JP5088232B2 - ハフニウム錯体の製造方法 - Google Patents
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Description
J.C.Bailar,H.J.Emeleus,Sir Ronald Nyholm,A.F.Trotman−dickenson,Comprehensive Inorganic Chemistry. R.C.Mehrotra,Inorganic Chimica Acta Reviews,vol.1,99(1967) A.Williams,John L. Roberts,Anthony C.Jones,et al.,Chemical Vapap Deposition,vol.,8 163(2002)
[発明1]一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示されるハフニウムアミド錯体に一般式:A(OyXOnRf)mで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第1の工程)、
第1の工程により得られる留分に一般式:Li(NR3R4)で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程(第2の工程)、
第2の工程により得られる留分にターシャリブタノール(C4H10O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程a)によるテトラターシャリブトキシハフニウム[Hf(C4H9O)4]の製造方法、
[発明2]第2の工程により得られる留分にアセチルアセトン(C5H8O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程b)によるテトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5H7O2)4] の製造方法、
[発明3]第2の工程により得られる留分に1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノール(C5H12O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程c)によるテトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム[Hf(C5H11O2)4]の製造方法、
[発明4]第2の工程により得られる留分にターシャリアミルアルコール(C5H12O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程d)によるテトラターシャリアミルオキシハフニウム[Hf(C5H11O)4]の製造方法、
[発明5]第2の工程により得られる留分に3−メチル−3−ペンタノール(C6H14O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程e)によるテトラキス(3−メチル−3−ペントキシ)ハフニウム[Hf(C6H13O)4]の製造方法、および
[発明6]第2の工程により得られる留分にヘキサフロオロアセチルアセトン(C5F6H2O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程f)によるテトラキス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5F6HO2)4] の製造方法に係るものである。
Xは、Aが水素原子又は酸素原子の場合、炭素原子又は硫黄原子を表わし、Aがハフニウム原子の場合、硫黄原子を表わす。Aが水素原子、Xが炭素原子の場合、mは1、nは1、yは1を表わす。Aが水素原子、Xが硫黄原子の場合、mは1、nは2、yは1を表わす。Aが酸素原子、Xが炭素原子の場合、mは2、nは1、yは0を表わす。Aが酸素原子、Xが硫黄原子の場合、mは2、nは2、yは0を表わす。Aがハフニウム原子の場合、mは4、nは2、yは1を表す。Aが水素原子又は酸素原子の場合、Rfは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数4〜12のヘテロアリール基を表わす。
Aがハフニウム原子の場合、Rfは炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基を表わす。R3及びR4はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わす。)
第1の工程により得られる留分にリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程(第2の工程)、
第2に工程により得られるハフニウムアミド錯体に、ターシャリブタノール(C4H10O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程a)を順次実施することにより、含有ジルコニウムが除去されたテトラターシャリブトキシハフニウム[Hf(C4H9O)4]の製造、
第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、アセチルアセトン(C5H8O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程b)を順次実施することにより、含有ジルコニウムが除去されたテトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5H7O2)4] の製造、
第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノール(C5H12O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程c)を順次実施することにより、含有ジルコニウムが除去されたテトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム[Hf(C5H11O2)4]の製造、
第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、ターシャリアミルアルコール(C5H12O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程d)を順次実施することにより、含有ジルコニウムが除去されたテトラターシャリアミルオキシハフニウム[Hf(C5H11O)4]の製造、
第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、3−メチル−3−ペンタノール(C6H14O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程e)を順次実施することにより、含有ジルコニウムが除去されたテトラキス(3−メチル−3−ペントキシ)ハフニウム[Hf(C6H13O)4]の製造、
または第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、ヘキサフロオロアセチルアセトン(C5F6H2O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程f)を順次実施することにより、含有ジルコニウムが除去されたテトラキス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5F6HO2)4]の製造を行うことができる。
留分にリチウムアルキルアミドを添加した後に減圧蒸留を行う工程(第2の工程)、
第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、ターシャリブタノール(C4H10O)を添加し、減圧蒸留を行う工程(第3の工程a)
または第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、アセチルアセトン(C5H8O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程b)、
または第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノール(C5H12O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程c)、
または第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、ターシャリアミルアルコール(C5H12O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程d)、
または第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、3−メチル−3−ペンタノール(C6H14O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程e)、
または第2の工程により得られるハフニウムアミド錯体に、ヘキサフロオロアセチルアセトン(C5F6H2O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程f)を順次実施することにより、ジルコニウム含有量が100質量ppm以下、好ましくは10質量ppm以下、より好ましくは1質量ppm以下である、テトラターシャリブトキシハフニウム[Hf(C4H9O)4]、テトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5H7O2)4]、テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム[Hf(C5H11O2)4]、テトラターシャリアミルオキシハフニウム[Hf(C5H11O)4]、テトラキス(3−メチル−3−ペントキシ)ハフニウム[Hf(C6H13O)4]、またはテトラキス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5F6HO2)4]を得ることができる。必要に応じ、第1の工程を繰り返し行ってもよい。
第1の工程は、ハフニウムアミド錯体においてジルコニウム成分を精製除去することを目的とする工程である。ジルコニウム成分を1〜30,000質量ppm含有するハフニウムアミド錯体にカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加し、減圧蒸留を行う操作により、ハフニウムアミド錯体を主成分とする蒸留分中のジルコニウム濃度は、1/10〜9/10程度減少する。逆に、減圧蒸留後の底部残留物中のジルコニウム濃度は増加する。このことより、カルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を加えることにより、ハフニウムアミド錯体中のジルコニウム成分(ジルコニウムアミド錯体)を蒸気圧の低い不揮発性物質に変えていると推察される。
第1の工程において、ハフニウムアミド錯体は、一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示され(但し、R1及びR2はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わす。)、具体的には、テトラキスジエチルアミドハフニウム、テトラキスジメチルアミドハフニウムなどが挙げられる。さらに、カルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物は、一般式:A(OyXOnRf)mで示され(但し、Aは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。Xは、Aが水素原子又は酸素原子の場合、炭素原子又は硫黄原子を表わし、Aがハフニウム原子の場合、硫黄原子を表わす。Aが水素原子、Xが炭素原子の場合、mは1、nは1、yは1を表わす。Aが水素原子、Xが硫黄原子の場合、mは1、nは2、yは1を表わす。Aが酸素原子、Xが炭素原子の場合、mは2、nは1、yは0を表わす。Aが酸素原子、Xが硫黄原子の場合、mは2、nは2、yは0を表わす。Aがハフニウム原子の場合、mは4、nは2、yは1を表す。Aが水素原子又は酸素原子の場合、Rfは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数4〜12のヘテロアリール基を表わす。Aがハフニウム原子の場合、Rfは炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基を表わす。)、具体的には、酢酸、トリフルオロ酢酸、安息香酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、無水酢酸、トリフルオロ酢酸無水物、安息香酸無水物、メタンスルホン酸無水物、トリフルオロメタンスルホン酸無水物、ベンゼンスルホン酸無水物、ハフニウムトリフルオロメタンスルホナートなどが挙げられる。これらの中では安価で効果の大きいトリフルオロメタンスルホン酸が好ましい。
カルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物は、ハフニウムアミド錯体中のジルコニウム成分の1モルに対し、1〜100モルの範囲で加えることが好ましく、さらには、ハフニウムアミド錯体との副反応を抑制する観点から、5〜50モルの範囲で加えることがより好ましい。
次に、第2の工程は、第1の工程で得られる留分中のカルボニル成分又はスルホニル成分を除去することを目的とする工程である。第1の工程により得られる留分は、ハフニウムアミド錯体が主成分であり、且つ、ジルコニウム量が低減しているが、第1の工程で添加したカルボニル成分又はスルホニル成分が0.1〜4質量%程度混入している。
ハフニウムアミド錯体中のカルボニル成分又はスルホニル成分は、リチウムアルキルアミドを添加することによって、ペルフルオロアルキルスルホニルリチウム塩のような不揮発性の化合物へ変換される。次いで、減圧蒸留を行うという操作によって、ハフニウムアミド錯体を単離することにより、蒸留分中のカルボニル成分又はスルホニル成分濃度はイオンクロマト装置の検出下限以下である10質量ppm以下まで減少する。また、ハフニウムアミド錯体中のジルコニウム濃度はカルボニル成分又はスルホニル成分を除去する前後で殆ど変化はない。
また、リチウムアルキルアミドは、25℃で粉末固体であるが、固体としてハフニウムアミド錯体中に加えても、ジエチルエーテル等の有機溶媒等に溶かした状態でハフニウムアミド錯体に添加しても良い。その有機溶媒としては、ハフニウムアミド錯体の溶解性、反応性等を考慮して、ジエチルエーテル、ヘキサン、トルエン等が使用される。特に、入手が容易で安価なトルエンが好ましい。
ハフニウムアミド錯体にリチウムアルキルアミドを添加する際の温度は、−78〜200℃、好ましくは、0〜100℃で行う。200℃よりも高い温度で添加した場合、リチウムアルキルアミドが熱によって自己分解してしまう恐れがあり好ましくない。また、リチウムアルキルアミドを添加した後、瞬時に蒸留を行っても、攪拌機等により攪拌を行ってもよい。
第3の工程a中にはテトラターシャリブトキシハフニウム[Hf(C4H9O)4] とジアルキルアミン 、第3の工程b中にはテトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5H7O2)4] とジアルキルアミン、第3の工程c中にはテトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム[Hf(C5H11O2)4]とジアルキルアミン、第3の工程d中にはテトラターシャリアミルオキシハフニウム[Hf(C5H11O)4]とジアルキルアミン、第3の工程e中にはテトラキス(3−メチル−3−ペントキシ)ハフニウム[Hf(C6H13O)4]とジアルキルアミン、第3の工程f中にはテトラキス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5F6HO2)4]とジアルキルアミンが生成する。
第3の工程aにおいてハフニウムアミド錯体にターシャリブタノール(C4H10O)を添加、第3の工程bにおいてハフニウムアミド錯体にアセチルアセトン(C5H8O2)を添加、第3の工程cにおいてハフニウムアミド錯体に1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノール(C5H12O2)を添加、第3の工程dにおいてハフニウムアミド錯体にターシャリアミルアルコール(C5H12O)を添加、第3の工程eにおいてハフニウムアミド錯体に3−メチル−3−ペンタノール(C6H14O)を添加、第3の工程fにおいてハフニウムアミド錯体にヘキサフロオロアセチルアセトン(C5F6H2O2)を添加する際は、いずれも激しい発熱を伴うため、副反応を抑制する観点から反応温度は、−78〜100℃、好ましくは−78〜30℃で行う。また、反応を十分に完結させる観点から、第3の工程aにおいてターシャリブタノール(C4H10O)を、第3の工程bにおいてアセチルアセトン(C5H8O2)を、第3の工程cにおいて1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノール(C5H12O2)を、第3の工程dにおいてターシャリアミルアルコール(C5H12O)を、第3の工程eにおいて3−メチル−3−ペンタノール(C6H14O)を、第3の工程fにおいてヘキサフロオロアセチルアセトン(C5F6H2O2)を添加した後、いずれの場合も1〜3時間攪拌した後、減圧蒸留を行ったほうが好ましい。
尚、減圧蒸留後の底部残留物は2.0gであり、ジルコニウム濃度は30質量ppm、トリフルオロメタンスルホン酸イオン濃度は6.8質量%であった。
続いて、上記工程で得られた留分(テトラキスジエチルアミドハフニウム)30.0gを滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機の付いた500mLの5つ口ガラスフラスコに仕込み、0℃に冷却した後、ターシャリブタノール(C4H10O)(38.1g,514mmol)を滴下漏斗より、1時間かけて滴下した。滴下終了後、1時間攪拌しながら20℃まで昇温させた。この反応液を78℃、0.11kPaの条件下蒸留を行い、留分29.7gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラターシャリブトキシハフニウム[Hf(C4H9O)4]であり、留分中のジルコニウム濃度をICP発光装置により測定したところ、ジルコニウム濃度は19質量ppmであった。
また、仕込みのテトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(C2H5)2]4}(ジルコニウム濃度1000質量ppm)からの収率は42質量%であった。
続いて、上記工程で得られた留分(テトラキスジエチルアミドハフニウム)50.0gを滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機の付いた500mLの5つ口ガラスフラスコに仕込み、0℃に冷却した後、ターシャリブタノール(C4H10O)(63.5g,857mmol)を滴下漏斗より、1時間かけて滴下した。滴下終了後、1時間攪拌しながら20℃まで昇温させた。この反応液を78℃、0.11kPaの条件下蒸留を行い、留分49.3gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラターシャリブトキシハフニウム[Hf(C4H9O)4]であり、留分中のジルコニウム濃度をICP発光装置により測定したところ、ジルコニウム濃度は46質量ppmであった。
また、仕込みのテトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(C2H5)2]4}(ジルコニウム濃度1000質量ppm)からの収率は60質量%であった。
尚、減圧蒸留後の底部残留物は7.5gであり、ジルコニウム濃度は147質量ppm、トリフルオロメタンスルホン酸イオン濃度は16.7質量%であった。
尚、減圧蒸留後の底部残留物は0.7gであり、ジルコニウム濃度は147質量ppm、ベンゼンスルホン酸イオン濃度は3.6質量%であった。
尚、減圧蒸留後の底部残留物は1.1gであり、ジルコニウム濃度は117質量ppm、メタンスルホン酸イオン濃度は55.1質量%であった。
尚、減圧蒸留後の底部残留物は1.3gであり、ジルコニウム濃度は2.2質量ppm、トリフルオロメタンスルホン酸イオン濃度は13.2質量%であった。
尚、減圧蒸留後の底部残留物は1.7gであり、ジルコニウム濃度は30質量ppm、トリフルオロメタンスルホン酸イオン濃度は6.8質量%であった。
続いて、上記工程で得られた留分(テトラキスジエチルアミドハフニウム)20.0gを滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機の付いた500mLの5つ口ガラスフラスコに仕込み、0℃に冷却した後、アセチルアセトン(C5H8O2)(34.3g,343mmol)を滴下漏斗より、1時間かけて滴下した。滴下終了後、1時間攪拌しながら20℃まで昇温させた。この反応液を82℃、0.13Paの条件下蒸留を行い、留分23.4gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5H7O2)4]であり、留分中のジルコニウム濃度をICP発光装置により測定したところ、ジルコニウム濃度は16質量ppmであった。
また、仕込みのテトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(C2H5)2]4}(ジルコニウム濃度1000質量ppm)からの収率は39質量%であった。
尚、減圧蒸留後の底部残留物は5.5gであり、ジルコニウム濃度は30質量ppm、トリフルオロメタンスルホン酸イオン濃度は6.8質量%であった。
続いて、上記工程で得られた留分(テトラキスジエチルアミドハフニウム)70.0gを滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機の付いた500mLの5つ口ガラスフラスコに仕込み、0℃に冷却した後、1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノール(C5H12O2)(93.6g,900mmol)を滴下漏斗より、1時間かけて滴下した。滴下終了後、1時間攪拌しながら20℃まで昇温させた。この反応液を135℃、1.33Paの条件下蒸留を行い、留分84.2gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム[Hf(C5H11O2)4]であり、留分中のジルコニウム濃度をICP発光装置により測定したところ、ジルコニウム濃度は18質量ppmであった。
また、仕込みのテトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(C2H5)2]4}(ジルコニウム濃度1000質量ppm)からの収率は41質量%であった。
また、仕込みのテトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(C2H5)2]4}(ジルコニウム濃度1000質量ppm)からの収率は39質量%であった。
[比較例1]
トリフルオロメタンスルホン酸を添加しないこと以外は実施例1と同様の方法で行った。500mLの5つ口ガラスフラスコに滴下漏斗、還流冷却器、温度計及び攪拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコに、ジルコニウム濃度が1000質量ppmであるテトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(C2H5)2]4}(100.0g,214mmol)を仕込み、125℃、0.12kPaの条件下蒸留を行い、留分98gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(C2H5)2]4}であり、留分中のジルコニウム濃度をICP発光装置により測定したところ、ジルコニウム濃度は950質量ppmであった。
[比較例2]
500mLの5つ口ガラスフラスコに還流冷却器、温度計及び攪拌機を取り付け、内部を窒素置換した。このフラスコに、ジルコニウム濃度が1000質量ppmであるテトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(C2H5)2]4}(100.0g,214mmol)を仕込み、このフラスコにリチウムジエチルアミド[LiN(C2H5)2](1.5g,19mmol)を添加し、25℃で1時間攪拌した。次いでこの反応液を125℃、0.12kPaの条件下蒸留を行い、留分100.0gを得た。得られた留分は、1HNMRより、テトラキスジエチルアミドハフニウム{Hf[N(C2H5)2]4}であり、留分中のジルコニウム濃度は985質量ppmであった。
Claims (6)
- 一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示されるハフニウムアミド錯体に一般式:A(OyXOnRf)mで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第1の工程)、
第1の工程により得られる留分に一般式:Li(NR3R4)で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程(第2の工程)、
第2の工程により得られる留分にターシャリブタノール(C4H10O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程a)によるテトラターシャリブトキシハフニウム[Hf(C4H9O)4]の製造方法。
(式中において、R1及びR2はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わし、Aは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。
Xは、Aが水素原子又は酸素原子の場合、炭素原子又は硫黄原子を表わし、Aがハフニウム原子の場合、硫黄原子を表わす。Aが水素原子、Xが炭素原子の場合、mは1、nは1、yは1を表わす。Aが水素原子、Xが硫黄原子の場合、mは1、nは2、yは1を表わす。Aが酸素原子、Xが炭素原子の場合、mは2、nは1、yは0を表わす。Aが酸素原子、Xが硫黄原子の場合、mは2、nは2、yは0を表わす。Aがハフニウム原子の場合、mは4、nは2、yは1を表す。Aが水素原子又は酸素原子の場合、Rfは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数4〜12のヘテロアリール基を表わす。
Aがハフニウム原子の場合、Rfは炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基を表わす。R3及びR4はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わす。) - 一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示されるハフニウムアミド錯体に一般式:A(OyXOnRf)mで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第1の工程)、
第1の工程により得られる留分に一般式:Li(NR3R4)で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程(第2の工程)、
第2の工程により得られる留分にアセチルアセトン(C5H8O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程b)によるテトラキス(アセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5H7O2)4]の製造方法。
(式中において、R1及びR2はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わし、Aは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。
Xは、Aが水素原子又は酸素原子の場合、炭素原子又は硫黄原子を表わし、Aがハフニウム原子の場合、硫黄原子を表わす。Aが水素原子、Xが炭素原子の場合、mは1、nは1、yは1を表わす。Aが水素原子、Xが硫黄原子の場合、mは1、nは2、yは1を表わす。Aが酸素原子、Xが炭素原子の場合、mは2、nは1、yは0を表わす。Aが酸素原子、Xが硫黄原子の場合、mは2、nは2、yは0を表わす。Aがハフニウム原子の場合、mは4、nは2、yは1を表す。Aが水素原子又は酸素原子の場合、Rfは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数4〜12のヘテロアリール基を表わす。
Aがハフニウム原子の場合、Rfは炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基を表わす。R3及びR4はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わす。) - 一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示されるハフニウムアミド錯体に一般式:A(OyXOnRf)mで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第1の工程)、
第1の工程により得られる留分に一般式:Li(NR3R4)で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程(第2の工程)、
第2の工程により得られる留分に1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノール(C5H12O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程c)によるテトラキス(1−メトキシ−2−メチル−2−プロパノラト)ハフニウム[Hf(C5H11O2)4]の製造方法。
(式中において、R1及びR2はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わし、Aは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。
Xは、Aが水素原子又は酸素原子の場合、炭素原子又は硫黄原子を表わし、Aがハフニウム原子の場合、硫黄原子を表わす。Aが水素原子、Xが炭素原子の場合、mは1、nは1、yは1を表わす。Aが水素原子、Xが硫黄原子の場合、mは1、nは2、yは1を表わす。Aが酸素原子、Xが炭素原子の場合、mは2、nは1、yは0を表わす。Aが酸素原子、Xが硫黄原子の場合、mは2、nは2、yは0を表わす。Aがハフニウム原子の場合、mは4、nは2、yは1を表す。Aが水素原子又は酸素原子の場合、Rfは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数4〜12のヘテロアリール基を表わす。
Aがハフニウム原子の場合、Rfは炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基を表わす。R3及びR4はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わす。) - 一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示されるハフニウムアミド錯体に一般式:A(OyXOnRf)mで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第1の工程)、
第1の工程により得られる留分に一般式:Li(NR3R4)で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程(第2の工程)、
第2の工程により得られる留分にターシャリアミルアルコール(C5H12O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程d)によるテトラターシャリアミルオキシハフニウム[Hf(C5H11O)4]の製造方法。
(式中において、R1及びR2はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わし、Aは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。
Xは、Aが水素原子又は酸素原子の場合、炭素原子又は硫黄原子を表わし、Aがハフニウム原子の場合、硫黄原子を表わす。Aが水素原子、Xが炭素原子の場合、mは1、nは1、yは1を表わす。Aが水素原子、Xが硫黄原子の場合、mは1、nは2、yは1を表わす。Aが酸素原子、Xが炭素原子の場合、mは2、nは1、yは0を表わす。Aが酸素原子、Xが硫黄原子の場合、mは2、nは2、yは0を表わす。Aがハフニウム原子の場合、mは4、nは2、yは1を表す。Aが水素原子又は酸素原子の場合、Rfは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数4〜12のヘテロアリール基を表わす。
Aがハフニウム原子の場合、Rfは炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基を表わす。R3及びR4はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わす。) - 一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示されるハフニウムアミド錯体に一般式:A(OyXOnRf)mで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第1の工程)、
第1の工程により得られる留分に一般式:Li(NR3R4)で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程(第2の工程)、
第2の工程により得られる留分に3−メチル−3−ペンタノール(C6H14O)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程e)によるテトラキス(3−メチル−3−ペントキシ)ハフニウム[Hf(C6H13O)4]の製造方法。
(式中において、R1及びR2はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わし、Aは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。
Xは、Aが水素原子又は酸素原子の場合、炭素原子又は硫黄原子を表わし、Aがハフニウム原子の場合、硫黄原子を表わす。Aが水素原子、Xが炭素原子の場合、mは1、nは1、yは1を表わす。Aが水素原子、Xが硫黄原子の場合、mは1、nは2、yは1を表わす。Aが酸素原子、Xが炭素原子の場合、mは2、nは1、yは0を表わす。Aが酸素原子、Xが硫黄原子の場合、mは2、nは2、yは0を表わす。Aがハフニウム原子の場合、mは4、nは2、yは1を表す。Aが水素原子又は酸素原子の場合、Rfは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数4〜12のヘテロアリール基を表わす。
Aがハフニウム原子の場合、Rfは炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基を表わす。R3及びR4はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わす。) - 一般式:Hf[N(R1)(R2)]4で示されるハフニウムアミド錯体に一般式:A(OyXOnRf)mで示されるカルボニル基又はスルホニル基を含有する化合物を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第1の工程)、
第1の工程により得られる留分に一般式:Li(NR3R4)で示されるリチウムアルキルアミドを添加した後、減圧蒸留を行う工程(第2の工程)、
第2の工程により得られる留分にヘキサフロオロアセチルアセトン(C5F6H2O2)を添加した後、減圧蒸留を行う工程(第3の工程f)によるテトラキス(ヘキサフルオロアセチルアセトナト)ハフニウム[Hf(C5F6HO2)4]の製造方法。
(式中において、R1及びR2はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わし、Aは水素原子、酸素原子、又はハフニウム原子を表わす。
Xは、Aが水素原子又は酸素原子の場合、炭素原子又は硫黄原子を表わし、Aがハフニウム原子の場合、硫黄原子を表わす。Aが水素原子、Xが炭素原子の場合、mは1、nは1、yは1を表わす。Aが水素原子、Xが硫黄原子の場合、mは1、nは2、yは1を表わす。Aが酸素原子、Xが炭素原子の場合、mは2、nは1、yは0を表わす。Aが酸素原子、Xが硫黄原子の場合、mは2、nは2、yは0を表わす。Aがハフニウム原子の場合、mは4、nは2、yは1を表す。Aが水素原子又は酸素原子の場合、Rfは、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、炭素数4〜12のヘテロアリール基を表わす。
Aがハフニウム原子の場合、Rfは炭素数1〜12のペルフルオロアルキル基を表わす。R3及びR4はそれぞれ独立で、メチル基又はエチル基を表わす。)
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