JP5091063B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を用いて形成された縦型MOSFETの構成を示す図である。図1(a)は、縦型MOSFETの単位セルのパターン配置を示す。図1(a)では、単位セルを縦横3×3だけ配列した構造を示しているが、実際には多数のセルが配置されている。以下、この単位セルの配列と、その周辺部とを、単位セル配列部20と、周辺部21と記すこともある。
Claims (2)
- (a)炭化珪素からなる第1の導電型の半導体層上部に、第2の導電型のベース領域を選択的に形成し、前記ベース領域の上部に、前記第1の導電型のソース領域および前記第2の導電型のベースコンタクト領域を選択的に形成し、前記半導体層と前記ソース領域とに挟まれた前記ベース領域上と、前記半導体層上とに、第1の絶縁膜を介して、多結晶シリコン膜からなるゲート電極を形成する工程と、
(b)前記工程(a)で形成された構造上に第2の絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記第1の絶縁膜および前記第2の絶縁膜をエッチングして、前記ソース領域表面および前記ベースコンタクト領域表面を部分的に露出する第1のコンタクトホールを形成すると同時に、前記第2の絶縁膜をエッチングして、前記半導体層上側の前記ゲート電極表面を部分的に露出する第2のコンタクトホールを形成する工程と、
(d)酸素ガスを含む雰囲気下で、前記工程(c)で露出された前記ソース領域上部および前記ベースコンタクト領域上部を熱酸化して第1の酸化膜を形成するとともに、前記工程(c)で露出された前記ゲート電極上部を熱酸化して前記第1の酸化膜の膜厚よりも厚い第2の酸化膜を形成する工程と、
(e)前記第2の酸化膜を残しつつ、前記第1のコンタクトホール内の前記第1の酸化膜を完全に除去する工程と、
(f)前記工程(e)で形成された構造上に金属膜を成膜する工程と、
(g)前記工程(f)後、第1のアニールによって、前記第1のコンタクトホールにより露出された前記ソース領域上部および前記ベースコンタクト領域上部にシリサイド膜を形成する工程とを備える、
半導体装置の製造方法。 - (h)前記工程(g)後、未反応の前記金属膜を除去する工程と、
(i)前記工程(h)後、前記第1のアニールよりも高温の第2のアニールを行う工程とをさらに備える、
請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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