JP5100439B2 - Sensor module, wheel with sensor, and tire assembly - Google Patents

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Description

本発明は、複数のセンサが集積されたセンサモジュール、センサ付ホイール、およびタイヤ組立体に関する。   The present invention relates to a sensor module in which a plurality of sensors are integrated, a wheel with a sensor, and a tire assembly.

一般的に、対象物の複数の物理量を同時に計測するには、計測する物理量の種類に応じたセンサが必要であり、この対象物に対して複数のセンサを取り付ける必要がある。取り付けるセンサの数が増え、取り付け位置が増加したり、対象物におけるセンサの実装面積が増大すると、装置構成が複雑になり、また、この対象物自体の特性が変化することにも繋がる。複数の物理量を同時に計測する計測系においては、複数のセンサを、比較的少ない実装面積でなるべく集積させて実装することが望まれている。   In general, in order to simultaneously measure a plurality of physical quantities of an object, a sensor corresponding to the type of physical quantity to be measured is required, and it is necessary to attach a plurality of sensors to the object. If the number of sensors to be attached is increased, the attachment position is increased, or the mounting area of the sensor on the object is increased, the device configuration becomes complicated, and the characteristics of the object itself are also changed. In a measurement system that measures a plurality of physical quantities at the same time, it is desired to mount a plurality of sensors by integrating them as much as possible with a relatively small mounting area.

例えば、特許文献1には、加速度センサと圧力センサとを、1つのパッケージ内に配置したセンサ装置が記載されている。特許文献1記載のセンサ装置では、加速度センサと圧力センサと集積回路とが、一枚の基板の一方の基板面に並列に配置されている。
国際公開 WO2005/019790号パンフレット
For example, Patent Document 1 describes a sensor device in which an acceleration sensor and a pressure sensor are arranged in one package. In the sensor device described in Patent Document 1, an acceleration sensor, a pressure sensor, and an integrated circuit are arranged in parallel on one substrate surface of one substrate.
International Publication WO2005 / 019790 Pamphlet

特許文献1記載のセンサ装置では、加速度センサと圧力センサとを1つのパッケージ内に配置しているが、加速度センサと圧力センサと集積回路とが、一方の基板面に並列に配置されているので、各センサの実装に必要な基板面の面積は比較的大きく、センサ装置の構成も複雑になっている。   In the sensor device described in Patent Document 1, the acceleration sensor and the pressure sensor are arranged in one package, but the acceleration sensor, the pressure sensor, and the integrated circuit are arranged in parallel on one substrate surface. The area of the substrate surface required for mounting each sensor is relatively large, and the configuration of the sensor device is complicated.

本願発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、複数種類のセンサが集積された、比較的単純な構成で、かつ比較的コンパクトなセンサモジュールを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object thereof is to provide a relatively compact sensor module having a relatively simple configuration in which a plurality of types of sensors are integrated.

本願発明のセンサモジュールは、枠状部を有しており、該枠状部の内側がキャビティである基体と、前記キャビティ内に収容されるセンサ素子を含む第1のセンサ部と、前記センサ素子の収容空間を封止し且つ少なくとも一部が導電性を有する蓋体と、前記蓋体と対向した状態で前記キャビティ内に配置される固定電極とでダイアフラム圧力センサを構成する第2のセンサ部と、前記枠状部の突出端面に配置され、前記蓋体の周囲に位置している複数の外部接続端子と、を備えており、前記固定電極が、前記基体の表面に設けられており、前記固定電極と前記蓋体との離間距離が、前記センサ素子と前記蓋体との離間距離の大きさ以下であることを特徴とするものである。 The sensor module of the present invention has a frame-shaped portion, and a base body having a cavity inside the frame-shaped portion, a first sensor portion including a sensor element accommodated in the cavity, and the sensor element A second sensor part that constitutes a diaphragm pressure sensor by a lid body that seals the housing space and at least a part of which is conductive, and a fixed electrode that is disposed in the cavity so as to face the lid body And a plurality of external connection terminals disposed on the projecting end surface of the frame-like portion and positioned around the lid, and the fixed electrode is provided on the surface of the base body, The separation distance between the fixed electrode and the lid is not more than the separation distance between the sensor element and the lid .

本発明によれば、複数種類のセンサが集積されたセンサモジュールを、比較的単純な構成で、かつ比較的コンパクトに構成することができる。また、本発明によれば、圧力センサを構成する2つの電極間の静電容量を比較的大きくし、圧力変動に対する感度を比較的高くすることができる。   According to the present invention, a sensor module in which a plurality of types of sensors are integrated can be configured with a relatively simple configuration and a relatively compact configuration. Further, according to the present invention, the capacitance between the two electrodes constituting the pressure sensor can be made relatively large, and the sensitivity to pressure fluctuation can be made relatively high.

以下、本発明を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。図1は、本発明のセンサモジュールの第1の実施態様のうちの1つの実施形態(実施形態1−1)である、センサモジュール10について説明する図である。図1(a)は、センサモジュール10から後述する封止樹脂層48を除いた状態の概略上面図である。また、図1(b)は、センサモジュール10の概略断面図であり、図1(c)は、センサモジュール10から後述する蓋体22を除いた状態を示す概略下面図である。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating a sensor module 10 that is one embodiment (embodiment 1-1) of the first embodiment of the sensor module of the present invention. FIG. 1A is a schematic top view of a state in which a sealing resin layer 48 described later is removed from the sensor module 10. FIG. 1B is a schematic cross-sectional view of the sensor module 10, and FIG. 1C is a schematic bottom view showing a state in which a lid 22 described later is removed from the sensor module 10.

センサモジュール10は、例えば複数の絶縁層12aが積層してなる基体12と、基体12の後述する枠状部14の斜面に設けられた段差部14aに接合して固定された蓋体22と、例えばピエゾ抵抗型加速度センサ素子である加速度センサ素子32(第1センサ素子32)と、例えば公知の温度センサ素子34(第2センサ素子34)と、回路素子42や44、およびコンデンサ46等からなる電子回路部品41と、例えば樹脂材料から封止樹脂層48とを有して構成されている。   The sensor module 10 includes, for example, a base body 12 formed by laminating a plurality of insulating layers 12a, a lid body 22 bonded and fixed to a stepped portion 14a provided on an inclined surface of a frame-like portion 14 described later of the base body 12, For example, it includes an acceleration sensor element 32 (first sensor element 32) that is a piezoresistive acceleration sensor element, a known temperature sensor element 34 (second sensor element 34), circuit elements 42 and 44, a capacitor 46, and the like. The electronic circuit component 41 includes a sealing resin layer 48 made of, for example, a resin material.

基体12は、例えば周知のグリーンシート積層法によって作製された積層基板である。具体的には、接続パッド21や外部接続端子23、内部配線パターン25やビアホール導体27となる導体ペーストが印刷・塗布された複数のグリーンシートを、積層・圧着し、これを一体焼成することで作製されている。   The substrate 12 is a laminated substrate produced by, for example, a known green sheet laminating method. Specifically, a plurality of green sheets on which conductive paste to be the connection pads 21, external connection terminals 23, internal wiring patterns 25, and via-hole conductors 27 are printed and applied are laminated and pressure-bonded, and then integrally fired. Have been made.

より具体的には、基体12は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・炭化珪素質焼結体・窒化珪素質焼結体・ガラス−セラミックス等のセラミックス材料から成る積層体であり、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを得、しかる後、これらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工・積層加工・切断加工を施すことにより生セラミック成形体を得、最後にこの生セラミック成形体を約1600℃の温度で焼成することにより製作される。   More specifically, the substrate 12 is, for example, an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, a silicon nitride sintered body, glass-ceramics, or the like. For example, in the case of an aluminum oxide sintered body, a suitable organic binder, solvent, and plasticizer for ceramic raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, and calcium oxide・ Adding and mixing a dispersing agent to form a slurry, and forming this into a sheet by employing a conventionally known doctor blade method, and then obtaining a plurality of ceramic green sheets. A green ceramic molded body is obtained by performing appropriate punching, laminating, and cutting, and finally this green ceramic It is manufactured by firing a form at a temperature of about 1600 ° C..

また、接続パッド21や外部接続端子23および内部配線パターン25は、タングステンやモリブデン・銅・銀等の金属粉末メタライズから成り、タングステン等の金属粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して基体12用のセラミックグリーンシートに所定のパターンに印刷塗布し、これを基体12用の生セラミック成形体とともに焼成することによって基体12の内部および表面に所定のパターンに形成される。なお、接続パッド21や外部接続端子23および内部配線パターン25の露出表面には、導体表面が酸化腐食するのを防止するとともにハンダ等の導電性接合材との接合を良好なものとするために、通常であれば、厚みが1〜10μm程度のニッケルメッキ層と厚みが0.1〜3μm程度の金めっき層とが順次被着されている。   Further, the connection pad 21, the external connection terminal 23 and the internal wiring pattern 25 are made of metal powder metallization such as tungsten, molybdenum, copper, silver, etc., and suitable organic binder, solvent, plasticizer, dispersant for metal powder such as tungsten. A metallized paste obtained by adding and mixing the above is printed on a ceramic green sheet for the substrate 12 in a predetermined pattern using a conventionally known screen printing method, and is fired together with a green ceramic molded body for the substrate 12. Thus, a predetermined pattern is formed inside and on the surface of the substrate 12. The exposed surfaces of the connection pads 21, the external connection terminals 23, and the internal wiring patterns 25 are to prevent the conductor surface from being oxidatively corroded and to have good bonding with a conductive bonding material such as solder. Normally, a nickel plating layer having a thickness of about 1 to 10 μm and a gold plating layer having a thickness of about 0.1 to 3 μm are sequentially deposited.

基体12は、第1センサ素子32が載置される載置面12Aから突出した枠状部14が形成されている。枠状部14は載置面12Aに形成されており、周囲が枠状部14によって囲まれたキャビティ部11の内部領域に、第1センサ素子32が配置されている。この枠状部14の突出端面には、外部接続端子23が配置されている。また、枠状部14の側面の、突出端面(外部接続端子23)よりも載置面12Aに近い位置には、載置面12Aと略平行な面を有する段差部14aが設けられている。段差部14aには、蓋体接続電極29が設けられている。この段差部14aには、例えば金属からなる蓋体22が、その周縁部が接合されて固定されており、蓋体22と蓋体接続電極29とは電気的に接続されている。このように、センサモジュール10には、基体12における第1センサ素子32の載置面12Aと、載置面12Aから突出した枠状部14の内周面と、蓋体22とで囲まれた封止空間が形成されている。   The base body 12 is formed with a frame-like portion 14 protruding from the placement surface 12A on which the first sensor element 32 is placed. The frame-shaped portion 14 is formed on the mounting surface 12 </ b> A, and the first sensor element 32 is disposed in the internal region of the cavity portion 11 surrounded by the frame-shaped portion 14. An external connection terminal 23 is disposed on the projecting end surface of the frame-like portion 14. Further, a stepped portion 14a having a surface substantially parallel to the mounting surface 12A is provided on the side surface of the frame-shaped portion 14 at a position closer to the mounting surface 12A than the protruding end surface (external connection terminal 23). A lid connection electrode 29 is provided on the stepped portion 14a. A lid body 22 made of, for example, metal is fixed to the stepped portion 14a by joining its peripheral edge portion, and the lid body 22 and the lid body connection electrode 29 are electrically connected. As described above, the sensor module 10 is surrounded by the mounting surface 12A of the first sensor element 32 in the base 12, the inner peripheral surface of the frame-like portion 14 protruding from the mounting surface 12A, and the lid body 22. A sealed space is formed.

第1の実施態様に対応するセンサモジュール10では、このキャビティ部11の内部に、第1センサ素子32が収容されるとともに、キャビティ部11の内部の載置面12Aの表面に、蓋体22と対向する固定電極24が配置されている。   In the sensor module 10 corresponding to the first embodiment, the first sensor element 32 is accommodated in the cavity portion 11, and the lid 22 is formed on the surface of the mounting surface 12 </ b> A inside the cavity portion 11. Opposing fixed electrodes 24 are arranged.

センサモジュール10では、基体12の載置面12Aと反対の側の基板面12Bに、第2センサ素子34、回路素子42、44、およびコンデンサ46等からなる電子回路部品41が配置されている。例えば回路素子42、44は、例えばフリップチップ実装によって、ビアホール導体27や内部配線パターン25と接続した電極パッド43と接続されている。なお、回路素子42および44は、接着剤等により基体12の基板面12Bに設置され、ワイヤボンディング等で形成された導線によって、基板面12Bに設けられた電極パッド43等と電気的に接続されていてもよい。例えば突出部14の突出端面に設けられた外部接続端子23は、ビアホール導体27や内部配線パターン25、および基板面12Bの電極パッド43や図示しない配線パターンを介して、回路素子42および44等と電気的に接続されている。センサモジュール10では、この外部接続端子23を介して各回路素子42、44等から信号を出力したり、また、この外部端子23を介して各回路素子42、44等に所定の制御信号や、後述する補正データ等を入力可能となっている。また、固定電極24および蓋体側接続電極29は、ビアホール導体27や内部配線パターン25を介して回路素子42と電気的に接続されている。なお、本明細書に添付の各図においては、接続パッド21、内部配線パターン25やビアホール導体27について、その一部のみを示している。本発明のセンサモジュールの各実施形態それぞれにおいて、センサモジュール10を構成する各部は、本明細書に記載されているように電気的に接続されている。基体における接続パッドや内部配線パターン、およびビアホール導体等の配置や形状は、特に限定されない。   In the sensor module 10, an electronic circuit component 41 including a second sensor element 34, circuit elements 42 and 44, a capacitor 46, and the like is disposed on the substrate surface 12 </ b> B opposite to the mounting surface 12 </ b> A of the base 12. For example, the circuit elements 42 and 44 are connected to the electrode pads 43 connected to the via-hole conductor 27 and the internal wiring pattern 25 by, for example, flip chip mounting. The circuit elements 42 and 44 are installed on the substrate surface 12B of the base 12 by an adhesive or the like, and are electrically connected to the electrode pads 43 and the like provided on the substrate surface 12B by conducting wires formed by wire bonding or the like. It may be. For example, the external connection terminal 23 provided on the protruding end surface of the protruding portion 14 is connected to the circuit elements 42 and 44, etc. via the via-hole conductor 27, the internal wiring pattern 25, the electrode pad 43 on the substrate surface 12B, and a wiring pattern (not shown). Electrically connected. In the sensor module 10, signals are output from the circuit elements 42, 44, etc. via the external connection terminals 23, and predetermined control signals are output to the circuit elements 42, 44, etc. via the external terminals 23, Correction data and the like to be described later can be input. The fixed electrode 24 and the lid-side connection electrode 29 are electrically connected to the circuit element 42 via the via-hole conductor 27 and the internal wiring pattern 25. In each drawing attached to this specification, only a part of the connection pad 21, the internal wiring pattern 25, and the via-hole conductor 27 is shown. In each of the embodiments of the sensor module of the present invention, each part constituting the sensor module 10 is electrically connected as described in this specification. The arrangement and shape of the connection pads, internal wiring patterns, via-hole conductors, etc. on the substrate are not particularly limited.

蓋体22は可塑性を有する金属からなり、例えばNi−Fe合金やNi−Fe―Co合金からなり、厚さは例えば50〜100μmとされている。蓋体22は、シーム溶接や接着剤により、枠状部14の段差部14aに接合されて、キャビティ11を閉塞(密閉)して第1センサ素子32の収容空間を封止している。蓋体22は、段差部14aに設けられた蓋体側電極29と電気的に接続されている。固定電極24および蓋体側接続電極29は回路素子42と電気的に接続されている。回路素子42は固定電極24と蓋体側接続電極29との間隙の電気容量の値を常時モニタし、さらに、モニタした電気容量の値をキャビティ11の外部の圧力の値に換算する。回路素子42は、この圧力値情報を、ビアホール導体27や内部配線パターン25を介して外部接続端子23へ出力する。   The lid body 22 is made of a metal having plasticity, such as a Ni—Fe alloy or a Ni—Fe—Co alloy, and has a thickness of, for example, 50 to 100 μm. The lid body 22 is joined to the stepped portion 14a of the frame-like portion 14 by seam welding or an adhesive, and closes (seals) the cavity 11 to seal the accommodation space of the first sensor element 32. The lid body 22 is electrically connected to a lid body side electrode 29 provided in the step portion 14a. The fixed electrode 24 and the lid-side connection electrode 29 are electrically connected to the circuit element 42. The circuit element 42 constantly monitors the value of the electric capacity in the gap between the fixed electrode 24 and the lid-side connection electrode 29, and further converts the monitored electric capacity value into a pressure value outside the cavity 11. The circuit element 42 outputs this pressure value information to the external connection terminal 23 via the via hole conductor 27 and the internal wiring pattern 25.

キャビティ11を閉塞する蓋体22は可塑性であり、キャビティ11の内部圧力と、キャビティ11の外部圧力との圧力差に応じて変形する。例えば、キャビティ11外の圧力が比較的高くなれば、蓋体22はキャビティ11の内側に向けて凹み、一方、キャビティ11外の圧力が比較的低くなればキャビティ外に向けて突出するように変形する。蓋体22と固定電極24との間隙の静電容量は蓋体22の変形に応じて変動し、回路素子42がこの静電容量に基づいた圧力値を求めて出力する。センサモジュール10では、このように、キャビティ11を閉塞する蓋体22と、キャビティ11内に配置された固定電極24とで、ダイアフラム式圧力センサ13を構成している。なお、蓋体22は金属であることに限定されない。蓋体22は、少なくとも一部が導電性を有していればよく、例えば金属層とセラミック等からなる絶縁体層とが、複数積層された構造であってもよい。蓋体22の構造や厚さなどは、測定対象である外部圧力の大きさの程度、必要な測定精度等に応じて適宜設定すればよく、蓋体22の構成については特に限定されない。   The lid 22 that closes the cavity 11 is plastic and deforms according to the pressure difference between the internal pressure of the cavity 11 and the external pressure of the cavity 11. For example, when the pressure outside the cavity 11 is relatively high, the lid 22 is recessed toward the inside of the cavity 11, while when the pressure outside the cavity 11 is relatively low, the lid 22 is deformed so as to protrude outside the cavity 11. To do. The capacitance of the gap between the lid 22 and the fixed electrode 24 varies according to the deformation of the lid 22, and the circuit element 42 obtains and outputs a pressure value based on this capacitance. In the sensor module 10, the diaphragm pressure sensor 13 is configured by the lid body 22 that closes the cavity 11 and the fixed electrode 24 arranged in the cavity 11 as described above. The lid 22 is not limited to being a metal. The lid 22 only needs to be at least partially conductive. For example, the lid 22 may have a structure in which a plurality of metal layers and insulating layers made of ceramic or the like are stacked. The structure, thickness, and the like of the lid body 22 may be appropriately set according to the degree of the external pressure to be measured, the required measurement accuracy, and the like, and the configuration of the lid body 22 is not particularly limited.

第1センサ素子32は、エポキシ系接着剤33等で基体12の載置面12Aに固定されている。図2は、第1センサ素子32について説明する図であり、図2(a)は第1センサ素子32の概略上面図、図2(b)は第1センサ素子32の概略断面図である。第1センサ素子32は、枠状体36で囲まれた内部領域に、可動部としての可動体38が配置されて構成されている。枠状体36は、基体12の載置面12Aに接合されて固定される固定部である。可動体38は、枠状体36に囲まれた内部領域に配置される重錘部38aと、枠状体36の蓋体22側から重錘部38aに延びて重錘部38aを支持する梁部38bとを備えている。第1センサ素子32において、重錘部38aと載置面12Aとの距離は、エポキシ接着剤33の厚みによって調整されており、重錘部38aと載置面12Aとのギャップが、例えば10μmに設定されている。   The first sensor element 32 is fixed to the mounting surface 12A of the base 12 with an epoxy adhesive 33 or the like. 2A and 2B are diagrams illustrating the first sensor element 32. FIG. 2A is a schematic top view of the first sensor element 32, and FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the first sensor element 32. The first sensor element 32 is configured by arranging a movable body 38 as a movable portion in an internal region surrounded by a frame-shaped body 36. The frame-shaped body 36 is a fixed portion that is bonded and fixed to the mounting surface 12 </ b> A of the base body 12. The movable body 38 includes a weight portion 38a disposed in an inner region surrounded by the frame-like body 36, and a beam that extends from the lid 22 side of the frame-like body 36 to the weight portion 38a and supports the weight portion 38a. Part 38b. In the first sensor element 32, the distance between the weight portion 38a and the placement surface 12A is adjusted by the thickness of the epoxy adhesive 33, and the gap between the weight portion 38a and the placement surface 12A is, for example, 10 μm. Is set.

複数の梁部38bのそれぞれには、梁部38bの変形とともに変形し、変形に応じた電気信号を発するピエゾ抵抗体からなる抵抗素子39a、39b、39cが設けられている。梁部38bには、図中x軸方向の加速度を検出するための抵抗素子39a、図中y軸方向の加速度を検出するための抵抗素子39b、図中z軸方向の加速度を検出するための抵抗素子39c、がそれぞれ配置されている。枠状体36の表面には、図示しない導体パターンを介して各抵抗素子39a〜39cそれぞれと接続した電極パッド35が設けられている。センサモジュール10において電極パッド35は、ワイヤボンディングによって形成された導線17を介して、基体12の側の接続パッド21と電気的に接続されている。   Each of the plurality of beam portions 38b is provided with resistance elements 39a, 39b, and 39c made of piezoresistors that are deformed along with the deformation of the beam portion 38b and generate an electric signal corresponding to the deformation. The beam portion 38b includes a resistance element 39a for detecting acceleration in the x-axis direction in the figure, a resistance element 39b for detecting acceleration in the y-axis direction in the figure, and a sensor for detecting acceleration in the z-axis direction in the figure. Resistive elements 39c are respectively disposed. On the surface of the frame-like body 36, electrode pads 35 connected to the respective resistance elements 39a to 39c through conductor patterns (not shown) are provided. In the sensor module 10, the electrode pad 35 is electrically connected to the connection pad 21 on the base 12 side via a conducting wire 17 formed by wire bonding.

第1センサ素子32に加速度が生じると、慣性によって重錘部38aが変位し、加速度の大きさおよび方向に応じて各梁部38bがそれぞれ変形し、この変形に応じて各抵抗素子39a〜39cそれぞれから電気信号が発せられる。各梁部38bの変形に応じて各抵抗素子39a〜39cから発せられた電気信号は、電極パッド35を介して基体12の側の接続パッド21に送られる。電極パッド35と接続した接続パッド21は、回路素子44と電気的に接続されており、回路素子44は、ピエゾ抵抗体39から発せられた変形に応じた電気信号を常時モニタする。回路素子44は、さらに、モニタした電気情報を第1センサ素子32の加速度に換算し、換算した加速度情報を、ビアホール導体27や内部配線パターン25を介して外部接続端子23へ出力する。   When acceleration is generated in the first sensor element 32, the weight portion 38a is displaced due to inertia, and each beam portion 38b is deformed according to the magnitude and direction of the acceleration, and each of the resistance elements 39a to 39c according to this deformation. An electrical signal is emitted from each. The electrical signals emitted from the resistance elements 39a to 39c according to the deformation of the beam portions 38b are sent to the connection pads 21 on the base 12 side through the electrode pads 35. The connection pad 21 connected to the electrode pad 35 is electrically connected to the circuit element 44, and the circuit element 44 constantly monitors an electrical signal corresponding to the deformation emitted from the piezoresistor 39. The circuit element 44 further converts the monitored electrical information into the acceleration of the first sensor element 32 and outputs the converted acceleration information to the external connection terminal 23 via the via-hole conductor 27 and the internal wiring pattern 25.

このように、第1センサ素子32は、蓋体22と固定電極24とで構成されるダイアフラム式圧力センサ13とは異なる物理量を計測するセンサである。センサモジュール10では、キャビティ11の内側に第1センサ素子32を配置することで、ダイアフラム式圧力センサ13と、このダイアフラム式圧力センサ13と異なる物理量を計測する第1センサ素子32とを、比較的少ない実装面積で集積させている。さらに、センサモジュール10では、ダイアフラム式圧力センサ13からの出力情報(静電容量の情報)を、キャビティ11外部の圧力の値に換算するための回路素子42を、基体12の上記反対側の基板面12Bに配置している。また、第1センサ素子32からの出力情報(上記変形に応じた電気信号)を、第1センサ素子32の加速度に換算するための回路素子44も、基体12の上記反対側の基板面12Bに配置している。これにより、例えば、ダイアフラム式圧力センサ13および第1センサ素子32と並列に、基体12の表面に各回路素子42、44を設ける場合に比べて、センサモジュールにおけるセンサおよび回路の実装面積を比較的小さくすることができる。また、コンデンサ46等からなる各種電子部品についても、基体12の上記反対側の基板面12Bに実装されており、センサモジュール10をさらに比較的コンパクトに構成している。なお、本明細書に記載の各実施態様および実施形態では、いずれも回路素子42および44が備えられているが、これら回路素子を必ずしも備えている必要はない。例えば、上記静電容量の情報や、上記変形に応じた電気信号等を、外部接続端子から直接出力する構成であってもよい。   As described above, the first sensor element 32 is a sensor that measures a physical quantity different from that of the diaphragm pressure sensor 13 including the lid body 22 and the fixed electrode 24. In the sensor module 10, by disposing the first sensor element 32 inside the cavity 11, the diaphragm pressure sensor 13 and the first sensor element 32 that measures a physical quantity different from the diaphragm pressure sensor 13 are relatively It is integrated with a small mounting area. Further, in the sensor module 10, a circuit element 42 for converting output information (capacitance information) from the diaphragm pressure sensor 13 into a pressure value outside the cavity 11 is provided on the substrate on the opposite side of the base 12. It arrange | positions to the surface 12B. Further, a circuit element 44 for converting output information from the first sensor element 32 (electric signal corresponding to the deformation) into acceleration of the first sensor element 32 is also provided on the substrate surface 12B on the opposite side of the base 12. It is arranged. Thereby, for example, compared with the case where the circuit elements 42 and 44 are provided on the surface of the base 12 in parallel with the diaphragm pressure sensor 13 and the first sensor element 32, the mounting area of the sensor and the circuit in the sensor module is relatively small. Can be small. Various electronic components including the capacitor 46 and the like are also mounted on the substrate surface 12B on the opposite side of the base 12, and the sensor module 10 is configured to be relatively compact. In each of the embodiments and embodiments described in this specification, the circuit elements 42 and 44 are provided, but it is not always necessary to include these circuit elements. For example, the configuration may be such that the information on the capacitance, the electrical signal corresponding to the deformation, or the like is directly output from the external connection terminal.

センサモジュール10では、第1センサ素子32の梁部38bの側を覆うように蓋体22が配置されており、図中z軸方向に比較的強い加速度が生じた場合でも、重錘部38aの変位は、第1センサ素子32と蓋体22との間隙の範囲に抑制されている。   In the sensor module 10, the lid 22 is arranged so as to cover the beam portion 38 b side of the first sensor element 32, and even when a relatively strong acceleration occurs in the z-axis direction in the drawing, the weight portion 38 a The displacement is suppressed in the range of the gap between the first sensor element 32 and the lid body 22.

図2に示す第1センサ素子32は、例えば酸化膜を介してシリコン層が積層されたいわゆるSOIウエハを、半導体微細加工技術(いわゆるマイクロマシンニング技術)を利用して加工することで作製することができる。例えばSOIの一方の表面のシリコン層を、例えばSiディープRIEエッチングによって酸化膜層までエッチングを行い、梁部38bおよび重錘部38aの一部(表面層部分)を形成する。続いて、SOIの他方の表面のSOI層を、例えば周知のSiディープRIEエッチングによって酸化膜層までエッチングを行い、重錘部38aを形成する。その後、酸化膜層をエッチング除去して、梁部38bおよび重錘部38aをリリースし、可動構造とする。なお、抵抗体素子39a〜39cは、例えば一方のシリコン層に不純物(例えばボロン)をドーピングして、形成することができる。なお、ピエゾ抵抗型半導体素子の構成および作製方法は、上記の形態に限定されない。   The first sensor element 32 shown in FIG. 2 can be manufactured by processing a so-called SOI wafer in which a silicon layer is stacked via an oxide film, for example, using a semiconductor microfabrication technique (so-called micromachining technique). it can. For example, the silicon layer on one surface of the SOI is etched to the oxide film layer by, for example, Si deep RIE etching to form part of the beam portion 38b and the weight portion 38a (surface layer portion). Subsequently, the SOI layer on the other surface of the SOI is etched to the oxide film layer by, for example, a well-known Si deep RIE etching to form the weight portion 38a. Thereafter, the oxide film layer is removed by etching, and the beam portion 38b and the weight portion 38a are released to form a movable structure. The resistor elements 39a to 39c can be formed, for example, by doping one silicon layer with an impurity (for example, boron). Note that the configuration and manufacturing method of the piezoresistive semiconductor element are not limited to those described above.

微細加工技術(マイクロマシンニング技術)を利用して作製された、比較的微小な構造体である第1センサ素子32は、作製時における重錘部38aや梁部38bの加工精度の違い等(すなわち重錘部38aや梁部38bの寸法精度の違い等)に起因し、例えば温度特性等の素子特性が、各素子毎に1つ1つ異なっている。また、センサモジュール10における第1センサ素子32からの出力値は、例えば第1センサ素子32の基体12への実装状態(例えば、設置状態での傾き)等に応じて異なっている。センサモジュール10では、回路素子44に例えばROM等の図示しないメモリ部が設けられており、このメモリ部に、第1センサ素子32固有の温度特性補正データや、センサモジュール10固有の傾き補正データ等が記憶されている。回路素子44は、第1センサ素子32のピエゾ抵抗体39から発せられた変形に応じた電気信号を受け取った後、このメモリ部に記憶された温度特性補正データや傾き補正データ等を用いて、受け取った電気信号に対して必要な補正処理を行い、各センサモジュールに応じた適切な加速度データを出力する。   The first sensor element 32, which is a relatively minute structure manufactured using a micromachining technology (micromachining technology), has a difference in processing accuracy of the weight portion 38a and the beam portion 38b at the time of manufacture (ie, Due to the difference in dimensional accuracy of the weight portion 38a and the beam portion 38b, etc., element characteristics such as temperature characteristics are different one by one for each element. Moreover, the output value from the 1st sensor element 32 in the sensor module 10 changes with the mounting state (for example, inclination in an installation state) to the base | substrate 12 of the 1st sensor element 32 etc., for example. In the sensor module 10, a memory unit (not shown) such as a ROM is provided in the circuit element 44, for example, temperature characteristic correction data unique to the first sensor element 32, inclination correction data unique to the sensor module 10, and the like. Is remembered. The circuit element 44 receives an electrical signal corresponding to the deformation emitted from the piezoresistor 39 of the first sensor element 32, and then uses the temperature characteristic correction data and the inclination correction data stored in the memory unit, Necessary correction processing is performed on the received electrical signal, and appropriate acceleration data corresponding to each sensor module is output.

かかる補正データは、例えばセンサモジュールの1つ1つについて個別に検査を行って生成すればよく、生成した補正データはセンサモジュール10に設けられた補正データ入力パッドから入力すればよい。図3は、センサモジュール10の構成について説明する概略斜視図である。センサモジュール10では、基体12の側面12Cに、補正データ入力パッド51が設けられている。補正データ入力パッド51は、ビアホール導体27や内部配線パターン25(図3では、一部のみを示す)を介して回路素子44と接続されている。例えば、補正データ入力パッド21には、図示しないピン状の外部端子の先端が当接され、この外部端子から出力される補正データが、ビアホール導体27や内部配線パターン25を介して回路素子44のメモリ部に入力される。本実施形態のセンサモジュール10では、基体12の側面12Cには、表面が所定の曲率をもつ凹部が形成されており、補正データ入力パッド51は、この凹部の表面に形成されている。これにより、外部端子の先端を補正データ入力パッド51に接触させる際の作業性や、外部端子の先端と補正データ入力パッドとの接触状態が比較的良好となり、補正データの入力エラー等の不具合の発生が低減され、製造コストも比較的低くされている。なお、上述のように、回路素子44は、ビアホール導体27や内部配線パターン25を介して外部接続端子23とも接続されている。センサモジュール10では、この外部端子23を介して修正データを入力することで、回路素子44のメモリ部に記憶された各種補正データを、繰り返し書き換えることが可能となっている。例えば、センサモジュール10を外部の実装対象体(後述する実装基板62など)に実装した状態それぞれに応じて、メモリ部に記憶された各種補正データを書き換えることで、複数の実装状態それぞれにおいて、比較的高い精度の出力値を得ることができる。   Such correction data may be generated by individually inspecting each sensor module, for example, and the generated correction data may be input from a correction data input pad provided in the sensor module 10. FIG. 3 is a schematic perspective view illustrating the configuration of the sensor module 10. In the sensor module 10, a correction data input pad 51 is provided on the side surface 12 </ b> C of the base 12. The correction data input pad 51 is connected to the circuit element 44 via the via-hole conductor 27 and the internal wiring pattern 25 (only a part is shown in FIG. 3). For example, the tip of a pin-shaped external terminal (not shown) is brought into contact with the correction data input pad 21, and correction data output from the external terminal is transmitted to the circuit element 44 via the via-hole conductor 27 and the internal wiring pattern 25. Input to the memory unit. In the sensor module 10 of the present embodiment, a concave portion having a predetermined curvature is formed on the side surface 12C of the base body 12, and the correction data input pad 51 is formed on the surface of the concave portion. As a result, the workability when the tip of the external terminal is brought into contact with the correction data input pad 51 and the contact state between the tip of the external terminal and the correction data input pad become relatively good, and there are problems such as correction data input errors. Generation is reduced and manufacturing costs are relatively low. As described above, the circuit element 44 is also connected to the external connection terminal 23 via the via-hole conductor 27 and the internal wiring pattern 25. In the sensor module 10, by inputting correction data through the external terminal 23, various correction data stored in the memory unit of the circuit element 44 can be rewritten repeatedly. For example, according to each state in which the sensor module 10 is mounted on an external mounting target (such as a mounting substrate 62 described later), various correction data stored in the memory unit are rewritten, so that comparison can be made in each of a plurality of mounting states. A highly accurate output value can be obtained.

コンデンサ46等は、回路素子42や44と共同して所定の回路を構成する公知の電子部品である。センサモジュール10では、これらコンデンサ46等からなる各種電子部品についても、基体12の上記反対側の基板面12Bに実装されており、センサモジュール10は比較的コンパクトに構成されている。   The capacitor 46 or the like is a known electronic component that constitutes a predetermined circuit in cooperation with the circuit elements 42 and 44. In the sensor module 10, various electronic components including the capacitor 46 and the like are also mounted on the substrate surface 12B on the opposite side of the base body 12, and the sensor module 10 is configured to be relatively compact.

センサモジュール10では、基体12の上記反対側の基板面12Bに、第2センサ素子34がさらに配置されている。センサモジュール10では、第2センサ素子34として、例えば公知の温度センサ素子が実装されている。第2センサ素子34は、基板面12Bの表面に、例えば接着剤等で固定されている。第2センサ素子34は、回路素子44と電気的に接続されており、測定した現在の温度情報を回路素子44へと送る。回路素子44は、第1センサ素子32のピエゾ抵抗体39から発せられた変形に応じた電気信号を受け取った後、第2センサ素子34から受け取った現在の温度情報と、このメモリ部に記憶された温度特性補正データとに基づいて、受け取った電気信号に対して必要な補正処理を行い、現在の温度に応じた適切な加速度データを出力する。なお、本実施形態では、回路素子42や44等とは独立した部材である温度センサ素子(第2センサ素子34)を基板面12Bに配置しているが、例えば回路素子42または回路素子44に、温度センサ部を一体化させて設けてもよい。   In the sensor module 10, a second sensor element 34 is further arranged on the substrate surface 12 </ b> B on the opposite side of the base 12. In the sensor module 10, for example, a known temperature sensor element is mounted as the second sensor element 34. The second sensor element 34 is fixed to the surface of the substrate surface 12B with, for example, an adhesive. The second sensor element 34 is electrically connected to the circuit element 44 and sends the measured current temperature information to the circuit element 44. The circuit element 44 receives an electrical signal corresponding to the deformation emitted from the piezoresistor 39 of the first sensor element 32, and then stores the current temperature information received from the second sensor element 34 and the memory unit. Based on the obtained temperature characteristic correction data, necessary correction processing is performed on the received electrical signal, and appropriate acceleration data corresponding to the current temperature is output. In the present embodiment, the temperature sensor element (second sensor element 34), which is a member independent of the circuit elements 42 and 44, is disposed on the substrate surface 12B. The temperature sensor unit may be integrated.

基体12は、外部の実装対象体(例えば、後述する実装基板62等)と直接当接する部位であり、外部からの熱の流入および外部への熱の流出による温度変化が比較的大きい。センサモジュール10では、第1センサ素子32および第2センサ素子34が、基体12の対向する基板面(12Aおよび12B)にそれぞれ実装されているので、第1センサ素子32および第2センサ素子34の温度プロファイルが比較的近くなっている。すなわち、第2センサ素子34で測定した現在温度が、第1センサ素子32の現在温度に比較的高い精度で一致する。このため、回路素子44において、第2センサ素子34で測定した現在温度に基づいて、第1センサ素子からの電気信号を温度補正すれば、実際の第1センサの温度状態に基づいた比較的正確な温度補正ができる。温度プロファイルが第1センサ素子32と比較的良好に一致するのは、回路素子42や回路素子44に関しても同様であり、回路素子42や回路素子44に一体化して温度センサ部が設けられている場合であっても、温度補正によって比較的高い精度の出力値を得ることができる。   The base 12 is a part that directly contacts an external mounting target body (for example, a mounting substrate 62 described later), and the temperature change due to the inflow of heat from the outside and the outflow of heat to the outside is relatively large. In the sensor module 10, the first sensor element 32 and the second sensor element 34 are mounted on the opposing substrate surfaces (12 </ b> A and 12 </ b> B) of the base 12, respectively. The temperature profile is relatively close. That is, the current temperature measured by the second sensor element 34 matches the current temperature of the first sensor element 32 with relatively high accuracy. Therefore, in the circuit element 44, if the temperature of the electrical signal from the first sensor element is corrected based on the current temperature measured by the second sensor element 34, the circuit element 44 is relatively accurate based on the actual temperature state of the first sensor. Temperature correction. The temperature profile matches relatively well with the first sensor element 32 as well with respect to the circuit element 42 and the circuit element 44, and the temperature sensor unit is provided integrally with the circuit element 42 and the circuit element 44. Even in this case, an output value with relatively high accuracy can be obtained by temperature correction.

基体12の上記反対側の基板面12Bに配置された、第2センサ素子34、回路素子42、44、およびコンデンサ46等からなる電子回路部品41等は、例えば樹脂材料からなる封止樹脂層48によって被覆されている。封止樹脂層48は、例えばエポキシ系樹脂等からなり、基板面12Bに配置された各部品を保護する。この封止樹脂層48は、第2センサ素子34や電子回路部品41等の上面を覆うように、周知のスクリーン印刷法等により例えばエポキシ樹脂を塗布した後、例えば180℃、60分の加熱により硬化して形成される。センサモジュール10が、例えばタイヤ等の高温・高湿・高衝撃環境内に実装された場合においても、封止樹脂層48が、水分、湿度、機械的衝撃等から各部品を保護し、センサモジュール10の信頼性は比較的高く維持される。   An electronic circuit component 41 including the second sensor element 34, the circuit elements 42 and 44, the capacitor 46, and the like disposed on the substrate surface 12B on the opposite side of the base 12 is, for example, a sealing resin layer 48 made of a resin material. It is covered by. The sealing resin layer 48 is made of, for example, an epoxy resin and protects each component arranged on the substrate surface 12B. The sealing resin layer 48 is coated with, for example, an epoxy resin by a known screen printing method or the like so as to cover the upper surface of the second sensor element 34, the electronic circuit component 41, etc., and then heated, for example, at 180 ° C. for 60 minutes. It is formed by curing. Even when the sensor module 10 is mounted in a high-temperature, high-humidity, high-impact environment such as a tire, the sealing resin layer 48 protects each component from moisture, humidity, mechanical shock, etc. The reliability of 10 is kept relatively high.

センサモジュール10では、上記反対側の基板面12Bに封止樹脂層48を設けつつ、第1センサ素子32は封止樹脂層48が設けられている側と対向する基板面(載置面12A)に配置されている。さらに、この第1センサ素子32は、基体12および蓋体22とで閉塞されたキャビティ11内に収容されている。すなわち、封止樹脂層48と第1センサ素子32とは、基体12を隔てて離間しており、さらには、第1センサ素子32はキャビティ11内に収容されている。上記封止樹脂層48は、対衝撃性等に優れているが、例えば高温・高湿環境においては、アウトガスが発生する可能性がある。センサモジュール10では、封止樹脂層48からアウトガスが発生したとしても、第1センサ素子32や各回路素子42、44等へのアウトガス成分の付着を、比較的低く抑えておくことができる。このため、センサモジュール10を、例えば高温・高湿・高衝撃環境下に配置したとしても、第1センサ素子32や回路素子42、44等は、比較的高い信頼性で動作し続けることができる。   In the sensor module 10, while providing the sealing resin layer 48 on the opposite substrate surface 12B, the first sensor element 32 is the substrate surface (mounting surface 12A) facing the side where the sealing resin layer 48 is provided. Is arranged. Further, the first sensor element 32 is accommodated in the cavity 11 closed by the base body 12 and the lid body 22. That is, the sealing resin layer 48 and the first sensor element 32 are separated from each other with the base 12 interposed therebetween, and further, the first sensor element 32 is accommodated in the cavity 11. The sealing resin layer 48 is excellent in impact resistance and the like, but outgas may occur in a high temperature / high humidity environment, for example. In the sensor module 10, even if outgas is generated from the sealing resin layer 48, adhesion of the outgas component to the first sensor element 32, the circuit elements 42 and 44, etc. can be kept relatively low. For this reason, even if the sensor module 10 is disposed in, for example, a high temperature / high humidity / high impact environment, the first sensor element 32, the circuit elements 42, 44, and the like can continue to operate with relatively high reliability. .

本願発明の第1の態様であるセンサモジュール10では、キャビティ11の内側に第1センサ素子32が配置され、基体12の表面である載置面12Aに固定電極24が配置されている。ダイアフラム式圧力センサ13において、圧力の測定精度、すなわち静電容量の測定精度をより高めるには、蓋体22と固定電極24との間隙を小さくするか、蓋体22と固定電極24との対向面積を大きくする必要がある。図1に示す実施形態1−1のセンサモジュール10では、キャビティ11における載置面12Aの面積を比較的大きくし、かつ、第1センサ素子32の大きさを比較的小さくすることで、蓋体22と固定電極24との対向面積を比較的大きくすることができる。実施形態1−1のセンサモジュールでは、キャビティ11内に第1センサ素子32を収容して、比較的コンパクトな構成のセンサモジュールを構成するとともに、比較的高い精度で圧力を測定することができる。   In the sensor module 10 according to the first aspect of the present invention, the first sensor element 32 is disposed inside the cavity 11, and the fixed electrode 24 is disposed on the mounting surface 12 </ b> A that is the surface of the base 12. In the diaphragm type pressure sensor 13, in order to further increase the pressure measurement accuracy, that is, the capacitance measurement accuracy, the gap between the lid body 22 and the fixed electrode 24 is reduced, or the lid body 22 and the fixed electrode 24 are opposed to each other. It is necessary to increase the area. In the sensor module 10 of Embodiment 1-1 shown in FIG. 1, the area of the mounting surface 12 </ b> A in the cavity 11 is made relatively large, and the size of the first sensor element 32 is made relatively small, so that the lid body The opposing area of 22 and the fixed electrode 24 can be made relatively large. In the sensor module of Embodiment 1-1, the first sensor element 32 is accommodated in the cavity 11 to form a relatively compact sensor module, and the pressure can be measured with relatively high accuracy.

図4は、本発明のセンサモジュールの第1の態様のうち、実施形態1−1とは異なる実施形態(実施形態1−2)のセンサモジュール20について説明する概略断面図である。以下、図4に示す実施形態1−2のセンサモジュール20について説明するが、実施形態1−1のセンサモジュール10と同様の構成については詳細な説明を省略する。なお、図4および以下のセンサモジュール20の説明において、センサモジュール10と同様の構成については、センサモジュール10と同じ符号を用いている。図4に示すセンサモジュール20では、キャビティ11の内部において、第1センサ素子32を囲むように、基体12の載置面12Aから突出してなる第2の段差部14bが形成されている。この段差部14bは、蓋体22の周縁部が接合される段差部14aと、キャビティ11内に収容された第1センサ素子32の高さ位置Hとの間隙に位置している。実施形態1−2のセンサモジュール20では、この第2の段差部14bに固定電極24が配置されている。すなわち、実施形態1−2のセンサモジュール20では、基板12の載置面12Aおよび第1センサ素子32の高さ位置Hの双方に対して、蓋体22により近い位置に固定電極24を配置している。これにより、蓋体22と固定電極24との間隙を比較的小さくし、ダイアフラム式圧力センサ13における静電容量の大きさを比較的大きくしている。なお、段差部14bすなわち固定電極24を、第1センサ素子32の高さ位置Hよりも、載置面12Aにより近い位置に配置しても構わない。ただし、ダイアフラム式圧力センサ13における静電容量の大きさを比較的大きくするには、第1センサ素子32の高さ位置Hの双方に対して、蓋体22により近い位置に固定電極24を配置することが好ましい。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a sensor module 20 of an embodiment (Embodiment 1-2) different from Embodiment 1-1 in the first aspect of the sensor module of the present invention. Hereinafter, although the sensor module 20 of Embodiment 1-2 shown in FIG. 4 is demonstrated, detailed description is abbreviate | omitted about the structure similar to the sensor module 10 of Embodiment 1-1. In FIG. 4 and the following description of the sensor module 20, the same reference numerals as those of the sensor module 10 are used for the same configuration as the sensor module 10. In the sensor module 20 shown in FIG. 4, a second step portion 14 b that protrudes from the mounting surface 12 </ b> A of the base 12 is formed inside the cavity 11 so as to surround the first sensor element 32. The step portion 14 b is located in a gap between the step portion 14 a to which the peripheral edge portion of the lid body 22 is joined and the height position H of the first sensor element 32 accommodated in the cavity 11. In the sensor module 20 of the embodiment 1-2, the fixed electrode 24 is disposed on the second step portion 14b. That is, in the sensor module 20 of Embodiment 1-2, the fixed electrode 24 is disposed at a position closer to the lid body 22 with respect to both the placement surface 12A of the substrate 12 and the height position H of the first sensor element 32. ing. As a result, the gap between the lid 22 and the fixed electrode 24 is made relatively small, and the capacitance of the diaphragm pressure sensor 13 is made relatively large. Note that the stepped portion 14b, that is, the fixed electrode 24, may be disposed at a position closer to the placement surface 12A than the height position H of the first sensor element 32. However, in order to relatively increase the capacitance of the diaphragm pressure sensor 13, the fixed electrode 24 is disposed at a position closer to the lid body 22 with respect to both the height position H of the first sensor element 32. It is preferable to do.

なお、図4に示すセンサモジュール20では、第1センサ素子32のピエゾ抵抗体39(図4において図示せず)が、第1センサ素子32の枠状体36に設けられたビアホール導体37を介して、枠状体36の表面に設けられた電極パッド39と電気的に接続されている。センサモジュール20では、この電極パッド39が基体12表面の電極パッド21にフリップチップ実装されて、第1センサ素子32が載置面12Aに実装されている。なお、実施形態1−1に示すセンサモジュール10においても、第1センサ素子32の枠状体36にビアホール導体を設け、このビアホール導体を介して、枠状体36の表面に設けられた電極パッド39と電極パッド21とが電気的に接続されるようにしてもよい。また逆に、実施形態1−2において、ワイヤボンディングで形成された導線を介して、基体12の電極パッド21とピエゾ抵抗体39とが電気的に接続されていてもよい。この点は、後述する各実施態様および各実施形態において同様である。第1の加速度センサの実装形態、および電極パッドとの接続形態は、特に限定されない。   In the sensor module 20 shown in FIG. 4, the piezoresistor 39 (not shown in FIG. 4) of the first sensor element 32 is interposed via a via-hole conductor 37 provided in the frame-like body 36 of the first sensor element 32. The electrode pad 39 provided on the surface of the frame-like body 36 is electrically connected. In the sensor module 20, the electrode pad 39 is flip-chip mounted on the electrode pad 21 on the surface of the base 12, and the first sensor element 32 is mounted on the placement surface 12A. In the sensor module 10 shown in Embodiment 1-1 as well, via hole conductors are provided in the frame body 36 of the first sensor element 32, and electrode pads provided on the surface of the frame body 36 via the via hole conductors. 39 and the electrode pad 21 may be electrically connected. Conversely, in Embodiment 1-2, the electrode pad 21 of the substrate 12 and the piezoresistor 39 may be electrically connected via a conductive wire formed by wire bonding. This point is the same in each embodiment and each embodiment described later. The mounting form of the first acceleration sensor and the connection form with the electrode pads are not particularly limited.

図5は、本発明のセンサモジュールの第2の態様の一実施形態(実施形態2−1)について説明する概略断面図である。本発明の第2の実施態様では、キャビティ11内に配置された第1センサ素子の枠状体(固定部)の表面に、固定電極が設けられている。以下、図5に示す実施形態2−1のセンサモジュール30について説明するが、実施形態1−1のセンサモジュール10と同様の構成については詳細な説明を省略する。なお、図5および以下のセンサモジュール30の説明においても、センサモジュール10と同様の構成については、センサモジュール10と同じ符号を用いている。図5に示すセンサモジュール30では、キャビティ11内部に収容された第1センサ素子32の、固定部である枠状体36の表面に固定電極24が配置されている。第1センサ素子32は、キャビティ11の内部の載置面12Aに配置されており、第1センサ素子32の表面の高さ位置H2は、基体12の載置面12Aよりも蓋体22に近い位置にある。第1センサ素子32の表面に固定電極24を設けることで、固定電極24と蓋体22との離間距離を、比較的小さくしておくことができる。これにより、固定電極24と蓋体22とで構成されるダイアフラム式圧力センサ13の静電容量を比較的大きくし、圧力の測定精度を比較的高くすることができる。本実施形態2−1では、例えば第1センサ素子32が、キャビティ11内で比較的大きな体積を占める場合でも、比較的高い圧力の測定精度を得ることができる。   FIG. 5: is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment (Embodiment 2-1) of the 2nd aspect of the sensor module of this invention. In the second embodiment of the present invention, a fixed electrode is provided on the surface of the frame (fixed portion) of the first sensor element disposed in the cavity 11. Hereinafter, although the sensor module 30 of Embodiment 2-1 shown in FIG. 5 is demonstrated, detailed description is abbreviate | omitted about the structure similar to the sensor module 10 of Embodiment 1-1. 5 and the following description of the sensor module 30, the same reference numerals as those of the sensor module 10 are used for the same configuration as the sensor module 10. In the sensor module 30 shown in FIG. 5, the fixed electrode 24 is disposed on the surface of the frame-like body 36 that is a fixing portion of the first sensor element 32 housed in the cavity 11. The first sensor element 32 is disposed on the placement surface 12A inside the cavity 11, and the height position H2 of the surface of the first sensor element 32 is closer to the lid body 22 than the placement surface 12A of the base body 12. In position. By providing the fixed electrode 24 on the surface of the first sensor element 32, the separation distance between the fixed electrode 24 and the lid 22 can be made relatively small. Thereby, the electrostatic capacitance of the diaphragm type pressure sensor 13 comprised by the fixed electrode 24 and the cover body 22 can be made comparatively large, and the measurement precision of a pressure can be made comparatively high. In the present embodiment 2-1, for example, even when the first sensor element 32 occupies a relatively large volume in the cavity 11, it is possible to obtain a relatively high pressure measurement accuracy.

また、図6は、本発明のセンサモジュールの第2の態様の他の実施形態(実施形態2−2)について説明する概略断面図である。以下、図6に示す実施形態2−2のセンサモジュール40について説明するが、実施形態1−1のセンサモジュール10と同様の構成については詳細な説明を省略する。なお、図6および以下のセンサモジュール40の説明においても、センサモジュール10と同様の構成については、センサモジュール10と同じ符号を用いている。図6に示すセンサモジュール40も、キャビティ11内部に収容された第1センサ素子32の、固定部である枠状体36の表面に固定電極24が配置されている。図6に示すセンサモジュール40では、第1センサ素子32の、梁部38bおよび抵抗素子39a〜39c、および電極パッド35が設けられている側が、基体12の載置面12Aと対向している。センサモジュール40では、基体12の電極パッド21と第1センサ素子32の電極パッド35とが、例えばハンダを用いたフリップチップ実装によって接続されている。なお、センサモジュール40では、フリップチップ実装に加えて、接着剤33も用いて第1センサ素子32と基体12の載置面12Aとを接合しており、第1センサ素子32は比較的高い接合強度で、基体12に接合されている。センサモジュール40では、固定部である枠状部36の、抵抗素子39a〜39cや電極パッド35が設けられている側と反対の側(下面側)に、固定電極24が設けられている。この下面側には、抵抗素子39や図示しない配線パターン、また電極パッド35などが、いずれも配置されておらず、固定電極24を比較的広い面積で配置しておくことができる。センサモジュール40では、また、抵抗素子39と基体12の電極パッド21との距離が比較的短いので、信号の伝送中に生じるノイズの原因となる余分な容量成分を比較的小さくすることもでき、第1センサ素子32の抵抗素子39a〜39cから出力された電気信号に生じるノイズを比較的低減し、回路素子44によって比較的高精度に取得することができる。本実施形態2−2では、圧力の測定精度が比較的高く、また、加速度の測定精度も比較的高い。   FIG. 6 is a schematic sectional view for explaining another embodiment (Embodiment 2-2) of the second aspect of the sensor module of the present invention. Hereinafter, although the sensor module 40 of Embodiment 2-2 shown in FIG. 6 is demonstrated, detailed description is abbreviate | omitted about the structure similar to the sensor module 10 of Embodiment 1-1. 6 and the following description of the sensor module 40, the same reference numerals as those of the sensor module 10 are used for the same configuration as the sensor module 10. Also in the sensor module 40 shown in FIG. 6, the fixed electrode 24 is disposed on the surface of the frame-like body 36 that is a fixed portion of the first sensor element 32 housed in the cavity 11. In the sensor module 40 shown in FIG. 6, the side of the first sensor element 32 on which the beam portion 38 b, the resistance elements 39 a to 39 c, and the electrode pad 35 are provided faces the mounting surface 12 </ b> A of the base 12. In the sensor module 40, the electrode pad 21 of the base 12 and the electrode pad 35 of the first sensor element 32 are connected by, for example, flip chip mounting using solder. In the sensor module 40, in addition to the flip chip mounting, the first sensor element 32 and the mounting surface 12A of the base 12 are bonded using the adhesive 33, and the first sensor element 32 is bonded relatively high. In strength, it is bonded to the substrate 12. In the sensor module 40, the fixed electrode 24 is provided on the side (the lower surface side) opposite to the side where the resistance elements 39 a to 39 c and the electrode pad 35 are provided of the frame-like part 36 that is a fixed part. On the lower surface side, neither the resistance element 39, the wiring pattern (not shown), the electrode pad 35, or the like is arranged, and the fixed electrode 24 can be arranged in a relatively wide area. In the sensor module 40, since the distance between the resistance element 39 and the electrode pad 21 of the base 12 is relatively short, an extra capacitance component that causes noise during signal transmission can be made relatively small. Noise generated in the electrical signals output from the resistance elements 39 a to 39 c of the first sensor element 32 can be relatively reduced, and can be acquired by the circuit element 44 with relatively high accuracy. In the present embodiment 2-2, the pressure measurement accuracy is relatively high, and the acceleration measurement accuracy is also relatively high.

また、図7は、本発明のセンサモジュールの第3の態様の一実施形態(実施形態3−1)について説明する概略断面図である。本発明の第3の実施態様では、キャビティ内の基体載置面の表面と、キャビティ内に配置された第1センサ素子の枠状体(固定部)の表面と、の双方に固定電極が設けられている。以下、図7に示す実施形態3−1のセンサモジュール50について説明するが、実施形態1−1のセンサモジュール10と同様の構成については詳細な説明を省略する。なお、図7および以下のセンサモジュール50の説明においても、センサモジュール10と同様の構成については、センサモジュール10と同じ符号を用いている。実施形態3−1のセンサモジュール50では、基体12の表面である載置面12Aに第1の固定電極24aが配置されるとともに、第1センサ素子32の枠状体36の表面に第2の固定電極24bが配置されている。実施形態3−1では、ダイアフラム式圧力センサ13の静電容量は、第1の固定電極24aと蓋体22とで構成された第1の容量部と、第2の固定電極24bと蓋体22とで構成された第2の容量部とが合成された大きさになる。実施形態3−1では、ダイアフラム式圧力センサ13の静電容量の大きさは、実施形態1−1および実施形態2−1のいずれよりも大きくすることができる。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating an embodiment (Embodiment 3-1) of the third aspect of the sensor module of the present invention. In the third embodiment of the present invention, fixed electrodes are provided on both the surface of the substrate mounting surface in the cavity and the surface of the frame (fixed part) of the first sensor element disposed in the cavity. It has been. Hereinafter, although the sensor module 50 of Embodiment 3-1 shown in FIG. 7 is demonstrated, detailed description is abbreviate | omitted about the structure similar to the sensor module 10 of Embodiment 1-1. 7 and the following description of the sensor module 50, the same reference numerals as those of the sensor module 10 are used for the same configuration as the sensor module 10. In the sensor module 50 of Embodiment 3-1, the first fixed electrode 24a is disposed on the mounting surface 12A, which is the surface of the base body 12, and the second sensor electrode 32a is disposed on the surface of the frame body 36 of the first sensor element 32. Fixed electrode 24b is arranged. In the embodiment 3-1, the electrostatic capacity of the diaphragm pressure sensor 13 includes the first capacitance unit composed of the first fixed electrode 24a and the lid body 22, the second fixed electrode 24b, and the lid body 22. And the second capacity portion composed of In Embodiment 3-1, the magnitude | size of the electrostatic capacitance of the diaphragm type pressure sensor 13 can be made larger than both of Embodiment 1-1 and Embodiment 2-1.

また、図8は、本発明のセンサモジュールの第3の態様のうち、実施形態3−1とは異なる実施形態(実施形態3−2)について説明する概略断面図である。以下、図8に示す実施形態3−2のセンサモジュール60について説明するが、実施形態1−2のセンサモジュール20と同様の構成については詳細な説明を省略する。なお、図8および以下のセンサモジュール60の説明において、センサモジュール20と同様の構成については、センサモジュール20と同じ符号を用いている。図8に示すセンサモジュール60では、キャビティ11の内部において、第1センサ素子32を囲むように、基体12の載置面12Aから突出してなる第2の段差部14bが形成されている。実施形態3−2のセンサモジュール60では、この第2の段差部14bに第1の固定電極24aが配置されるとともに、第1センサ素子32の枠状体36の表面に第2の固定電極24bが配置されている。実施形態3−2でも、実施形態3−1と同様に、ダイアフラム式圧力センサ13の静電容量は、第1の固定電極24aと蓋体22とで構成された第1の容量部と、第2の固定電極24bと蓋体22とで構成された第2の容量部とが合成された大きさになる。実施形態3−2では、ダイアフラム式圧力センサ13の静電容量の大きさを、実施形態1−2および実施形態2−1のいずれよりも大きくすることができる。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view illustrating an embodiment (Embodiment 3-2) different from Embodiment 3-1 in the third aspect of the sensor module of the present invention. Hereinafter, although the sensor module 60 of Embodiment 3-2 shown in FIG. 8 is demonstrated, detailed description is abbreviate | omitted about the structure similar to the sensor module 20 of Embodiment 1-2. 8 and the following description of the sensor module 60, the same reference numerals as those of the sensor module 20 are used for the same configuration as the sensor module 20. In the sensor module 60 shown in FIG. 8, a second step portion 14 b that protrudes from the mounting surface 12 </ b> A of the base 12 is formed inside the cavity 11 so as to surround the first sensor element 32. In the sensor module 60 of Embodiment 3-2, the first fixed electrode 24a is disposed on the second stepped portion 14b, and the second fixed electrode 24b is formed on the surface of the frame-shaped body 36 of the first sensor element 32. Is arranged. Also in the embodiment 3-2, as in the embodiment 3-1, the electrostatic capacitance of the diaphragm type pressure sensor 13 is the same as that of the first capacitor portion composed of the first fixed electrode 24a and the lid body 22; The size of the second capacitor 24 composed of the two fixed electrodes 24b and the lid 22 is combined. In the embodiment 3-2, the magnitude of the electrostatic capacity of the diaphragm pressure sensor 13 can be made larger than that of any of the embodiments 1-2 and 2-1.

また、図9(a)は、本発明のセンサモジュールの第4の態様の一実施形態(実施形態4−1)について説明する概略断面図であり、図9(b)は、図9(a)で示す断面と直交する断面図である。本発明の第4の実施態様では、固定電極24が、蓋体22とセンサ素子32との間に蓋体22に対向した状態で配置された固定部材15における、蓋体22の導電性を有する領域22aと対向する領域15aに配置されている。以下、図9(a)および(b)に示す実施形態4−1のセンサモジュール90について説明するが、実施形態1−1のセンサモジュール10と同様の構成については同じ符号を用いて詳細な説明を省略する。センサモジュール90によれば、ダイアフラム式圧力センサ13の静電容量を得るための面積を、第1センサ素子32とは別に配置されている固定部材内15に形成された固定電極24で十分に確保することができるとともに、固定電極24の位置をキャビティ11内で一定に保つことができるので、正確な圧力を高い感度で検出することが可能なダイアフラム圧力センサ13を含む数種類のセンサ部を有したセンサモジュール90とすることができる。   Moreover, Fig.9 (a) is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment (Embodiment 4-1) of the 4th aspect of the sensor module of this invention, FIG.9 (b) is FIG.9 (a). It is sectional drawing orthogonal to the cross section shown. In the fourth embodiment of the present invention, the fixed electrode 24 has the conductivity of the lid 22 in the fixing member 15 that is disposed between the lid 22 and the sensor element 32 so as to face the lid 22. It arrange | positions in the area | region 15a facing the area | region 22a. Hereinafter, the sensor module 90 of the embodiment 4-1 shown in FIGS. 9A and 9B will be described. The same reference numerals are used for the same configurations as the sensor module 10 of the embodiment 1-1, and detailed description will be given. Is omitted. According to the sensor module 90, the area for obtaining the capacitance of the diaphragm pressure sensor 13 is sufficiently secured by the fixed electrode 24 formed in the fixed member 15 arranged separately from the first sensor element 32. In addition, since the position of the fixed electrode 24 can be kept constant in the cavity 11, several types of sensor units including the diaphragm pressure sensor 13 capable of detecting an accurate pressure with high sensitivity are provided. The sensor module 90 can be used.

センサモジュール90において、固定部材15は、例えば、基体12を構成するセラミック材料が板状に形成されたものである。センサモジュール90における固定電極24は、例えば、基体12の内部および表面に形成された金属粉末メタライズと同様に固定部材15の表面に形成されたものである。   In the sensor module 90, the fixing member 15 is formed, for example, from a ceramic material that forms the base 12 in a plate shape. The fixed electrode 24 in the sensor module 90 is formed on the surface of the fixed member 15 in the same manner as the metal powder metallization formed inside and on the surface of the base 12, for example.

そして、第1センサ素子32は、実施形態1−1のセンサモジュール10と同様に、収容空間内に固定された固定部36とこの固定部36に支持された可動部38とを有しており、センサモジュール90においては、固定部材15が、第1センサ素子32の可動部38に可動範囲の限界位置で対向している。具体的には、固定部材15の第1センサ素子32側に突起部15aが設けられており、この突起部15aの先端部が、第1センサ素子32の可動部38が梁部38bの変形可能な範囲の限界位置に配置されている。センサモジュール90によれば、第1センサ素子32において可動部38が可動範囲の限界を超えた変形をしなくなり、第1センサ素子32が破損しにくくなるので、故障の発生を低減することができる。   And the 1st sensor element 32 has the fixed part 36 fixed in the accommodation space, and the movable part 38 supported by this fixed part 36 similarly to the sensor module 10 of Embodiment 1-1. In the sensor module 90, the fixed member 15 faces the movable portion 38 of the first sensor element 32 at the limit position of the movable range. Specifically, a protrusion 15a is provided on the first sensor element 32 side of the fixed member 15, and the tip of the protrusion 15a is deformable so that the movable part 38 of the first sensor element 32 can be deformed to the beam 38b. It is arranged at the limit position of the range. According to the sensor module 90, the movable portion 38 of the first sensor element 32 is not deformed beyond the limit of the movable range, and the first sensor element 32 is not easily damaged, so that the occurrence of failure can be reduced. .

また、固定電極24が、固定部材15のうち蓋体22と対向する側に配置されていることから、蓋体22と固定電極24との間の距離を小さくすることが可能となり、ダイアフラム圧力センサ13として得られる静電容量を大きくすることができるので、圧力をより高い感度で検出することが可能となる。   In addition, since the fixed electrode 24 is disposed on the side of the fixing member 15 facing the lid 22, the distance between the lid 22 and the fixed electrode 24 can be reduced, and the diaphragm pressure sensor Since the capacitance obtained as 13 can be increased, the pressure can be detected with higher sensitivity.

さらに、第1センサ素子32が、収容空間であるキャビティ11内に固定された固定部36とこの固定部36に支持され蓋体22側にセンサパターンを有した可動部38とを含むものであり、固定部材15が、可動部38に可動範囲の限界位置で対向しており、固定部材15が絶縁性の基材の蓋体22と対向する側に導電性を有する領域として固定電極24を有していることから、第1センサ素子32が変形して可動体38が固定部材15に接触したとしても、第1センサ素子32に形成されているピエゾ抵抗型半導体素子が固定電極15に接触することはなく、センサ部同士の電気信号の短絡が発生しにくいので、それぞれの物理量の検出が安定しているセンサモジュール90とすることができる。   Further, the first sensor element 32 includes a fixed portion 36 fixed in the cavity 11 that is an accommodation space, and a movable portion 38 that is supported by the fixed portion 36 and has a sensor pattern on the lid 22 side. The fixed member 15 faces the movable portion 38 at the limit position of the movable range, and the fixed member 15 has a fixed electrode 24 as a conductive region on the side facing the lid 22 of the insulating base material. Therefore, even if the first sensor element 32 is deformed and the movable body 38 contacts the fixed member 15, the piezoresistive semiconductor element formed in the first sensor element 32 contacts the fixed electrode 15. In other words, short-circuiting of electrical signals between the sensor units is unlikely to occur, so that the sensor module 90 in which detection of each physical quantity is stable can be obtained.

また、図9(b)に示すように、固定部材15の両端が、第1センサ素子32を挟んだ位置の両側でキャビティ11の開口部をまたぐように固定されていることから、第1センサ素子32、固定部材15および蓋体22が小さな空間内で重なる無駄のない構造とすることができるので、小型化を図ることが容易なセンサモジュール90とすることができる。   Further, as shown in FIG. 9B, both ends of the fixing member 15 are fixed so as to straddle the opening of the cavity 11 on both sides of the position where the first sensor element 32 is sandwiched. Since the element 32, the fixing member 15, and the lid body 22 can be structured without waste in a small space, the sensor module 90 can be easily reduced in size.

加えて、図9(a)に示すように、第1センサ素子32が、蓋体22と対向する側で固定部材15の外側に電極パッド35を有し、この電極パッド35が、収容空間であるキャビティ11に対して第1センサ素子32の周囲で固定部材15の外側に配置された接続パッド21に導線17を介して接続されていることから、導線17を用いる場合に、第1センサ素子32と蓋体22とが対向する方向において導線17と固定部材15とが重ならないので、第1センサ素子32と蓋体22との間の距離を理想的に短くすることができる。   In addition, as shown in FIG. 9A, the first sensor element 32 has an electrode pad 35 on the outer side of the fixing member 15 on the side facing the lid 22, and this electrode pad 35 is in the accommodation space. Since the lead wire 17 is connected to the connection pad 21 disposed outside the fixing member 15 around the first sensor element 32 with respect to a certain cavity 11, the first sensor element is used when the lead wire 17 is used. Since the conducting wire 17 and the fixing member 15 do not overlap in the direction in which the cover 32 and the cover 22 face each other, the distance between the first sensor element 32 and the cover 22 can be shortened ideally.

なお、固定部材15として、突起部15aを除く部分に蓋体22と同様に金属の板材を用い、突起部15aを除く固定部材15全体を固定電極24として利用することもできる。   Note that, as the fixing member 15, a metal plate material may be used for the portion excluding the protruding portion 15 a as in the case of the lid body 22, and the entire fixing member 15 excluding the protruding portion 15 a may be used as the fixed electrode 24.

また、図10は、本発明のセンサモジュールの第4の態様のうち、実施形態4−1とは異なる実施形態(実施形態4−2)について説明する概略断面図である。以下、図10に示す実施形態4−2のセンサモジュール100について説明するが、実施形態4−1のセンサモジュール90と同様の構成については同じ符号を用いて詳細な説明を省略する。センサモジュール100によれば、固定部材15が、蓋体22により封止された第1センサ素子32の収容空間を、第1センサ素子32側の第1の空間11aと蓋体22側の第2の空間11bとに分けており、それぞれの空間11a・11bが密閉されている。   FIG. 10 is a schematic cross-sectional view illustrating an embodiment (Embodiment 4-2) different from Embodiment 4-1 in the fourth aspect of the sensor module of the present invention. Hereinafter, although the sensor module 100 of Embodiment 4-2 shown in FIG. 10 is demonstrated, about the structure similar to the sensor module 90 of Embodiment 4-1, the detailed description is abbreviate | omitted using the same code | symbol. According to the sensor module 100, the fixing member 15 uses the housing space for the first sensor element 32 sealed by the lid body 22 as the first space 11 a on the first sensor element 32 side and the second space on the lid body 22 side. And the respective spaces 11a and 11b are hermetically sealed.

センサモジュール100において、第1センサ素子32が配置されて、固定部材15によって密閉されている第1の空間11aは、例えばヘリウムやアルゴン等の不活性な気体を用いて充満されていることが好ましく、第1の空間11a内は大気圧にほぼ等しい気圧とされている。第1の空間11aをこのような不活性な雰囲気とすると、第1センサ素子32に酸化または還元といった変化が起こりにくくなるため、第1センサ素子32の特性が変化しにくいものになる。また、固定部材15および蓋体22に挟まれて密閉されている第2の空間11bは、第1の空間11aよりも気圧が低く設定されており、センサモジュール100の外部の圧力により蓋体22をその変化に応じて変形させるとともに蓋体22が変形したときの固定部材15の変形を少なくすることによって、圧力測定の感度を高めている。   In the sensor module 100, the first space 11a in which the first sensor element 32 is disposed and sealed by the fixing member 15 is preferably filled with an inert gas such as helium or argon. In the first space 11a, the atmospheric pressure is almost equal to the atmospheric pressure. When the first space 11a has such an inert atmosphere, changes such as oxidation or reduction are unlikely to occur in the first sensor element 32, and the characteristics of the first sensor element 32 are difficult to change. The second space 11 b that is sealed between the fixing member 15 and the lid body 22 is set to have a lower atmospheric pressure than the first space 11 a, and the lid body 22 is caused by the pressure outside the sensor module 100. The pressure measurement sensitivity is increased by reducing the deformation of the fixing member 15 when the lid body 22 is deformed and deforming in accordance with the change.

また、第1の空間11aの気圧と第2の空間11bの気圧との差を大きくすると、センサモジュール100の外部の圧力が変化した際に第1の空間11aに及ぶ外部の圧力の影響が小さくなるので、固定部材15の材料によらずに固定部材15の変形を小さくすることができることから、センサモジュール100の外部の圧力をより正確に計測することができる。   Further, when the difference between the air pressure in the first space 11a and the air pressure in the second space 11b is increased, the influence of the external pressure on the first space 11a is reduced when the pressure outside the sensor module 100 is changed. Therefore, since the deformation of the fixing member 15 can be reduced regardless of the material of the fixing member 15, the pressure outside the sensor module 100 can be measured more accurately.

なお、固定部材15は、変形に対する剛性が蓋体22よりも高いものを用いることが望ましく、例えば、固定部材15および蓋体22の材料が同じである場合には、固定部材15の厚みを蓋体22の厚みよりも厚く、例えば1.5倍以上にすることが望ましい。   In addition, it is desirable to use the fixing member 15 having a higher rigidity against deformation than the lid body 22. For example, when the materials of the fixing member 15 and the lid body 22 are the same, the thickness of the fixing member 15 is set to the lid. It is desirable to make it thicker than the thickness of the body 22, for example 1.5 times or more.

また、第2の空間11bが真空に近くなるように設定したときには、温度の変化によって生じる第2の空間11b内の気体の体積の変化が小さくなり、第2の空間11b内の気圧の変化が小さくなるので、センサモジュール100の外部の圧力をより正確に計測することができる。   Further, when the second space 11b is set to be close to a vacuum, the change in the volume of the gas in the second space 11b caused by the temperature change becomes small, and the change in the atmospheric pressure in the second space 11b occurs. Therefore, the pressure outside the sensor module 100 can be measured more accurately.

なお、特に、第2の空間11bの気圧を10Pa以下の真空度に設定したときには、センサモジュール100を絶対圧センサとして利用することができる。 In particular, when the atmospheric pressure in the second space 11b is set to a vacuum level of 10 4 Pa or less, the sensor module 100 can be used as an absolute pressure sensor.

次に、図11は、本発明のセンサモジュールの実施形態4−2の変形例(実施形態4−3)について説明する概略断面図である。以下、図11に示す実施形態4−3のセンサモジュール110について説明するが、実施形態4−2のセンサモジュール100と同様の構成については詳細な説明を省略する。なお、図11および以下のセンサモジュール110の説明においても、センサモジュール100と同様の構成については、センサモジュール100と同じ符号を用いている。図11に示すセンサモジュール110も、固定部材15が、蓋体22により封止された第1センサ素子32の収容空間を、第1センサ素子32側の第1の空間11aと蓋体側の第2の空間11bとに分けており、それぞれの空間11a・11bが密閉されている。   Next, FIG. 11 is a schematic cross-sectional view illustrating a modified example (embodiment 4-3) of the embodiment 4-2 of the sensor module of the present invention. Hereinafter, although the sensor module 110 of Embodiment 4-3 shown in FIG. 11 is demonstrated, detailed description is abbreviate | omitted about the structure similar to the sensor module 100 of Embodiment 4-2. 11 and the following description of the sensor module 110, the same reference numerals as those of the sensor module 100 are used for the same configuration as the sensor module 100. The sensor module 110 shown in FIG. 11 also has a housing space for the first sensor element 32 in which the fixing member 15 is sealed by the lid 22, and the first space 11 a on the first sensor element 32 side and the second space on the lid side. And the respective spaces 11a and 11b are hermetically sealed.

センサモジュール110においても、第1センサ素子32が配置されて、固定部材15によって密閉されている第1の空間11aは、例えばヘリウムやアルゴン等の不活性な気体を用いて充満されていることが好ましく、第1の空間11a内は大気圧にほぼ等しい気圧とされている。また、固定部材15および蓋体22に挟まれて密閉されている第2の空間11bは、第1の空間11aよりも気圧が低く設定されており、センサモジュール110の外部の圧力により蓋体22をその変化に応じて変形させるとともに蓋体22が変形したときの固定部材15の変形を少なくすることによって、圧力測定の感度を高めている。また、第1の空間11aの気圧と第2の空間11bの気圧との差を大きくすると、センサモジュール110の外部の圧力が変化した際に第1の空間11aに及ぶ外部の圧力の影響が小さくなるので、固定部材15の材料によらずに固定部材15の変形を小さくすることができることから、センサモジュール110の外部の圧力をより正確に計測することができる。   Also in the sensor module 110, the first space 11a in which the first sensor element 32 is arranged and sealed by the fixing member 15 is filled with an inert gas such as helium or argon. Preferably, the pressure in the first space 11a is almost equal to the atmospheric pressure. The second space 11 b that is sealed between the fixing member 15 and the lid body 22 is set to have a lower atmospheric pressure than the first space 11 a, and the lid body 22 is caused by pressure outside the sensor module 110. The pressure measurement sensitivity is increased by reducing the deformation of the fixing member 15 when the lid body 22 is deformed and deforming in accordance with the change. Further, when the difference between the air pressure in the first space 11a and the air pressure in the second space 11b is increased, the influence of the external pressure on the first space 11a is reduced when the pressure outside the sensor module 110 is changed. As a result, the deformation of the fixing member 15 can be reduced regardless of the material of the fixing member 15, so that the pressure outside the sensor module 110 can be measured more accurately.

なお、この例における固定部材15も、変形に対する剛性が蓋体22よりも高いものを用いることが望ましく、例えば、固定部材15および蓋体22の材料が同じである場合には、固定部材15の厚みを蓋体22の厚みよりも厚く、例えば1.5倍以上にすることが望ましい。   Note that the fixing member 15 in this example is also preferably a member having higher rigidity against deformation than the lid body 22. For example, when the materials of the fixing member 15 and the lid body 22 are the same, the fixing member 15 It is desirable that the thickness is larger than the thickness of the lid 22, for example, 1.5 times or more.

また、第2の空間11bが真空に近くなるように設定したときには、温度や湿度の変化によって生じる第2の空間11b内の気体の体積の変化が小さくなり、第2の空間11b内の気圧の変化が小さくなるので、センサモジュール110の外部の圧力をより正確に計測することができる。   Further, when the second space 11b is set to be close to a vacuum, the change in the volume of the gas in the second space 11b caused by changes in temperature and humidity becomes small, and the atmospheric pressure in the second space 11b is reduced. Since the change becomes small, the pressure outside the sensor module 110 can be measured more accurately.

なお、特に、第2の空間11bの気圧を103Pa以下の真空度に設定したときには、センサモジュール110を絶対圧センサとして利用することができる。 In particular, when the atmospheric pressure in the second space 11b is set to a vacuum level of 10 3 Pa or less, the sensor module 110 can be used as an absolute pressure sensor.

図11に示すセンサモジュール110では、図2に示す第1センサ素子32の、梁部38bおよび抵抗素子39a〜39cならびに電極パッド35が設けられている側が、基体12の載置面12Aと対向している。このセンサモジュール110では、第1センサ素子32をフリップチップ実装していることから、第1センサ素子32と固定部材15との距離を短くでき、第1の空間11aを小さくできるので、実施形態4−2のセンサモジュール100と比較してセンサモジュールを小型化することができる。   In the sensor module 110 shown in FIG. 11, the side of the first sensor element 32 shown in FIG. 2 where the beam portion 38 b, the resistance elements 39 a to 39 c and the electrode pad 35 are provided faces the mounting surface 12 </ b> A of the base 12. ing. In this sensor module 110, since the first sensor element 32 is flip-chip mounted, the distance between the first sensor element 32 and the fixing member 15 can be shortened, and the first space 11a can be made small. As compared with the sensor module 100 of -2, the sensor module can be reduced in size.

また、図12は、本発明のセンサモジュールの実施形態1−1の変形例の一例である、センサモジュール70について説明する概略断面図である。センサモジュール70では、キャビティ11の内部に、第1センサ素子32に加えて、例えば回路素子42が収容されている。第1の回路素子42は、例えばキャビティ11内の基体12の載置面12Aに、例えばフリップチップ実装によって配置固定されており、載置面12Aの、第1センサ素子32の配置領域および回路素子42の配置領域を囲む領域には、固定電極24が設けられている。図12では、実施形態1−1の変形例の一例のみを示しているが、上記各実施態様および実施形態(実施形態1−1〜実施形態3−2)のいずれの形態においても、キャビティ11内に、第1センサ素子32以外の部材が配置されていてもよい。また、キャビティ11内に配置される部材も、回路素子42であることに限定されず、例えば第2センサ素子34や各種コンデンサ等をキャビティ11内に配置しても構わない。キャビティ11内に配置する部材の種類および個数については、特に限定されない。   FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a sensor module 70, which is an example of a modification of Embodiment 1-1 of the sensor module of the present invention. In the sensor module 70, for example, a circuit element 42 is accommodated in the cavity 11 in addition to the first sensor element 32. For example, the first circuit element 42 is arranged and fixed on the placement surface 12A of the base 12 in the cavity 11 by, for example, flip chip mounting. The placement area of the first sensor element 32 and the circuit element on the placement surface 12A are arranged. A fixed electrode 24 is provided in a region surrounding the arrangement region 42. Although FIG. 12 shows only an example of the modification of the embodiment 1-1, the cavity 11 can be used in any of the above embodiments and the embodiments (embodiments 1-1 to 3-2). A member other than the first sensor element 32 may be disposed therein. Further, the member disposed in the cavity 11 is not limited to the circuit element 42, and for example, the second sensor element 34 and various capacitors may be disposed in the cavity 11. The type and number of members disposed in the cavity 11 are not particularly limited.

また、図13は、本発明のセンサモジュールの実施形態1−1の変形例の他の例である、センサモジュール80について説明する図であり、センサモジュール80から封止樹脂層48を除去した状態の概略上面図である。センサモジュール80は、無線器66やバッテリ67、発電器68等が、基体12の上記反対側の基板面12Bに設けられている。無線器66、バッテリ67、および発電器68は、例えばフリップチップ実装によって、基体12の反対側の基板面12Bに接合・固定されている。無線器66および発電器68は、基板面12Bに設けられた図示しない電極パッドおよび導電パターンを介して、回路素子42や44等と接続されている。無線器66は、無線による情報またはエネルギーの伝送機能を有する公知の送受信モジュールである。無線通信モジュールとしては、例えばBluetooth(登録商標)規格の送受信モジュール、WiFi規格の送受信モジュール、ZigBee規格の送受信モジュールなど、公知の無線通信モジュールを用いればよい。また、無線器66としては、いわゆるGPS(Global Positioning System)における位置情報信号を受信可能な受信モジュールであってもよい。この場合、基板面12Bに設けられた図示しない情報処理回路が、無線器66が受信した位置情報信号に応じて、センサモジュール10の現在の位置情報(経度および緯度)を求めてもよい。   Moreover, FIG. 13 is a figure explaining the sensor module 80 which is another example of the modification of Embodiment 1-1 of the sensor module of this invention, The state which removed the sealing resin layer 48 from the sensor module 80 FIG. In the sensor module 80, a radio device 66, a battery 67, a power generator 68, and the like are provided on the substrate surface 12 </ b> B on the opposite side of the base 12. The radio device 66, the battery 67, and the power generator 68 are bonded and fixed to the substrate surface 12B on the opposite side of the base 12 by, for example, flip chip mounting. The radio device 66 and the power generator 68 are connected to the circuit elements 42 and 44, etc. via electrode pads and conductive patterns (not shown) provided on the substrate surface 12B. The wireless device 66 is a known transmission / reception module having a wireless information or energy transmission function. As the wireless communication module, for example, a known wireless communication module such as a Bluetooth (registered trademark) transmission / reception module, a WiFi standard transmission / reception module, or a ZigBee standard transmission / reception module may be used. Further, the radio device 66 may be a receiving module capable of receiving a position information signal in a so-called GPS (Global Positioning System). In this case, an information processing circuit (not shown) provided on the substrate surface 12B may obtain the current position information (longitude and latitude) of the sensor module 10 in accordance with the position information signal received by the wireless device 66.

バッテリ67は、無線器66やセンサモジュール10の各構成部材に電力を供給する、公知のバッテリである。発電器68は、例えば基体12の振動のエネルギーを電力エネルギーに変換するMEMS発電素子等や、外部から与えられたエネルギーによる変形や歪みに応じた電気が発生する圧電素子等からなる。発電器68は、バッテリ67に電力を供給し、バッテリ67の電力残量を一定レベルに安定して維持させる。本発明では、上記各実施態様および実施形態(実施形態1−1〜実施形態3−2)のいずれの形態においても、無線器66やバッテリ67、発電器68等が、基体12の上記反対側の基板面12Bに設けられていてもよい。また、無線器66は、外部から伝送される電磁波のエネルギーを電力に変換するエネルギー変換機構を備えていてもよい。この場合、例えば、無線器66のエネルギー変換機構が、外部から伝送された電磁波のエネルギーを電力に変換し、変換した電力をバッテリ67に蓄電すればよい。この場合、バッテリ67において電力が比較的少なくなることを効果的に防止し、センサモジュール10の動作信頼性を比較的高くできる。この際、エネルギー変換機構としては、例えば、ダイオードやコンデンサ、抵抗器等を組み合わせて構成された周知の全波整流回路と、図示しないアンテナとを用いて構成したものを用いることができる。例えば、図示しないアンテナが外部から送信された送信された電磁波を受信し、全波整流回路が、電磁波の受信によってアンテナに誘起された高周波電流を整流して直流電流に変換し、バッテリ67に蓄電すればよい。無線器66やバッテリ67の種類等についても、特に限定されない。また、基板面12Bの側に配置される部材の種類も、無線器やバッテリなどに限定されない。また、基体に配置される部材の種類や個数について、特に限定されない。   The battery 67 is a known battery that supplies power to each component of the wireless device 66 and the sensor module 10. The power generator 68 includes, for example, a MEMS power generation element that converts vibration energy of the base 12 into electric power energy, a piezoelectric element that generates electricity according to deformation or distortion caused by energy applied from the outside, and the like. The power generator 68 supplies power to the battery 67 and stably maintains the remaining power of the battery 67 at a certain level. In the present invention, the radio device 66, the battery 67, the power generator 68, etc. are connected to the opposite side of the base 12 in any of the above embodiments and embodiments (embodiments 1-1 to 3-2). It may be provided on the substrate surface 12B. The wireless device 66 may include an energy conversion mechanism that converts energy of electromagnetic waves transmitted from the outside into electric power. In this case, for example, the energy conversion mechanism of the radio device 66 may convert the energy of the electromagnetic wave transmitted from the outside into electric power, and store the converted electric power in the battery 67. In this case, it is possible to effectively prevent the battery 67 from having a relatively small amount of power, and to relatively increase the operation reliability of the sensor module 10. In this case, as the energy conversion mechanism, for example, a mechanism configured by using a known full-wave rectifier circuit configured by combining a diode, a capacitor, a resistor, and the like and an antenna (not shown) can be used. For example, an antenna (not shown) receives an electromagnetic wave transmitted from the outside, and a full-wave rectifier circuit rectifies a high-frequency current induced in the antenna by the reception of the electromagnetic wave to convert it into a direct current and stores it in the battery 67. do it. The types of the radio device 66 and the battery 67 are not particularly limited. Moreover, the kind of member arrange | positioned at the board surface 12B side is not limited to a radio | wireless machine, a battery, etc. Further, the type and number of members disposed on the base are not particularly limited.

また、上述の各実施態様および実施形態では、基体に構成されるダイアフラム式圧力センサは、可塑性を有する蓋体と固定電極との間の静電容量に基づいてキャビティ11外の圧力を測定する、静電容量型の圧力センサについて示している。この圧力センサの種類についても、特に限定されない。例えば、蓋体22のキャビティ11に対応する部分に、弾性表面波素子(いわゆるSAW素子)を設け、蓋体の歪みや変形に応じた弾性表面波の伝搬速度の変化を計測することで、キャビティ11の外部の圧力の変動を測定する、いわゆるSAW素子型圧力センサを構成してもよい。具体的には、例えば圧電体とインターデジタルトランスデューサー電極(IDT電極)と、このIDT電極の弾性表面波の伝搬方向の両側に形成される一対の反射器電極と、からならなる弾性表面波共振子を、蓋体22のキャビティ11側の内壁面に形成するとともに、キャビティ11内に、この弾性表面波素子と接続される増幅回路とを有して構成される発振回路を配置すればよい。この場合、例えば蓋体22が圧力を受け変形が生じると、その部分の弾性定数の変化によって弾性表面波の伝搬速度が変化するとともに、弾性表面波素子の電極間隔が変化する。そして、それぞれの作用によって弾性表面波素子の共振周波数が変化し、これによって弾性表面波素子とそれに接続される増幅回路とで構成される発振回路の発振周波数が変化する。この場合、例えば回路素子42が、この発信周波数から、蓋体22にかかっている圧力の大きさを算出する構成とすればよい。   Further, in each of the above-described embodiments and embodiments, the diaphragm pressure sensor configured on the base measures the pressure outside the cavity 11 based on the capacitance between the plastic lid and the fixed electrode. It shows a capacitance type pressure sensor. The type of pressure sensor is not particularly limited. For example, a surface acoustic wave element (a so-called SAW element) is provided in a portion corresponding to the cavity 11 of the lid 22, and the change in the propagation speed of the surface acoustic wave according to the distortion or deformation of the lid is measured. You may comprise what is called a SAW element type pressure sensor which measures the fluctuation | variation of the pressure of 11 outside. Specifically, for example, a surface acoustic wave resonance comprising a piezoelectric body, an interdigital transducer electrode (IDT electrode), and a pair of reflector electrodes formed on both sides of the surface acoustic wave propagation direction of the IDT electrode. A child is formed on the inner wall surface of the lid 22 on the cavity 11 side, and an oscillation circuit having an amplifier circuit connected to the surface acoustic wave element may be disposed in the cavity 11. In this case, for example, when the lid 22 is deformed by receiving pressure, the propagation speed of the surface acoustic wave is changed due to the change in the elastic constant of the portion, and the electrode interval of the surface acoustic wave element is changed. Then, the resonance frequency of the surface acoustic wave element is changed by each action, and thereby the oscillation frequency of the oscillation circuit constituted by the surface acoustic wave element and the amplifier circuit connected thereto is changed. In this case, for example, the circuit element 42 may be configured to calculate the magnitude of the pressure applied to the lid body 22 from the transmission frequency.

また、キャビティ11内に収容されるセンサの種類についても、特に限定されない。上記各実施態様および実施形態では、キャビティ11内にピエゾ抵抗体型加速度センサ素子を配置した例について記載しているが、キャビティ11内に、例えばバイモルフ圧電素子を用いたカンチレバー型の加速度センサ(いわゆるショックセンサ)など、ピエゾ抵抗型加速度センサと異なる構成の加速度センサを配置してもよい。また、キャビティ11内に加速度センサを配置することに限定する必要もなく、例えば角速度センサなど他の運動量を計測するセンサや、温度センサなどを配置してもよい。同様に、基体におけるキャビティと反対側の面に配置するセンサも、温度センサに限定されず、ピエゾ抵抗型の加速度センサ、カンチレバー型の加速度センサ、または角速度センサなどを配置してもよい。このようにして、所望の物理量を測定する各種センサを、比較的コンパクトに集積することができる。   Further, the type of sensor accommodated in the cavity 11 is not particularly limited. In each of the above embodiments and embodiments, an example in which a piezoresistive acceleration sensor element is disposed in the cavity 11 is described. However, a cantilever acceleration sensor using a bimorph piezoelectric element (so-called shock sensor) is used in the cavity 11. An acceleration sensor having a configuration different from that of the piezoresistive acceleration sensor, such as a sensor, may be disposed. Moreover, it is not necessary to limit to arrange | positioning an acceleration sensor in the cavity 11, For example, the sensor which measures other momentum, such as an angular velocity sensor, a temperature sensor, etc. may be arrange | positioned. Similarly, the sensor disposed on the surface of the substrate opposite to the cavity is not limited to the temperature sensor, and a piezoresistive acceleration sensor, a cantilever acceleration sensor, an angular velocity sensor, or the like may be disposed. In this way, various sensors that measure a desired physical quantity can be integrated relatively compactly.

図14は、先に述べたセンサモジュールを支持基板の表面に実装した状態について説明する図である。図14(a)は、実装基板62にセンサモジュール10が実装された状態を示す概略斜視図であり、図14(b)は概略断面図である。図14および以下の説明では、上記各実施形態および変形例のうち、実施形態1−1のセンサモジュール10を実装した場合について代表して説明しているが、上述の各実施形態のいずれのセンサモジュールを用いてもよいのはもちろんである。実装基板62は、例えばセラミックス等からなる絶縁性基板であり、この実装基板62の表面には、制御素子64、および無線器66が設けられている。実装基板62の表面には、電極パッド61や導電性パターン69(図14には一部のみ示している)が設けられている。制御素子64や無線器66は、例えばハンダを用いたいわゆるフリップチップ実装によって、実装基板62の表面に配置、固定されている。   FIG. 14 is a diagram illustrating a state where the above-described sensor module is mounted on the surface of the support substrate. FIG. 14A is a schematic perspective view showing a state in which the sensor module 10 is mounted on the mounting board 62, and FIG. 14B is a schematic cross-sectional view. In FIG. 14 and the following description, the case where the sensor module 10 of Embodiment 1-1 is mounted is described as a representative among the above-described embodiments and modifications, but any sensor of each of the above-described embodiments is described. Of course, modules may be used. The mounting substrate 62 is an insulating substrate made of, for example, ceramics, and a control element 64 and a radio device 66 are provided on the surface of the mounting substrate 62. On the surface of the mounting substrate 62, an electrode pad 61 and a conductive pattern 69 (only a part is shown in FIG. 14) are provided. The control element 64 and the wireless device 66 are arranged and fixed on the surface of the mounting substrate 62 by so-called flip chip mounting using, for example, solder.

また、センサモジュール10も、基体12の枠状部14の突出端面に設けられた外部接続端子23が、ハンダバンプ65によって電極パッド61と接合されて固定されている。ハンダバンプ65を用いた外部接続端子23と電極パッド61との接合は、いわゆるフリップチップ実装によって行えばよい。センサモジュール10の蓋体22と、実装基板62との基板面とは、ハンダバンプ65によって規定される所定の間隔だけ離間している。蓋体22は、枠状部14に周囲が囲まれているが、枠状部14の突出端面と実装基板62の基板面は、このハンダバンプ65によって規定される間隔だけ離間している。すなわち、蓋体22は、少なくとも、このハンダバンプ65によって規定された間隔を介して、実装基板62が設置されている周辺空気と接しており、蓋体22は、この周辺空気の圧力とキャビティ11内の圧力差に応じて変形する。また、センサモジュール10の基体12の枠状部14の突出端には、蓋体22の中心部から基体12の外側に向けて形成された複数の溝14bが設けられており、蓋体22は、この溝14bを介しても、実装基板62が設置されている周辺空気と接している。   In the sensor module 10, the external connection terminals 23 provided on the projecting end surface of the frame-like portion 14 of the base 12 are bonded and fixed to the electrode pads 61 by solder bumps 65. Bonding between the external connection terminal 23 and the electrode pad 61 using the solder bump 65 may be performed by so-called flip chip mounting. The lid 22 of the sensor module 10 and the board surface of the mounting board 62 are separated from each other by a predetermined interval defined by the solder bump 65. The lid 22 is surrounded by the frame-shaped portion 14, but the protruding end surface of the frame-shaped portion 14 and the substrate surface of the mounting substrate 62 are separated by an interval defined by the solder bump 65. That is, the lid 22 is in contact with the ambient air on which the mounting substrate 62 is placed at least through the interval defined by the solder bump 65, and the lid 22 is in contact with the pressure of the ambient air and the inside of the cavity 11. Deforms according to the pressure difference. The projecting end of the frame-like portion 14 of the base 12 of the sensor module 10 is provided with a plurality of grooves 14 b formed from the center of the lid 22 toward the outside of the base 12. Even through the groove 14b, the peripheral air in which the mounting substrate 62 is installed is in contact.

制御素子64は、電極パッド61や導電性パターン69を介して、センサモジュール10の外部接続端子23や、実装基板62に実装された無線器66と接続している。制御素子64は、例えば回路素子42や44から出力される、ダイアフラム式圧力センサ13で測定した圧力情報、第1センサ素子32で測定した加速度情報、また、第2センサ素子34で測定した温度情報などの各種情報を受け取る。制御素子64は、受け取った各種情報を、予め設定された所定タイミングで各情報を無線器66から送信させる。また、無線器66が受信した外部からの指示情報に基づき、各回路素子42、44におけるデータ処理動作の制御等も行う。   The control element 64 is connected to the external connection terminal 23 of the sensor module 10 and the radio device 66 mounted on the mounting substrate 62 via the electrode pad 61 and the conductive pattern 69. The control element 64 is output from the circuit elements 42 and 44, for example, pressure information measured by the diaphragm pressure sensor 13, acceleration information measured by the first sensor element 32, and temperature information measured by the second sensor element 34. Receive various information such as. The control element 64 causes each piece of information to be transmitted from the wireless device 66 at a predetermined timing set in advance. Further, based on external instruction information received by the wireless device 66, control of data processing operations in the circuit elements 42 and 44 is also performed.

無線器66は、無線による情報の送受信機能を有する公知の送受信モジュールである。無線通信モジュールとしては、例えばBluetooth(登録商標)規格の送受信モジュール、WiFi(登録商標)規格の送受信モジュール、ZigBee(登録商標)規格の送受信モジュールなど、公知の無線通信モジュールを用いればよい。また、無線器66としては、いわゆるGPS(Global Positioning System)における位置情報信号を受信可能な受信モジュールであってもよい。この場合、例えば制御素子64が、無線器66が受信した位置情報信号に応じて、センサモジュール10の現在の位置情報(経度および緯度)を求めてもよい。なお、実装基板62表面には、図示しないバッテリが配置されており、無線器66やセンサモジュール10は、このバッテリから必要な電力を受け取ればよい。なお、無線器66が基板面12Bに実装されている上述の変形例の場合(図13に示すセンサモジュール80を用いる場合)、実装基板62の表面には、例えば制御素子64のみが配置されていればよい。   The wireless device 66 is a known transmission / reception module having a wireless information transmission / reception function. As the wireless communication module, for example, a known wireless communication module such as a Bluetooth (registered trademark) standard transmission / reception module, a WiFi (registered trademark) standard transmission / reception module, or a ZigBee (registered trademark) standard transmission / reception module may be used. Further, the radio device 66 may be a receiving module capable of receiving a position information signal in a so-called GPS (Global Positioning System). In this case, for example, the control element 64 may obtain the current position information (longitude and latitude) of the sensor module 10 according to the position information signal received by the wireless device 66. Note that a battery (not shown) is disposed on the surface of the mounting substrate 62, and the radio device 66 and the sensor module 10 only have to receive necessary power from the battery. In the case of the above-described modification in which the wireless device 66 is mounted on the board surface 12B (when the sensor module 80 shown in FIG. 13 is used), for example, only the control element 64 is disposed on the surface of the mounting board 62. Just do it.

図15は、先に述べたセンサモジュールを用いて、対象測定物の複数の物理量を測定する実施例の1つであり、車両に装着されたタイヤ組立体82を構成するホイール84に、センサモジュール10を固定した状態について説明する図である。図15は、センサモジュール10が固定されたタイヤ組立体82の概略断面斜視図を示している。図15は、センサモジュール10の装着部分の周辺を拡大して示している。   FIG. 15 shows one of the embodiments for measuring a plurality of physical quantities of the object to be measured using the sensor module described above. The sensor module is attached to the wheel 84 constituting the tire assembly 82 mounted on the vehicle. It is a figure explaining the state which fixed 10. FIG. 15 is a schematic cross-sectional perspective view of the tire assembly 82 to which the sensor module 10 is fixed. FIG. 15 is an enlarged view of the periphery of the mounting portion of the sensor module 10.

タイヤ組立体82は、ホイール84にタイヤ88が組み付けられて構成されている。センサモジュール10は、上述の実装基板62がホイール84を構成するリム86の外周面に固定されることで、タイヤ組立体82に対して固定されている。実装基板62は、リム86の外周面に例えば接着剤によって固着されている。なお、図15おいては図示していないが、実装基板62には、センサモジュール10や制御素子64や無線器66等を被覆する封止層や、センサモジュール10や制御素子64や無線器66等を覆う筐体等が設けられていてもよい。かかる封止層や筐体は、無線器66における無線通信機能を阻害しない材質、例えば樹脂等で構成されていることが好ましい。   The tire assembly 82 is configured by assembling a tire 88 on a wheel 84. The sensor module 10 is fixed to the tire assembly 82 by fixing the mounting board 62 described above to the outer peripheral surface of the rim 86 constituting the wheel 84. The mounting substrate 62 is fixed to the outer peripheral surface of the rim 86 by, for example, an adhesive. Although not shown in FIG. 15, the mounting substrate 62 has a sealing layer that covers the sensor module 10, the control element 64, the wireless device 66, and the like, the sensor module 10, the control element 64, and the wireless device 66. A housing or the like may be provided. Such a sealing layer and housing are preferably made of a material that does not hinder the wireless communication function of the wireless device 66, such as a resin.

タイヤ組立体82は、図16に示すように、車両92の複数の車輪位置にそれぞれ装着されている。車両92には、図示しないアンテナと接続された受信器94と、受信器94が受信した情報を処理する処理装置96と、処理装置96における処理結果等に応じて動作する報知手段98と、が備えられている。報知手段98は、例えばディスプレイやブザー等からなり、車両92を運転操作する運転者に対して、警告画面を表示したり警告音を発したりすることができる構成となっている。   As shown in FIG. 16, the tire assemblies 82 are respectively attached to a plurality of wheel positions of the vehicle 92. The vehicle 92 includes a receiver 94 connected to an antenna (not shown), a processing device 96 that processes information received by the receiver 94, and a notification unit 98 that operates according to a processing result in the processing device 96. Is provided. For example, the notification unit 98 includes a display, a buzzer, and the like, and is configured to display a warning screen or emit a warning sound to a driver who operates the vehicle 92.

上述のように、センサモジュール10の蓋体22は、ハンダバンプ65によって規定された間隔を介してタイヤ88内部の空気と接しており、タイヤ88内部の空気圧に応じて蓋体22は変形する。この状態で、センサモジュール10のダイアフラム式圧力センサは、タイヤ88内部の空気圧を測定するタイヤ内圧センサとして機能する。センサモジュール10では、実装基板62に実装された状態において、実装基板62の基板面が蓋体22を覆うように配置されている。また、蓋体22のタイヤ88の空洞領域を向く側は、基体12によって覆われている。タイヤ88の内部には、小石など比較的硬いゴミが混入している場合もあり、この場合、車両の走行中すなわちタイヤ88の転動中、タイヤ88の内部では、比較的硬いゴミが比較的高い速度で飛び交っている。仮に、比較的硬いゴミが比較的高い速度で、可塑性を有する蓋体22に衝突すると、この蓋体22の特性が変化し、場合によっては破壊されることもある。センサモジュール10では、蓋体22が、タイヤ88の内部を向く側と反対の側を向いて配置されている。加えて、センサモジュール10では、実装基板62および基体12が蓋体22を覆うように配置されており、タイヤ組立体82の転動中であっても、蓋体22へゴミ等が衝突する可能性を低減することができる。   As described above, the lid body 22 of the sensor module 10 is in contact with the air inside the tire 88 through the interval defined by the solder bump 65, and the lid body 22 is deformed according to the air pressure inside the tire 88. In this state, the diaphragm pressure sensor of the sensor module 10 functions as a tire internal pressure sensor that measures the air pressure inside the tire 88. In the sensor module 10, the substrate surface of the mounting substrate 62 is disposed so as to cover the lid body 22 when mounted on the mounting substrate 62. Further, the side of the lid 22 facing the hollow area of the tire 88 is covered with the base 12. There may be cases where relatively hard dust such as pebbles is mixed inside the tire 88. In this case, relatively hard dust is relatively contained inside the tire 88 while the vehicle is running, that is, while the tire 88 is rolling. Flying at high speed. If relatively hard dust collides with the plastic lid body 22 at a relatively high speed, the characteristics of the lid body 22 change and may be destroyed in some cases. In the sensor module 10, the lid 22 is arranged facing the side opposite to the side facing the inside of the tire 88. In addition, in the sensor module 10, the mounting substrate 62 and the base 12 are arranged so as to cover the lid body 22, and dust or the like can collide with the lid body 22 even while the tire assembly 82 is rolling. Can be reduced.

車両の走行中、タイヤ組立体82およびホイール84は転動するが、センサモジュール10は、ホイール84の転動に応じて回転移動し、また、ホイール84の振動に伴って振動する。センサモジュール10の第1センサ素子32は、車両の走行に伴うホイール84の回転に伴って生じる加速度の大きさを、比較的高い精度で計測することができる。第1センサ素子32は、直交する3軸の加速度を測定することが可能であり、例えばタイヤ88の半径方向、幅方向、および周方向それぞれの加速度を測定する。センサモジュール10で測定した各情報は、上述のように、無線器66から無線で送信される。   While the vehicle is running, the tire assembly 82 and the wheel 84 roll, but the sensor module 10 rotates in accordance with the rolling of the wheel 84 and vibrates with the vibration of the wheel 84. The first sensor element 32 of the sensor module 10 can measure the magnitude of acceleration generated with the rotation of the wheel 84 as the vehicle travels with relatively high accuracy. The first sensor element 32 can measure accelerations of three axes orthogonal to each other. For example, the first sensor element 32 measures accelerations of the tire 88 in the radial direction, the width direction, and the circumferential direction. Each information measured by the sensor module 10 is wirelessly transmitted from the wireless device 66 as described above.

無線器66から送信された各種情報は、車両92に備えられた受信器92によって受信され、処理装置96に送られる。処理装置96では、例えば、タイヤ88内の現在の空気圧の情報を受け取り、現在のタイヤ88の空気圧が所定の閾値を下回る場合など、報知手段98の動作を制御して運転者に警告を発する。また、例えば、第1センサ素子32による、比較的低い周波数の加速度情報に基づいて、現在のタイヤの回転速度や、走行路面に対するタイヤの滑り具合等を算出する。車両92では、かかる回転速度や滑り具合の情報に基づき、図示しない動作制御システムによって車両92の動作を制御する。車両92は、例えば、公知のABS(アンチ・ロック・ブレーキシステム)、TCS(トラクション・コントロール・システム)、EPS(横滑り防止システム)などの動作制御システムが備えられており、回転速度や滑り具合の情報に基づいて、各システムを比較的高い制御性で動作させることができる。また、例えば第1センサ素子32による、比較的高い周波数の振動の加速度情報に基づいて、タイヤ組立体82やタイヤ88に生じている振動の大きさを判定することもできる。タイヤ組立体82やタイヤ88に生じている振動の大きさは、タイヤ組立体82に加わった衝撃の大きさ等に対応する。例えば、第1センサ素子32による、比較的高い周波数の加速度情報に基づいて、車両92の走行の開始タイミングや、車両92が走行している(タイヤ88が接地している)路面状態、タイヤ88の横滑りの程度などを評価することもできる。これらの情報は、車両92に備えられている車両動作制御システムの動作や、無線器66による情報の送信タイミングの制御などに用いることができる。   Various types of information transmitted from the wireless device 66 are received by the receiver 92 provided in the vehicle 92 and sent to the processing device 96. In the processing device 96, for example, information on the current air pressure in the tire 88 is received, and when the current air pressure of the tire 88 falls below a predetermined threshold, the operation of the notification means 98 is controlled to issue a warning to the driver. Further, for example, based on acceleration information of a relatively low frequency by the first sensor element 32, the current rotation speed of the tire, the slipping condition of the tire with respect to the traveling road surface, and the like are calculated. In the vehicle 92, the operation of the vehicle 92 is controlled by an operation control system (not shown) based on the information on the rotational speed and the slip condition. The vehicle 92 is provided with an operation control system such as a known ABS (anti-lock braking system), TCS (traction control system), or EPS (side slip prevention system). Based on the information, each system can be operated with relatively high controllability. In addition, for example, the magnitude of vibration generated in the tire assembly 82 or the tire 88 can be determined based on acceleration information of relatively high frequency vibration by the first sensor element 32. The magnitude of vibration generated in the tire assembly 82 and the tire 88 corresponds to the magnitude of impact applied to the tire assembly 82. For example, based on acceleration information of a relatively high frequency by the first sensor element 32, the start timing of traveling of the vehicle 92, the road surface state where the vehicle 92 is traveling (the tire 88 is grounded), the tire 88 The degree of skidding can be evaluated. These pieces of information can be used for operation of a vehicle operation control system provided in the vehicle 92, control of information transmission timing by the wireless device 66, and the like.

このように、上述したセンサモジュール、センサモジュール付ホイール、タイヤ組立体を用いれば、車両走行中におけるタイヤ内の空気圧、ホイールの回転、ホイールに生じた振動等の各種情報を、車両の走行中であってもリアルタイムで把握しておくことができる。また、車両側では、取得した各種情報に基づき、より高い精度で車両動作を制御することができる。   As described above, when the sensor module, the wheel with the sensor module, and the tire assembly described above are used, various information such as the air pressure in the tire, the rotation of the wheel, and the vibration generated in the wheel during the traveling of the vehicle can be obtained. You can keep track of it in real time. Further, on the vehicle side, the vehicle operation can be controlled with higher accuracy based on the acquired various information.

なお、上記実施例では、タイヤ組立体82を構成するホイール86の外周面にセンサモジュール10を取り付けた例について説明したが、例えば、ホイール86に設けられている空気バルブ89の、タイヤ88の内周面側の端部に取り付けられていてもよい。また、例えば、図17に示すように、タイヤ88の内周面にセンサモジュール10を取り付けてもよい。また、センサモジュール10の蓋体にタイヤ88の内部の空気圧がかかる状態とした上で、タイヤ88のトレッド部やサイド部などの内部に、センサモジュール10を埋め込んで配置してもよい。このような場合、タイヤ88の例えばトレッド部の変形や振動の情報を、より直接的に計測することができる。この場合、車両92において、かかるタイヤ88の例えばトレッド部の変形や振動の情報に基づいて、上記ABS、TCS、EPSなどの動作制御システムを動作させればよい。   In the above-described embodiment, the example in which the sensor module 10 is attached to the outer peripheral surface of the wheel 86 constituting the tire assembly 82 has been described. For example, the air valve 89 provided in the wheel 86 includes the inside of the tire 88. You may attach to the edge part of the surrounding surface side. Further, for example, as shown in FIG. 17, the sensor module 10 may be attached to the inner peripheral surface of the tire 88. In addition, the sensor module 10 may be embedded in the tread portion or the side portion of the tire 88 after the air pressure inside the tire 88 is applied to the lid of the sensor module 10. In such a case, for example, information on deformation and vibration of the tread portion of the tire 88 can be measured more directly. In this case, in the vehicle 92, the operation control system such as the ABS, TCS, or EPS may be operated based on information on deformation or vibration of the tire 88 such as the tread.

また、上記実施例では、センサモジュールを、車両に装着されるタイヤ組立体に装着した場合について説明したが、例えば航空機の車輪を構成するタイヤ組立体等に装着してもよく、また、タイヤ組立体に装着して用いられることに特に限定されない。   In the above embodiment, the case where the sensor module is mounted on a tire assembly mounted on a vehicle has been described. However, for example, the sensor module may be mounted on a tire assembly constituting an aircraft wheel. It is not particularly limited to be used by being mounted on a solid body.

以上、センサモジュール、センサ付ホイール、タイヤ組立体について説明したが、本発明は上記実施態様、実施形態、および実施例に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのはもちろんである。例えば、本発明のセンサモジュールを大気圧の測定に用いてもよい。   As mentioned above, although the sensor module, the wheel with a sensor, and the tire assembly were demonstrated, this invention is not limited to the said embodiment, embodiment, and an Example, In the range which does not deviate from the summary of this invention, it is various. Of course, improvements and changes may be made. For example, the sensor module of the present invention may be used for measuring atmospheric pressure.

例えば、本発明のセンサモジュールの各実施形態において、蓋体22をその主面方向から平面視した際の形状は円形であってもよい。蓋体22の主面の形状が円形である場合は、蓋体22に圧力が加わったときに、蓋体22の円周部にかかる応力が均一になるため、蓋体22の外周部の破損を少なくすることができる。また、実施形態4−2,4−3における固定部材15を平面視した際の形状も、同様に円形にしてもよい。   For example, in each embodiment of the sensor module of the present invention, the shape of the lid body 22 when viewed from the main surface direction may be circular. When the shape of the main surface of the lid body 22 is circular, the stress applied to the circumferential portion of the lid body 22 becomes uniform when pressure is applied to the lid body 22, so that the outer peripheral portion of the lid body 22 is damaged. Can be reduced. Further, the shape of the fixing member 15 in Embodiments 4-2 and 4-3 when viewed in plan may be similarly circular.

本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する図であり、(a)は封止樹脂層を除いた状態の概略上面図あり、(b)は概略断面図であり、(c)は蓋体を除いた状態を示す概略下面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure explaining one Embodiment of the sensor module of this invention, (a) is a schematic top view of the state except the sealing resin layer, (b) is a schematic sectional drawing, (c) is a lid | cover. It is a schematic bottom view which shows the state except the body. 図1に示すセンサモジュールに備えられた第1センサ素子について説明する図であり、(a)は第1センサ素子の概略上面図、(b)は第1センサ素子の概略断面図である。It is a figure explaining the 1st sensor element with which the sensor module shown in FIG. 1 was equipped, (a) is a schematic top view of a 1st sensor element, (b) is a schematic sectional drawing of a 1st sensor element. 図1に示すセンサモジュールの概略斜視図である。It is a schematic perspective view of the sensor module shown in FIG. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment of the sensor module of this invention. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment of the sensor module of this invention. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment of the sensor module of this invention. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment of the sensor module of this invention. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment of the sensor module of this invention. (a)および(b)は、本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する概略断面図である。(A) And (b) is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment of the sensor module of this invention. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment of the sensor module of this invention. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment of the sensor module of this invention. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する概略断面図である。It is a schematic sectional drawing explaining one Embodiment of the sensor module of this invention. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態について説明する図であり、封止樹脂層を除いた状態の概略上面図ある。It is a figure explaining one embodiment of the sensor module of the present invention, and is a schematic top view in the state where a sealing resin layer was removed. 本発明のセンサモジュールの1つの実施形態を、支持基板の表面に実装した状態について説明する図であり、(a)は支持基板にセンサモジュールが実装された状態を示す概略斜視図であり、(b)は概略断面図である。It is a figure explaining the state where one embodiment of the sensor module of the present invention was mounted on the surface of a support substrate, (a) is a schematic perspective view showing the state where the sensor module was mounted on the support substrate, b) is a schematic sectional view. 本発明のセンサモジュールを用いて、対象測定物の複数の物理量を測定する実施例の1つであり、車両に装着されたタイヤ組立体を構成するホイールに、センサモジュールを固定した状態について説明する概略断面斜視図である。One example of measuring a plurality of physical quantities of an object to be measured using the sensor module of the present invention, and a state in which the sensor module is fixed to a wheel constituting a tire assembly mounted on a vehicle will be described. It is a schematic cross-sectional perspective view. 図14に示すタイヤ組立体が装着された車両について説明する概略構成図である。It is a schematic block diagram explaining the vehicle with which the tire assembly shown in FIG. 14 was mounted | worn. 本発明のセンサモジュールのタイヤ組立体への装着例の他の例であり、センサモジュールをタイヤの内周面に固定した状態について説明する概略断面図である。It is another example of mounting of the sensor module of the present invention on the tire assembly, and is a schematic cross-sectional view illustrating a state where the sensor module is fixed to the inner peripheral surface of the tire.

符号の説明Explanation of symbols

10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110 センサモジュール
12 基体
12a 絶縁層
12A 載置面
12B 基板面
13 ダイアフラム式圧力センサ
14 枠状部
14a、14b 段差部
15 固定部材
17 導線
21 接続パッド
22 蓋体
23 外部接続端子
24 固定電極
25 内部配線パターン
27 ビアホール導体
29 蓋体側電極
32 第1のセンサ素子(加速度センサ素子)
33 接着剤
34 第2のセンサ素子
35 電極パッド
36 枠状体
38 可動体
38a 重錘部
38b 梁部
39a、39b、39c 抵抗素子
40 電子回路部品
42、44 回路素子
46 コンデンサ
48 封止樹脂層
66 無線器
67 バッテリ
68 発電器
82 タイヤ組立体
84 ホイール
86 リム
88 タイヤ
92 車両
94 受信器
96 処理装置
98 報知手段
10, 20, 30, 40, 50, 60, 70, 80, 90, 100, 110 Sensor module 12 Base 12a Insulating layer 12A Mounting surface 12B Substrate surface 13 Diaphragm pressure sensor 14 Frame-shaped portions 14a, 14b Stepped portion 15 Fixed member 17 Conductor 21 Connection pad 22 Lid body 23 External connection terminal 24 Fixed electrode 25 Internal wiring pattern 27 Via-hole conductor 29 Lid side electrode 32 First sensor element (acceleration sensor element)
33 Adhesive 34 Second sensor element 35 Electrode pad 36 Frame body 38 Movable body 38a Weight portion 38b Beam portions 39a, 39b, 39c Resistance element 40 Electronic circuit components 42, 44 Circuit element 46 Capacitor 48 Sealing resin layer 66 Wireless device 67 Battery 68 Generator 82 Tire assembly 84 Wheel 86 Rim 88 Tire 92 Vehicle 94 Receiver 96 Processing device 98 Notification means

Claims (10)

枠状部を有しており、該枠状部の内側がキャビティである基体と、
前記キャビティ内に収容されるセンサ素子を含む第1のセンサ部と、
前記センサ素子の収容空間を封止し且つ少なくとも一部が導電性を有する蓋体と、前記蓋体と対向した状態で前記キャビティ内に配置される固定電極とでダイアフラム圧力センサを構成する第2のセンサ部と、
前記枠状部の突出端面に配置され、前記蓋体の周囲に位置している複数の外部接続端子と、
を備えており、
前記固定電極が、前記基体の表面に設けられており、
前記固定電極と前記蓋体との離間距離が、
前記センサ素子と前記蓋体との離間距離の大きさ以下であることを特徴とするセンサモジュール。
It has a frame-like portion, and the substrate is the inner cavities of the frame-like portion,
A first sensor unit including a sensor element housed in the cavity;
A diaphragm pressure sensor is configured by a lid body that seals the accommodation space of the sensor element and at least a part of which is conductive, and a fixed electrode that is disposed in the cavity in a state of facing the lid body. The sensor part of
A plurality of external connection terminals disposed on the projecting end surface of the frame-shaped portion and positioned around the lid;
Equipped with a,
The fixed electrode is provided on the surface of the substrate;
The distance between the fixed electrode and the lid is
A sensor module having a size equal to or less than a distance between the sensor element and the lid .
前記センサ素子は、前記キャビティ内において前記基体に接合された固定部と、前記固定部に支持された可動部とを有して構成されており、
前記固定電極が、前記センサ素子の前記固定部に設けられていることを特徴とする請求項1記載のセンサモジュール。
The sensor element includes a fixed portion joined to the base body in the cavity, and a movable portion supported by the fixed portion.
The fixed electrode is 1 Symbol placement sensor module according to claim, characterized in that provided on the fixed portion of the sensor element.
前記キャビティ内に、前記第1のセンサ部および前記第2のセンサ部の少なくとも一方と接続された電子回路部品が、さらに配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載のセンサモジュール。 Sensor module according to claim 1 or 2 in the cavity, said first sensor unit and at least one a connected electronic circuit components of the second sensor unit, characterized in that it is further arranged . 前記基体の、前記キャビティが配された側と反対側の面に、前記第1のセンサ部および前記第2のセンサ部の少なくとも一方と接続された電子回路部品が配置されていることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載のセンサモジュール。 An electronic circuit component connected to at least one of the first sensor unit and the second sensor unit is disposed on a surface of the base opposite to the side where the cavity is disposed. The sensor module according to any one of claims 1 to 3 . 前記電子回路部品が、前記蓋体と前記固定電極との間隙の電気容量に基づいて、前記キャビティ外の圧力値を出力する圧力回路素子であることを特徴とする請求項または記載のセンサモジュール。 Said electronic circuit components, on the basis of the capacitance of the gap between the lid and the stationary electrode, sensor according to claim 3 or 4, wherein the is a pressure circuit element which outputs a pressure value outside the cavity module. 前記基体の、前記キャビティが配された側と反対側の面に、前記センサ素子および前記ダイアフラム圧力センサと異なる特性の第2のセンサ素子が配置されていることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載のセンサモジュール。 Of the substrate, on the surface opposite to the side where the cavity is provided, according to claim, wherein the sensor element and the second sensor element of the diaphragm pressure sensor with different characteristics are arranged 1-5 The sensor module according to any one of the above. 前記基体の前記キャビティが配された側と反対側の面に、情報またはエネルギーの伝送を行う伝送器が設けられていることを特徴とする請求項1〜のいずれかに記載のセンサモジュール。 Sensor module according to any one of claims 1 to 6, characterized in that on the opposite side to the side where the cavity is disposed in the base, transmitter for transmitting information or energy is provided. 請求項1〜のいずれかに記載のセンサモジュールと、
前記センサモジュールが実装された支持基板と、
前記支持基板が外周面上に固定されたホイールと、を有して構成されていることを特徴とするセンサ付ホイール。
The sensor module according to any one of claims 1 to 7 ,
A support substrate on which the sensor module is mounted;
A wheel with a sensor, wherein the support substrate includes a wheel fixed on an outer peripheral surface.
請求項記載のセンサ付ホイールと、
前記センサ付ホイールに組み付けられた空気入りタイヤとを備えて構成されたタイヤ組立体。
A wheel with a sensor according to claim 8 ,
A tire assembly comprising a pneumatic tire assembled to the sensor-equipped wheel.
空気入りタイヤと、
前記空気入りタイヤが組み付けられたホイールと、
前記ホイールに設けられた空気バルブと、
前記空気バルブに設けられた、請求項1〜のいずれかに記載のセンサモジュールと、
を備えて構成されたタイヤ組立体。
Pneumatic tires,
A wheel assembled with the pneumatic tire;
An air valve provided on the wheel;
The sensor module according to any one of claims 1 to 7 , provided in the air valve;
A tire assembly comprising:
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