JP5093651B2 - Work information management system - Google Patents

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Description

本発明は、それぞれ所定の作業を行う複数の作業装置についてその作動を監視する複数の監視装置からの監視情報を受け取って管理する情報管理装置を有して構成される作業情報管理システムに関し、作業装置が、例えば、半導体ウェハ等の研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置である場合に適したシステムに関する。   The present invention relates to a work information management system that includes an information management device that receives and manages monitoring information from a plurality of monitoring devices that monitor the operation of a plurality of working devices that respectively perform predetermined work. The present invention relates to a system suitable for a case where the apparatus is a polishing apparatus that flattens the surface of an object to be polished such as a semiconductor wafer.

半導体ウエハは多数の製造工程を経て製造されるため、これら工程をコンピュータ管理の下で効率よくスムーズに進めることが要求されており、従来から種々の製造方法や製造システムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、半導体ウェハ等を研磨する研磨装置のような作業装置においてその作動を監視して作業をスムーズに進められるような方策を講じることが従来から知られている（例えば、特許文献２参照）。ところで、従来においては、このような装置においてトラブルが発生したときに、作業現場ではそのトラブル解析および対策が難しいため、作業現場からそのトラブルに関する情報をエンジニア部門に送り、エンジニア部門においてその情報解析を行って対策方法を考えだし、この対策方法を現場にフィードバックして対策を行うという手順が踏まれている。   Since semiconductor wafers are manufactured through a number of manufacturing processes, it is required to proceed these processes efficiently and smoothly under computer management, and various manufacturing methods and systems have been proposed (for example, , See Patent Document 1). In addition, it is conventionally known that a work apparatus such as a polishing apparatus for polishing a semiconductor wafer or the like takes measures such that the operation can be smoothly performed by monitoring the operation thereof (see, for example, Patent Document 2). Conventionally, when trouble occurs in such devices, it is difficult to analyze and take countermeasures at the work site. Therefore, information related to the trouble is sent from the work site to the engineer department, and the engineer department analyzes the information. A procedure is taken to think about a countermeasure method, and this countermeasure method is fed back to the site to take countermeasures.

特開２００４−３３６０２４号公報JP 2004-336024 A 特開２００２−２１９６４５号公報JP 2002-219645 A

しかしながら、このようにトラブル発生の都度、そのトラブル情報を現場からエンジニア部門に送ってトラブル解析および対策を考えていたのでは、その解析および対応判断に時間がかかり、対応遅れが発生するという問題がある。   However, each time a trouble occurs, sending trouble information from the site to the engineer department and thinking about trouble analysis and countermeasures, it takes time for the analysis and judgment of the countermeasures, and there is a problem that a response delay occurs. is there.

本発明はこのような問題に鑑みたもので、作業装置におけるトラブル発生に対して作業現場で迅速にトラブル対策を講じることができるような作業情報管理システムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a work information management system that can quickly take a trouble countermeasure at a work site when trouble occurs in a work device.

前記課題を解決するために、本発明に係る作業情報管理システムは、それぞれ所定の作業を行う複数の作業装置と、前記複数の作業装置にそれぞれ設けられて前記作業装置の作動を監視する複数の監視装置と、前記複数の監視装置と情報交換可能に接続され、前記監視装置からの監視情報を受け取って管理する情報管理装置とを有して構成され、前記複数の監視装置のそれぞれと前記情報管理装置とを通信ラインを介して接続して情報交換を行う通信装置を備え、前記監視装置により前記作業装置のトラブルが発見されたときにそのトラブル情報を前記通信装置を介して前記情報管理装置に送信するように構成される。その上で、前記情報管理装置においては前記作業装置におけるトラブル例およびその対処方法を関連付けて記憶するトラブル情報データベースおよび前記作業装置固有の運行に関する固有運行関連ファイルを備え、前記監視装置から送信されたトラブル情報を解析して前記トラブル情報データベースに記憶されているトラブル例に該当するか否かを判断し、該当トラブル例があるときにはその対処方法を前記通信装置を介して前記監視装置に送信し、前記トラブル情報データベースに記憶されているトラブル例中に該当例が無いときには、前記情報管理装置が、前記固有運行関連ファイルにアクセスして前記作業装置の運行に関する分散されたファイル群から今回送信された新トラブル情報に関連するデータを検索し、トラブル分析及び対処方法の模索を行う所定の部門へ前記データを送信し、前記情報管理装置が前記所定の部門から前記対処方法を受け取って前記通信装置を介して前記作業監視装置に送信するとともに前記トラブル情報データベースに新たなトラブル例およびその対処方法として記憶するように構成される。 In order to solve the above-described problem, a work information management system according to the present invention includes a plurality of work devices each performing a predetermined work, and a plurality of work devices provided to the plurality of work devices, respectively, for monitoring the operation of the work devices. A monitoring device; and an information management device that is connected to the plurality of monitoring devices so as to be able to exchange information, and that receives and manages monitoring information from the monitoring device, and each of the plurality of monitoring devices and the information A communication device for exchanging information by connecting to a management device via a communication line, and when the monitoring device finds a trouble in the work device, the trouble information is transmitted to the information management device via the communication device. Configured to send to. In addition, the information management device includes a trouble information database for storing a trouble example in the work device and a method for dealing with the trouble in association with each other, and a specific operation related file relating to the operation unique to the work device, and is transmitted from the monitoring device . Analyzing trouble information to determine whether or not the trouble example stored in the trouble information database, and when there is a trouble example, send the coping method to the monitoring device via the communication device, When there is no corresponding example in the trouble example stored in the trouble information database, the information management device has accessed the specific operation related file and has been transmitted this time from the distributed file group related to the operation of the work device. Search data related to new trouble information, trouble analysis and countermeasures Transmitting said data to a predetermined sector performing seek law, the trouble information database together with the information management apparatus transmits to the working monitoring device via the communication device receiving the Action from the predetermined sector It is configured to store as a new trouble example and a countermeasure method.

なお、この作業情報管理システムにおいて、前記固有運行関連ファイルは、前記分散されたファイル群として装置設定用イニシャルファイルと装置作動及び操作に関連するログファイルとを有することが好ましい。
また、この作業情報システムにおいて、前記所定の部門はトラブル情報データベースに記憶されているトラブル例中に該当例が無いときにトラブル分析を行うとともに対処方法を見つけ出し、その解析結果を前記情報管理装置に送り返すエンジニアリング部門であって、前記エンジニアリング部門は前記情報管理装置と通信する手段を備えるように構成されたことが好ましい。
また、この作業情報管理システムにおいて、前記作業装置が複数の作業ユニットから構成され、前記複数の作業ユニットによる作業を組み合わせて前記所定の作業を行うようになっており、前記監視装置は前記複数の作業ユニットのそれぞれの作業を監視してトラブルの有無を監視するように構成され、前記トラブル情報データベースに記憶されるトラブル例およびその対処方法は、前記作業装置を構成する前記複数の作業ユニットおよびそのトラブル内容を関連付けて記憶されているのが好ましい。
また、この作業情報管理システムにおいては、例えば、前記作業装置が、研磨対象物を保持する対象物保持ユニットと、研磨パッドを保持するとともに前記対象物保持ユニットにより保持された研磨対象物の被研磨面に研磨パッドを当接させて相対移動させ、前記被研磨面の研磨を行う研磨ユニットと、ドレス工具を用いて前記研磨パッドの研磨面のドレッシングを行うドレッシングユニットとから構成され、前記固有運行関連ファイルは前記分散されたファイル群として装置作動及び操作に関連するログファイルであるユニットログファイル及び研磨ログファイルを有することが好ましい。 In this work information management system, it is preferable that the specific operation related file includes a device setting initial file and a log file related to device operation and operation as the distributed file group.
Further, in this work information system, the predetermined department performs trouble analysis when no trouble example is stored in the trouble example stored in the trouble information database, finds a countermeasure, and sends the analysis result to the information management apparatus. Preferably, the engineering department is a sending-back engineering department, and the engineering department is configured to include means for communicating with the information management apparatus.
Further, in this work information management system, the work device is configured by a plurality of work units, and the predetermined work is performed by combining work by the plurality of work units. An example of a trouble stored in the trouble information database and a method for solving the trouble are configured to monitor each work of the work unit and monitor the presence or absence of a trouble. The trouble contents are preferably stored in association with each other.
Further, in this work information management system, for example, the work device holds an object holding unit that holds an object to be polished, and an object to be polished that holds a polishing pad and is held by the object holding unit. A polishing unit that abuts a polishing pad on a surface and moves the polishing pad relative to the polishing pad, and a dressing unit that performs dressing of the polishing surface of the polishing pad using a dressing tool. The related file preferably includes a unit log file and a polishing log file, which are log files related to device operation and operation, as the distributed file group.

なお、作業管理システムが上記の段落（０００７）のいずれかに記載した構成を有する場合には、前記固有運行関連ファイルは前記分散されたファイル群として通信及びオペレータのログファイル、エラーコードファイル、トラブル記録ファイルを更に有することが好ましい。When the work management system has the configuration described in any of the above paragraphs (0007), the specific operation related file is a communication and operator log file, error code file, trouble, and the like as the distributed file group. It is preferable to further have a recording file.

上記構成の作業情報管理システムによれば、監視装置により作業装置のトラブルが発見されたときにそのトラブル情報を通信装置を介して情報管理装置に送信すると、情報管理装置においては送信されたトラブル情報を解析してトラブル情報データベースに該当するトラブル例が記憶されているときにはその対処方法が送信されてくるので、この対処方法に基づいて迅速なトラブル対応を採ることができる。また、トラブル情報データベースに記憶されているトラブル例中に該当例が無いときには、トラブル情報を解析して対処方法をするように外部に求め、外部において見いだされた対処方法が通信装置を介して送信されて来るのでこれに基づいて対応を採ることができる。なお、この場合、外部でのトラブル解析および対処方法の作成に時間がかかることも考えられるが、このようにして作られたトラブル例に対する対処方法は新たに記憶されるため、次回以降での同様なトラブル例に対する対処は迅速に行うことができる。   According to the work information management system configured as described above, when trouble is detected in the work device by the monitoring device, the trouble information transmitted to the information management device via the communication device is transmitted to the information management device. And when a trouble example corresponding to the trouble information database is stored, a coping method is transmitted, so that it is possible to take a quick trouble countermeasure based on this coping method. In addition, when there is no relevant example in the trouble example stored in the trouble information database, the trouble information is analyzed and the outside is requested to take a countermeasure, and the found countermeasure is transmitted via the communication device. Since this is done, it is possible to take measures based on this. In this case, it may be time-consuming for external trouble analysis and preparation of countermeasures. However, since the countermeasure method for the trouble example thus created is newly stored, It is possible to quickly deal with trouble cases.

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して説明する。まず、本発明に係る作業情報管理システムを、作業装置として半導体ウェハを平坦研磨するＣＰＭ装置（以降の説明では単に「研磨装置１」と呼ぶ）を用いて構成する場合を例にして説明する。この作業情報管理システムの全体構成を図１に示しており、この図から分かるように、このシステムは、ホストシステム５００と、複数のクライアントシステム７００とを通信ネットワーク６００により繋いで構成される。なお、ホストシステム５００はエンジニアリング部門５７０と情報交換可能に繋がっている。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. First, a case where the work information management system according to the present invention is configured using a CPM apparatus (hereinafter simply referred to as “polishing apparatus 1”) for flatly polishing a semiconductor wafer as a work apparatus will be described as an example. The overall configuration of this work information management system is shown in FIG. 1, and as can be seen from this figure, this system is configured by connecting a host system 500 and a plurality of client systems 700 by a communication network 600. The host system 500 is connected to the engineering department 570 so that information can be exchanged.

各クライアントシステム７００は、単一の製造工場内に設けられた複数のＣＭＰ装置１であったり、複数の製造工場内に設けられたＣＭＰ装置１であったりする。このため、通信ネットワーク６００は、社内ＬＡＮ、インターネット、専用回線等種々の形態のいずれであっても良い。クライアントシステム７００はそれぞれＣＭＰ装置１を有して構成され、そのＣＭＰ装置１には、その作動を制御するとともにトラブル監視を行う制御装置４００が備えられており、まずこのＣＭＰ装置１の構成例について、図３〜５を参照して以下に説明する。   Each client system 700 may be a plurality of CMP apparatuses 1 provided in a single manufacturing factory or a CMP apparatus 1 provided in a plurality of manufacturing factories. For this reason, the communication network 600 may be any of various forms such as an in-house LAN, the Internet, and a dedicated line. Each of the client systems 700 includes a CMP apparatus 1. The CMP apparatus 1 includes a control apparatus 400 that controls the operation and monitors troubles. First, a configuration example of the CMP apparatus 1 will be described. This will be described below with reference to FIGS.

図３に全体構成を平面視で示すＣＭＰ装置１（以下、研磨装置１と称する）は、半導体ウエハを３ステージの研磨工程で精密に平坦研磨する「研磨装置」であり、概略構成としては、カセットインデックス部１００、ウエハ洗浄部２００、研磨部３００、およびこの研磨装置の作動を制御する制御装置４００（図４、図５参照）からなり、装置全体が一体のクリーンチャンバを構成するとともに各部が小室に仕切られて構成されている。   A CMP apparatus 1 (hereinafter referred to as a polishing apparatus 1) whose overall configuration is shown in plan view in FIG. 3 is a “polishing apparatus” that precisely polishes a semiconductor wafer in a three-stage polishing process. The cassette index unit 100, the wafer cleaning unit 200, the polishing unit 300, and a control device 400 (see FIGS. 4 and 5) for controlling the operation of this polishing apparatus constitute an integrated clean chamber. It is divided into small chambers.

カセットインデックス部１００には、複数のウエハを保持したカセット（キャリアとも称する）Ｃ1〜Ｃ4を載置するウエハ載置テーブル１２０、ウエハのノッチまたはオリエンタルフラットを一定方向に配向させるアライナー機構１３０、カセット内の未加工ウエハを取り出して洗浄部２００の洗浄機仮置き台２１１に搬入し、また、洗浄部２００で洗浄された加工済みウエハをカセットに収納する第１搬送ロボット１５０等が設けられている。 The cassette index unit 100 includes a wafer placement table 120 on which cassettes (also referred to as carriers) C 1 to C 4 holding a plurality of wafers are placed, an aligner mechanism 130 that orients wafer notches or oriental flats in a certain direction, An unprocessed wafer in the cassette is taken out and loaded into the cleaning machine temporary storage table 211 of the cleaning unit 200, and a first transfer robot 150 or the like for storing the processed wafer cleaned by the cleaning unit 200 in the cassette is provided. Yes.

第１搬送ロボット１５０は２本の多関節アームを有する多関節アーム型のロボットであり、基台１５１上に水平旋回および昇降作動が自在に取り付けられた旋回台１５２、旋回台１５２に屈伸作動自在に取り付けられた２本の多関節アーム１５３ａ，１５３ｂ、各アームの先端部に伸縮自在に取り付けられたＡアーム１５５ａおよびＢアーム１５５ｂ（Ｂアーム１５５ｂはＡアーム１５５ａの下方にオフセット配置され、図３において上下に重なって位置している）等から構成されている。Ａアーム１５５ａおよびＢアーム１５５ｂの先端部には、ウエハを裏面側から支持して吸着保持する保持部が形成されている。基台１５１には直線移動装置が設けられており、床面に配設されたリニアガイド１６０に沿って水平移動自在に構成されている。   The first transfer robot 150 is a multi-joint arm type robot having two multi-joint arms. The swivel base 152 is mounted on a base 151 so as to be able to freely rotate horizontally and move up and down. The two articulated arms 153a and 153b attached to the A arm 155a and the B arm 155b (B arm 155b is offset below the A arm 155a, and is attached to the tip of each arm in a telescopic manner. In the upper and lower sides). At the tip of the A arm 155a and the B arm 155b, a holding part that supports and holds the wafer from the back side is formed. The base 151 is provided with a linear moving device, and is configured to be horizontally movable along a linear guide 160 disposed on the floor surface.

ウエハ洗浄部２００は、第１洗浄室２１０、第２洗浄室２２０、第３洗浄室２３０および乾燥室２４０の４室構成からなり、研磨加工済みのウエハが第１洗浄室２１０→第２洗浄室２２０→第３洗浄室２３０→乾燥室２４０のように順次送られて研磨加工部３００で付着した研磨加工液（スラリ）、研磨摩耗粉等の除去洗浄が行われる。   The wafer cleaning unit 200 has a four-chamber configuration of a first cleaning chamber 210, a second cleaning chamber 220, a third cleaning chamber 230, and a drying chamber 240, and a polished wafer is transferred from the first cleaning chamber 210 to the second cleaning chamber. The polishing process liquid (slurry), polishing wear powder, and the like, which are sequentially sent in the order of 220 → third cleaning chamber 230 → drying chamber 240 and adhered to the polishing processing unit 300, are removed and cleaned.

各洗浄室の構成は種々の公知手法を用いることができるが、本実施例では第１洗浄室２１０での粗洗浄として回転ブラシによる両面洗浄、第２洗浄室２２０での中洗浄として超音波加振下での表面ペンシル洗浄、第３洗浄室２３０での仕上げ洗浄として純水によるスピナー洗浄、乾燥室２４０では窒素雰囲気下における乾燥処理を行うように構成している。なお、洗浄工程は研磨加工を行ったウエハについて行い、未加工ウエハは洗浄機仮置き台２１１を介してウエハ洗浄部２００を通過し研磨部３００に搬入される。   Although various known methods can be used for the configuration of each cleaning chamber, in this embodiment, ultrasonic cleaning is applied as double-side cleaning with a rotating brush as rough cleaning in the first cleaning chamber 210 and intermediate cleaning in the second cleaning chamber 220. Surface pencil cleaning under shaking, spinner cleaning with pure water as finish cleaning in the third cleaning chamber 230, and drying processing in the drying chamber 240 are performed in a nitrogen atmosphere. The cleaning process is performed on the polished wafer, and the unprocessed wafer passes through the wafer cleaning unit 200 and is carried into the polishing unit 300 via the cleaning machine temporary table 211.

研磨部３００は、研磨加工を行う領域であり、中央に円盤状のインデックステーブル３４０が設けられている。インデックステーブル３４０は９０度ごとの４区画に等分割され、区画ごとにウエハを真空吸着保持する真空吸着チャック機構Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4を有したウエハ回転装置２０（図４、図５参照）が設けられるとともに、内蔵するステッピングモータの作動によりテーブル全体を９０度ごとに回動送りさせる。インデックステーブル３４０の周囲には、このテーブルの位置決め停止位置に対応して外周から取り囲むように、第１研磨ステージ３１０、第２研磨ステージ３２０、第３研磨ステージ３３０の３つの研磨ステージと、真空吸着チャック機構に未加工ウエハを搬入し、また、研磨加工が終了した加工済みウエハを真空吸着チャック機構から取り出して搬送する搬送ステージ３５０とが形成されている。 The polishing unit 300 is an area where polishing is performed, and a disk-shaped index table 340 is provided at the center. The index table 340 is equally divided into four sections every 90 degrees, and the wafer rotating device 20 (FIG. 4, FIG. 4) having vacuum suction chuck mechanisms V 1 , V 2 , V 3 , and V 4 for holding each wafer by vacuum suction. 5) is provided, and the entire table is rotated every 90 degrees by the operation of the built-in stepping motor. Around the index table 340, three polishing stages of a first polishing stage 310, a second polishing stage 320, and a third polishing stage 330 so as to surround from the outer periphery corresponding to the positioning stop position of the table, and vacuum suction A transfer stage 350 is formed in which an unprocessed wafer is carried into the chuck mechanism, and a processed wafer that has been polished is taken out of the vacuum suction chuck mechanism and transferred.

上記インデックステーブル３４０に設けられたウエハ回転装置２０には、後述するようにウエハを裏面から真空吸着して保持する真空吸着チャック機構を備えた回転台、この回転台を回転させて吸着保持したウエハをインデックステーブル３４０に対して水平面内で高速回転させるウエハ回転駆動装置、研磨加工時に使用するスラリが乾燥固着しないようにチャックに純水を供給して洗い流すチャック洗浄機構等が設けられている。真空吸着チャック機構Ｖ1〜Ｖ4のチャック径はウエハ径よりもわずかに小径に形成されており、真空吸着チャック機構上へのウエハの搬入やこのチャック機構からの搬出時にウエハの外周端部を把持可能に構成されている。このため、ウエハをチャック機構上に搬入して吸着保持させウエハ回転駆動装置により高速回転および停止保持させることができるように構成されている。 The wafer rotating device 20 provided in the index table 340 includes a rotating table provided with a vacuum chucking mechanism for vacuum-sucking and holding the wafer from the back surface as will be described later, and a wafer that is sucked and held by rotating the rotating table. Are provided with a wafer rotation drive device that rotates the index table 340 at a high speed in a horizontal plane, a chuck cleaning mechanism that supplies pure water to the chuck to wash away the slurry used during polishing, and the like. The chuck diameter of the vacuum chucking mechanism V 1 to V 4 is slightly smaller than the wafer diameter, and the outer peripheral edge of the wafer is moved when the wafer is loaded into or unloaded from the vacuum chucking mechanism. It is configured to be grippable. For this reason, the wafer is loaded onto the chuck mechanism and sucked and held so that it can be rotated at high speed and stopped and held by the wafer rotation driving device.

第１研磨ステージ３１０、第２研磨ステージ３２０、第３研磨ステージ３３０の３つの研磨ステージには、それぞれ、インデックステーブル３４０に対して水平方向に揺動自在かつ鉛直方向に上下動自在な研磨アーム３１１，３２１，３３１が設けられている。各研磨アームの先端部にはこの研磨アームから垂下して水平面内に高速回転自在な研磨ヘッドを備えたウエハ研磨装置が取り付けられており、その下端面にウエハＷとの相対回転によりウエハ表面を平坦研磨する研磨パッドを有している。   Each of the three polishing stages of the first polishing stage 310, the second polishing stage 320, and the third polishing stage 330 has a polishing arm 311 that can swing in the horizontal direction and move up and down in the vertical direction with respect to the index table 340. , 321, 331 are provided. A wafer polishing apparatus having a polishing head that is suspended from the polishing arm and is rotatable at high speed in a horizontal plane is attached to the tip of each polishing arm. A polishing pad for flat polishing is provided.

これら第１〜第３研磨ステージ３１０，３２０，３３０は、それぞれ図５に示すように、ウエハ表面の化学機械的研磨（ＣＭＰ）を行う研磨ステーションＳＴ１と、研磨パッドのドレッシングを行うドレスステーションＳＴ２と、研磨パッドの表面プロファイル測定を行う測定ステーションＳＴ３とを備えている。なお、研磨ステーションＳＴ１は、インデックステーブル３４０のインデックス回動に応じて第１〜第３研磨ステージ３１０，３２０，３３０のそれぞれに位置する真空吸着チャック機構Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4を備えたウエハ回転装置２０を有しており、ドレスステーションＳＴ２は第１〜第３研磨ステージ３１０，３２０，３３０のそれぞれにドレッシング工具３０が設けられて構成され、測定ステーションＳＴ３は第１〜第３研磨ステージ３１０，３２０，３３０のそれぞれにパッド形状測定器５０が設けられて構成される。 As shown in FIG. 5, each of the first to third polishing stages 310, 320, and 330 includes a polishing station ST1 that performs chemical mechanical polishing (CMP) on the wafer surface, and a dress station ST2 that performs dressing of the polishing pad. And a measuring station ST3 for measuring the surface profile of the polishing pad. The polishing station ST1 includes vacuum suction chuck mechanisms V 1 , V 2 , V 3 , and V 4 that are positioned on the first to third polishing stages 310, 320, and 330 according to the index rotation of the index table 340. The dressing station ST2 includes a dressing tool 30 provided in each of the first to third polishing stages 310, 320, and 330, and the measuring station ST3 includes first to third polishing stations ST3. Each of the polishing stages 310, 320, and 330 is provided with a pad shape measuring device 50.

各ステーションＳＴ１〜ＳＴ３の構成を第１研磨ステージ３１０を例にして図５に示しており、この第１研磨ステージ３１０の構成を代表例として説明する。研磨ステーションＳＴ１は、研磨アーム３１１の先端下部に設けられたウエハ研磨装置１０を用いて半導体ウエハＷの表面研磨を行う作業ステーションである。インデックステーブル３４０の各区画にはそれぞれ、ウエハＷを載置する回転台２２および回転台２２を回転させる回転駆動装置２１からなるウエハ回転装置２０を備え、ウエハ回転装置２０は研磨アーム３１１の揺動により研磨ステーションＳＴ１に移動したウエハ研磨装置１０の下方に位置するように構成されている。回転駆動装置２１は、制御装置４００の一部を構成する研磨制御部７１からの制御信号を受けて回転台２２を回転駆動させる。回転台２２の上面には真空吸着チャック機構（Ｖ1〜Ｖ4）が設けられており、この真空吸着チャック機構により半導体ウエハＷを回転台２２上に吸着保持させるようになっている。 The configuration of each of the stations ST1 to ST3 is shown in FIG. 5 by taking the first polishing stage 310 as an example. The configuration of the first polishing stage 310 will be described as a representative example. The polishing station ST1 is a work station that performs surface polishing of the semiconductor wafer W using the wafer polishing apparatus 10 provided at the lower end of the polishing arm 311. Each section of the index table 340 includes a wafer rotating device 20 including a rotating table 22 on which the wafer W is placed and a rotation driving device 21 that rotates the rotating table 22. The wafer rotating device 20 swings the polishing arm 311. Thus, it is configured to be positioned below the wafer polishing apparatus 10 moved to the polishing station ST1. The rotation drive device 21 receives the control signal from the polishing control unit 71 that constitutes a part of the control device 400 and rotates the turntable 22. A vacuum suction chuck mechanism (V 1 to V 4 ) is provided on the upper surface of the turntable 22, and the semiconductor wafer W is sucked and held on the turntable 22 by this vacuum suction chuck mechanism.

ウエハ研磨装置１０は、ＣＭＰ研磨を行うときには、研磨ステーションＳＴ１に移動して図示のようにウエハ回転装置２０の上方に位置して回転台２２と上下に対向する。ウエハ研磨装置１０は研磨アーム３１１の先端部下面側から下方に垂直に延びた回転軸１１と、この回転軸１１の下端部に取り付けられた研磨ヘッド１２とから構成されている。この研磨ヘッド１２の下面に、両面テープ等で研磨パッド１５が下面に取り付けられた円盤状の支持プレート１３が真空吸着されて取り付けられている。このため、真空吸着を解除して、研磨パッド１５を支持プレート１３とともに研磨ヘッド１２から取り外して交換可能になっている。   When performing CMP polishing, the wafer polishing apparatus 10 moves to the polishing station ST1 and is positioned above the wafer rotating apparatus 20 so as to face the rotating table 22 vertically as shown in the figure. The wafer polishing apparatus 10 includes a rotating shaft 11 that extends vertically downward from the lower surface of the front end of the polishing arm 311, and a polishing head 12 that is attached to the lower end of the rotating shaft 11. A disk-like support plate 13 having a polishing pad 15 attached to the lower surface with a double-sided tape or the like is attached to the lower surface of the polishing head 12 by vacuum suction. For this reason, the vacuum suction is released, and the polishing pad 15 can be removed from the polishing head 12 together with the support plate 13 and replaced.

研磨パッド１５は発泡性のポリウレタン等から作られて所定の深さを有した複数の溝１５ａを有しており、その形状は単純な円盤状のほか、中央に穴の開いた薄厚のドーナツ型等に形成されている。本実施形態では研磨パッド１５は薄厚のドーナツ型である。ウエハ研磨装置１０の回転軸１１は図示しないモータによって駆動され、そのモータの駆動は制御装置４００の一部を構成する研磨制御部７１によって制御される。そして、半導体ウエハＷの表面に研磨パッド１５を上方から接触させた状態で、研磨制御部７１による制御の下で、回転台２２とウエハ研磨装置１０との双方を回転させ、かつウエハ研磨装置１０を回転台２２に対して水平方向に揺動移動させることにより、半導体ウエハＷの表面全体について研磨パッド１５により研磨を行う。なお、ウエハ研磨装置１０のポジション、すなわち、研磨パッド１５がウエハＷと接触する位置を変更調整可能となっている。   The polishing pad 15 is made of foamed polyurethane or the like and has a plurality of grooves 15a having a predetermined depth. The shape of the polishing pad 15 is not only a simple disk but also a thin donut with a hole in the center. Etc. are formed. In this embodiment, the polishing pad 15 is a thin donut shape. The rotating shaft 11 of the wafer polishing apparatus 10 is driven by a motor (not shown), and the driving of the motor is controlled by a polishing control unit 71 that constitutes a part of the control device 400. Then, with the polishing pad 15 in contact with the surface of the semiconductor wafer W from above, both the turntable 22 and the wafer polishing apparatus 10 are rotated under the control of the polishing control unit 71, and the wafer polishing apparatus 10. The entire surface of the semiconductor wafer W is polished by the polishing pad 15 by swinging and moving in a horizontal direction with respect to the turntable 22. Note that the position of the wafer polishing apparatus 10, that is, the position where the polishing pad 15 contacts the wafer W can be changed and adjusted.

ウエハ研磨装置１０はドレスステーションＳＴ２に移動可能に構成されており、ドレスステーションＳＴ２においては、ここに設けられたドレッシング装置３０によりウエハ研磨装置１０の下面に取り付けられた研磨パッド１５のドレッシングを行う（これを研磨パッドのアジャスト工程と称する）。ドレッシング装置３０は、ドレス駆動装置３１と、ドレス駆動装置３１から上方に延びた駆動軸３２と、駆動軸３２の上部にジンバル機構３３を介して支持された円盤状のドレス工具３５とを備える。ドレス駆動装置３１は、駆動軸３２を回転駆動するモータと、駆動軸３２に上下方向に押圧力を付与するアクチュエータとを内蔵しており、これらモータおよびアクチュエータの作動を制御するドレス制御部７２（制御装置４００の一部を構成する）も備えている。   The wafer polishing apparatus 10 is configured to be movable to the dressing station ST2. In the dressing station ST2, dressing of the polishing pad 15 attached to the lower surface of the wafer polishing apparatus 10 is performed by the dressing apparatus 30 provided here ( This is referred to as a polishing pad adjusting step). The dressing device 30 includes a dress drive device 31, a drive shaft 32 extending upward from the dress drive device 31, and a disk-shaped dress tool 35 supported on the top of the drive shaft 32 via a gimbal mechanism 33. The dress driving device 31 incorporates a motor that rotationally drives the drive shaft 32 and an actuator that applies a pressing force to the drive shaft 32 in the vertical direction, and a dress control unit 72 that controls the operation of the motor and the actuator. A part of the control device 400).

ドレス工具３５の上面がドレス面であり、ドレスステーションＳＴ２に移動してきたウエハ研磨装置１０の研磨パッド１５の下面（パッド面）とドレス工具３５のドレス面とが、図示のように上下に対向する。このように上下に対向した状態で、ドレス駆動装置３１により駆動軸３２が上動されてドレス工具３５のドレス面が研磨パッド１５のパッド面と当接し、ドレス制御部７２による制御の下でアクチュエータによりこのときの当接力が所定の力となるように設定され、モータが駆動されてドレス工具３５が回転駆動される。このとき同時にウエハ研磨装置１０も回転駆動され、ドレス工具３５により研磨パッド１５の研磨面のドレッシングが行われる。   The upper surface of the dressing tool 35 is the dressing surface, and the lower surface (pad surface) of the polishing pad 15 of the wafer polishing apparatus 10 that has moved to the dressing station ST2 and the dressing surface of the dressing tool 35 face each other as shown in the figure. . In this state, the driving shaft 32 is moved upward by the dress driving device 31 so that the dress surface of the dressing tool 35 comes into contact with the pad surface of the polishing pad 15, and the actuator is controlled by the dress control unit 72. Thus, the contact force at this time is set to be a predetermined force, the motor is driven, and the dressing tool 35 is rotated. At the same time, the wafer polishing apparatus 10 is also rotated and dressed on the polishing surface of the polishing pad 15 by the dress tool 35.

ウエハ研磨装置１０はドレスステーションＳＴ２から測定ステーションＳＴ３に移動可能であり、ドレスステーションＳＴ２において研磨パッド１５のパッド面のドレッシング（アジャスト工程）が行われると、ウエハ研磨装置１０が測定ステーションＳＴ３に移動されてパッド面のプロファイルを測定して、研磨パッド１５の良・不良判断がなされる。このため、測定ステーションＳＴ３にはパッド形状測定器５０が備えられており、このパッド形状測定器５０により研磨パッドのプロファイル測定が行われる。   The wafer polishing apparatus 10 can be moved from the dressing station ST2 to the measuring station ST3. When dressing (adjustment process) of the pad surface of the polishing pad 15 is performed at the dressing station ST2, the wafer polishing apparatus 10 is moved to the measuring station ST3. Then, the profile of the pad surface is measured to judge whether the polishing pad 15 is good or bad. Therefore, the measurement station ST3 is provided with a pad shape measuring device 50, and the pad shape measuring device 50 measures the profile of the polishing pad.

パッド形状測定器５０はセンサ保持部５１とこのセンサ保持部５１に保持された測定センサ５２とからなり、内部の移動機構により測定センサ５２はセンサ保持部５１に対して水平面内で移動される。測定センサ５２は発光素子と受光素子からなる光学式の（すなわち非接触型の）変位センサからなり、この変位センサによりパッド形状測定器５０と研磨パッド１５上のパッド面の測定位置との間の距離を測定する。従ってこのパッド形状測定器５０によれば、研磨パッド１５のパッド面上の領域内での相対高さを算出して、プロファイル等の測定を行う。なお、この実施形態では、測定センサ５２は光学式の変位センサとしているが、これは一例に過ぎず、非接触型であれば超音波式の変位センサ等であってもよいし、接触型であればプローブを用いたもの等であっても構わない。   The pad shape measuring instrument 50 includes a sensor holding unit 51 and a measurement sensor 52 held by the sensor holding unit 51, and the measurement sensor 52 is moved in a horizontal plane with respect to the sensor holding unit 51 by an internal moving mechanism. The measurement sensor 52 is composed of an optical (that is, non-contact type) displacement sensor including a light emitting element and a light receiving element. Measure distance. Therefore, according to the pad shape measuring instrument 50, the relative height in the region on the pad surface of the polishing pad 15 is calculated, and the profile or the like is measured. In this embodiment, the measurement sensor 52 is an optical displacement sensor. However, this is only an example, and an ultrasonic displacement sensor or the like may be used as long as it is a non-contact type. As long as there is a probe, a probe may be used.

このようにして行われる研磨パッド１５のプロファイル測定を行うために測定制御部７３（制御装置４００の一部を構成する）を有しており、測定制御部７３により測定センサ５２を移動させるとともに上記距離測定が行われる。このようにしてパッド形状測定器５０により測定された結果は測定制御部７３に送られ、プロファイル測定が行われるとともにその測定結果に基づいて研磨パッド１５の良・不良判断が行われる。   In order to perform the profile measurement of the polishing pad 15 performed as described above, the measurement control unit 73 (which constitutes a part of the control device 400) is provided. The measurement control unit 73 moves the measurement sensor 52 and A distance measurement is performed. The result measured by the pad shape measuring instrument 50 in this way is sent to the measurement control unit 73 to perform profile measurement and judge whether the polishing pad 15 is good or bad based on the measurement result.

このため、例えば第１研磨ステージ３１０において研磨加工を行うときには、研磨アーム３１１を揺動させてウエハ研磨装置１０を研磨ステーションＳＴ１の回転台２２の上面のウエハを吸着保持した真空吸着チャック機構Ｖ4上に移動させ、ウエハ研磨装置１０および回転台２２を相対回転させるとともに研磨アーム３１１を降下させて研磨パッド１５をウエハＷ上に押圧させ、研磨パッド１５の中心部からスラリを供給しながら研磨アーム３１１を揺動往復させることにより回転台２２上に吸着保持されたウエハＷの表面Ｗｓを平坦に研磨加工する。 For this reason, for example, when performing the polishing process in the first polishing stage 310, the vacuum suction chuck mechanism V 4 in which the polishing arm 311 is swung and the wafer polishing apparatus 10 holds the wafer on the upper surface of the turntable 22 of the polishing station ST1 by suction. The wafer polishing apparatus 10 and the turntable 22 are rotated relative to each other, the polishing arm 311 is lowered, the polishing pad 15 is pressed onto the wafer W, and the polishing arm is supplied while slurry is supplied from the center of the polishing pad 15. By swinging and reciprocating 311, the surface Ws of the wafer W sucked and held on the turntable 22 is polished flat.

各研磨ステージ３１０，３２０，３３０には、研磨加工中のウエハの加工状態を検出する光学式の終点検出器が取り付けられており、研磨加工中のウエハ表面からの反射光がリアルタイムで検出されている。   Each polishing stage 310, 320, 330 is equipped with an optical end point detector for detecting the processing state of the wafer being polished, and the reflected light from the wafer surface being polished is detected in real time. Yes.

搬送ステージ３５０には、ウエハの搬送を行う第２搬送ロボット３６０と第３搬送ロボット３７０およびこれらの搬送ロボット間でウエハの受け渡しを仲介するＡ仮置き台３８１およびＢ仮置き台３８２とが配設されている。第２搬送ロボット３６０は、前述した第１搬送ロボット１５０と同様の多関節アーム型ロボットであり、水平旋回および昇降作動自在な旋回台３６２上に揺動自在に取り付けられた２本の多関節アーム３６３ａ，３６３ｂおよび各多関節アームの先端部に伸縮自在に取り付けられたＡアーム３６５ａおよびＢアーム３６５ｂから構成されている。Ａアーム３６５ａとＢアーム３６５ｂとは上下にオフセットして配置されるとともに、両アームの先端部にはウエハを裏面側から支持して吸着保持する保持部が形成されている。   The transfer stage 350 is provided with a second transfer robot 360 and a third transfer robot 370 that transfer wafers, and an A temporary placement table 381 and a B temporary placement table 382 that mediate delivery of wafers between these transfer robots. Has been. The second transfer robot 360 is an articulated arm type robot similar to the first transfer robot 150 described above, and is provided with two articulated arms swingably mounted on a turntable 362 that can be horizontally swung and moved up and down. 363a and 363b, and an A arm 365a and a B arm 365b which are attached to the distal ends of the multi-joint arms so as to be extendable and contractable. The A arm 365a and the B arm 365b are arranged so as to be offset in the vertical direction, and a holding portion for supporting the wafer from the back side and holding it by suction is formed at the tip of both arms.

第３搬送ロボット３７０は、インデックステーブル３４０に対して水平方向に揺動自在かつ鉛直方向に上下動自在な揺動アーム３７１と、揺動アームの先端部にこの揺動アームに対して水平旋回自在に取り付けられた回動アーム３７２、回動アーム３７２の両端部に懸吊されてウエハの外周端部を把持するＡクランプ３７５ａおよびＢクランプ３７５ｂ等から構成されている。Ａクランプ３７５ａとＢクランプ３７５ｂとは回動アーム３７２の回動中心から同一距離の回動アーム端部に配設されている。図３に示す状態は第３搬送ロボット３７０の待機姿勢を示しており、図におけるＡクランプ３７５ａとＢクランプ３７５ｂとの下方に、それぞれ未加工のウエハを載置するＡ仮置き台３８１と、研磨加工済みのウエハを載置するＢ仮置き台３８２とが設けられている。   The third transfer robot 370 is swingable in the horizontal direction with respect to the index table 340 and vertically swingable in the vertical direction, and horizontally swingable with respect to the swing arm at the tip of the swing arm. The rotation arm 372 is attached to the rotation arm 372, and the A clamp 375a and the B clamp 375b are suspended from both ends of the rotation arm 372 and grip the outer peripheral end of the wafer. The A clamp 375a and the B clamp 375b are disposed at the end of the rotation arm at the same distance from the rotation center of the rotation arm 372. The state shown in FIG. 3 shows the standby posture of the third transfer robot 370. A temporary placement table 381 for placing an unprocessed wafer on the lower side of the A clamp 375a and the B clamp 375b in the drawing, and the polishing, respectively. A B temporary placement table 382 on which a processed wafer is placed is provided.

このため、第３搬送ロボット３７０の揺動アーム３７１を揺動作動させ、回動アーム３７２を旋回作動させることによりＡクランプ３７５ａまたはＢクランプ３７５ｂのいずれをもインデックステーブル３４０の真空吸着チャック機構Ｖ1上に移動させることができ、当該位置で揺動アーム３７１を下降させてＡクランプ３７５ａまたはＢクランプ３７５ｂでチャック機構上のウエハを外周クランプして受取り、あるいは、チャック機構上に新たなウエハを載置保持させることができる。 For this reason, the swing arm 371 of the third transfer robot 370 is swung and the swivel arm 372 is swung so that either the A clamp 375a or the B clamp 375b can be used as the vacuum suction chuck mechanism V 1 of the index table 340. At this position, the swing arm 371 is lowered, and the wafer on the chuck mechanism is clamped by the A clamp 375a or B clamp 375b to receive it, or a new wafer is mounted on the chuck mechanism. Can be held.

なお、研磨加工後のウエハにはスラリを含んだ研磨加工液が付着していることから、研磨装置１では研磨加工前のウエハＷを搬入するアームおよびクランプと、研磨加工後のウエハＷを搬出するアームおよびクランプとを区別して用いている。すなわち、上下にオフセットされたＡ，Ｂアームのうち上方に位置するＡアーム３６５ａを未加工ウエハＷの搬入用アーム、下方に位置するＢアーム３６５ｂを搬出用アームに、また、Ａクランプ３７５ａを搬入用クランプ、Ｂクランプ３７５ｂを搬出用クランプとして規定し作動させている。   Since the polishing liquid containing slurry is attached to the wafer after polishing, the polishing apparatus 1 carries out the arm and clamp for loading the wafer W before polishing and the wafer W after polishing. Used separately from the arm and clamp. That is, of the A and B arms offset vertically, the upper A arm 365a is used as a loading arm for the unprocessed wafer W, the lower B arm 365b is used as a loading arm, and the A clamp 375a is loaded. The clamp C and the B clamp 375b are defined and operated as a carry-out clamp.

制御装置４００は、以上のように構成される研磨装置１の作動を予め設定された制御プログラムに基づいて制御する。それでは、図４に基づいて、制御装置４００による制御の例として、第１研磨ステージ３１０の研磨ステーションＳＴ１における研磨制御装置の構成について説明する。回転台２２は、ウエハＷとほぼ同じ直径を有する円盤状の回転テーブルであり、回転駆動装置２１の上下方向に延びた回転軸２１ａの上端に取り付けられてほぼ水平姿勢に保持されている。回転台２２の上面には上述した真空吸着チャック機構Ｖ4が設けられており、制御装置４００でウエハ吸着機構２２ａを制御し、このチャック機構Ｖ4を作動させて、ウエハＷを回転台２２の上面側に着脱自在に吸着保持できるようになっている。回転軸２１ａは、図示しない電動モータを有して構成される回転駆動装置２１を用いて垂直軸回りに回転駆動されるようになっており、制御装置４００によりウエハ回転機構２１ｂを制御して回転台２２を水平面内で回転させることができる。 The control device 400 controls the operation of the polishing device 1 configured as described above based on a preset control program. Then, based on FIG. 4, the structure of the grinding | polishing control apparatus in grinding | polishing station ST1 of the 1st grinding | polishing stage 310 is demonstrated as an example of control by the control apparatus 400. FIG. The turntable 22 is a disc-shaped turntable having substantially the same diameter as the wafer W, and is attached to the upper end of a rotary shaft 21 a extending in the vertical direction of the rotary drive device 21 and held in a substantially horizontal posture. The vacuum suction chuck mechanism V 4 described above is provided on the upper surface of the turntable 22, and the controller 400 controls the wafer suction mechanism 22 a and operates the chuck mechanism V 4 to move the wafer W to the turntable 22. It can be detachably attached to the upper surface side. The rotating shaft 21a is driven to rotate about a vertical axis by using a rotation driving device 21 configured to have an electric motor (not shown), and the control device 400 controls the wafer rotating mechanism 21b to rotate. The base 22 can be rotated in a horizontal plane.

前述のように、研磨ヘッド１２は、研磨アーム３１１の先端部から下方に延びる回転軸１１の下端部に取り付けられている。この回転軸１１は図示しない電動モータを有して構成される研磨ヘッド回転機構１１ａを用いて垂直軸まわりに回転駆動されるようになっており、これにより研磨ヘッド１２全体を回転させて研磨パッド１５を水平面内で回転させることができる。また、研磨ヘッド１２は、複数の図示しない電動モータを有して構成される研磨ヘッド移動機構１１ｂを用いて研磨アーム３１１を作動させることにより三次元的、すなわち、上下、左右および前後方向に平行移動させることができる。   As described above, the polishing head 12 is attached to the lower end portion of the rotating shaft 11 that extends downward from the tip portion of the polishing arm 311. The rotating shaft 11 is driven to rotate around a vertical axis by using a polishing head rotating mechanism 11a configured with an electric motor (not shown), whereby the polishing head 12 is rotated to polish the polishing pad. 15 can be rotated in a horizontal plane. Further, the polishing head 12 is three-dimensionally operated by operating the polishing arm 311 using a polishing head moving mechanism 11b having a plurality of electric motors (not shown), that is, parallel in the vertical and horizontal directions. Can be moved.

研磨ヘッド１２には、この研磨ヘッド１２の下面が開口した真空室１２ａが形成されており、回転軸１１および研磨ヘッド１２内を延びるエア供給通路１８の一端がこの真空室１２ａに連通している。なお、エア供給通路１８の他端にはパッド吸着機構１８ａが接続されている（これにより真空吸着チャック機構Ｖ4が構成されている）。一方、支持プレート１３は、研磨パッド１５が取り付けられたペット部１３ｂと、このペット部１３ｂを保持するキャリア部１３ａとから構成されている。キャリア部１３ａの上面を研磨ヘッド１２の下面に押しつけた状態で、制御装置４００によりパッド吸着機構１８ａを制御して、研磨ヘッド１２が支持プレート１３を介して研磨パッド１５を保持する。 The polishing head 12 is formed with a vacuum chamber 12a in which the lower surface of the polishing head 12 is opened, and one end of an air supply passage 18 extending through the rotating shaft 11 and the polishing head 12 communicates with the vacuum chamber 12a. . Note that the other end of the air supply passage 18 (consisting vacuum suction chuck mechanism V 4 This) pad suction mechanism 18a is connected. On the other hand, the support plate 13 includes a pet portion 13b to which the polishing pad 15 is attached and a carrier portion 13a that holds the pet portion 13b. With the upper surface of the carrier portion 13 a pressed against the lower surface of the polishing head 12, the control device 400 controls the pad suction mechanism 18 a so that the polishing head 12 holds the polishing pad 15 via the support plate 13.

なお、研磨パッド１５の中央部は空間が形成されており、研磨ヘッド１２に支持プレート１３を介して研磨パッド１５が取り付けられた状態で、ウエハ研磨装置１０内を上下に延びる研磨剤供給通路１９を通って、ウエハＷの被研磨面Ｗｓ上に研磨剤（研磨加工液）が供給される。この研磨材の供給は、制御装置４００により研磨剤供給装置１９ａを制御して行われる。   A space is formed at the center of the polishing pad 15, and a polishing agent supply passage 19 that extends vertically in the wafer polishing apparatus 10 with the polishing pad 15 attached to the polishing head 12 via a support plate 13. Then, an abrasive (polishing liquid) is supplied onto the surface to be polished Ws of the wafer W. The supply of the abrasive is performed by controlling the abrasive supply device 19a by the control device 400.

以上のように構成された研磨装置１によりウエハＷの化学機械研磨（ＣＭＰ）が行われるときに、制御装置４００は、研磨制御部７１、ドレス制御部７２および測定制御部７３による各種制御結果を監視する。例えば、研磨制御部７１により、ウエハ回転機構２１ｂによるウエハＷの回転制御内容、研磨ヘッド回転機構１１ｂによる研磨パッド１５の回転制御内容の監視を行い、ドレス制御部７２により、ドレス駆動装置３１によるドレス工具３５の回転制御内容の監視を行い、測定制御部７３により測定された研磨パッド１５のプロファイルの監視を行い、異常の有無を監視する。制御装置４００は、さらに、研磨装置１を構成するカセットインデックス部１００、ウエハ洗浄部２００および研磨部３００における各種の監視も行っており、作業中において何らかの異常もしくはトラブルが発見されたときには、その異常もしくはトラブルに関する情報を通信ネットワーク６００を介してホストシステム５００に送信する。   When chemical mechanical polishing (CMP) of the wafer W is performed by the polishing apparatus 1 configured as described above, the control apparatus 400 displays various control results by the polishing control unit 71, the dress control unit 72, and the measurement control unit 73. Monitor. For example, the polishing control unit 71 monitors the rotation control content of the wafer W by the wafer rotation mechanism 21b and the rotation control content of the polishing pad 15 by the polishing head rotation mechanism 11b, and the dress control unit 72 performs the dress control by the dress driving device 31. The rotation control content of the tool 35 is monitored, the profile of the polishing pad 15 measured by the measurement control unit 73 is monitored, and the presence or absence of abnormality is monitored. The control device 400 also performs various types of monitoring in the cassette index unit 100, the wafer cleaning unit 200, and the polishing unit 300 constituting the polishing apparatus 1, and if any abnormality or trouble is found during the operation, the abnormality is detected. Alternatively, information regarding the trouble is transmitted to the host system 500 via the communication network 600.

ホストシステム５００の内部構成を図２に詳しく示しており、このホストシステム５００は、ＣＭＰ装置固有の運行に関するファイル群（例えば、装置設定用イニシャルファイル、通信・ユニット・オペレータ等に関するログファイル、エラーコード表ファイル、トラブル記録ファイル、研磨ログファイル、およびこれらの関連ファイル）を有したＣＭＰ固有運行関連ファイル５１０と、トラブル例とそのトラブルに対する対処方法とを関連付けて記憶したトラブル対処データベース５２０と、通信ネットワーク６００を介して送信されてくるトラブル情報を分析して対処方法を検索するトラブル分析アプリケーション５３０と、新たなトラブル例およびその対処方法の登録を行うトラブル登録表示５４１や、トラブル分析結果および対処方法を提示したり、ユニットエラー発生率分析結果、装置性能分析結果を表示したりする結果表示５４２等を作成する表示作成装置（図示せず）とを備えて構成される。   The internal configuration of the host system 500 is shown in detail in FIG. 2, and this host system 500 is a group of files related to the operation unique to the CMP apparatus (for example, initial file for apparatus setting, log file for communication / unit / operator, error code, etc. CMP-specific operation-related file 510 having a table file, a trouble recording file, a polishing log file, and related files), a trouble handling database 520 storing a trouble example and a coping method for the trouble, and a communication network 600, a trouble analysis application 530 that analyzes the trouble information transmitted via the server 600 and searches for a countermeasure, a trouble registration display 541 that registers a new trouble example and a countermeasure, a trouble analysis result, and a countermeasure Or presents, unit error rate analysis, and a display generating apparatus for generating a result display 542 or the like to and view device performance analysis results (not shown).

上述のようにして制御装置４００により研磨作業における異常もしくはトラブルが発見されてその異常もしくはトラブルに関する情報が通信ネットワーク６００を介してホストシステム５００に送信されてくると、トラブル分析アプリケーション５３０がまず、トラブル対処データベース５２０にアクセスして、今回発見されたトラブルと同一もしくは類似するトラブル例がこのデータベース５２０に登録記憶されているか否かを検索する。検索の結果、同一もしくは類似トラブル例が登録されている場合には、その検索結果すなわちトラブル対処方法と、このトラブルに関連したユニットエラー発生率分析結果、装置性能分析結果を表示する結果表示５４２を作りだし、この結果表示５４２の情報を通信ネットワーク６００を介して上記トラブル情報が発信されたクライアントシステム７００の制御装置４００に送信する。   As described above, when an abnormality or trouble in the polishing operation is discovered by the control device 400 and information related to the abnormality or trouble is transmitted to the host system 500 via the communication network 600, the trouble analysis application 530 first causes a trouble. The coping database 520 is accessed, and it is searched whether or not a trouble example identical or similar to the trouble found this time is registered and stored in the database 520. If the same or similar trouble example is registered as a result of the search, a result display 542 for displaying the search result, that is, a troubleshooting method, a unit error occurrence rate analysis result related to the trouble, and a device performance analysis result is displayed. The information of the result display 542 is transmitted to the control device 400 of the client system 700 from which the trouble information has been transmitted via the communication network 600.

クライアントシステム７００には、図示しないが、このように送信されてきた結果表示５４２を表示する表示装置（例えば、コンピュータディスプレイ）を備えられており、クライアントシステム７００側においては表示装置に表示された結果表示５４２を見て、的確且つ迅速なトラブル対応処理を行うことができる。   Although not shown, the client system 700 is provided with a display device (for example, a computer display) that displays the result display 542 transmitted in this way. On the client system 700 side, the result displayed on the display device is provided. By looking at the display 542, it is possible to perform an appropriate and quick trouble handling process.

一方、トラブル分析アプリケーション５３０がトラブル対処データベース５２０にアクセスして検索を行った結果、今回発見されたトラブルと同一もしくは類似するトラブル例がデータベース５２０から見つからなかった場合には、ＣＭＰ固有運行関連ファイル５１０にアクセスして、ＣＭＰ装置の運行に係る分散されたファイル（データ）群から今回送信されたトラブル情報に関連するデータを検索し、トラブル分析および対処方法を模索する。このとき、トラブル情報をエンジニアリング部門５７０に送付して、エンジニアリング部門５７０においてトラブル分析を行うとともに対処方法を見つけ出し、その解析結果をホストシステム５００に送り返すようになっている。   On the other hand, as a result of the trouble analysis application 530 accessing the trouble handling database 520 and performing a search, if a trouble example that is the same as or similar to the trouble found this time is not found in the database 520, the CMP-specific operation related file 510 To retrieve data related to the trouble information transmitted this time from a group of distributed files (data) related to the operation of the CMP apparatus, and search for trouble analysis and countermeasures. At this time, the trouble information is sent to the engineering department 570, the trouble is analyzed in the engineering department 570, a coping method is found, and the analysis result is sent back to the host system 500.

このようにして見いだされたトラブル対処方法は、トラブル例に関連するＣＭＰ装置の運行ファイルデータと関連付けられたトラブル例情報とともに、トラブル分析アプリケーション５３０により、トラブル対処データベース５２０に新たなトラブル例および対処方法として新規登録される。なお、このように新規登録された情報を新規トラブル登録表示５４１として通信ネットワーク６００を介して上記トラブル情報が発信されたクライアントシステム７００の制御装置４００に送信される。そして、クライアントシステム７００側においては表示装置に表示された新規トラブル登録表示５４２を見て、的確且つ迅速なトラブル対応処理を行うことができる。   The trouble coping method found in this way includes a new trouble example and coping method in the trouble coping database 520 by the trouble analysis application 530 together with trouble case information associated with the operation file data of the CMP apparatus related to the trouble example. Is newly registered. The newly registered information is transmitted as a new trouble registration display 541 to the control device 400 of the client system 700 from which the trouble information has been transmitted via the communication network 600. On the client system 700 side, an appropriate and quick trouble handling process can be performed by looking at the new trouble registration display 542 displayed on the display device.

このようにトラブル対処データベース５２０に登録されていない新規のトラブルが発生した場合には、例えばエンジニアリング部門５７０においてそのトラブル分析を行うとともにトラブル対処方法を見つけ出す作業が必要である。しかしながら、このようにして作成された新規トラブル対処方法は、ホストシステム５００において、トラブル対処データベース５２０に新たに登録されるため、その後において上記トラブル情報が発信されたクライアントシステム７００のみならず、他のクライアントシステム７００において同様なトラブルが発生した場合、トラブル処理データベース５２０からこのトラブル例に対応するトラブル処理方法を簡単且つ迅速に見つけ出すとともに、迅速且つ的確なトラブル対応を採ることができる。   Thus, when a new trouble that is not registered in the trouble handling database 520 occurs, for example, the engineering department 570 needs to analyze the trouble and find a trouble dealing method. However, since the new troubleshooting method created in this way is newly registered in the troubleshooting database 520 in the host system 500, not only the client system 700 to which the troubleshooting information has been transmitted thereafter but also other methods. When a similar trouble occurs in the client system 700, a trouble processing method corresponding to this trouble example can be found easily and quickly from the trouble processing database 520, and a quick and accurate trouble response can be taken.

本発明に係る作業管理システムの全体構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the whole structure of the work management system which concerns on this invention. この作業管理システムを構成するホストシステム５００の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the host system 500 which comprises this work management system. 上記作業管理システムの管理対象となる研磨装置の全体構成を示す平面図である。It is a top view which shows the whole structure of the grinding | polishing apparatus used as the management object of the said work management system. 上記研磨装置における第１研磨ステージ３１０の研磨ステーションＳＴ１の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of grinding | polishing station ST1 of the 1st grinding | polishing stage 310 in the said grinding | polishing apparatus. 上記研磨装置における第1研磨ステージ３１０の構成を示す概略説明図である。It is a schematic explanatory drawing which shows the structure of the 1st grinding | polishing stage 310 in the said grinding | polishing apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１ 研磨装置 Ｗ ウエハ １０ ウエハ研磨装置
１２ 研磨ヘッド １５ 研磨パッド ２０ ウエハ回転装置
３０ ドレッシング装置 ３１ ドレス駆動装置 ３５ ドレス工具
３００ 研磨部 ４００ 制御装置 ５００ ホストシステム
５１０ ＣＭＰ固有運行関連ファイル ５２０ トラブル対処データベース
５３０ トラブル分析アプリケーション ５７０ エンジニアリング部門
６００ 通信ネットワーク ７００ クライアントシステム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing device W Wafer 10 Wafer polishing device 12 Polishing head 15 Polishing pad 20 Wafer rotation device 30 Dressing device 31 Dressing drive device 35 Dressing tool 300 Polishing part 400 Control device 500 Host system 510 CMP specific operation related file 520 Trouble handling database 530 Trouble Analysis application 570 Engineering department 600 Communication network 700 Client system

Claims (6)

所定の作業を行う複数の作業装置と、前記複数の作業装置にそれぞれ設けられて前記作業装置の作動を監視する複数の監視装置と、前記複数の監視装置と情報交換可能に接続され、前記監視装置からの監視情報を受け取って管理する情報管理装置とを有して構成される作業情報管理システムであって、
前記複数の監視装置のそれぞれと前記情報管理装置とを通信ラインを介して接続して情報交換を行う通信装置を備え、前記監視装置により前記作業装置のトラブルが発見されたときにそのトラブル情報を前記通信装置を介して前記情報管理装置に送信するように構成され、
前記情報管理装置においては前記作業装置におけるトラブル例およびその対処方法を関連付けて記憶するトラブル情報データベースおよび前記作業装置固有の運行に関する固有運行関連ファイルを備え、前記監視装置から送信されたトラブル情報を解析して前記トラブル情報データベースに記憶されているトラブル例に該当するか否かを判断し、該当トラブル例があるときにはその対処方法を前記通信装置を介して前記監視装置に送信し、
前記トラブル情報データベースに記憶されているトラブル例中に該当例が無いときには、
前記情報管理装置が、前記固有運行関連ファイルにアクセスして前記作業装置の運行に関する分散されたファイル群から今回送信された新トラブル情報に関連するデータを検索し、トラブル分析及び対処方法の模索を行う所定の部門へ前記データを送信し、
前記情報管理装置が前記所定の部門から前記対処方法を受け取って前記通信装置を介して前記監視装置に送信するとともに前記トラブル情報データベースに新たなトラブル例およびその対処方法として記憶するように構成されたことを特徴とする作業情報管理システム。 A plurality of work devices that perform predetermined work; a plurality of monitoring devices that are provided in each of the plurality of work devices and that monitor the operation of the work devices; and are connected to the plurality of monitoring devices in an exchangeable manner, and the monitoring A work information management system comprising an information management device for receiving and managing monitoring information from the device,
A communication device for exchanging information by connecting each of the plurality of monitoring devices to the information management device via a communication line, and when trouble is found in the work device by the monitoring device, Configured to transmit to the information management device via the communication device;
The information management device comprises a trouble information database for associating and storing trouble examples in the work device and methods for dealing with them, and a specific operation related file relating to the operation specific to the work device, and analyzing the trouble information transmitted from the monitoring device To determine whether or not the trouble example stored in the trouble information database, and when there is a corresponding trouble example, send the coping method to the monitoring device via the communication device,
When there is no corresponding example in the trouble examples stored in the trouble information database,
The information management device accesses the specific operation related file, searches data related to the new trouble information transmitted this time from the distributed file group related to the operation of the work device, and searches for trouble analysis and a countermeasure method. Send the data to the designated department to perform,
The information management device is configured to receive the coping method from the predetermined department , transmit it to the monitoring device via the communication device, and store a new trouble example and a coping method in the trouble information database. A work information management system characterized by that. 前記固有運行関連ファイルは、前記分散されたファイル群として装置設定用イニシャルファイルと装置作動及び操作に関連するログファイルとを有することを特徴とする請求項１に記載の作業情報管理システム。 The work information management system according to claim 1, wherein the specific operation related file includes an initial file for device setting and a log file related to device operation and operation as the distributed file group . 前記所定の部門はトラブル情報データベースに記憶されているトラブル例中に該当例が無いときにトラブル分析を行うとともに対処方法を見つけ出し、その解析結果を前記情報管理装置に送り返すエンジニアリング部門であって、前記エンジニアリング部門は前記情報管理装置と通信する手段を備えるように構成されたことを特徴とする請求項１もしくは２に記載の作業情報管理システム。 The predetermined department is an engineering department that performs trouble analysis and finds a coping method when there is no corresponding example in the trouble examples stored in the trouble information database, and sends back the analysis result to the information management apparatus, The work information management system according to claim 1 or 2, wherein the engineering department is configured to include means for communicating with the information management apparatus . 前記作業装置が複数の作業ユニットから構成され、前記複数の作業ユニットによる作業を組み合わせて前記所定の作業を行うようになっており、前記監視装置は前記複数の作業ユニットのそれぞれの作業を監視してトラブルの有無を監視するように構成され、
前記トラブル情報データベースに記憶されるトラブル例およびその対処方法は、前記作業装置を構成する前記複数の作業ユニットおよびそのトラブル内容を関連付けて記憶されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の作業情報管理システム。 The work device includes a plurality of work units, and the predetermined work is performed by combining work by the plurality of work units. The monitoring device monitors each work of the plurality of work units. Is configured to monitor for trouble,
Trouble Examples and workarounds stored in the trouble information database, any of claims 1 to 3, characterized in that it is stored in association with the plurality of working units and the trouble contents constituting the work device work information management system according to any. 前記作業装置が、研磨対象物を保持する対象物保持ユニットと、研磨パッドを保持するとともに前記対象物保持ユニットにより保持された研磨対象物の被研磨面に研磨パッドを当接させて相対移動させ、前記被研磨面の研磨を行う研磨ユニットと、ドレス工具を用いて前記研磨パッドの研磨面のドレッシングを行うドレッシングユニットとから構成され、前記固有運行関連ファイルは前記分散されたファイル群として装置作動及び操作に関連するログファイルであるユニットログファイル及び研磨ログファイルを有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の作業情報管理システム。 The working device holds an object holding unit for holding an object to be polished, and holds the polishing pad and moves the polishing pad in contact with the surface to be polished of the object to be polished held by the object holding unit. A polishing unit that polishes the surface to be polished, and a dressing unit that dresses the polishing surface of the polishing pad using a dressing tool, and the specific operation related file operates as the distributed file group. and work information management system according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it comprises a unit log file and polishing log file is associated log file on the operation. 前記固有運行関連ファイルは前記分散されたファイル群として通信及びオペレータのログファイル、エラーコードファイル、トラブル記録ファイルを更に有することを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載の作業情報管理システム。 6. The work information management system according to claim 2, wherein the specific operation related file further includes a communication and operator log file, an error code file, and a trouble recording file as the distributed file group. .
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