JP5111730B2 - 半導体ウエハのアニール方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体材料の中から選ばれた材料からなるウエハのための熱アニール方法に関し、脆化領域にて前記ウエハから層を分離することを目的とする。

本発明はまた、かかるアニーリングの実行を意図した装置に関する。

発明の背景

上記のような方法と装置は、公知のものである。

ウエハは、シリコン等の半導体材料で作製することができる。

ＳＭＡＲＴＣＵＴ（Ｒ）の方法は、その作成段階を実施する方法の一例である。

さらに、上記の方法によって作製された層の表面では一般に、その表面の状態について極めて厳格な仕様を順守するように指定される。

ｒｍｓ（二乗平均平方根）に換算して５オングストローム未満を定める粗さ仕様も、一般的である。

粗さは、一般にＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を使って測定され、１×１ｍｍ^２から１０×１０μｍ^２、稀に５０×５０μｍ^２、なお稀に１００×１００μｍ^２である。

他の方法により、取分け「ヘイズ」により、表面粗さを測定できることにも留意されたい。この方法には取分け、表面全体にわたる粗さの調和を速やかに特徴付けるという利点がある。

ｐｐｍ単位で測定するヘイズは、特徴付けるべき表面の光学的反射性質を用いる方法に由来し、表面のマイクロ単位の粗さによって拡散する光学的「バックグラウンドノイズ」に相当する。

また、ある一定の粗さの値を順守すべき層には、その表面全体にわたる調和的な粗さをも要求されることに注目されたい。

換言すると、低い平均粗さ値のみならず、層表面にわたって粗さが均一に分布していることも求められる。

米国特許US6013563またはUS6048411（いずれも同一対応特許群の一部）で開示された劈開方法等、公知の劈開方法は、均一な表面粗さ分布はおろか、表面粗さの改善を達成する上でも満足な解決策を提供しない。

上記特許の方法は、実際には、層の表面粗さを改善するという目的には対応していない。

上記特許の目的は、切断技法の「精度」を改善するという一般的なものであり（例えば、第１段第６５行から第２段第１２行を参照）、事実、それらの特許は粗さの改善を指向しておらず、より一般的に、劈開時の多数の劈開面形成を回避することを指向しているものである。したがって、最新の技術による、アニーリング後に半導体材料からなるウエハからの層の分離を可能とする前記の方法が、前記の仕様に従った層表面粗さに帰結するとは必ずしも限らない。

そこで、アニーリングの後に分離された層の粗さの制御を改善する必要がある。

本発明の目的は、この要求を満たすことである。

この目的を達成するため、本発明の第１の態様は、半導体材料の中から選ばれた材料からなるウエハのための熱アニール方法を提案するものであって、脆化領域にて前記ウエハから層を分離することを目的とし、アニーリング中には：
・ウエハに対し基本熱配分（thermal budget）を適用し、前記基本熱配分は層の分離のために必要とされる配分より若干劣り、かかる配分は脆化領域にわたって均一に分布し；
・ウエハに対し、脆化領域の設定範囲にて局所的に追加的な熱配分をも適用し、かかる領域において層の分離を開始することを特徴とする。
この方法の好適で非限定的な態様は、次のとおりである：
・グローバル熱配分の適用中には、ウエハに対面するように位置した個別の加熱素子を選択的に制御する；
・ウエハを、概ね垂直に配置する；
・ウエハを、概ね水平に配置する；
・第１の段階で基本熱配分の適用を実行し、次いで第２の段階で追加的な局所熱配分の適用を実行する；
・基本熱配分の適用を、追加的な局所熱配分の適用と概ね同時に実行する；
・数枚のウエハに対し、同時にアニーリングを適用する；
・層表面の個別の範囲で、熱誘導ガスの流れを制御する；
・拡散バリア形状を有するダンパーを使って、前記の制御を実行する；
・有孔加熱チャンバー形状を有するダンパーを使って、前記の制御を実行する。

本発明の第２の態様はまた、かかる方法を実施するための装置を提案するものであって、かかる装置は：
・アニーリングすべき各ウエハの個別の部分に対面するよう設計された多数の加熱素子と；
・各加熱素子の加熱容量を選択的に制御する手段と；
・装置において熱誘導ガスの分布を制御する手段と、を備えることを特徴とする。

かかる装置の好適で非限定的な態様は、次のとおりである：
・加熱素子は、概ね水平に延在する；
・加熱素子は、全体的に円形を有する；
・加熱素子は、概ね垂直の方向に沿って順次１つずつ配置される；
・装置はウエハ受け付けエリアを備え、その中では、加熱の目的でウエハが概ね垂直に配置される；
・加熱素子は、ウエハ受け付けエリアを取り囲む；
・加熱素子は、概ね同じ平面で延在する；
・加熱素子は、相互の関係において同心状に延在する；
・装置はウエハ受け付けエリアを備え、その中では、加熱の目的でウエハが概ね水平に配置される；
・ガスの分布を制御する前記手段は、熱誘導ガスを導入する開口部に対面するよう配置され、所望の構成に従ってガスの流れを引き起こす拡散ダンパーを備える；
・ダンパーは、拡散バリア形状を有する；
・ダンパーは、有孔加熱チャンバー形状を有する。

本発明の他の態様、目的及び利点は、添付の図面を参照しつつ、以下の本発明の好適な実施形態の説明を読むことによって、さらに明らかとなろう。

図１を参照すると、本発明によるアニール装置の第１の実施形態が示されている。

本書の残りの部分に関係するウエハは、シリコン等の半導体材料で作製され、脆化領域を有するウエハであることに留意されたい。

脆化領域は、注入によっても作製可能であろう。

脆化領域は、ウエハの厚みにおいて一定の深さで延在し（この脆化領域は、ウエハの側面に対して並行の表面に相当する）、よって分離されるべき層を規定する。

一般に、本発明の対象であるアニーリングは、ＳＭＡＲＴＣＵＴ（Ｒ）タイプの方法に分類できる。

ウエハに適用されるアニーリングの目的は、各ウエハにつき脆化領域によってウエハの厚みで定義される材料の層の分離を助けることである。

図１の装置１０は、本発明によってアニーリングが施される、1枚または複数枚のウエハＴを受け付けるよう設計された加熱チャンバーを備える。

装置１０の縦軸は、垂直である。よって、この装置は、縦型のオーブンのように見える。

このチャンバーの中では、ウエハＴが、周知のごとく水平にではなく、垂直に配置されることに留意されたい。

ウエハは、ボート１１０が受け付け、一方ボート１１０はサポート１１１によって支えられる。

サポート１１１は、デバイスのファイヤーホール１２０を閉じる蓋１１２の上に位置する。

ウエハを扱う手段１３０もまた、装置１０の中にウエハを導入するためのものであり、さらにアニーリングの後にウエハを回収するためのものである。

チャンバー１００は、ファイヤーホール１２０の反対に位置する開口部１０１を装備する。この開口部を通じて、熱誘導ガスをチャンバーの中に導入できる。

多数の加熱素子１４０が、チャンバー１００を取り囲む。

これらの加熱素子は、概ね垂直方向に沿って順次１つずつ配置される。

これらの加熱素子は、例えば電力を供給した時に熱を発することができる電極でよい。

そのような装置が、アニーリングの最中にウエハを支えるボートを装置の縦軸の周りを回転する手段（図示せず）を備えること、そして、誘導ガスの流れを制御し調整する手段を備えることに留意されたい。

これらの手段は、調和的ウエハ加熱の提供に貢献する（これは、本明細書で後述する基本熱配分に相当する）。

図２は、チャンバー１００とウエハＴと加熱素子１４０とをより明瞭に見せるものである（明確さを期すため、図２ではそれらの符号が限定されている）。

図示しない手段は、加熱素子各々の加熱容量を選択的に制御すべく、各加熱素子の電気供給の選択的制御を可能とする。

このようにして、加熱中にウエハに適用される熱配分の垂直分布を制御できる。

出願人は実際に、図１及び図２に示すように、ウエハが縦置きとなる従来の縦型オーブンの使用から、垂直の温度勾配が生じるのを観察した。

さらにその勾配は、各ウエハから層が分離された後に、層表面の調和を損なう垂直の粗さ勾配を招く。

実際、粗さは概して水平の「縞」状に分布し、分離された層の表面では均一とならない（脆化領域の反対側に位置するウエハ部分の表面でも均一でない）。図３は、そのような現象を示す。

「均一」は、均一で均質な分布を特徴付けるものとして理解されたい。

同じ加熱温度設定点を受け付ける加熱素子群を、選択的に制御することも可能である。

例えば、加熱素子が互いに隣接するターンとなる本発明の実施構成が、上記に当る。

この種の構成では、各ターンの電力供給を個別に制御するか、あるいはターンの群別に電力供給を制御することを想定できる。

後者の場合は、ターンの接近のため、同様の電力供給を受けるターンの群の中で他よりも熱い領域が存在する（隣接するターンの群を考慮に入れなければ、この領域は通常ならば群の中央にある）。

本発明によれば、かかる装置の熱い領域を利用でき、例えば追加的な熱配分の適用が可能である（本明細書で後述する）。

加熱素子１４０の電力供給を選択的に制御することにより、ウエハに適用される熱配分の空間分布を制御できる。

図３では、「縞」が直線的な帯ではなく、不定形状を取っていることにも留意されたい。

これは、ウエハの中央の範囲とその側縁にそれぞれ適用される熱配分の違いの影響を変化させる。

ウエハの水平部上に見られるこの不均一を相殺することを目的に、オーブンの水平部の個別のエリアに向けて誘導ガス流量を適用するため、オーブンの水平セクションにおける誘導ガスの流量分布を選択的に制御することも可能である。

この誘導ガス流量分布の選択的制御は、前述した加熱素子電力供給の選択的制御を補完するものとして実行できる。

一般的に、また以下で詳述するように、ウエハＴに適用される熱配分の空間分布は、加熱素子別の選択的電力供給制御及びウエハ表面上での熱誘導ガス流量分布の選択的制御のいずれか一方によって制御される。

よって特に、ウエハＴに対し、各ウエハの脆化領域全体にわたって均一に間隔をおいた熱配分の適用が可能となる。

これは、例えば分離された後の層の表面でヘイズ測定を行うことによって視覚化できる。

図１及び図２に示すようなタイプの装置で、ウエハに対する均一配分適用を行うには、通常では下位の加熱素子に上位素子よりも多くの電力を供給する。

その結果、チャンバー内で熱が上昇する自然の傾向が、そしてこのチャンバーの上部で発生する、より高い温度が補償される。

このようにして、ウエハに適用される熱配分は、確実に各ウエハの脆化領域にわたって均一となる。

より一般的には、個別の加熱素子に対する電力供給を選択的に制御することにより、ウエハに適用される熱配分の空間分布を精密に制御することが可能となる。

このウエハに適用される熱配分の空間分布制御は、本発明によって次のとおりに用いる：
・一方で、各ウエハの脆化領域全体にわたり非常に均一な熱配分をウエハに適用する（上述の通り）。この熱配分（基本熱配分として知られる）は、次のとおりに制御する：
＞質的観点から、各ウエハの脆化表面にわたって極めて均一に間隔をおく；
＞そして量的観点からは、ウエハから層を分離するのに必要な配分よりやや劣る。

・他方で、基本熱配分に加え、追加的な熱配分を、各ウエハの局所エリアにだけ適用するべく制御する（制御された「ホットポイント」の作製）。この追加的な熱配分は、例えば１つまたは複数の加熱素子に対して選択的に電力を供給することによって適用でき、前記の方策と併せて、ウエハの調和的加熱を達成する。追加的な熱配分を適用するため、（例えば、ガス流の制御により）アニール装置の中で特別な温度分布を使用することもまた可能であることに留意されたい。

後述する通り、これら２つの制御熱配分適用は、１つずつ順次に実行できるか、または概ね同時に実行できる。

したがって、このようにしてウエハに適用されるグローバル熱配分（標準配分＋追加的配分）は、縦型オーブンの中で垂直に配置されたウエハが加熱された場合に得られるであろうものとは異なる。実際、この場合の熱配分は、すでに実証されているとおり、垂直の勾配を有するであろう。

よって、そのグローバル熱配分は、脆化領域の点では局所的なホットポイントを有することもあるが、同領域の大部分にわたって広がる、ばらつきを有しない熱配分に相当する（例えば、同領域の特性量の少なくとも半分余り。この量は、通常、ディスク状の脆化領域の場合にはその直径）。

図１及び２の設備は、本発明によるアニール装置の好適な実施形態に相当する。

ただし、そのような均一なグローバル熱配分適用を、別の設備で実行することもまた可能である。

そこで、ウエハＴで、または多数のウエハで、本発明によるアニール方法を実行可能なデバイス２０を図４に示す。

加熱チャンバー２００の中では、ウエハ（1枚または複数枚）が概ね水平に延在する。

かかるウエハは固体表面上に直接には置かれず、ウエハ表面に僅かに接触する別個の保持手段によって支えられる。

劈開すべきウエハの面を固体表面に接触させないことで、ウエハを熱に均等にさらすことができるため、このことは重要な特徴である。

チャンバーは、熱誘導ガスを導入するための開口部２０１を装備する。

図４の簡素化された表現で熱誘導ガス導入のための単一の開口部２０１が見られる場合、ウエハ表面上でのガスの流れから、各ウエハの表面の個別の領域によって吸収される熱配分で不均一を生じさせないための方策を想定することもまた、可能であることに留意されたい。

この点に関し、例えば熱誘導ガス導入のための数個の開口部２０１を備える装置２０を想定でき、それらの開口部は装置の周縁にわたって規則的に配置される。

代替として、または補完として、所望の構成に従ってガスの流れを引き起こす拡散ダンパーを、装置の内側に、開口部２０１（または各開口部２０１）に向けて配置されることを想定することもまた可能である。

したがって、かかるダンパーは、ウエハの表面にわたって調和のとれたガスの流れを保証する。

かかるダンパーには様々な形状を持たせることができ、例えば：
・ガスとウエハの間に挟まれた拡散バリア形状を持たせる。これは、ガスがウエハに対面しながら流れるために、拡散バリアを避けて通らなければならないことを意味する（図５ａ及び５ｃはこのタイプの構成を図示する）。
・プレートを取り囲む有孔チャンバー形状を持たせる。ガスは、その開口部を通じてウエハに向かって流れる（図５ｂ）。

したがって、本発明のどの実施形態においても（横型オーブンまたは縦型オーブンの場合は特に）、ウエハに適用される熱配分は、２つの主要な手段によって制御することが可能である：
・個別の加熱素子の個別制御；
・ウエハ表面の個別の範囲上での熱誘導ガス流制御。

装置２０は、参照番号２４０として一括で示す加熱素子を備える。

それらの加熱素子は、ウエハの両側に位置する。

実際、ウエハを劈開するためには、加熱素子をウエハの片側だけに配置するのではなく（劈開用の炉ではなく、例えばウエハの片側で材料を沈着させるための炉では片側のみとなろう）、前記ウエハの周囲に配置するのが好ましい。

加熱素子２４０は、２つの同じ水平面にわたって延在する一連の個別の加熱素子（例えば電極）を成すことができる（１つの平面はウエハの上、別の平面はウエハの下）。

よって各加熱素子は、他の素子との関係で同心状に配置された円形素子とすることができ、その直径は素子ごとに異なる。

よって、かかる素子はまた、アニーリングの位置にあるウエハとの関係で同心状に配置される。

ここで再び、各加熱素子の選択的・個別制御の手段（図示せず）を想定できる。

これは、上記の内容に適合するウエハを適用したグローバル熱配分を保証する。

素子２４０を、電力供給がそれぞれ個別に制御される制御赤外線ランプに置き換えることもまた可能である。

そして、電極タイプの素子２４０（例えば同心円形素子の形状）に赤外線ランプを組み合わせることができ、そこから提供される補助熱で次のことができる：
・均一な基本熱配分を構成すべく、脆化領域に適用される熱配分を局所的に調整する；
・ただし、同時に、追加的な熱配分を局所的に適用することによって、この脆化領域内にホットポイントを選択的に作製する。

あらゆる状況で、本発明の全ての実施形態において、加熱装置は次のことが可能である：
・ウエハの脆化領域に対して均一な基本熱配分を適用するべく、調和的ウエハ加熱を実行する；
・他方、脆化領域内に「ホットポイント」を作製することによって、脆化領域の特定範囲に対して優れた熱配分を適用する。これは、次のとおりに達成できる：
＞１つまたは複数の加熱素子を個別に制御することによって、加熱の局所的な増加により、かかるホットポイントを作製する（アニーリング中の特定の時点、また場合によってはアニーリングの全体を通じて）。これは、本明細書中ですでに述べた本発明の好適な実現形態に相当する；
＞あるいは、本発明の代替的な実施例に従い、対象のウエハのアニール装置の熱構成を利用することによって：
／特定の加熱ガス流を利用する；
／加えて、一般的に、ウエハの脆化領域に対し均一な熱配分を適用するべく制御される加熱素子が、その脆化領域でホットポイントを作製する場合、そのホットポイントをアニール処理の最中に使用することで、所望の追加的な配分を適用する。

こうして、本発明によるアニール装置は作動時に、ウエハの脆化領域に対して均一な基本熱配分を適用する。

より詳細には、この基本熱配分は、ウエハから層を分離するのに必要な配分より若干劣るエネルギー配分に相当する。

ただし、本発明の文脈上での目的は、単にウエハに適用される熱配分を調和させることではない。

そして、基本熱配分は、各ウエハの層の分離を完全に実行することを意図するものではない。

実際、そのような均一基本熱配分は、各ウエハからの層の分離を実行するのに必要な配分より若干劣る配分に達するべく適用する。

この点に関し、追加的な熱配分を受け付けた局所的な範囲は、分離の開始領域に相当する。

この開始領域で、各ウエハの脆化領域は、追加的な熱配分のほかに、表面単位当たりの基本熱配分を受け付けている。

各ウエハにつき、それら２つの熱配分の合計は、開始領域に相当する脆化領域の部分で、ウエハからの層分離を局所的に開始するには十分である。

そして、この層分離はその後、分離を実行するために必要な配分より若干劣る表面単位当たりの熱配分を受け付けた脆化領域の残りの部分に自然に伝搬する。これらの条件において、初期分離の伝搬に相当する誘導は、分離を伝搬するに十分である。

そして、この分離は、上記のように脆化領域の表面全体にわたって伝搬し、最終的には層が完全に分離する。

出願人は、上記のような手法が、脆化領域に適用される熱配分を均一にすること、またその配分が、層を分離可能な値にすることを唯一の目的とした場合に比べて、より調和的でより低い粗さの値になることを確認した。

ホットポイントを作製するための追加的な熱配分の局所的な適用は、アニーリングの全体を通じて絶えず実行することができる。この場合の標準配分と追加的な配分は、概ね同時にウエハに適用される。

この局所的な適用を、アニール処理の特定の段階、例えばアニーリング終了時に実行することもまた可能である。

そして、上記の要領で、多数のウエハを同時に処理することが可能である。

劈開の後には、ロボットのアームで処理済みウエハを加熱装置の外に取り出すことができ、把持具は必要としない（ウエハは固体表面に接触していないため、ロボットのアームは、取り出すべきウエハの下に到達する簡易なアームでよい）。

本発明の加熱装置が、本発明の熱アニーリングの実行を可能とする特定の手段を備えることに留意されたい。

この点に関し、公知の炉のいくつかは、本発明の装置の特定の特徴のいくつかを備える。

例えば、国際公開公報WO99/49501は、ウエハの一側面に材料を沈着させるための炉を開示する。

しかし、そのような装置は、その機能（沈着の実行）が構造的違いをもたらすため、本発明の装置とは本質的に異なる。

上記の違いは以下を含む：
−国際公開公報WO99/49501の装置は、処理すべきウエハの両側に加熱素子を具備しないこと、
−かかる固体表面上に直接配置されることであって、そこで、把持具等の手段を用いてウエハの上面に触れ、加熱装置からウエハを回収する必要がある。さらにかかる装置は、ウエハが垂直に配置された構成（本発明の場合には、それを任意に適用する余地がある）に対処しない（そして対処できない）。

欧州特許EP291147も、炉を開示している。

しかし、かかる炉は、各加熱素子の個別制御を許さない。

しかも、かかる炉は、炉の中で加熱ガスの流動を制御するための手掛かりすら与えていない。

したがって、かかる炉は、ウエハに向けて局所的に導かれるヒート配分を細かく制御することには向いていない。

欧州特許EP1258909は、ガスの流動を制御する手段を備える装置を開示する。ただし、かかる制御は、本発明の場合に実行される制御と大きく異なる。この先行技術による装置では、他の何らかのホルダーを必要とせず、ガス流によってウエハを機械的に支えることを必要としている。

そのような支えは、当然ながら、ウエハ劈開の観点からは望ましいものではない。

本発明の第１実施形態に相当するアニール装置の全体骨格図。 該装置の一部分の詳細骨格図。 最新技術の一代替案による、層表面上でのヘイズの分布を表す図。 本発明の第２実施形態に相当するアニール装置の骨格図。 熱誘導ガスの流れを所望の様式で方向付ける種々の手段を強調した、本発明による、第２実施形態に相当するアニール装置の骨格図。 熱誘導ガスの流れを所望の様式で方向付ける種々の手段を強調した、本発明による、第２実施形態に相当するアニール装置の骨格図。 熱誘導ガスの流れを所望の様式で方向付ける種々の手段を強調した、本発明による、第２実施形態に相当するアニール装置の骨格図。

符号の説明

１００ チャンバー
１４０ 加熱素子
Ｔ ウエハ

Claims (19)

1. 脆化領域を有する半導体材料の中から選ばれた材料からなるウエハ（Ｔ）のための熱アニール方法であって、前記脆化領域にて前記ウエハから層を分離することを目的とし、アニーリング中に：
   ・前記ウエハに対し基本熱配分を適用し、前記基本熱配分が前記ウエハから前記層を分離するために必要とされる配分より劣り、前記基本熱配分が前記ウエハの前記脆化領域の全体にわたって空間的に平等に分布し；
   ・前記ウエハに対し、前記脆化領域の設定範囲にて局所的に追加的な熱配分をも適用することにより、同範囲において、制御されたホットポイントを作製して、前記層の分離を開始することを特徴とする、熱アニール方法。
2. 前記基本熱配分の適用を第１の段階で実行し、次いで前記追加的な熱配分の適用を第２の段階で実行することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
3. 前記基本熱配分の適用を前記局所的な追加的な熱配分の適用と同時に実行することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
4. 数枚のウエハに対して同時にアニーリングを適用することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
5. 前記基本熱配分および前記追加的な熱配分の適用は、各ウエハの異なる複数箇所に対向配置される複数の加熱素子と、前記複数の加熱素子のそれぞれの加熱量を選択的に制御する手段と、を有する装置を用いて実施されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
6. 前記ウエハが垂直に配置されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
7. 前記ウエハが水平に配置されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
8. 前記加熱素子が水平に延在することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
9. 前記加熱素子が全体的に円形を有することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
10. 前記加熱素子が垂直の方向に沿って順次１つずつ配置されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
11. 前記装置がウエハ受け付けエリアを備え、前記ウエハ受け付けエリアの中では加熱の目的で前記ウエハが垂直に配置されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
12. 前記加熱素子が前記ウエハ受け付けエリアを取り囲むことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
13. 前記加熱素子が同じ平面で延在することを特徴とする、請求項５に記載の方法。
14. 前記加熱素子が相互の関係において同心状に延在することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
15. 前記装置がウエハ受け付けエリアを備え、前記ウエハ受け付けエリアの中では加熱の目的で前記ウエハが水平に配置されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
16. 前記基本熱配分および前記追加的な熱配分の適用は、装置の内部に熱誘導ガスを導入する手段と、前記ウエハの表面の異なる複数箇所での前記熱誘導ガスの分布を制御する手段とを有する前記装置を用いて実施されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
17. 前記熱誘導ガスの分布を制御する前記手段が、前記熱誘導ガスを導入するための開口部に対面するよう配置され、所望の構成に従ってガスの流れを引き起こす拡散ダンパーを備えることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
18. 前記拡散ダンパーが拡散バリア形状を有することを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
19. 前記拡散ダンパーが有孔加熱チャンバー形状を有することを特徴とする、請求項１７に記載の方法。

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