JP5110566B2 - 偽造防止構造体及び真贋判別装置 - Google Patents
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Description
最初に、図1乃至図3を参照しながら、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体10について説明する。なお、図1は、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体10の平面図である。図2は、図1のII−II線に沿った断面図である。そして、図3は、この発明の一実施形態に従っている偽造防止構造体10が備えている導電性層の拡大された平面図である。
次に、図4を参照しながら、第1変形例に従った偽造防止構造体20を説明する。図4は、図2と同様な、第1変形例に従った偽造防止構造体20の一部の断面図である。
次に、図5を参照しながら、第2変形例に従った偽造防止構造体30を説明する。図5は、図2と同様な、第2変形例に従った偽造防止構造体30の一部の断面図である。
次に、図6を参照しながら、第3変形例に従った偽造防止構造体40を説明する。図6は、図2と同様な、第3変形例に従った偽造防止構造体40の一部の断面図である。
次に、図7を参照しながら、第4変形例に従った偽造防止構造体50を説明する。図6は、図2と同様な、第3変形例に従った偽造防止構造体50の一部の断面図である。
次に、図8及び図9を参照しながら、図1乃至図3を参照しながら前述したこの発明の一実施形態に従った偽造防止構造体10,図4乃至図7を参照しながら前述した第1乃至第4変形例に従った偽造防止構造体20,30,40,そして50の夫々と組み合わせて使用される真贋判別装置60について説明する。
図10の(A),(B),そして(C)は、図3の導電性層16の第1乃至第3変形例を示す拡大された平面図である。
Claims (5)
- テラヘルツ電磁波が透過される基材と;
基材の一面に設けられ、非導電性であり、テラヘルツ電磁波が透過される隠蔽層と;
基材とは反対側の隠蔽層の一面の所定の位置に設けられ、隠蔽層により隠蔽され、テラヘルツ電磁波が透過される所定のパターンに配列された開口を有する導電性層と;
隠蔽層の上記一面に設けられ、テラヘルツ電磁波が透過される接着層と、
を備え、
導電性層はテラヘルツ電磁波が透過されることにより上記テラヘルツ電磁波から上記所定のパターンに対応した所定の測定値を生じさせるとともに、
隠蔽層が導電性材料により形成されていて、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに、隠蔽層と導電性層との間に電気的絶縁層を備えている、
ことを特徴とする偽造防止構造体。 - 基材の前記一面と隠蔽層との間に、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに基材を隠蔽層から剥離可能にする剥離層を備えている、ことを特徴とする請求項1に記載の偽造防止構造体。
- 剥離層が光透過材料により形成されていて、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに、剥離層と隠蔽層との間に光の照射により回折を生じさせる光回折層を備えている、ことを特徴とする請求項2に記載の偽造防止構造体。
- 基材が光透過材料により形成されていて、テラヘルツ電磁波が透過されるとともに、基材と隠蔽層との間に光の照射により回折を生じさせる光回折層を備えている、ことを特徴とする請求項1に記載の偽造防止構造体。
- テラヘルツ電磁波発生手段と;
テラヘルツ電磁波発生手段により発生されたテラヘルツ電磁波を物体に照射するテラヘルツ電磁波照射手段と;
上記物体を透過したテラヘルツ電磁波を受信し、受信したテラヘルツ電磁波に対応した測定値に変換する測定値変換手段と;
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の偽造防止構造体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された所定の基準値を記憶しており、上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値と比較し、上記所定の基準値と上記物体を透過したテラヘルツ電磁波から上記測定値変換手段により変換された測定値との差異の有無を判定する判定手段と;
上記差異がある場合又は上記差異がない場合のいずれかの場合に警報を発生する報知手段と;
を備えていることを特徴とする真贋判別装置。
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