JP5117083B2

JP5117083B2 - Elastic wave device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP5117083B2
Application number: JP2007060771A
Authority: JP
Inventors: 和則井上; 隆志松田; 将吾井上; 丈児木村; 俊一相川; 慶二津田
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2007-03-09
Filing date: 2007-03-09
Publication date: 2013-01-09
Anticipated expiration: 2027-03-09
Also published as: JP2008227748A

Description

本発明は弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、特に弾性波素子の上部に空洞を有する封止部を備えた弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。 The present invention relates to an acoustic wave device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an acoustic wave device including a sealing portion having a cavity above an acoustic wave element and a manufacturing method thereof.

弾性波デバイスは、例えば４５ＭＨｚ〜２ＧＨｚの周波数帯における無線信号を処理する各種回路、例えば送信用バンドパスフィルタ、受信用バンドパスフィルタ、局所発振フィルタ、アンテナ共用器、中間周波数フィルタ、ＦＭ変調器等に用いられている。近年これらの信号処理機器は小型化が進み、使用される弾性波デバイス等の電子部品も小型化が求められている。弾性波デバイスに用いる弾性波素子としては、圧電基板上に金属膜を用いすだれ電極（ＩＤＴ：ＩｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌＴｒａｎｓｄｕｃｅｒ）や反射器を形成した弾性表面波（ＳＡＷ）素子、圧電薄膜を金属電極で挟む圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）素子などがある。 The acoustic wave device is, for example, various circuits that process radio signals in a frequency band of 45 MHz to 2 GHz, such as a transmission bandpass filter, a reception bandpass filter, a local oscillation filter, an antenna duplexer, an intermediate frequency filter, an FM modulator, and the like. It is used for. In recent years, these signal processing devices have been miniaturized, and electronic components such as acoustic wave devices used are also required to be miniaturized. As an acoustic wave element used for an acoustic wave device, a surface acoustic wave (SAW) element in which a interdigital electrode (IDT) or a reflector is formed using a metal film on a piezoelectric substrate, or a piezoelectric thin film in which a piezoelectric thin film is sandwiched between metal electrodes. There is a resonator (FBAR) element.

特に移動体電話端末等の携帯用電子機器においては、電子部品をモジュール化して用いることが多くなってきている。モジュール化は、低コスト化のため、電子部品を表面実装し樹脂封止することにより行われる。そのため、表面実装可能で、モジュール化の樹脂封止（例えばトランスファーモールド）の際の圧力に耐えられる弾性波デバイスが求められる。同時に、弾性波素子の特性を維持するためには弾性波素子の機能部分（振動部分）上面に空洞を設けることが求められている。弾性波素子の機能部分としては、弾性表面波素子ではＩＤＴの電極指であり、圧電薄膜共振器素子では圧電薄膜を挟みこむ上下電極の重なる領域である。 In particular, in portable electronic devices such as mobile telephone terminals, electronic parts are increasingly used as modules. Modularization is performed by surface mounting electronic components and sealing them with resin for cost reduction. Therefore, an acoustic wave device that can be surface-mounted and can withstand the pressure during modular resin sealing (for example, transfer molding) is required. At the same time, in order to maintain the characteristics of the acoustic wave element, it is required to provide a cavity on the upper surface of the functional part (vibration part) of the acoustic wave element. The functional part of the acoustic wave element is an IDT electrode finger in the surface acoustic wave element, and an area where the upper and lower electrodes sandwich the piezoelectric thin film in the piezoelectric thin film resonator element.

このような要求を満たすために、弾性波素子内の機能部分上に接する空洞を有する封止部を設けた構造（いわゆる中空構造）を形成する方法が提案されている。特許文献１には、弾性波素子上に空洞となるべき領域に溶解用樹脂を形成し、溶解用樹脂上に上部板を形成した後、溶解用樹脂を除去することにより中空構造を形成する方法(従来例１)が開示されている。特許文献２には、電気的構造素子を包囲するフレーム構造体を形成し、電気的構造素子上が空洞になるように、フレーム構造体上に補助フィルムを貼り、その上に樹脂層を形成し、フレーム構造体の屋根部分以外を除去することにより中空構造を形成する方法(従来例２)が開示されている。特許文献３には、弾性波素子を形成した圧電基板上に樹脂フィルムを貼り、弾性波素子が複数設けられた基板の機能部分上部の樹脂フィルムを開口し、樹脂フィルム上に回路基板を接着し中空構造を形成する方法（従来例３）が開示されている。特許文献４には、弾性波素子を複数設けた基板上に感光性樹脂を形成し、弾性波素子の機能部分上部の感光性樹脂を開口し、その上に配線基板集合体の基板を実装し、ダイシングで分割することにより中空構造を形成する方法(従来例４)が開示されている。特許文献５には、弾性波素子を包囲する包囲壁と、中空構造を形成するための蓋体とを異なる樹脂を用いる方法（従来例５）が開示されている。また、特許文献６には、弾性波素子上に金属キャップを設け、金属キャップ上を樹脂で封止する方法（従来例６）が開示されている。
特許３２９１０４６号公報特表２００３−５２３０８２号公報特許３１９６６９３号公報特許３２２５９０６号公報特開平１０−９３３８３号公報特開平１１−２５１８５５号公報 In order to satisfy such a requirement, a method of forming a structure (so-called hollow structure) provided with a sealing portion having a cavity in contact with a functional portion in an acoustic wave element has been proposed. Patent Document 1 discloses a method of forming a hollow structure by forming a dissolving resin in a region to be a cavity on an acoustic wave element, forming an upper plate on the dissolving resin, and then removing the dissolving resin. (Conventional example 1) is disclosed. In Patent Document 2, a frame structure surrounding the electrical structure element is formed, an auxiliary film is pasted on the frame structure so that the electrical structure element is hollow, and a resin layer is formed thereon. A method (conventional example 2) for forming a hollow structure by removing the frame structure other than the roof portion is disclosed. In Patent Document 3, a resin film is pasted on a piezoelectric substrate on which an acoustic wave element is formed, a resin film on an upper part of a functional part of the substrate on which a plurality of acoustic wave elements are provided is opened, and a circuit board is bonded onto the resin film. A method of forming a hollow structure (conventional example 3) is disclosed. In Patent Document 4, a photosensitive resin is formed on a substrate on which a plurality of acoustic wave elements are provided, the photosensitive resin at the upper part of the functional part of the acoustic wave element is opened, and the substrate of the wiring board assembly is mounted thereon. A method of forming a hollow structure by dividing by dicing (conventional example 4) is disclosed. Patent Document 5 discloses a method (conventional example 5) using different resins for the surrounding wall that surrounds the acoustic wave element and the lid for forming the hollow structure. Patent Document 6 discloses a method (Conventional Example 6) in which a metal cap is provided on an acoustic wave element and the metal cap is sealed with a resin.
Japanese Patent No. 3291406 Special table 2003-523082 gazette Japanese Patent No. 3196693 Japanese Patent No. 3225906 JP-A-10-93383 Japanese Patent Laid-Open No. 11-251855

従来例１ないし４の方法で形成された弾性波デバイスは、モジュール化の際に加わる圧力に対し耐えられず、中空構造が変形してしまう。一方、従来例５の方法はモジュール化の際に中空構造が変形することを抑制することを目的としている。しかしながら、例えば、表面実装の要求のため弾性波デバイスの表面側（弾性表波素子が形成された側）に外部と電気的に接続するための接続端子を設けた場合、蓋体を貫通して貫通電極を設け、貫通電極上に接続端子が設けられる。蓋体は変形防止のため弾性率の高い材料が用いられる。このため、貫通電極や接続端子と蓋体との熱応力等により、蓋体、貫通電極や接続端子にクラック等が発生する。特に、接続端子と貫通極との間に応力が集中しクラック等の発生が生じ易い。一方、従来例６のように、弾性波素子の近くに金属キャップを設けると、浮遊容量が大きくなってしまう。さらに、従来例６においては、金属キャップを弾性波素子上に個々に搭載することを想定しており、製造コストが増大する。 The elastic wave devices formed by the methods of Conventional Examples 1 to 4 cannot withstand the pressure applied during modularization, and the hollow structure is deformed. On the other hand, the method of Conventional Example 5 is intended to suppress the deformation of the hollow structure during modularization. However, for example, when a connection terminal for electrical connection to the outside is provided on the surface side of the acoustic wave device (side on which the surface acoustic wave element is formed) for surface mounting requirements, A through electrode is provided, and a connection terminal is provided on the through electrode. The lid is made of a material having a high elastic modulus to prevent deformation. For this reason, a crack etc. generate | occur | produce in a cover body, a penetration electrode, or a connection terminal by the thermal stress etc. of a penetration electrode, a connection terminal, and a cover body. In particular, stress concentrates between the connection terminal and the through electrode, and cracks and the like are likely to occur. On the other hand, when a metal cap is provided near the acoustic wave element as in the conventional example 6, the stray capacitance is increased. Further, in the conventional example 6, it is assumed that the metal caps are individually mounted on the acoustic wave element, and the manufacturing cost increases.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、圧力で変形しない中空構造を有し、貫通電極やその周囲の樹脂封止部に熱応力等に起因したクラック等が発生することを抑制する、または、圧力で変形しない中空構造の製造コストを削減することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, has a hollow structure that is not deformed by pressure, and suppresses the occurrence of cracks or the like due to thermal stress or the like in the through electrode or the resin sealing portion around it. Another object is to reduce the manufacturing cost of a hollow structure that is not deformed by pressure.

本発明は、基板に設けられた弾性波素子と、前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を覆うように前記基板上に設けられた樹脂封止部と、前記空洞以外において前記樹脂封止部を貫通し前記弾性波素子に電気的に接続する貫通電極と、前記貫通電極上に設けられた接続端子と、前記空洞上において、上下を前記樹脂封止部に挟まれ、前記樹脂封止部より弾性率の大きい金属からなり、前記弾性波素子から電気的に分離されている補強層と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、補強層の上が弾性率の小さな樹脂封止部からなるため、応力を緩和させることができる。さらに、空洞上に樹脂封止部より弾性率の大きい補強層が設けられているためより、圧力で変形しない中空構造を提供することができる。さらに、補強層と空洞との間に樹脂封止部が設けられているため、浮遊容量を抑制することができる。 The present invention includes an acoustic wave element provided on a substrate, a resin sealing portion provided on the substrate so as to cover a side surface and an upper surface of the cavity having a cavity on the acoustic wave element, and other than the cavity A through-electrode that penetrates the resin-sealed portion and is electrically connected to the acoustic wave element, a connection terminal provided on the through-electrode, and a top and bottom sandwiched between the resin-sealed portions on the cavity And a reinforcing layer made of a metal having a larger elastic modulus than the resin sealing portion and electrically separated from the acoustic wave element . According to the present invention, since the top of the reinforcing layer is made of the resin sealing portion having a small elastic modulus, the stress can be relaxed. Furthermore, since a reinforcing layer having a higher elastic modulus than the resin sealing portion is provided on the cavity, a hollow structure that is not deformed by pressure can be provided. Furthermore, since the resin sealing portion is provided between the reinforcing layer and the cavity, stray capacitance can be suppressed.

上記構成において、前記補強層は前記樹脂封止部に完全に囲まれている構成とすることができる。この構成によれば、補強層を弾性波素子に電気的に接続する工程を削減できる。 The said structure WHEREIN: The said reinforcement layer can be set as the structure completely enclosed by the said resin sealing part. According to this configuration, the step of electrically connecting the reinforcing layer to the acoustic wave device can be reduced.

本発明は、第１樹脂層上に前記第１樹脂層より弾性率が大きい金属からなる補強層を形成する工程と、前記補強層を覆うように前記補強層より弾性率が小さい第２樹脂層を形成し、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む樹脂封止部を形成する工程と、弾性波素子が設けられた基板上に、前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を前記樹脂封止部が覆い、前記補強層が前記空洞上に配置され、前記補強層が前記弾性波素子から電気的に分離されるように前記樹脂封止部を固定する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、各弾性波素子上に補強層を個々に配置することを要さず、製造コストを削減することができる。 The present invention includes a step of forming a reinforcing layer made of a metal having a larger elastic modulus than the first resin layer on the first resin layer, and a second resin layer having a smaller elastic modulus than the reinforcing layer so as to cover the reinforcing layer. Forming a resin sealing portion including the first resin layer and the second resin layer, and having a cavity on the acoustic wave element on a substrate provided with the acoustic wave element, the cavity A step of fixing the resin sealing portion such that the resin sealing portion covers the side surface and the upper surface of the substrate, the reinforcing layer is disposed on the cavity, and the reinforcing layer is electrically separated from the acoustic wave element. And a method of manufacturing an acoustic wave device. According to the present invention, it is not necessary to individually arrange the reinforcing layer on each acoustic wave element, and the manufacturing cost can be reduced.

上記構成において、前記空洞以外において、前記樹脂封止部を貫通し、前記弾性波素子と電気的に接続する貫通電極を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、貫通電極に起因する応力を第１樹脂層が緩和し、さらに、補強層により空洞上の樹脂封止部の強度を確保することができる。 The said structure WHEREIN: It can be set as the structure which has the process of forming the penetration electrode which penetrates the said resin sealing part and is electrically connected with the said elastic wave element except the said cavity. According to this configuration, the stress caused by the through electrode is relaxed by the first resin layer, and the strength of the resin sealing portion on the cavity can be secured by the reinforcing layer.

上記構成において、前記貫通電極上に接続端子を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、接続端子と貫通電極との間に生じる応力を第１樹脂層により緩和させることができる。 The said structure WHEREIN: It can be set as the structure which has the process of forming a connection terminal on the said penetration electrode. According to this configuration, the stress generated between the connection terminal and the through electrode can be relaxed by the first resin layer.

上記構成において、補強層はメッキ法を用い形成される構成とすることができる。これらの構成によれば、弾性率の大きな補強層を容易に形成することができる。 In the above configuration, the reinforcing layer may be formed using a plating method. According to these configurations, a reinforcing layer having a large elastic modulus can be easily formed.

上記構成において、前記樹脂封止部を形成する工程は、前記第２樹脂層上に前記空洞となるべき凹部を有する第３樹脂層を形成する工程を含み、前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を前記基板に固定することにより、前記樹脂封止部を前記基板に固定する工程である構成とすることができる。この構成によれば、第３樹脂層を用いることにより、空洞を簡単に形成することができる。 In the above configuration, the step of forming the resin sealing portion includes a step of forming a third resin layer having a recess to be the cavity on the second resin layer, and fixing the resin sealing portion May be a step of fixing the resin sealing portion to the substrate by fixing the third resin layer to the substrate. According to this configuration, the cavity can be easily formed by using the third resin layer.

上記構成において、前記第３樹脂層は接着性樹脂であり、前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を用い、前記樹脂封止部を前記基板に接着する工程である構成とすることができる。この構成によれば、空洞となる凹部を有する第３樹脂層を接着剤と兼用することにより製造工程を削減することができる。 In the above configuration, the third resin layer is an adhesive resin, and the step of fixing the resin sealing portion is a step of bonding the resin sealing portion to the substrate using the third resin layer. It can be. According to this structure, a manufacturing process can be reduced by using the 3rd resin layer which has the recessed part used as a cavity as an adhesive agent.

上記構成において、前記第３樹脂層を覆うように接着層を形成する工程を有し、前記樹脂封止部を固定する工程は、前記接着層を用い、前記樹脂封止部を前記基板に接着する工程である構成とすることができる。この構成によれば、第３樹脂層として接着性の樹脂を用いる必要がない。よって、第３樹脂層及び接着層の材料選択の余地を広げることができる。 In the above configuration, the method includes a step of forming an adhesive layer so as to cover the third resin layer, and the step of fixing the resin sealing portion uses the adhesive layer and bonds the resin sealing portion to the substrate. It can be set as the structure which is a process to perform. According to this configuration, it is not necessary to use an adhesive resin as the third resin layer. Therefore, the room for material selection for the third resin layer and the adhesive layer can be expanded.

本発明は、第１樹脂層上に前記第１樹脂層より弾性率が大きい補強層を形成する工程と、前記補強層を覆うように前記補強層より弾性率が小さい第２樹脂層を形成し、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む樹脂封止部を形成する工程と、弾性波素子が設けられた基板上に、前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を前記樹脂封止部が覆い、前記補強層が前記空洞上に配置されるように前記樹脂封止部を固定する工程と、を有し、前記樹脂封止部を形成する工程は、前記第２樹脂層上に前記空洞となるべき凹部を有する第３樹脂層を形成する工程を含み、前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を前記基板に固定することにより、前記樹脂封止部を前記基板に固定する工程であり、前記第２樹脂層及び前記第３樹脂層は感光性樹脂であり、前記第３樹脂層を形成する工程は、現像することにより、前記第２樹脂層及び前記第３樹脂層に貫通電極を形成すべき孔及び前記空洞となるべき前記凹部を同時に形成する工程を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。この構成によれば、第３樹脂層をほぼ平坦な第２樹脂層上に形成することができる。 The present invention includes forming a reinforcing layer having a higher elastic modulus than the first resin layer on the first resin layer, and forming a second resin layer having a lower elastic modulus than the reinforcing layer so as to cover the reinforcing layer. A step of forming a resin sealing portion including the first resin layer and the second resin layer, a substrate provided with the acoustic wave element, and a cavity on the acoustic wave element; A step of covering the upper surface with the resin sealing portion and fixing the resin sealing portion so that the reinforcing layer is disposed on the cavity, and the step of forming the resin sealing portion includes: Including a step of forming a third resin layer having a recess to be the cavity on the second resin layer, and the step of fixing the resin sealing portion includes fixing the third resin layer to the substrate, the resin sealing portion is a step of fixing the substrate, the second resin layer and the third tree The layer is a photosensitive resin, and the step of forming the third resin layer is performed by developing the hole to form a through electrode in the second resin layer and the third resin layer, and the cavity to be the cavity. A method of manufacturing an acoustic wave device comprising a step of simultaneously forming recesses. According to this configuration, the third resin layer can be formed on the substantially flat second resin layer.

上記構成において、支持板上に前記樹脂封止部を形成する工程を有し、前記樹脂封止部を固定する工程は、前記樹脂封止部が前記支持板に形成された状態で行われ、前記支持板を前記樹脂封止部から剥離する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、製造コストを削減することができる。 In the above configuration, the step of forming the resin sealing portion on a support plate, the step of fixing the resin sealing portion is performed in a state where the resin sealing portion is formed on the support plate, It can be set as the structure which has the process of peeling the said support plate from the said resin sealing part. According to this configuration, the manufacturing cost can be reduced.

上記構成において、前記第１樹脂層には前記補強層を露出する開口が形成されている構成とすることができる。この構成によれば、補強層を外部と電気的に接続することができる。 The said structure WHEREIN: The said 1st resin layer can be set as the structure by which the opening which exposes the said reinforcement layer is formed. According to this configuration, the reinforcing layer can be electrically connected to the outside.

本発明によれば、補強層の上が弾性率の小さな樹脂封止部からなるため、応力を緩和させることができる。さらに、空洞上に樹脂封止部より弾性率の大きい補強層が設けられているためより、圧力で変形しない中空構造を提供することができる。さらに、補強層と空洞との間にも樹脂封止部が設けられているため、浮遊容量を抑制することができる。 According to the present invention, since the top of the reinforcing layer is made of the resin sealing portion having a small elastic modulus, the stress can be relaxed. Furthermore, since a reinforcing layer having a higher elastic modulus than the resin sealing portion is provided on the cavity, a hollow structure that is not deformed by pressure can be provided. Furthermore, since the resin sealing portion is also provided between the reinforcing layer and the cavity, stray capacitance can be suppressed.

以下、図面を用い本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

図１（ａ）は実施例１に係る弾性波デバイス１００の平面図（樹脂封止部は図示せず、接続端子４８、補強層３０及び空洞１６を示している）、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ｂ）を参照に、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）からなる圧電基板１０上に櫛型電極からなる弾性波素子１２が設けられている。弾性波素子１２上に空洞１６を有し空洞１６の上面及び側面を覆うようにエポキシ樹脂からなる樹脂封止部２０が設けられている。樹脂封止部２０は第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６からなる。金属からなる補強層３０が空洞１６上において第１樹脂層２２と第２樹脂層２４とに挟まれている。密着層４２、導電層４４及びバリア層４６からなる貫通電極４０は空洞１６以外において樹脂封止部２０を貫通し、配線１４を介し弾性波素子１２に接続されている。貫通電極４０上には半田からなる接続端子４８が設けられている。図１（ａ）を参照に、上から見た平面において補強層３０は空洞１６に含まれるように配置されている。 1A is a plan view of the acoustic wave device 100 according to the first embodiment (the resin sealing portion is not shown, and the connection terminal 48, the reinforcing layer 30, and the cavity 16 are shown), and FIG. It is AA sectional drawing of Fig.1 (a). Referring to FIG. 1B, an acoustic wave element 12 made of a comb-shaped electrode is provided on a piezoelectric substrate 10 made of lithium tantalate (LiTaO ₃ ) or lithium niobate (LiNbO ₃ ). A resin sealing portion 20 made of an epoxy resin is provided so as to have a cavity 16 on the acoustic wave element 12 and cover the upper surface and side surfaces of the cavity 16. The resin sealing portion 20 includes a first resin layer 22, a second resin layer 24, and a third resin layer 26. A reinforcing layer 30 made of metal is sandwiched between the first resin layer 22 and the second resin layer 24 on the cavity 16. The through electrode 40 including the adhesion layer 42, the conductive layer 44, and the barrier layer 46 penetrates the resin sealing portion 20 except for the cavity 16, and is connected to the acoustic wave element 12 through the wiring 14. A connection terminal 48 made of solder is provided on the through electrode 40. Referring to FIG. 1A, the reinforcing layer 30 is disposed so as to be included in the cavity 16 in a plane viewed from above.

弾性波デバイス１００を表面実装するため、樹脂封止部２０を貫通する貫通電極４０が設けられ、貫通電極４０上に接続端子４８が設けられ、貫通電極４０と接続端子４８とは電気的に接続される。貫通電極４０と接続端子４８との界面、つまり樹脂封止部２０の上面付近には、貫通電極４０と接続端子４８の熱膨張係数の差等により応力が加わる。よって、樹脂封止部２０の上面付近でのクラック等の発生を抑制するため樹脂封止部２０の上面付近は弾性率の小さな樹脂からなることが好ましい。一方、金属からなる補強層３０が空洞１６の直上に配置されると、浮遊容量が増大する。 In order to surface-mount the acoustic wave device 100, a through electrode 40 penetrating the resin sealing portion 20 is provided, a connection terminal 48 is provided on the through electrode 40, and the through electrode 40 and the connection terminal 48 are electrically connected. Is done. Stress is applied to the interface between the through electrode 40 and the connection terminal 48, that is, near the upper surface of the resin sealing portion 20 due to a difference in thermal expansion coefficient between the through electrode 40 and the connection terminal 48. Therefore, in order to suppress the occurrence of cracks in the vicinity of the upper surface of the resin sealing portion 20, it is preferable that the vicinity of the upper surface of the resin sealing portion 20 is made of a resin having a low elastic modulus. On the other hand, when the reinforcing layer 30 made of metal is disposed immediately above the cavity 16, the stray capacitance increases.

浮遊容量が増大した場合の影響について図２及び図３を用い説明する。図２のように、表面弾性波ダブルモードフィルタ７０、７２を入力端子Ｉｎ及び出力端子Ｏｕｔの間に接続し、入力端子Ｉｎ及び出力端子Ｏｕｔの間に浮遊容量Ｃｆが付加した場合についてシミュレーションした。図３は浮遊容量Ｃｆ＝０の場合及びＣｆ＝１０ｐＦのときの通過特性のシミュレーション結果である。浮遊容量Ｃｆが１０ｐＦとなると、通過帯域外の低帯域側及び高帯域側において、減衰量が小さくなり抑圧特性が劣化している。このように、浮遊容量Ｃｆが大きくなると、抑圧特性が劣化してしまう。 The effect when the stray capacitance increases will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 2, the surface acoustic wave double mode filters 70 and 72 are connected between the input terminal In and the output terminal Out, and the case where the stray capacitance Cf is added between the input terminal In and the output terminal Out was simulated. FIG. 3 shows the simulation results of the pass characteristics when the stray capacitance Cf = 0 and when Cf = 10 pF. When the stray capacitance Cf is 10 pF, the amount of attenuation decreases and the suppression characteristic deteriorates on the low band side and the high band side outside the pass band. As described above, when the stray capacitance Cf increases, the suppression characteristic deteriorates.

実施例１によれば、上面が弾性率の小さな第１樹脂層２２からなるため、貫通電極４０と接続端子４８の熱膨張係数の差等による応力を緩和させることができる。第１樹脂層２２の弾性率を小さくするためフィラー等は含有しないことが好ましい。さらに、空洞１６上に第１樹脂層２２より弾性率の大きい補強層３０が設けられているため例えば弾性波デバイス１００をモジュールにする際のトランスファーモールドの圧力等により、空洞１６が潰れることを抑制することができる。さらに、補強層３０と空洞１６との間に第２樹脂層２４が設けられているため、浮遊容量を抑制することができる。補強層３０は第１樹脂層２２及び第２樹脂層２４より、弾性波デバイス１００をモジュールにする際のモールド時の温度における弾性率が大きい材料が好ましい。例えば、ニッケルや銅等の金属を用いることができる。例えば、フィラーを用いない樹脂の弾性率はモールド時の温度１５０℃から２００℃の範囲では１ＧＰａ程度以下であり、ニッケルのこの温度範囲での弾性率は２００ＧＰａ程度である。補強層３０としては絶縁体でもよいが、弾性率の大きな材料で容易に形成するためには金属であることが好ましい。 According to the first embodiment, since the upper surface is formed of the first resin layer 22 having a small elastic modulus, stress due to a difference in thermal expansion coefficient between the through electrode 40 and the connection terminal 48 can be reduced. In order to reduce the elastic modulus of the first resin layer 22, it is preferable not to contain a filler or the like. Further, since the reinforcing layer 30 having a larger elastic modulus than the first resin layer 22 is provided on the cavity 16, for example, the collapse of the cavity 16 due to the pressure of the transfer mold when the acoustic wave device 100 is made into a module is suppressed. can do. Furthermore, since the second resin layer 24 is provided between the reinforcing layer 30 and the cavity 16, stray capacitance can be suppressed. The reinforcing layer 30 is preferably made of a material having a higher elastic modulus at a molding temperature when the elastic wave device 100 is made into a module than the first resin layer 22 and the second resin layer 24. For example, a metal such as nickel or copper can be used. For example, the elastic modulus of a resin not using a filler is about 1 GPa or less at a molding temperature of 150 ° C. to 200 ° C., and the elastic modulus of nickel in this temperature range is about 200 GPa. The reinforcing layer 30 may be an insulator, but is preferably a metal in order to be easily formed with a material having a large elastic modulus.

また、補強層３０は樹脂封止部２０に完全に囲まれ、弾性波素子１２から電気的に分離されていることが好ましい。これにより、補強層３０を弾性波素子１２に電気的に接続する工程を削減できる。 The reinforcing layer 30 is preferably completely surrounded by the resin sealing portion 20 and electrically separated from the acoustic wave element 12. Thereby, the process of electrically connecting the reinforcing layer 30 to the acoustic wave element 12 can be reduced.

実施例２は実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法の例である。図４（ａ）から図８（ｂ）を用い実施例２に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。実施例２においては、弾性波素子が複数形成されたウエハに樹脂封止部が複数形成された支持板を固定し弾性波デバイスを形成する。以下の図では弾性波デバイス及び樹脂封止部をそれぞれ１個図示している。図４（ａ）を参照に、ガラス板や圧電基板等の支持板５０上に剥離層５２を形成する。剥離層５２は例えば膜厚が１０ｎｍから１μｍの酸化マグネシウム層または膜厚が１００ｎｍから１０μｍのリフトオフ用耐熱ポリイミド樹脂を用いる。剥離層５２上に膜厚が１０μｍの感光性エポキシ樹脂からなる第１樹脂層２２を塗布し形成する。第１樹脂層２２は低弾性率とするため、フィラーは含有しないことが好ましい。 Example 2 is an example of a method of manufacturing an acoustic wave device according to Example 1. A method for manufacturing an acoustic wave device according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. In Example 2, an elastic wave device is formed by fixing a support plate on which a plurality of resin sealing portions are formed on a wafer on which a plurality of elastic wave elements are formed. In the following drawings, one elastic wave device and one resin sealing portion are shown. Referring to FIG. 4A, a release layer 52 is formed on a support plate 50 such as a glass plate or a piezoelectric substrate. For example, a magnesium oxide layer having a thickness of 10 nm to 1 μm or a heat-resistant polyimide resin for lift-off having a thickness of 100 nm to 10 μm is used as the release layer 52. A first resin layer 22 made of a photosensitive epoxy resin having a thickness of 10 μm is applied and formed on the release layer 52. In order to make the 1st resin layer 22 into a low elasticity modulus, it is preferable not to contain a filler.

図４（ｂ）を参照に、露光現像することにより、第１樹脂層２２を所定の形状に加工する。図４（ｃ）を参照に、剥離層５２及び第１樹脂層２２上に例えば膜厚が１００ｎｍ程度のシード金属３２を形成する。図４（ｄ）を参照に、シード金属３２上にフォトレジスト６０を塗布する。 Referring to FIG. 4B, the first resin layer 22 is processed into a predetermined shape by exposure and development. Referring to FIG. 4C, a seed metal 32 having a thickness of, for example, about 100 nm is formed on the release layer 52 and the first resin layer 22. Referring to FIG. 4D, a photoresist 60 is applied on the seed metal 32.

図５（ａ）を参照に、露光現像することによりフォトレジスト６０に開口６２を形成する。図５（ｂ）を参照に、シード金属３２を介し給電することにより、開口６２内に例えば膜厚が５μｍ程度のニッケルからなるメッキ層３４を電解メッキ法を用い形成する。図５（ｃ）を参照に、フォトレジスト６０を除去する。図５（ｄ）を参照に、メッキ層３４をマスクにシード金属３２を除去する。これにより、シード金属３２とメッキ層３４とから補強層３０が構成される。 With reference to FIG. 5A, an opening 62 is formed in the photoresist 60 by exposure and development. Referring to FIG. 5B, by supplying power through the seed metal 32, a plating layer 34 made of nickel having a thickness of, for example, about 5 μm is formed in the opening 62 using an electrolytic plating method. Referring to FIG. 5C, the photoresist 60 is removed. Referring to FIG. 5D, the seed metal 32 is removed using the plating layer 34 as a mask. Thereby, the reinforcing layer 30 is constituted by the seed metal 32 and the plating layer 34.

図６（ａ）を参照に、感光性エポキシ樹脂からなる第２樹脂層２４を剥離層５２、第１樹脂層２２及び補強層３０上に塗布する。第２樹脂層２４の膜厚は例えば２０μｍである。図６（ｂ）を参照に、露光現像することにより、第２樹脂層２４に貫通電極を形成すべき孔６４及び分離領域用の溝６５を形成する。なお、支持板５０上には同じパターンが配列しているため、符号６５は溝を構成している。図６（ｃ）を参照に、接着性の感光性エポキシ樹脂からなる第３樹脂層２６を塗布する。第３樹脂層２６の第２樹脂層２４上の膜厚は例えば１０μｍ程度である。図６（ｄ）を参照に、露光現像することにより、第３樹脂層２６に貫通電極を形成すべき孔６４、分離領域用の溝６５及び空洞となるべき凹部６６を形成する。これにより、第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６より樹脂封止部２０が形成される。 With reference to FIG. 6A, the second resin layer 24 made of a photosensitive epoxy resin is applied on the release layer 52, the first resin layer 22, and the reinforcing layer 30. The film thickness of the second resin layer 24 is 20 μm, for example. With reference to FIG. 6B, by exposing and developing, a hole 64 in which a through electrode is to be formed and a groove 65 for a separation region are formed in the second resin layer 24. In addition, since the same pattern is arranged on the support plate 50, the code | symbol 65 comprises the groove | channel. Referring to FIG. 6C, a third resin layer 26 made of an adhesive photosensitive epoxy resin is applied. The film thickness of the third resin layer 26 on the second resin layer 24 is, for example, about 10 μm. With reference to FIG. 6D, by exposing and developing, a hole 64 in which a through electrode is to be formed, a groove 65 for a separation region, and a recess 66 to be a cavity are formed in the third resin layer 26. Thereby, the resin sealing portion 20 is formed from the first resin layer 22, the second resin layer 24, and the third resin layer 26.

図７（ａ）を参照に、圧電基板１０上に例えばアルミニウムのパターンからなる櫛型電極からなる弾性波素子１２及びアルミニウムからなる配線１４を形成する。配線１４上の貫通電極が形成されるべき領域に密着層４２を形成する。図６（ｄ）の支持板５０を圧電基板１０からなるウエハ上に配置する。このとき、圧電基板１０上のパターンと支持板５０上（図７（ａ）では下）のパターンが一致するように位置合わせる。すなわち、圧電基板１０に設けられた弾性波素子１２上に空洞１６が配置され、密着層４２上に孔６４が配置されるように位置合わせされる。図７（ｂ）を参照に、第３樹脂層２６が圧電基板１０上に接した状態で例えば１５０℃から１８０℃に加熱する。これにより、第３樹脂層２６が圧電基板１０に接着し、固定される。また、第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６が熱硬化する。 Referring to FIG. 7A, an acoustic wave element 12 made of a comb-shaped electrode made of, for example, an aluminum pattern and a wiring made of aluminum are formed on the piezoelectric substrate 10. An adhesion layer 42 is formed in a region where the through electrode is to be formed on the wiring 14. The support plate 50 shown in FIG. 6D is disposed on the wafer made of the piezoelectric substrate 10. At this time, alignment is performed so that the pattern on the piezoelectric substrate 10 and the pattern on the support plate 50 (lower in FIG. 7A) match. That is, the cavity 16 is disposed on the acoustic wave element 12 provided on the piezoelectric substrate 10 and the hole 64 is disposed on the adhesion layer 42. With reference to FIG. 7B, the third resin layer 26 is heated to, for example, 150 ° C. to 180 ° C. while being in contact with the piezoelectric substrate 10. Thereby, the third resin layer 26 is bonded and fixed to the piezoelectric substrate 10. In addition, the first resin layer 22, the second resin layer 24, and the third resin layer 26 are thermoset.

図８（ａ）を参照に、剥離層５２をエッチングし、支持板５０を剥離する。剥離層５２のエッチング用のエッチング液としては、剥離層５２が酸化マグネシウムの場合は酢酸、リフトオフ用耐熱ポリイミド樹脂の場合はアルカリ現像液を用いることができる。図８（ｂ）を参照に、孔６４内の密着層４２上に銅からなる導電層４４及びニッケルからなるバリア層４６を形成する。これにより、密着層４２、導電層４４及びバリア層４６から貫通電極４０が形成される。貫通電極４０上に半田からなる接続端子４８を形成する。その後、圧電基板１０であるウエハをダイシング法等により切断することにより実施例１の図２に係る弾性波デバイスが完成する。 Referring to FIG. 8A, the release layer 52 is etched and the support plate 50 is peeled off. As an etching solution for etching the release layer 52, acetic acid can be used when the release layer 52 is magnesium oxide, and an alkaline developer can be used when the release layer 52 is a heat-resistant polyimide resin for lift-off. With reference to FIG. 8B, a conductive layer 44 made of copper and a barrier layer 46 made of nickel are formed on the adhesion layer 42 in the hole 64. Thereby, the through electrode 40 is formed from the adhesion layer 42, the conductive layer 44, and the barrier layer 46. A connection terminal 48 made of solder is formed on the through electrode 40. Thereafter, the wafer which is the piezoelectric substrate 10 is cut by a dicing method or the like to complete the acoustic wave device according to FIG.

実施例２によれば、図５（ａ）から（ｄ）のように、第１樹脂層２２上に補強層３０形成する。図６（ａ）及び図６（ｄ）のように、補強層３０を覆うように第２樹脂層２４を形成し、第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６から樹脂封止部２０を形成する。図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、弾性波素子１２が設けられた圧電基板１０上に、弾性波素子１２上に空洞１６を有し空洞１６の側面および上面を樹脂封止部２０覆い、補強層３０が空洞１６上に配置されるように樹脂封止部２０を固定する。これにより、ウエハ状態で、個々の弾性波素子１２上に樹脂封止部２０に挟まれた補強層３０を配置することができる。よって、従来例６のように、各弾性波素子１２上に補強層３０を個々に配置することを要さず、製造コストを削減することができる。 According to Example 2, the reinforcing layer 30 is formed on the first resin layer 22 as shown in FIGS. As shown in FIGS. 6A and 6D, the second resin layer 24 is formed so as to cover the reinforcing layer 30, and the resin is formed from the first resin layer 22, the second resin layer 24, and the third resin layer 26. The sealing part 20 is formed. As shown in FIGS. 7A and 7B, on the piezoelectric substrate 10 on which the acoustic wave element 12 is provided, the cavity 16 is provided on the acoustic wave element 12, and the side surface and the upper surface of the cavity 16 are resin-sealed. The resin sealing portion 20 is fixed so that the portion 20 is covered and the reinforcing layer 30 is disposed on the cavity 16. Thereby, the reinforcing layer 30 sandwiched between the resin sealing portions 20 can be disposed on the individual acoustic wave elements 12 in a wafer state. Therefore, unlike the conventional example 6, it is not necessary to individually arrange the reinforcing layer 30 on each acoustic wave element 12, and the manufacturing cost can be reduced.

また、図８（ｂ）のように、空洞１６以外において、樹脂封止部２０を貫通し、弾性波素子１２と電気的に接続する貫通電極４０を形成する。また、貫通電極４０上に接続端子４８を形成する。貫通電極４０または接続端子４８に起因する応力を第１樹脂層２２が緩和し、さらに、補強層３０により空洞１６上の樹脂封止部２０の強度を確保することができる。 Further, as shown in FIG. 8B, a through electrode 40 that penetrates the resin sealing portion 20 and is electrically connected to the acoustic wave element 12 is formed except for the cavity 16. Further, the connection terminal 48 is formed on the through electrode 40. The stress caused by the through electrode 40 or the connection terminal 48 is relaxed by the first resin layer 22, and the strength of the resin sealing portion 20 on the cavity 16 can be ensured by the reinforcing layer 30.

さらに、図５（ｂ）のように、補強層３０はメッキ法を用い形成されることが好ましい。これにより、複数の補強層３０を一度に形成することができる。 Furthermore, as shown in FIG. 5B, the reinforcing layer 30 is preferably formed using a plating method. Thereby, the some reinforcement layer 30 can be formed at once.

さらに、図６（ｃ）及び図６（ｄ）のように。樹脂封止部２０を形成する際に、第２樹脂層２４上に空洞１６となるべき凹部６６を有する第３樹脂層２６を形成する。図７（ａ）及び図７（ｂ）において、第３樹脂層２６を圧電基板１０に固定することにより、樹脂封止部２０を圧電基板１０に固定する。このように、第３樹脂層２６を用いることにより、空洞１６を簡単に形成することができる。 Further, as shown in FIG. 6C and FIG. When forming the resin sealing portion 20, the third resin layer 26 having the recess 66 that should become the cavity 16 is formed on the second resin layer 24. 7A and 7B, the resin sealing portion 20 is fixed to the piezoelectric substrate 10 by fixing the third resin layer 26 to the piezoelectric substrate 10. Thus, the cavity 16 can be easily formed by using the third resin layer 26.

さらに、第３樹脂層２６は接着性樹脂であり、図７（ｄ）のように、第３樹脂層２６を用い、樹脂封止部２０を圧電基板１０に接着する。このように、空洞１６となる凹部６６を有する第３樹脂層２６を接着剤と兼用することにより製造工程を削減することができる。 Further, the third resin layer 26 is an adhesive resin, and the resin sealing portion 20 is bonded to the piezoelectric substrate 10 using the third resin layer 26 as shown in FIG. In this way, the manufacturing process can be reduced by using the third resin layer 26 having the recess 66 that becomes the cavity 16 also as an adhesive.

さらに、図５（ａ）から図６（ｄ）のように、支持板５０上に樹脂封止部２０を形成する。図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、樹脂封止部２０が支持板５０に形成された状態で、樹脂封止部２０を圧電基板１０に固定する。図８（ａ）のように、支持板５０を樹脂封止部２０から剥離する。これにより、複数の樹脂封止部２０が支持板５０に配列した状態で、複数の弾性波素子が設けられた圧電基板１０上に樹脂封止部２０を固定することができる。よって、個々に樹脂封止部２０を弾性波素子１２上に形成するのに比べ、製造コストを削減することができる。さらに、圧電基板１０上に第３樹脂層及び第２樹脂層２４を形成した後、第２樹脂層２４上に補強層３０を形成すると、貫通電極４０用の孔６４が形成された状態で補強層３０を形成することとなる。このため、凹凸の大きな樹脂上に補強層３０を形成することとなる。一方、実施例２によれば、図４（ａ）から図５（ｄ）のように、比較的平坦な樹脂上に補強層を形成することができる。よって、補強層３０を容易に形成することができる。 Further, the resin sealing portion 20 is formed on the support plate 50 as shown in FIGS. As shown in FIGS. 7A and 7B, the resin sealing portion 20 is fixed to the piezoelectric substrate 10 in a state where the resin sealing portion 20 is formed on the support plate 50. As shown in FIG. 8A, the support plate 50 is peeled from the resin sealing portion 20. Thereby, the resin sealing part 20 can be fixed on the piezoelectric substrate 10 provided with the plurality of acoustic wave elements in a state where the resin sealing parts 20 are arranged on the support plate 50. Therefore, the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the resin sealing portion 20 is individually formed on the acoustic wave element 12. Further, when the reinforcing layer 30 is formed on the second resin layer 24 after the third resin layer and the second resin layer 24 are formed on the piezoelectric substrate 10, the reinforcement is performed in a state where the hole 64 for the through electrode 40 is formed. Layer 30 will be formed. For this reason, the reinforcement layer 30 will be formed on resin with a large unevenness | corrugation. On the other hand, according to Example 2, the reinforcing layer can be formed on a relatively flat resin as shown in FIGS. 4 (a) to 5 (d). Therefore, the reinforcing layer 30 can be easily formed.

図９（ａ）から図９（ｄ）を用い実施例３に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図９（ａ）を参照に、実施例２の図４（ａ）から図６（ａ）の工程を行う。ここで、第２樹脂層２４はネガ型の感光性樹脂である。図９（ｂ）を参照に、残存すべき第２樹脂層２４に紫外線を露光する。図９（ｃ）を参照に、第２樹脂層２４上に、接着性を有しネガ型の感光性エポキシ樹脂を塗布する。残存すべき第３樹脂層２６に紫外線を露光する。図９（ｄ）を参照に、現像することにより、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６を貫通する孔６４、溝６５及び凹部６６を形成する。以下、実施例２の図７（ａ）から図８（ｂ）の工程を行うことにより実施例３に係る弾性波デバイスが完成する。 A method for manufacturing an acoustic wave device according to Example 3 will be described with reference to FIGS. 9A to 9D. With reference to FIG. 9A, the steps of FIG. 4A to FIG. 6A of Example 2 are performed. Here, the second resin layer 24 is a negative photosensitive resin. Referring to FIG. 9B, the second resin layer 24 to be left is exposed to ultraviolet rays. Referring to FIG. 9C, a negative photosensitive epoxy resin having adhesiveness is applied on the second resin layer 24. The third resin layer 26 to be left is exposed to ultraviolet rays. With reference to FIG. 9D, a hole 64, a groove 65, and a recess 66 penetrating the second resin layer 24 and the third resin layer 26 are formed by development. Hereinafter, the elastic wave device according to the third embodiment is completed by performing the steps of FIG. 7A to FIG. 8B of the second embodiment.

実施例３によれば、第３樹脂層２６の塗布が第２樹脂層２４の現像に影響しない材料を選択することにより、図９（ｄ）のように、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６を一度に現像することにより、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６に貫通電極を形成すべき孔６４、溝６５及び空洞となるべき凹部６６を同時に形成することができる。これにより、第３樹脂層２６を図９（ｃ）のようにほぼ平坦な第２樹脂層２４上に形成することができる。よって、第３樹脂層２６の膜厚の均一性を向上させることができる。また、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６を同時に現像しているため現像を行う工程を削減することができる。 According to Example 3, the second resin layer 24 and the third resin are selected as shown in FIG. 9D by selecting a material that does not affect the development of the second resin layer 24 by applying the third resin layer 26. By developing the layer 26 at the same time, it is possible to simultaneously form the hole 64 in which the through electrode is to be formed, the groove 65, and the recess 66 to be a cavity in the second resin layer 24 and the third resin layer 26. Thereby, the third resin layer 26 can be formed on the substantially flat second resin layer 24 as shown in FIG. Therefore, the uniformity of the film thickness of the third resin layer 26 can be improved. Moreover, since the 2nd resin layer 24 and the 3rd resin layer 26 are developed simultaneously, the process of developing can be reduced.

実施例４は接着剤を第３樹脂層とは別に用いる例である。図１０（ａ）から図１２（ｂ）を用い実施例４に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図１０（ａ）を参照に、実施例３の図９（ｄ）までの工程を行う。ここで、第３樹脂層２６ａとしては、接着性を有さない感光性のエポキシ樹脂を用いる。図１０（ｂ）を参照に、孔６４及び溝６５を介しエッチング液を導入し剥離層５２の上部を一部エッチングする。これにより、剥離層５２ａにテーパ状の凹部５７が形成される。図１０（ｃ）を参照に、接着性のエポキシ樹脂からなる接着層５４を塗布する。これにより、樹脂封止部２０上並びに孔６４、溝６５及び凹部６６の内面に接着層５４が形成される。 Example 4 is an example in which an adhesive is used separately from the third resin layer. A method for manufacturing an acoustic wave device according to Example 4 will be described with reference to FIGS. Referring to FIG. 10A, the steps up to FIG. 9D of Example 3 are performed. Here, as the third resin layer 26a, a photosensitive epoxy resin having no adhesiveness is used. Referring to FIG. 10B, an etching solution is introduced through the hole 64 and the groove 65 to partially etch the upper portion of the peeling layer 52. Thereby, the taper-shaped recessed part 57 is formed in the peeling layer 52a. Referring to FIG. 10C, an adhesive layer 54 made of an adhesive epoxy resin is applied. Thereby, the adhesive layer 54 is formed on the resin sealing portion 20 and on the inner surfaces of the hole 64, the groove 65, and the recess 66.

図１１（ａ）を参照に、支持板５０に貼り付けられた状態で樹脂封止部２０を弾性波素子１２が設けられた圧電基板１０であるウエハに貼り合わせる。接着層５４を硬化させ、樹脂封止部２０と圧電基板１０とを接着する。図１１（ｂ）を参照に、ダイシング装置等を用い、支持板５０を切断し、剥離層５２ａまで達するように溝６９を形成する。図１２（ａ）を参照に、溝６９を介し剥離層５２ａをエッチングする。これにより、支持板５０を剥離する。図１０（ｂ）において、剥離層５２ａに凹部５７を形成しておいたため、孔６４及び溝６５の上部には接着層５４のブリッジ５４ａが形成されている。図１２（ｂ）を参照に、空気等の噴出による圧力、粘着テープの貼り付け剥離等を行うことにより、接着層５４のブリッジ５４ａを除去する。このように、剥離層５２ａに凹部５７を形成して接着層５４をブリッジ５４ａとしたため、ブリッジ５４ａを容易に除去することができる。その後、実施例２の図８（ｂ）の工程を行うことにより、実施例４に係る弾性波デバイスが完成する。 Referring to FIG. 11A, the resin sealing portion 20 is bonded to a wafer that is the piezoelectric substrate 10 provided with the acoustic wave element 12 while being bonded to the support plate 50. The adhesive layer 54 is cured, and the resin sealing portion 20 and the piezoelectric substrate 10 are bonded. Referring to FIG. 11B, using a dicing device or the like, the support plate 50 is cut and a groove 69 is formed so as to reach the release layer 52a. Referring to FIG. 12A, the peeling layer 52 a is etched through the groove 69. Thereby, the support plate 50 is peeled off. In FIG. 10B, since the recess 57 is formed in the release layer 52a, a bridge 54a of the adhesive layer 54 is formed above the hole 64 and the groove 65. Referring to FIG. 12B, the bridge 54a of the adhesive layer 54 is removed by performing pressure such as air jetting, sticking and peeling of the adhesive tape, and the like. Thus, since the recessed part 57 was formed in the peeling layer 52a and the contact bonding layer 54 was used as the bridge 54a, the bridge 54a can be removed easily. Thereafter, by performing the process of FIG. 8B of Example 2, the acoustic wave device according to Example 4 is completed.

実施例４によれば、図１０（ｃ）のように、第３樹脂層２６ａを覆うように接着層５４を形成する。図１１（ａ）のように、接着層５４を用い、樹脂封止部２０を圧電基板１０に接着する。これにより、実施例２及び実施例３のように第３樹脂層２６ａとして接着性の樹脂を用いる必要がない。また、接着層５４として感光性の樹脂を用いる必要がない。よって、第３樹脂層２６ａ及び接着層５４の材料選択の余地を広げることができる。例えば、コストや第３樹脂層２６ａ及び接着層の物性（例えば熱膨張係数、弾性率）として適切な材料を選択することができる。 According to Example 4, as shown in FIG. 10C, the adhesive layer 54 is formed so as to cover the third resin layer 26a. As shown in FIG. 11A, the resin sealing portion 20 is bonded to the piezoelectric substrate 10 using the adhesive layer 54. Accordingly, it is not necessary to use an adhesive resin as the third resin layer 26a as in the second and third embodiments. Further, it is not necessary to use a photosensitive resin as the adhesive layer 54. Therefore, the room for material selection for the third resin layer 26a and the adhesive layer 54 can be expanded. For example, an appropriate material can be selected for cost and physical properties (for example, thermal expansion coefficient and elastic modulus) of the third resin layer 26a and the adhesive layer.

実施例５は金属からなる補強層３０を外部と接続可能とする例である。図１３（ａ）から図１３（ｃ）を用い実施例５に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図１３（ａ）を参照に、支持板５０上に形成された剥離層５２上に第１樹脂層２２ａを形成する。第１樹脂層２２ａは開口６８を有する。図１３（ｂ）を参照に、実施例２の図４（ｃ）から図５（ｄ）と同様の工程を行い、第１樹脂層２２ａ上に補強層３０を形成する。第１樹脂層２２ａの開口６８内にも補強層３０が形成される。図１３（ｃ）を参照に、実施例２の図６（ａ）から図８（ｂ）と同様の工程を行う。さらに、接続端子４８を形成する際に、第１樹脂層２２ａを介し補強層３０に接続する接続端子４８ａを形成する。以上により、実施例４に係る弾性波デバイスが完成する。 Example 5 is an example in which the reinforcing layer 30 made of metal can be connected to the outside. A method for manufacturing an acoustic wave device according to Example 5 will be described with reference to FIGS. With reference to FIG. 13A, the first resin layer 22 a is formed on the release layer 52 formed on the support plate 50. The first resin layer 22 a has an opening 68. With reference to FIG.13 (b), the process similar to FIG.4 (c) to FIG.5 (d) of Example 2 is performed, and the reinforcement layer 30 is formed on the 1st resin layer 22a. The reinforcing layer 30 is also formed in the opening 68 of the first resin layer 22a. With reference to FIG.13 (c), the process similar to FIG. 6 (a)-FIG.8 (b) of Example 2 is performed. Furthermore, when forming the connection terminal 48, the connection terminal 48a connected to the reinforcement layer 30 via the 1st resin layer 22a is formed. Thus, the acoustic wave device according to Example 4 is completed.

実施例５によれば、第１樹脂層２２ａには補強層３０を露出する孔６４（開口）が形成されている。これにより、補強層３０を外部と電気に接続することができる。例えば補強層３０をグランドに接続することにより、浮遊容量Ｃｆを削減することができる。よって、図３より、通過帯域外の低周波側及び高周波側の抑圧特性を改善することができる。 According to Example 5, the hole 64 (opening) which exposes the reinforcement layer 30 is formed in the 1st resin layer 22a. Thereby, the reinforcement layer 30 can be connected to the exterior and electricity. For example, the stray capacitance Cf can be reduced by connecting the reinforcing layer 30 to the ground. Therefore, the suppression characteristics on the low frequency side and the high frequency side outside the pass band can be improved from FIG.

実施例６は、補強層の形状を変えた例である。図１４（ａ）を参照に、補強層３０ａを格子状に形成することができる。また、図１４（ｂ）を参照に、補強層３０ｂをストライプ状に形成することができる。さらに、図１４（ｃ）を参照に、補強層３０ｃをドット状に形成することができる。浮遊容量Ｃｆを削減するためには、補強層は小さいことが好ましく、樹脂封止部２０の強度を維持するためには大きいことが好ましい。これらを考慮し補強層の形状を適宜設定することができる。 Example 6 is an example in which the shape of the reinforcing layer is changed. Referring to FIG. 14A, the reinforcing layer 30a can be formed in a lattice shape. Further, referring to FIG. 14B, the reinforcing layer 30b can be formed in a stripe shape. Furthermore, referring to FIG. 14C, the reinforcing layer 30c can be formed in a dot shape. In order to reduce the stray capacitance Cf, the reinforcing layer is preferably small, and is preferably large in order to maintain the strength of the resin sealing portion 20. Considering these, the shape of the reinforcing layer can be appropriately set.

実施例１から５において、弾性波素子１２および空洞１６はそれぞれ２つずつ形成されているが、これらの数に限られるものではない。第１樹脂層２２、第２樹脂層２４及び第３樹脂層２６としては、エポキシ樹脂以外にもポリイミド樹脂やシリコン樹脂等を用いることができる。これらに限られず、弾性波素子１２を保護する樹脂であれば良い。接続端子４８として半田ボールを例に説明したが、他の金属で構成されていてもよい。貫通電極４０と接続端子４８の材料が異なる場合、特に樹脂封止部２０の上面近傍に応力が加わるため、弾性率の小さい第１樹脂層２２を樹脂封止部２０の上面に配置し、補強層３０を樹脂封止部２０に埋め込むことがより有効である。 In Examples 1 to 5, two acoustic wave elements 12 and two cavities 16 are formed, but the number is not limited thereto. As the 1st resin layer 22, the 2nd resin layer 24, and the 3rd resin layer 26, a polyimide resin, a silicon resin, etc. can be used besides an epoxy resin. The resin is not limited to these, and any resin that protects the acoustic wave element 12 may be used. Although the solder balls have been described as examples of the connection terminals 48, they may be made of other metals. When the materials of the through electrode 40 and the connection terminal 48 are different, stress is applied particularly in the vicinity of the upper surface of the resin sealing portion 20, and therefore, the first resin layer 22 having a low elastic modulus is disposed on the upper surface of the resin sealing portion 20 for reinforcement It is more effective to embed the layer 30 in the resin sealing portion 20.

弾性波素子１２としては圧電基板１０に設けられた弾性表面波素子を例に説明したが、圧電薄膜共振素子でもよい。圧電薄膜共振素子の場合、基板は圧電基板１０以外のシリコン基板、ガラス基板、石英基板等を用いることもできる。 As the acoustic wave element 12, the surface acoustic wave element provided on the piezoelectric substrate 10 has been described as an example, but a piezoelectric thin film resonant element may be used. In the case of the piezoelectric thin film resonant element, the substrate may be a silicon substrate other than the piezoelectric substrate 10, a glass substrate, a quartz substrate, or the like.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

図１（ａ）は実施例１に弾性波デバイスの平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。FIG. 1A is a plan view of an acoustic wave device according to the first embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 図２はシミュレーションに用いた回路模式図である。FIG. 2 is a schematic circuit diagram used for the simulation. 図３は浮遊容量の有無による通過特性のシミュレーション結果である。FIG. 3 is a simulation result of the pass characteristics with and without stray capacitance. 図４（ａ）から図４（ｄ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。FIG. 4A to FIG. 4D are cross-sectional views (part 1) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the second embodiment. 図５（ａ）から図５（ｄ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。FIG. 5A to FIG. 5D are cross-sectional views (part 2) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the second embodiment. 図６（ａ）から図６（ｄ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その３）である。FIG. 6A to FIG. 6D are cross-sectional views (part 3) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the second embodiment. 図７（ａ）及び図７（ｂ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その４）である。FIG. 7A and FIG. 7B are cross-sectional views (part 4) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the second embodiment. 図８（ａ）及び図８（ｂ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その５）である。8A and 8B are cross-sectional views (part 5) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the second embodiment. 図９（ａ）から図９（ｄ）は実施例３に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。FIG. 9A to FIG. 9D are cross-sectional views illustrating the manufacturing steps of the acoustic wave device according to the third embodiment. 図１０（ａ）から図１０（ｃ）は実施例４に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。FIG. 10A to FIG. 10C are cross-sectional views (part 1) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the fourth embodiment. 図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は実施例４に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。11A and 11B are cross-sectional views (part 2) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the fourth embodiment. 図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は実施例４に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図（その３）である。12A and 12B are cross-sectional views (part 3) illustrating the manufacturing process of the acoustic wave device according to the fourth embodiment. 図１３（ａ）から図１３（ｃ）は実施例５に係る弾性波デバイスの製造工程を示す断面図である。FIG. 13A to FIG. 13C are cross-sectional views illustrating the manufacturing steps of the acoustic wave device according to the fifth embodiment. 図１４（ａ）から図１４（ｃ）は実施例６に係る弾性波デバイスの空洞及び補強層を示した平面図である。FIG. 14A to FIG. 14C are plan views showing the cavity and the reinforcing layer of the acoustic wave device according to the sixth embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０圧電基板
１２弾性波素子
１４配線
２０樹脂封止部
２２第１樹脂層
２４第２樹脂層
２６第３樹脂層
３０補強層
４０貫通電極
４８接続端子
５０支持板
５２剥離層
５４接着層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Piezoelectric substrate 12 Elastic wave element 14 Wiring 20 Resin sealing part 22 1st resin layer 24 2nd resin layer 26 3rd resin layer 30 Reinforcing layer 40 Through electrode 48 Connection terminal 50 Support plate 52 Peeling layer 54 Adhesive layer

Claims

基板に設けられた弾性波素子と、
前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を覆うように前記基板上に設けられた樹脂封止部と、
前記空洞以外において前記樹脂封止部を貫通し前記弾性波素子に電気的に接続する貫通電極と、
前記貫通電極上に設けられた接続端子と、
前記空洞上において、上下を前記樹脂封止部に挟まれ、前記樹脂封止部より弾性率の大きい金属からなり、前記弾性波素子から電気的に分離されている補強層と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。 An acoustic wave element provided on a substrate;
A resin sealing portion provided on the substrate so as to have a cavity on the acoustic wave element and cover a side surface and an upper surface of the cavity;
A through-electrode that penetrates the resin sealing portion and is electrically connected to the acoustic wave element except for the cavity;
A connection terminal provided on the through electrode;
A reinforcing layer made of a metal having a higher elastic modulus than that of the resin sealing portion and electrically separated from the acoustic wave element; Elastic wave device characterized by.

前記補強層は前記樹脂封止部に完全に囲まれていることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。 2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the reinforcing layer is completely surrounded by the resin sealing portion.

第１樹脂層上に前記第１樹脂層より弾性率が大きい金属からなる補強層を形成する工程と、
前記補強層を覆うように前記補強層より弾性率が小さい第２樹脂層を形成し、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む樹脂封止部を形成する工程と、
弾性波素子が設けられた基板上に、前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を前記樹脂封止部が覆い、前記補強層が前記空洞上に配置され、前記補強層が前記弾性波素子から電気的に分離されるように前記樹脂封止部を固定する工程と、
を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 Forming a reinforcing layer made of a metal having a larger elastic modulus than the first resin layer on the first resin layer;
Forming a second resin layer having a smaller elastic modulus than the reinforcing layer so as to cover the reinforcing layer, and forming a resin sealing portion including the first resin layer and the second resin layer;
On the substrate provided with the acoustic wave element, the acoustic wave element has a cavity, the side surface and the upper surface of the cavity are covered with the resin sealing portion, the reinforcing layer is disposed on the cavity, and the reinforcing layer Fixing the resin sealing portion so that is electrically separated from the acoustic wave element ,
A method for producing an acoustic wave device, comprising:

前記空洞以外において、前記樹脂封止部を貫通し、前記弾性波素子と電気的に接続する貫通電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。 The method for manufacturing an acoustic wave device according to claim 3, further comprising a step of forming a through electrode that penetrates the resin sealing portion and is electrically connected to the acoustic wave element, other than the cavity.

前記貫通電極上に接続端子を形成する工程を有することを特徴とする請求項４記載の弾性波デバイスの製造方法。 The method for manufacturing an acoustic wave device according to claim 4, further comprising a step of forming a connection terminal on the through electrode.

前記補強層はメッキ法を用い形成されることを特徴とする請求項３から５のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。 6. The method for manufacturing an acoustic wave device according to claim 3, wherein the reinforcing layer is formed using a plating method.

前記樹脂封止部を形成する工程は、前記第２樹脂層上に前記空洞となるべき凹部を有する第３樹脂層を形成する工程を含み、
前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を前記基板に固定することにより、前記樹脂封止部を前記基板に固定する工程であることを特徴とする請求項３から６のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。 The step of forming the resin sealing portion includes the step of forming a third resin layer having a recess to be the cavity on the second resin layer,
The step of fixing the resin sealing portion is a step of fixing the resin sealing portion to the substrate by fixing the third resin layer to the substrate. The manufacturing method of the elastic wave device as described in any one of Claims.

前記第３樹脂層は接着性樹脂であり、
前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を用い、前記樹脂封止部を前記基板に接着する工程であることを特徴とする請求項７記載の弾性波デバイスの製造方法。 The third resin layer is an adhesive resin;
The method for manufacturing an acoustic wave device according to claim 7, wherein the step of fixing the resin sealing portion is a step of bonding the resin sealing portion to the substrate using the third resin layer.

前記第３樹脂層を覆うように接着層を形成する工程を有し、
前記樹脂封止部を固定する工程は、前記接着層を用い、前記樹脂封止部を前記基板に接着する工程であることを特徴とする請求項７記載の弾性波デバイスの製造方法。 Forming an adhesive layer so as to cover the third resin layer;
The method for manufacturing an acoustic wave device according to claim 7, wherein the step of fixing the resin sealing portion is a step of bonding the resin sealing portion to the substrate using the adhesive layer.

第１樹脂層上に前記第１樹脂層より弾性率が大きい補強層を形成する工程と、
前記補強層を覆うように前記補強層より弾性率が小さい第２樹脂層を形成し、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層を含む樹脂封止部を形成する工程と、
弾性波素子が設けられた基板上に、前記弾性波素子上に空洞を有し該空洞の側面および上面を前記樹脂封止部が覆い、前記補強層が前記空洞上に配置されるように前記樹脂封止部を固定する工程と、
を有し、
前記樹脂封止部を形成する工程は、前記第２樹脂層上に前記空洞となるべき凹部を有する第３樹脂層を形成する工程を含み、
前記樹脂封止部を固定する工程は、前記第３樹脂層を前記基板に固定することにより、前記樹脂封止部を前記基板に固定する工程であり、
前記第２樹脂層及び前記第３樹脂層は感光性樹脂であり、
前記第３樹脂層を形成する工程は、現像することにより、前記第２樹脂層及び前記第３樹脂層に貫通電極を形成すべき孔及び前記空洞となるべき前記凹部を同時に形成する工程を含むことを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。 Forming a reinforcing layer having a larger elastic modulus than the first resin layer on the first resin layer;
Forming a second resin layer having a smaller elastic modulus than the reinforcing layer so as to cover the reinforcing layer, and forming a resin sealing portion including the first resin layer and the second resin layer;
On the substrate on which the acoustic wave element is provided, the cavity is formed on the acoustic wave element, the resin sealing portion covers the side surface and the upper surface of the cavity, and the reinforcing layer is disposed on the cavity. Fixing the resin sealing part;
Have
The step of forming the resin sealing portion includes the step of forming a third resin layer having a recess to be the cavity on the second resin layer,
The step of fixing the resin sealing portion is a step of fixing the resin sealing portion to the substrate by fixing the third resin layer to the substrate.
The second resin layer and the third resin layer are photosensitive resins,
The step of forming the third resin layer includes a step of simultaneously forming a hole in which a through electrode is to be formed in the second resin layer and the third resin layer and the concave portion to be the cavity by developing. A method for manufacturing an acoustic wave device.

支持板上に前記樹脂封止部を形成する工程を有し、
前記樹脂封止部を固定する工程は、前記樹脂封止部が前記支持板に形成された状態で行われ、
前記支持板を前記樹脂封止部から剥離する工程を有することを特徴とする請求項３から６のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。 Having a step of forming the resin sealing portion on a support plate;
The step of fixing the resin sealing portion is performed in a state where the resin sealing portion is formed on the support plate,
The method for manufacturing an acoustic wave device according to claim 3, further comprising a step of peeling the support plate from the resin sealing portion.

前記第１樹脂層には前記補強層を露出する開口が形成されていることを特徴とする請求項３から１１のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。 The method for manufacturing an acoustic wave device according to claim 3, wherein an opening for exposing the reinforcing layer is formed in the first resin layer.