する問題点を説明する。まず、可変抵抗素子3の用途は、不揮発性記憶装置におけるメモリセルに使用されることである。具体的には、記憶する情報(ビット値など)に応じて、可変抵抗素子3の電気抵抗を、上述した低抵抗状態または高抵抗状態の一方に切り替えられる。また、この不揮発性記憶装置から、記憶した情報を読み出す場合、可変抵抗素子3に、情報を読み出すための電圧(以下、読み出し電圧とする)を印加し、低抵抗状態または高抵抗状態に応じた電流を検出することにより、記憶した情報を読み出すことになる。ここで、可変抵抗素子3の低抵抗状態と高抵抗状態との抵抗値の変化(以下、抵抗変化とする)を担う部分は、金属酸化物層10内のフィラメントが形成されているごく一部に限られている。したがって、フィラメントが形成されている部分以外の金属酸化物は、何の機能も持たない。真性の抵抗変化比(高抵抗状態の抵抗値に対する低抵抗状態の抵抗値の比)は、フィラメント部分だけの導通時抵抗値と破断時抵抗値によって決まるが、電極11および12に読み出し電圧が印加されていれば、フィラメント部分以外の金属酸化物にも電流が流れてしまう。このため、この電流が高抵抗状態における電流の支配的成分となり、見かけの抵抗変化比を低下させる可能性がある。つまり、従来技術の可変抵抗素子3において、フォーミング電圧を下げようとして金属酸化物層10の膜厚を薄くするとリーク電流が大きくなってしまい、この増大したリーク電流が高抵抗状態の電流の主成分となり、可変抵抗素子3の抵抗変化比が低下するという問題が生じる。なお、一般に非線形の電流電圧特性を示す金属酸化物において、例えば、金属酸化物層10の膜厚を半分にすると、同じ読み出し電圧を印加した場合の電流は、2倍以上に増加してしまう。
本発明に係る可変抵抗素子1は、上述したような、従来技術に係る可変抵抗素子3が有する問題を解決するものであり、具体的には、リーク電流を増大させることなく、フォーミング時のフォーミング電圧を低下させることが可能とするものである。
図1は、第1の実施形態に係る可変抵抗素子1の構成を示す断面図である。図1に示すように、可変抵抗素子1は、電極11および12と、電極11と電極12とに挟まれた金属酸化物からなる金属酸化物層10とを備えている。さらに、可変抵抗素子1は、金属酸化物層10内に、金属酸化物より電気抵抗が低い低抵抗物14を備えている。なお、図1に示す可変抵抗素子1が備える低抵抗物14は、電極11と接触し、電極12とは非接触である。また、図1において、電極11から電極12までの距離、言い換えれば、金属酸化物層10の膜厚は距離d0に、低抵抗物14から電極12までの距離は距離d1となっている。
次に、可変抵抗素子1にフォーミングを施し、金属酸化物層10内に、フィラメント15を形成した後の、可変抵抗素子1aおよび1bについて、図2(a)および(b)を参照して説明する。図2(a)は、フォーミング後の低抵抗状態の可変抵抗素子1aの構成を示す断面図であり、同図(b)は、フォーミング後の高抵抗状態の可変抵抗素子1bの構成を示す断面図である。
図1に示す可変抵抗素子1においては、低抵抗物14が、電極11と接し、電極12と非接触となる構造であったが、図3に示すような構造であってもよい。図3は、可変抵抗素子1の変形である、可変抵抗素子2の構成を示す断面図である。
次に、本発明に係る、フォーミング前の可変抵抗素子の製造方法について、図5(a)〜(e)を参照して説明する。図5(a)〜(e)は、各製造工程における、可変抵抗素子の構成を示す断面図である。
図5(a)〜(e)にて説明した方法により製造された、言い換えれば、熱処理が施され、低抵抗物14が金属酸化物層10内に形成された可変抵抗素子と、熱処理が施されず、低抵抗物14が金属酸化物層10内に形成されていない可変抵抗素子とにおける、フォーミング時の電流電圧特性の比較結果を、図6に示す。なお、可変抵抗素子を製造するために施した熱処理は、Ar雰囲気0.5Paの減圧下において、300℃の温度で10分間行ったものである。
次に、本発明の第2の実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置4(以下、記憶装置とする)について、図13および図14を参照して、以下に説明する。
第1電極と第2電極の間に金属酸化物層を有し、前記第1及び第2電極間への電気的ストレスの印加に応じて、前記第1及び第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、前記金属酸化物層中に、部分的に抵抗率が周囲よりも低い低抵抗領域を備えることを特徴とする可変抵抗素子。
前記低抵抗領域が、前記第1電極と前記第2電極の内の少なくとも何れか一方の特定電極を構成する元素の少なくとも一つから構成されることを特徴とする第1の構成に記載の可変抵抗素子。
前記低抵抗領域が前記金属酸化物層を構成する元素の少なくとも一つの元素から構成されることを特徴とする第1の構成に記載の可変抵抗素子。
前記低抵抗領域が前記金属酸化物層の粒界近傍に存在すること特徴とする第2の構成または第3の構成に記載の可変抵抗素子。
第1電極と第2電極の間に金属酸化物層を有し、前記第1及び第2電極間への電気的ストレスの印加に応じて、前記第1及び第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子の製造方法であって、前記特定電極を構成する元素を拡散させる拡散工程によって、前記金属酸化物層中に、前記低抵抗領域を形成することを特徴とする可変抵抗素子の製造方法。
前記拡散工程を、熱処理によって行うことを特徴とする請求項5に記載の可変抵抗素子の製造方法。
第1の構成から第4の構成までの何れか1つの構成に記載の前記可変抵抗素子を有するメモリセルと、前記可変抵抗素子の両端に電力を印加して、電気抵抗を変化させて情報の書き込み及び消去を行う情報書き換え手段と、前記可変抵抗素子の両端に読み出し電圧を印加して前記可変抵抗素子を流れる電流量から電気抵抗状態を検知して記憶された情報を読み出す情報読み出し手段と、を備えてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
1a 可変抵抗素子
1b 可変抵抗素子
2 可変抵抗素子
2a 可変抵抗素子
2b 可変抵抗素子
11 電極(第1電極)
12 電極(第2電極)
14 低抵抗物
24 低抵抗物
4 不揮発性半導体記憶装置
40 メモリセル
41 ビット線デコーダ(データ書き込み手段、データ読み出し手段)
42 ワード線デコーダ(データ書き込み手段、データ読み出し手段)
45 読み出し回路(データ読み出し手段)
Claims (5)
- 第1電極および第2電極と、上記第1電極と上記第2電極とに挟まれた金属酸化物とを備え、上記第1電極および上記第2電極間に印加する電圧に応じて上記第1電極および上記第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、
上記第1電極および第2電極の少なくとも一方と上記金属酸化物との間に、金属酸化物側から順に、
上記金属酸化物を構成する第1金属元素と酸素とから構成された、上記第1金属元素の原子数に対する、上記酸素の原子数の比率が高い第1の領域と、
上記第1の領域に隣接し、かつ、上記第1電極および上記第2電極の少なくとも一方を構成する第2金属元素と、上記第1金属元素と、酸素と、から構成された第2の領域と、
を備えていることを特徴とする、可変抵抗素子。 - 上記第2金属元素は、アルミニウムであることを特徴とする、請求項1に記載の可変抵抗素子。
- 上記金属酸化物は、ニッケル酸化物であることを特徴とする、請求項1または2に記載の可変抵抗素子。
- 第1電極および第2電極と、上記第1電極と上記第2電極とに挟まれた、金属酸化物からなる金属酸化物層とを備え、上記第1電極および上記第2電極間に印加する電圧に応じて上記第1電極および上記第2電極間の電気抵抗が可逆的に変化する可変抵抗素子であって、
上記金属酸化物層内に、上記第1電極および上記第2電極の少なくとも一方から離間した、上記金属酸化物よりも電気抵抗の低い低抵抗物であって、上記金属酸化物を構成する少なくとも1種類の金属元素から構成される低抵抗物をさらに備えており、
上記金属酸化物は、多結晶であり、
上記低抵抗物は、上記金属酸化物の粒界に析出した上記金属元素から構成されていることを特徴とする可変抵抗素子。 - 上記第1電極と上記第2電極の間に電圧を印加してフォーミングを行った後に、上記第1電極および上記第2電極間に印加する電圧に応じて電気抵抗が可逆的に変化することを特徴とする請求項4に記載の可変抵抗素子。
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