JP5082687B2 - トランスファーモールド型パワーモジュール - Google Patents
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Description
1−1、2−1 外部表出側端部
1−2、2−2 素子側接続端部
3 封止樹脂
4 パワーモジュール基板
5 パワー半導体素子
6 ヒートプレート
8 封止樹脂漏出阻止部
8−1 張出し顎部
8−2 段部状顎部
8−3 樹脂板
8−4 絶縁体リング
11 上側成形型
11a 嵌合部
12 下側成形型
13 キャビティー
Claims (6)
- セラミック等の絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に接合されるパワー半導体素子と、該パワー半導体素子に対して一端側の素子側接続端部が前記パワーモジュール基板の前記一方の面上に形成された導体層を介して電気的に導通する少なくとも一対の外部接続端子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板のヒートプレートとを有し、前記外部接続端子の他端側の外部表出側端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記外部接続端子の前記素子側接続端部及び前記ヒートプレートを共に樹脂成形することにより封止して構成するトランスファーモールド型パワーモジュールであって、前記外部接続端子の前記素子側接続端部が前記パワーモジュール基板に接続設置されており、且つ、前記外部接続端子を直状に形成してそれぞれ前記パワーモジュール基板面に対して交叉する方向に起立設置すると共に、前記外部接続端子の前記素子側接続端部と外部表出側端部との境界部に、前記封止樹脂成形時に当該封止樹脂が前記外部表出側端部側に漏出するのを防止する封止樹脂漏出阻止部を設けていて、該封止樹脂漏出阻止部が、前記外部接続端子における前記境界部を一体に張出することにより形成した張出し顎部により構成したことを特徴とするトランスファーモールド型パワーモジュール。
- セラミック等の絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に接合されるパワー半導体素子と、該パワー半導体素子に対して一端側の素子側接続端部が前記パワーモジュール基板の前記一方の面上に形成された導体層を介して電気的に導通する少なくとも一対の外部接続端子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板のヒートプレートとを有し、前記外部接続端子の他端側の外部表出側端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記外部接続端子の前記素子側接続端部及び前記ヒートプレートを共に樹脂成形することにより封止して構成するトランスファーモールド型パワーモジュールであって、前記外部接続端子の前記素子側接続端部が前記パワーモジュール基板に接続設置されており、且つ、前記外部接続端子を直状に形成してそれぞれ前記パワーモジュール基板面に対して交叉する方向に起立設置すると共に、前記外部接続端子の前記素子側接続端部と外部表出側端部との境界部に、前記封止樹脂成形時に当該封止樹脂が前記外部表出側端部側に漏出するのを防止する封止樹脂漏出阻止部を設けていて、該封止樹脂漏出阻止部が、前記外部接続端子における素子側接続端部を太形状に成形することにより形成された段部状顎部により構成したことを特徴とするトランスファーモールド型パワーモジュール。
- セラミック等の絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に接合されるパワー半導体素子と、該パワー半導体素子に対して一端側の素子側接続端部が前記パワーモジュール基板の前記一方の面上に形成された導体層を介して電気的に導通する少なくとも一対の外部接続端子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板のヒートプレートとを有し、前記外部接続端子の他端側の外部表出側端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記外部接続端子の前記素子側接続端部及び前記ヒートプレートを共に樹脂成形することにより封止して構成するトランスファーモールド型パワーモジュールであって、前記外部接続端子の前記素子側接続端部が前記パワーモジュール基板に接続設置されており、且つ、前記外部接続端子を直状に形成してそれぞれ前記パワーモジュール基板面に対して交叉する方向に起立設置すると共に、前記外部接続端子の前記素子側接続端部と外部表出側端部との境界部に、前記封止樹脂成形時に当該封止樹脂が前記外部表出側端部側に漏出するのを防止する封止樹脂漏出阻止部を設けていて、該封止樹脂漏出阻止部が、前記外部接続端子の前記境界部に位置するように別体の樹脂板または基板を設置して前記外部接続端子同士を連結して構成したことを特徴とするトランスファーモールド型パワーモジュール。
- セラミック等の絶縁板からなるパワーモジュール基板と、該パワーモジュール基板の一方の面上に接合されるパワー半導体素子と、該パワー半導体素子に対して一端側の素子側接続端部が前記パワーモジュール基板の前記一方の面上に形成された導体層を介して電気的に導通する少なくとも一対の外部接続端子と、一面側が前記パワーモジュール基板の他方の面に接合配設される金属板のヒートプレートとを有し、前記外部接続端子の他端側の外部表出側端部及び前記ヒートプレートの他面側をそれぞれ表出させた状態で、前記パワーモジュール基板、前記パワー半導体素子、前記外部接続端子の前記素子側接続端部及び前記ヒートプレートを共に樹脂成形することにより封止して構成するトランスファーモールド型パワーモジュールであって、前記外部接続端子の前記素子側接続端部が前記パワーモジュール基板に接続設置されており、且つ、前記外部接続端子を直状に形成してそれぞれ前記パワーモジュール基板面に対して交叉する方向に起立設置すると共に、前記外部接続端子の前記素子側接続端部と外部表出側端部との境界部に、前記封止樹脂成形時に当該封止樹脂が前記外部表出側端部側に漏出するのを防止する封止樹脂漏出阻止部を設けていて、該封止樹脂漏出阻止部が、前記外部接続端子の前記境界部に一体に張出し形成した張出し顎部と、該張出し顎部上に位置させて前記外部接続端子同士を連結する別体の樹脂板とで構成したことを特徴とするトランスファーモールド型パワーモジュール。
- 前記樹脂板上に他の電子素子を実装したことを特徴とする請求項3又は請求項4に記載のトランスファーモールド型パワーモジュール。
- 前記樹脂板は、前記外部接続端子にインサート成形により設置したことを特徴とする請求項3乃至請求項5のいずれか一に記載のトランスファーモールド型パワーモジュール。
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