JP5087588B2 - ガスセンサ - Google Patents
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Description
ここで、セラミック層(固体電解質層)はグリーンシートから形成され、図11に示すように、セラミック層241にスルーホール241h1を穿設した後、スルーホール241h1内周面に未焼成のスルーホール導体206を形成し、さらにスルーホール周縁にも未焼成の周縁導電部206Sを形成する。又、このセラミック層241に対向するセラミック層221にも同様にスルーホール221h1を穿設した後、スルーホール221h1内周面に未焼成のスルーホール導体226を形成し、さらにスルーホール周縁にも未焼成の周縁導電部226Sを形成する。
そして、各セラミック層221、241の周縁導体部206S,226Sが突き合わされるようにセラミック層221、241を積層することで、電気的な接続がされる。
又、延設導電部はセラミック層と成分が異なるため、延設導電部の面積が大きくなればなるほど、隣接するセラミック層同士の密着性が低下する場合がある。
このような構成とすると、第1導体のうち、第1接触導電部が第2導体との電気的接続を行うようになっている。従って、第1周縁導電部と第1接触導電部の間の第1リード部は、単に第1周縁導電部と第1接触導電部との間の導通を図ればよく、第1リード部を狭幅とすれば、第1導体全体を一定の幅とした場合に比べ、導電材料の使用量を削減できる。又、第1リード部を狭幅とすると、第1導体が形成されずに第1セラミック層が露出する面積が増えるので、対向する第2セラミック層との密着性が向上する。
さらに、焼成時に変形し易いスルーホールの第1周縁導電部から遠ざけた位置に、比較的大面積の第1接触導電部を設ければ、第2導体との電気的な接続信頼性も高くなる。
このような構成とすると、第1導体の相手材である第2導体も第2リード部が狭幅となり、第1導体と同様に、導電材料の使用量を削減し、又、第1セラミック層、第2セラミック層同士の密着性が向上する。
このような構成とすると、第1リード部、第2リード部をそれぞれ複数本設けたため、そのうち1本のリード部が断線しても、他のリード部が導通を保つため、電気的な接続信頼性がさらに高くなる。
このような構成とすると、第1接触導電部、第2接触導電部に用いる導電材料の量を同一としても、第1接触導電部、第2接触導電部の外形を大きくすることができるので、各セラミック層を積層する際に多少ずれが生じても、相手となる導体と第1接触導電部、第2接触導電部が確実に接することができる。
図1は、本発明の実施形態に係る酸素センサ(ガスセンサ)100を示す。この酸素センサ100は、自動車の排気管(図示しない)に取り付けられ、排ガス中の酸素濃度を検知するものである。本実施形態では、図1の下方(プロテクタ125側)を酸素センサ100の先端側とし、上方を基端側とする。
酸素センサ100は、ガス検出素子200、ガス検出素子200を内側に保持する筒状の主体金具103、主体金具103の先端側の所定部位に装着されたプロテクタ125、主体金具103の基端側の所定部位に接続された筒状の外筒131等から構成されている。
主体金具103は、SUS430等のステンレスからなり、ガスセンサ100を排気管に取り付けるための雄ネジ部105と、取り付け時に工具を係合させる六角係合部107とを外側に有する。また、主体金具103の内側には、径方向内側に向かって突出する内側段部109が設けられ、内側段部109は、ガス検出素子200を保持する有底円筒状の金属ホルダ111を外側から支持している。
そして、この金属ホルダ111の内側には、ガス検出素子200を所定の位置に配置するためのセラミックホルダ113と滑石充填層115とが先端側から順に配置されている。さらに滑石充填層115は、先端側から順に第1滑石充填層116、第2滑石充填層117の2層からなる。第2滑石充填層117の基端側には、アルミナ製の多段円筒状のスリーブ119が配置されている。そして、セラミックホルダ113、滑石充填層115及びスリーブ119の軸孔119hにガス検出素子200が内挿されている。主体金具103の基端には、スリーブ119の基端に被さるように加締部110が延びており、加締部110を内側に折り曲げることにより、ステンレス製のリング部材121を介して、スリーブ119が主体金具103の先端側に押圧され、セラミックホルダ113、滑石充填層115等によってガス検出素子200が締め付け保持されるようになっている。
そして、図2において、矢印Aは、第1固体電解質層211に形成された第2電極215aの接続部215cから、保護層241上に形成された第1電極パッド243に至る導通を図るためのスルーホールラインAを示す。同様に、矢印Bは、第1固体電解質層211に形成された第1電極213aの接続部213cから、保護層241上に形成された第2電極パッド244に至る導通を図るためのスルーホールラインBを示す。
又、矢印Cは、第2固体電解質層221に形成された第3電極223aの接続部223cから、保護層241上に形成された第3電極パッド245に至る導通を図るためのスルーホールラインCを示す。
上記した各電極パッド243〜245は、ガスセンサ本体側の接続端子金具139(図1参照)に接続される。
また、ガス検出素子200の長手方向において、第1電極213aから基端に向かってリード部213bと、略長円状をなす接続部213cとがこの順に一体に形成されている。又、ガス検出素子200の長手方向において、第2電極215aから基端に向かってリード部215bと、略長円状をなす接続部215cとがこの順に一体に形成されている。
このようにして、第2電極215aを基準電極とし、第1電極213aを検知電極として酸素濃度検出セル203が構成される。
そして、酸素濃度検出セル203の表面211a側には、アルミナを主体とする絶縁層231が積層されている。絶縁層231の先端側には矩形状のガス測定室231cが開口し、ガス測定室231c内に第1電極213aが露出するようになっている。又、ガス測定室231cの縁のうち、絶縁層231の長手方向に沿う両側端は、拡散律速部231gを備え、検出ガスが拡散律側部231gを介してガス測定室231cに出入するようになっている。
さらに、絶縁層231の基端側には、スルーホールラインBを貫くスルーホール231h2が穿設され、その内周面にスルーホール導体235dが形成されている。スルーホール導体235dは、それぞれ絶縁層231の表面231a及び裏面231bにあってスルーホール233dの周縁に形成された導電部235e、235fと一体形成されている。
導電部235e、235fは長手方向に延びる略長円状をなしている。
酸素ポンプセル205は、部分安定化ジルコニア焼結体からなる第2固体電解質層221と、それぞれ第2固体電解質層の表面221a、裏面221bの先端側に形成された第3電極223a、第4電極225aとを有する。
また、ガス検出素子200の長手方向において、第3電極223aから基端に向かってリード部223bと、略長円状をなす接続部223cとがこの順に一体に形成されている。又、ガス検出素子200の長手方向において、第4電極225aから基端に向かってリード部225bと、略長円状をなす接続部225cとがこの順に一体に形成されている。
一方、酸素ポンプセル205の表面221a側には、アルミナを主体とする保護層241が積層され、保護層241の先端側には矩形状の切抜き部に多孔質の電極保護部241eが配置されて第4電極部223aを覆っている。電極保護部241eは、第4電極部223aの被毒を抑制する。
このようにして、ガス測定室231内の酸素を第3電極223aと第4電極225aとによってポンピングするようになっている。
さらに、第2固体電解質層221の基端側には、スルーホールラインBを貫くスルーホール221h2が穿設され、その内周面にスルーホール導体227が形成されている。スルーホール導体227は、第2固体電解質層221の裏面221bの接続部225cと電気的に接続されていると共に、第2固体電解質層221の表面221aにあってスルーホール221h2の周縁に形成された導電部229と電気的に接続されている。導電部229は長手方向に延びる略長円状をなしている。
さらに、保護層241の基端側には、スルーホールラインBを貫くスルーホール241h2が穿設され、その内周面にスルーホール導体272が形成されている。スルーホール導体272は、それぞれ保護層241の表面241a及び裏面241bにあってスルーホール241h2の周縁に形成された第2電極パッド244、導電部248と電気的に接続されている。第2電極パッド244はスルーホール241h2より大きく長手方向に延びる矩形状をなし、導電部248は長手方向に延びる略長円状をなしている。
なお、第1電極パッド243が最も基端側に位置し、第2電極パッド244、第3電極パッド245は第1電極パッド243より先端側でかつ保護層241の長手方向に垂直にそれぞれ並んでいる。
導電ペーストとしては特に制限されないが、導電性と耐腐食性に優れたPt系のペーストが好ましく、又、Pt系ペースト等の高コストの材料を用いる場合に、特に本発明が有効となる。
保護層241、絶縁層231、セラミック層253、255としては、例えばアルミナ、チタニア、スピネル等の絶縁層が挙げられ、第1固体電解質層211、第2固体電解質層221としては、例えば、ジルコニアを含む固体電解質層が挙げられる。従って、後述するように、保護層241を第1セラミック(アルミナ)から構成して第1セラミック層とし、第2固体電解質層221を第2セラミック(ジルコニア)から構成して第2セラミック層とした場合、第1セラミックと第2セラミックとは異なる材料からなり、両者の密着性が低下する虞があるが、本発明を適用することで両層の密着性を向上させることができる。
又、それぞれスルーホール211h、221h1、241h1に形成されたスルーホール導体217、226、271は、各スルーホールの表裏面でスルーホールの周縁から外側に広がっている。そして、各スルーホール導体217、226、271につながる各導電部219、224、222、247は、各スルーホールの先端側にのみ形成されている。
一方、スルーホール231h1に形成されたスルーホール導電部233dは、スルーホール231h1先端側の前半分の側壁にのみ形成されている。そして、導体233fはスルーホール233dの内側へ向かって延び、導電部219に接続されており、また、導体233eは、スルーホール233dの反対側に向かって延び、導電部224に接続している。
又、第1電極パッド243は、スルーホール241h1の先端側にのみ形成されている。
具体的に、A1においては、保護層241が特許請求の範囲の「第1セラミック層」に相当し、第2固体電解質層221が「第2セラミック層」に相当し、スルーホール241h1が「第1スルーホール」に相当し、スルーホール221h1が「第2スルーホール」に相当し、スルーホール導体271が「第1スルーホール導体」に相当し、スルーホール導体226が「第2スルーホール導体」に相当し、導体247が「第1導体」に相当し、導体222が「第2導体」に相当する。
また、A2においては、第2固体電解質層221が特許請求の範囲の「第1セラミック層」に相当し、絶縁層231が「第2セラミック層」に相当し、スルーホール221h1が「第1スルーホール」に相当し、スルーホール231h1が「第2スルーホール」に相当し、スルーホール導体226が「第1スルーホール導体」に相当し、スルーホール導体233dが「第2スルーホール導体」に相当し、導体224が「第1導体」に相当し、導体233eが「第2導体」に相当する。
なお、電極パッド244は、スルーホール241h2の基端側にのみ形成されている。また、導電部235fは、接続部213cに接続している。
スルーホールラインBにおいて、本発明における「第1導体」と「第2導体」の組合せとして、導体248と導体229(図4のB1)、導体225cと導体235e(図4のB2)が相当する。
具体的に、B1においては、保護層241が特許請求の範囲の「第1セラミック層」に相当し、第2固体電解質層221が「第2セラミック層」に相当し、スルーホール241h2が「第1スルーホール」に相当し、スルーホール221h2が「第2スルーホール」に相当し、スルーホール導体272が「第1スルーホール導体」に相当し、スルーホール導体227が「第2スルーホール導体」に相当し、導体248が「第1導体」に相当し、導体229が「第2導体」に相当する。
また、B2においては、第2固体電解質層221が特許請求の範囲の「第1セラミック層」に相当し、絶縁層231が「第2セラミック層」に相当し、スルーホール221h2が「第1スルーホール」に相当し、スルーホール231h2が「第2スルーホール」に相当し、スルーホール導体227が「第1スルーホール導体」に相当し、スルーホール導体235dが「第2スルーホール導体」に相当し、導体225cが「第1導体」に相当し、導体235eが「第2導体」に相当する。
スルーホールラインCにおいて、本発明における「第1導体」と「第2導体」の組合せとして、導体249と接続部223c(図5のC1)が相当する。
具体的に、C1においては、保護層241が特許請求の範囲の「第1セラミック層」に相当し、第2固体電解質層221が本発明の「第2セラミック層」に相当し、スルーホール241h3が「第1スルーホール」に相当し、スルーホール導体273が「第1スルーホール導体」に相当し、導体249が「第1導体」に相当し、接続部223cが「第2導体」に相当する。
図6は、本発明の実施形態に係るガスセンサであって、上記スルーホールラインAの導体247と導体222の組合せ(図3のA1)を示す部分斜視図である。なお、A1の他、上記A2、B1、B2が図6の組合せと同様の形態を有し、以下、A1のみ詳細な説明を行い、A2、B1、B2については、省略する。
ここで、導体247の「幅」とは、第1周縁導電部247cの重心G2と第1接触導電部247aの重心G1とを結ぶ直線Lに垂直な方向wにおける幅をいう。そして、第1リード部247bは導体247のうち、最も狭幅である部分をいう。なお、導体247の長手方向は、保護層241の長手方向に一致しているが、これに限られない。又、「周縁導電部」とは、セラミック層上におけるスルーホールの周縁に設けられ、スルーホール内に設けられたスルーホール導体と接続される導体部分をいう。
このため、第1リード部247bを狭幅とすれば、導体247全体を一定の幅(図6の破線)とした場合に比べ、領域Sの部分の導電材料を不要とすることができ、導電材料の使用量を削減できる。又、領域Sで保護層241が露出しているので、対向する第2固体電解質層221との密着性が向上する。さらに、焼成時に変形し易いスルーホールの第1周縁導電部247cから遠ざけた位置に、第1周縁導電部247cよりも大きな面積の第1接触導電部247aを設けているので、導体222との電気的な接続信頼性も高くなる。
そして、導体222の第2接触導電部222aが、第1接触導電部247aとほぼ重なるようにして、両者が電気的に接続されている。なお、第2リード部222bを狭幅とすれば、導体222全体を一定の幅(図6の破線)とした場合に比べ、導電材料の使用量を削減できる。又、第2固体電解質層221が露出しているので、対向する保護層241との密着性が向上する。さらに、焼成時に変形し易いスルーホールの第2周縁導電部222cから遠ざけた位置に、第2周縁導電部222cよりも大きな面積の第2接触導電部222aを設けているので、導体247との電気的な接続信頼性も高くなる。
図7において、「第1導体」に相当する導体249は、導体247と同一の構成を有しており、スルーホール241h3の第1周縁導電部249cと、第1周縁導電部249cより狭幅の第1リード部249bと、第1リード部249bより広幅で円形の第1接触導電部249aをこの順に長手方向に一体に形成してなる。
一方、導体249に接続され、「第2導体」に相当する接続部223cは、均一幅の長尺状をなしている。そして、導体249の第1接触導電部249aが、接続部223cの所定位置に重なるようにして、両者が電気的に接続されている。
導体347のように、リード部を複数本設けた場合、そのうち1本のリード部が断線しても、他のリード部が導通を保つため、電気的な接続信頼性がさらに高くなる。なお、図8における変形例は、第1導体に限らず、第2導体についても適用できる。
導体447においては、第1接触導電部447aの内側の中心部分に導電材料が形成されていない円形領域Vが存在する。つまり、第1接触導通部447aは円環状に形成されている。このようにすると、第1接触導電部447aに用いる導電材料の量を同一としても、第1接触導電部447aの外形を大きくすることができるので、各セラミック層を積層する際に多少ずれが生じても、相手となる導体と第1接触導電部447aが確実に接することができる。なお、図9における変形例は、第1導体に限らず、第2導体についても適用できる。
なお、本発明において、第1接触導電部及び/又は第2接触導電部が「環状形状」を有するというとき、環は円環に限られず、例えば、矩形状、多角形、楕円、不定形等の外形を有する環であってもよい。
なお、最も狭幅な部分をリード部と定義するため(図10の破線部分)、長円状の導体547の場合、第1周縁導電部547cと第1接触導電部547aとは、いずれも矩形と円とを結合した形状をなしている。
導体547のように、リード部を複数本設けた場合、そのうち1本のリード部が断線しても、他のリード部が導通を保つため、電気的な接続信頼性がさらに高くなる。又、導体547の場合、全体の外形が長円状であり、亜鈴状に比べて形状が単純であるため、導体をペースト印刷する際の印刷が容易となると共に、外形に突出部等がないため、導体の断線や破損等も少なくなる。なお、図10における変形例は第1導体に限らず、第2導体についても適用できる。
200 ガス検出素子
211、221、231、241 セラミック層
241 保護層
221 第2固体電解質層
211h、221h1、221h2、231h1、231h2、241h1、241h
2、241h3 スルーホール
222、223c 第2導体
247 第1導体
247a (第1導体の)第1接触導電部
247b (第1導体の)第1リード部
247c (第1導体の)第1周縁導電部
Claims (6)
- 複数のセラミック層が積層され、先端側に検出部が形成された長手方向に延びる板状のガス検出素子を備えたガスセンサであって、
前記複数のセラミック層のうち、第1スルーホールが形成された第1セラミック層の面上に、第1スルーホール導体と電気的に接続するように該第1スルーホールの周縁に設けられた第1周縁導電部と、該第1周縁導電部より狭幅の第1リード部と、該第1リード部より広幅の第1接触導電部とをこの順に長手方向に一体に形成してなる第1導体が形成され、
前記複数のセラミック層のうち、前記第1導体に対向する第2セラミック層の面上には、少なくとも前記第1接触導電部と電気的に接続する第2導体が形成されているガスセンサ。 - 前記第2セラミック層には、前記第1スルーホールと連結する第2スルーホールが形成され、前記第2導体は、第2スルーホール導体と電気的に接続するように該第2スルーホールの周縁に設けられた第2周縁導電部と、該第2周縁導電部より狭幅の第2リード部と、該第2リード部より広幅の第2接触導電部とをこの順に長手方向に一体に形成してなり、少なくとも前記第1接触導電部と前記第2接触導電部とが電気的に接続されている請求項1記載のガスセンサ。
- 前記第1リード部及び/又は前記第2リード部は、その長手方向に2本以上延びる請求項1又は2記載のガスセンサ。
- 前記第1接触導電部及び/又は前記第2接触導電部は、環状形状を有する請求項1〜3のいずれかに記載のガスセンサ。
- 前記第1接触導電部の面積は、前記第1周縁導電部の面積よりも大きい、及び/又は前記第2接触導電部の面積は、前記第2周縁導電部の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のガスセンサ。
- 前記第1セラミック層の主成分である第1セラミックと、前記第2セラミック層の主成分である第2セラミックとは異なる材料であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のガスセンサ。
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