JP5096016B2 - タンタル化合物とその製造方法、及びそれを原料とするタンタル含有薄膜とその形成方法 - Google Patents
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Description
一般式(2)で表されるタンタル化合物に対して、一般式(3)で表される化合物を4倍モル以上加えることによって反応を完結させることができる。収率が良いので、一般式(3)で表される化合物を4倍から6倍モル加えることが好ましい。
テトラクロロ(η5−エチルシクロペンタジエニル)タンタルの合成
五塩化タンタル304g(0.849mol)をジクロロメタン1950mlに懸濁させ、0℃に冷却してエチル(トリメチルシリル)シクロペンタジエン176ml(0.883mol)を加え、室温で2.5時間攪拌した。溶媒を減圧留去した後の残渣をヘキサン650mlで3回洗浄した。残渣を減圧下で乾燥してテトラクロロ(η5−エチルシクロペンタジエニル)タンタル346g(収率98.1%)を得た。
7.02(t,J=3Hz,2H,C5 H 4Et)
6.66(t,J=3Hz,2H,C5 H 4Et)
3.27(q,J=8Hz,2H,CH3CH 2Cp)
1.34(t,J=8Hz,3H,CH 3CH2Cp)。
(η5−エチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタルの合成(1)
参考例1に示した方法により合成したテトラクロロ(η5−エチルシクロペンタジエニル)タンタル346g(0.833mol)をジエチルエーテル1940mlに懸濁させ、0℃に冷却して臭化メチルマグネシウムのジエチルエーテル溶液(3.23M)1080ml(3.49mol)を加えた。室温で2時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。残渣にヘキサンを加えて可溶物を抽出した(500mlで4回)。抽出液からヘキサンを減圧留去した。残った粗生成物を減圧下で蒸留し、(η5−エチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタル159g(収率57.2%)を得た。
5.29(t,J=3Hz,2H,C5 H 4Et)
5.26(t,J=3Hz,2H,C5 H 4Et)
2.06(q,J=8Hz,2H,CH3CH 2Cp)
0.92(br,12H,Ta−CH 3)
0.88(t,J=8Hz,3H,CH 3CH2Cp)。
13C−NMR(Benzene−d6、δppm)
125.50(C 5H4Et)
111.73(C 5H4Et)
108.08(C 5H4Et)
70.59(br,Ta−CH3)
21.97(CH3 CH2Cp)
15.18(CH3CH2Cp)。
(η5−エチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタルの合成(2)
参考例1に示した方法により合成したテトラクロロ(η5−エチルシクロペンタジエニル)タンタル1.53g(3.68mmol)をジエチルエーテル20mlに懸濁させ、0℃に冷却してメチルリチウムのジエチルエーテル溶液(1.04M)15.6ml(16.2mmol)を加えた。室温で2時間攪拌後、溶媒を減圧留去した。残渣からヘキサン可溶物を抽出した(10mlで3回)。抽出液から溶媒を減圧留去した。残った粗生成物を減圧下で蒸留し、(η5−エチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタル556mg(収率37.2%)を得た。
テトラクロロ(η5−イソプロピルシクロペンタジエニル)タンタルの合成
五塩化タンタル2.26g(6.31mmol)をジクロロメタン20mlに懸濁させ、イソプロピル(トリメチルシリル)シクロペンタジエン1.18g(6.54mmol)を加えた。室温で30分攪拌した後、溶媒を減圧留去した。残渣をヘキサン10mlで3回洗浄した。残渣を減圧下で乾燥してテトラクロロ(η5−イソプロピルシクロペンタジエニル)タンタル2.58g(収率95.1%)を得た。
7.00(t,J=3Hz,2H,C5 H 4 iPr)
6.72(t,J=3Hz,2H,C5 H 4 iPr)
3.70(septet,J=7Hz,1H,(CH3)2CHCp)
1.39(d,J=7Hz,6H,(CH 3)2CH2Cp)。
13C−NMR(Chloroform−d、δppm)
148.3(C 5H4Et)
121.4(C 5H4 iPr)
118.7(C 5H4 iPr)
30.5((CH3)2 CHCp)
22.8((CH3)2CHCp)。
テトラメチル(η5−イソプロピルシクロペンタジエニル)タンタルの合成
実施例3に示した方法によって合成したテトラクロロ(η5−イソプロピルシクロペンタジエニル)タンタル863mg(2.01mmol)をテトラヒドロフラン6mlに懸濁させ、−78℃に冷却して臭化メチルマグネシウムのテトラヒドロフラン溶液(0.93M)9.0ml(8.37mmol)を加えた。室温で30分間攪拌後、溶媒を減圧留去した。残渣からヘキサン可溶物を抽出した(10mlで3回)。抽出液からヘキサンを減圧留去した。残った粗生成物を減圧下で蒸留し、テトラメチル(η5−イソプロピルシクロペンタジエニル)タンタル357mg(収率51.1%)を得た。
5.37(t,J=3Hz,2H,C5 H 4 iPr)
5.27(t,J=3Hz,2H,C5 H 4 iPr)
2.43(septet,J=7Hz,1H,(CH3)2CHCp)
0.95(br,12H,Ta−CH 3)
0.91(d,J=7Hz,6H,(CH 3)2CH2Cp)。
(η5−エチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタルを原料としたCVD法によるタンタル含有薄膜の形成
実施例1で得た(η5−エチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタルを原料として、図2のCVD成膜装置を用いて、原料容器8の温度35℃、キャリアガス3(Ar)の流量30sccm、原料容器8内の圧力100Torr、希釈ガス2(Ar)の流量180sccm、反応ガス1(O2)の流量90sccm、基板9の温度(ヒーター温度)400℃、反応槽10内の圧力10Torrの条件で、CVD法による酸化シリコン/シリコン基板9上への成膜を1時間かけて行った。作製した薄膜を蛍光X線装置にて分析したところ、タンタルが検出され、タンタル含有薄膜が形成されたことを確認した。X線光電子分光分析装置により膜組成を分析した結果、炭素14%、酸素53%、タンタル33%であった。また、膜厚をSEMにより確認したところ70nmであった。
テトラメチル(η5−メチルシクロペンタジエニル)タンタルの合成
五塩化タンタル1.69g(4.71mmol)をジクロロメタン10mlに懸濁させ、0℃に冷却してメチル(トリメチルシリル)シクロペンタジエン0.746g(4.90mmol)を加え、室温で16時間攪拌した。溶媒を減圧留去した後の残渣をヘキサン10mlで3回洗浄した。残渣を減圧下で乾燥して得られた固体1.59gをジエチルエーテル10mlに懸濁させ、0℃に冷却して臭化メチルマグネシウムのジエチルエーテル溶液(3.26M)5.09ml(16.6mmol)を加えた。室温で17.5時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。残渣にヘキサンを加えて可溶物を抽出した(10mlで3回)。抽出液からヘキサンを減圧留去した。残った粗生成物を減圧下で蒸留し、テトラメチル(η5−メチルシクロペンタジエニル)タンタル558mg(収率37.0%)を得た。
5.20(s,4H,C5 H 4Me)
1.65(s,3H,CH 3Cp)
0.92(br,12H,Ta−CH 3)
13C−NMR(Benzene−d6、δppm)
121.81(C 5H4Me)
113.39(C 5H4Me)
108.34(C 5H4Me)
70.84(br,Ta−CH3)
13.96(CH3Cp)。
テトラクロロ(η5−1−エチル−3−メチルシクロペンタジエニル)タンタルの合成
五塩化タンタル1.82g(5.08mmol)をジクロロメタン10mlに懸濁させ、
「P.Jutzi,J.Kleimeier,R.Krallmann,H.G.Stammler and B.Neumann,J.Organomet.Chem.,1993,462,57」に記載の方法に準じて製造された1−エチル−4−メチル−5−トリメチルシリル−1,3−シクロペンタジエン、1−メチル−3−エチル−5−トリメチルシリル−1,3−シクロペンタジエン、及び1−エチル−3−メチル−5−トリメチルシリル−1,3−シクロペンタジエンの混合物0.953g(5.28mmol)を加えた。室温で2.5時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。残渣をヘキサン10mlで3回洗浄し、減圧下で乾燥してテトラクロロ(η5−1−エチル−3−メチルシクロペンタジエニル)タンタル2.13g(収率97.5%)を得た。
7.04(t,J=3Hz,1H,C5 H 3(Et)Me)
6.75(t,J=3Hz,1H,C5 H 3(Et)Me)
6.63(t,J=3Hz,1H,C5 H 3(Et)Me)
3.14(m,1H,CH3CH 2(Me)Cp)
3.03(m,1H,CH3CH 2(Me)Cp)
2.74(s,3H,Et(CH 3)Cp)
1.28(t,J=8Hz,3H,CH 3CH2(Me)Cp)。
(η5−1−エチル−3−メチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタルの合成
実施例7に示した方法によって合成したテトラクロロ(η5−1−エチル−3−メチルシクロペンタジエニル)タンタル2.13mg(4.95mmol)をジエチルエーテル10mlに懸濁させ、0℃に冷却して臭化メチルマグネシウムのジエチルエーテル溶液(3.26M)6.38ml(20.8mmol)を加えた。室温で4時間攪拌後、溶媒を減圧留去した。残渣からヘキサンで可溶物を抽出(10mlで3回)し、抽出液からヘキサンを減圧留去した。残った粗生成物を減圧下で蒸留し、(η5−1−エチル−3−メチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタル450mg(収率26.1%)を得た。
5.38(t,J=3Hz,1H,C5 H 3(Et)Me)
5.32(t,J=3Hz,1H,C5 H 3(Et)Me)
5.28(t,J=3Hz,1H,C5 H 3(Et)Me)
2.01(m,1H,CH3CH 2(Me)Cp)
1.94(m,1H,CH3CH 2(Me)Cp)
1.63(s,3H,Et(CH 3)Cp)
0.85(br,12H,Ta−CH 3)
0.84(t,J=8Hz,3H,CH 3CH2(Me)Cp)。
テトラクロロ(η5−1,2,4−トリメチルシクロペンタジエニル)タンタルの合成
五塩化タンタル1.68g(4.70mmol)をジクロロメタン10mlに懸濁させ、「P.Jutzi,J.Kleimeier,R.Krallmann,H.G.Stammler and B.Neumann,J.Organomet.Chem.,1993,462,57」に記載の方法に従って製造された1,2,4−トリメチル−5−トリメチルシリル−1,3−シクロペンタジエン1.01g(5.60mmol)を加えた。室温で3.5時間攪拌した後、溶媒を減圧留去した。残渣をヘキサン10mlで3回洗浄し、減圧下で乾燥してテトラクロロ(η5−1,2,4−トリメチルシクロペンタジエニル)タンタル1.68g(収率83.3%)を得た。
6.64(s,2H,C5 H 2(Me)3)
2.79(s,6H,(CH 3)3Cp)
2.58(s,3H,(CH 3)3Cp)。
テトラメチル(η5−1,2,4−トリメチルシクロペンタジエニル)タンタルの合成
実施例9に示した方法によって合成したテトラクロロ(η5−1,2,4−トリメチルシクロペンタジエニル)タンタル1.68g(3.91mmol)をジエチルエーテル10mlに懸濁させ、0℃に冷却して臭化メチルマグネシウムのジエチルエーテル溶液(3.26M)5.04ml(16.4mmol)を加えた。室温で21時間攪拌後、溶媒を減圧留去した。残渣からヘキサンで可溶物を抽出(10mlで3回)し、抽出液からヘキサンを減圧留去した。残った粗生成物を減圧下で蒸留し、テトラメチル(η5−1,2,4−トリメチルシクロペンタジエニル)タンタル248mg(収率18.2%)を得た。
5.28(s,2H,C5 H 2(Me)3)
1.68(s,6H,(CH 3)3Cp)
1.51(s,3H,(CH 3)3Cp)
0.79(s,12H,Ta−CH 3)。
13C−NMR(Benzene−d6、δppm)
120.84(C 5H2(Me)3)
108.47(C 5H2(Me)3)
106.10(C 5H2(Me)3)
72.53(Ta−CH3)
13.52((CH3)3Cp)
10.77((CH3)3Cp)。
(η5−エチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタルを原料とした水素添加ECRプラズマCVD法によるシリコン基板上へのタンタル含有薄膜の形成
実施例1で得た(η5−エチルシクロペンタジエニル)テトラメチルタンタルを原料として、原料容器温度40℃、容器内圧10Torr、キャリアガス(Ar)流量5sccmの条件で気化させた。これを流量5sccmの水素を4%含むアルゴンガス中、2.45GHz、600Wのマイクロ波と875Gの印加磁界によりプラズマを発生させ、内圧を1.5×10−2Torrに保った反応槽内に導入して300℃に加熱したシリコン基板上に5時間かけて成膜を行った。作製した薄膜を蛍光X線装置にて分析したところ、タンタルが検出され、タンタル含有薄膜が形成されたことを確認した。蛍光X線測定装置(XRF)により測定した膜厚は11nm、四探針測定装置により測定した抵抗値より求めた抵抗率は356μΩ・cmであった。
2.希釈ガス
3.キャリアガス
4.マスフローコントローラー
5.マスフローコントローラー
6.マスフローコントローラー
7.恒温層
8.原料容器
9.基板
10.反応槽
11.ヒーター
12.真空ポンプ
13.排気
Claims (9)
- 分子量が320以上475以下であることを特徴とする、請求項1に記載のタンタル化合物。
- nが1から3であり、Rが炭素数1から4のアルキル基であることを特徴とする、請求項1または2に記載のタンタル化合物。
- nが1から3であり、Rがメチル基、エチル基またはイソプロピル基であることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載のタンタル化合物。
- 一般式(2)
(式中、Meはメチル基を示し、mは1から3の整数を示し、Lは金属または金属ハロゲン化物を示す。)で表される化合物を反応させることを特徴とする、一般式(1)
- mが1であり、Lがハロゲン化マグネシウムであることを特徴とする、請求項5に記載のタンタル化合物の製造方法。
- mが1であり、Lがリチウムであることを特徴とする、請求項5に記載のタンタル化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007031990A JP5096016B2 (ja) | 2006-02-14 | 2007-02-13 | タンタル化合物とその製造方法、及びそれを原料とするタンタル含有薄膜とその形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006036510 | 2006-02-14 | ||
JP2006036510 | 2006-02-14 | ||
JP2007031990A JP5096016B2 (ja) | 2006-02-14 | 2007-02-13 | タンタル化合物とその製造方法、及びそれを原料とするタンタル含有薄膜とその形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007246513A JP2007246513A (ja) | 2007-09-27 |
JP5096016B2 true JP5096016B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=38591177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007031990A Expired - Fee Related JP5096016B2 (ja) | 2006-02-14 | 2007-02-13 | タンタル化合物とその製造方法、及びそれを原料とするタンタル含有薄膜とその形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5096016B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1916253A1 (en) | 2006-10-26 | 2008-04-30 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | New group V metal containing precursors and their use for metal containing film deposition |
WO2010012595A1 (en) | 2008-08-01 | 2010-02-04 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method of forming a tantalum-containing layer on a substrate |
EP2174942B1 (en) | 2008-10-07 | 2011-11-30 | L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Niobium and vanadium organometallic precursors for thin film deposition |
KR102627456B1 (ko) | 2015-12-21 | 2024-01-19 | 삼성전자주식회사 | 탄탈럼 화합물과 이를 이용한 박막 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3988332A (en) * | 1974-05-20 | 1976-10-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hydrocarbylidene compounds of niobium and tantalum |
US6989457B2 (en) * | 2003-01-16 | 2006-01-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Chemical vapor deposition precursors for deposition of tantalum-based materials |
-
2007
- 2007-02-13 JP JP2007031990A patent/JP5096016B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007246513A (ja) | 2007-09-27 |
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