JP5077026B2 - レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 - Google Patents
レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5077026B2 JP5077026B2 JP2008096629A JP2008096629A JP5077026B2 JP 5077026 B2 JP5077026 B2 JP 5077026B2 JP 2008096629 A JP2008096629 A JP 2008096629A JP 2008096629 A JP2008096629 A JP 2008096629A JP 5077026 B2 JP5077026 B2 JP 5077026B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- resist underlayer
- underlayer film
- composition
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
本発明は、ビアもしくはトレンチへの埋め込み、更には、ビア及びトレンチのうちの少なくともトレンチへの埋め込みに好適であり、所望のパターンに基づいた形成が容易であり、エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を与えるレジスト下層膜形成用組成物及びこの組成物を用いて、デュアルダマシン構造を効率よく形成する方法を提供することを目的とする。
[2]前記(A)重合体が、下記一般式(1)〜(4)で表される構造単位の群から選択される少なくとも1種を含む上記[1]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[3]更に、(D)酸発生剤を含有する上記[2]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[4]更に、(E)架橋剤を含有する上記[3]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[5]前記架橋剤(E)が、下記一般式(5)で表される化合物、及び、下記一般式(6)で表される化合物のうちの少なくとも一方である上記[4]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[6]前記界面活性剤(B)が非イオン性である上記[1]乃至[5]のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[7]前記界面活性剤(B)が、エチレンオキサイド部を含む化合物、アセチレンアルコール化合物、及び、アセチレングリコール化合物から選ばれる少なくとも1種である上記[6]に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
[8]ビアもしくはトレンチパターンが形成された低誘電絶縁膜を有する基板上に、上記[1]乃至[5]のいずれかに記載のレジスト下層膜用組成物を塗布し、レジスト下層膜を形成する工程と、前記レジスト下層膜上に配置され、レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとして用いて、前記フォトレジスト膜の前記レジストパターンをエッチングにより前記レジスト下層膜に転写する工程と、前記フォトレジスト膜の前記レジストパターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクとして用いて、前記レジスト下層膜の下に配置された低誘電絶縁膜に前記レジスト下層膜の前記レジストパターンを転写する工程と、前記低誘電絶縁膜に前記レジスト下層膜の前記レジストパターンを転写した後、前記レジスト下層膜を除去する工程と、を備えることを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。
[1]レジスト下層膜形成用組成物
本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、ビアもしくはトレンチへの埋め込み、更には、ビア及びトレンチのうちの少なくともトレンチへの埋め込みに使用される組成物であって、(A)アリール基を有する重合体(以下、「重合体(A)」という。)、(B)アセチレン基を有する界面活性剤(以下、「界面活性剤(B)」という。)、及び、(C)溶剤(以下、「溶剤(C)」という。)を含有することを特徴とする。
上記重合体(A)は、上記構造単位の1種のみからなる重合体であってよいし、2種以上からなる重合体であってよいし、更には、1種又は2種以上と、他の構造単位とからなる重合体であってもよい。
上記構造単位(1)を有する重合体は、加熱又は露光により、分子鎖間で架橋を形成する特性を有する。
これらのアセナフチレン類は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
これらのアセナフチレン類は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記一般式(3)において、nは0又は1である。
これらの芳香族ビニル系化合物は、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記界面活性剤(B)は、好ましくは、下記一般式(7)で示される化合物である。
エチレンオキサイド部を含む化合物は、上記一般式(7)において、R11が、R−(O−CH2CH2)m−であり、且つ、mが1〜50の整数である場合の化合物である。R14は、特に限定されないが、好ましくは、上記(8)で表される有機基であって、且つ、R15、R16及びR17が、それぞれ、R12、R13及びR11と同一の基とするものである。
アセチレンアルコール化合物は、上記一般式(7)において、R11が、水素原子である場合の化合物である。R14は、特に限定されないが、R17が、水素原子である場合には、アセチレングリコール化合物となる。
本発明のレジスト下層膜形成用組成物が、酸発生剤(D)を含有することにより、常温を含む比較的低温域において、重合体(A)の分子鎖間に架橋構造を効率よく形成することができる。
上記酸発生剤(D)は、光酸発生剤及び熱酸発生剤を組み合わせて用いることもできる。
上記架橋剤(E)としては、グリコールウリル骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物、多核フェノール、ジイソシアナート化合物、エポキシ化合物、グアナミン化合物等が挙げられる。これらは、1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができる。また、上記のうち、グリコールウリル骨格を有する化合物、及び、トリアジン骨格を有する化合物が好ましい。
上記放射線吸収剤を用いるときの含有量は、レジスト下層膜形成用組成物の固形分100質量部に対し、通常、100質量部以下、好ましくは50質量部以下である。
本発明のデュアルダマシン構造の形成方法は、ビアもしくはトレンチパターンが形成された低誘電絶縁膜を有する基板上に、上記本発明のレジスト下層膜用組成物を塗布し、レジスト下層膜を形成する工程(図5参照)と、前記レジスト下層膜上に配置され、レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとして用いて、前記フォトレジスト膜の前記レジストパターンをエッチングにより前記レジスト下層膜に転写する工程(図6参照)と、前記フォトレジスト膜の前記レジストパターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクとして用いて、前記レジスト下層膜の下に配置された低誘電絶縁膜に前記レジスト下層膜の前記レジストパターンを転写する工程(後述の低誘電絶縁層除去工程、図7参照)と、前記低誘電絶縁膜に前記レジスト下層膜の前記レジストパターンを転写した後、前記レジスト下層膜を除去する工程(図8参照)と、を備えることを特徴とする。更に、この工程により形成されたトレンチに配線材料を充填することにより、デュアルダマシン構造を得ることができる。
上記積層基板は、図1〜図3に例示される。図1の積層基板2は、図4で示された基板(複合型基板)1と、この基板1における下層配線部41の表面の少なくとも一部が露出するように、露出部の上方(51、52)を開孔させてなる低誘電絶縁層15とを備える。但し、開孔部の少なくとも1つは、トレンチである。孔部51及び孔部52は、同一形状及び同一サイズであるビア又はトレンチであってよいし、異なる形状のビア又はトレンチであってもよい。更には、孔部51がビアであり、孔部52がトレンチであってもよい。ビア及びトレンチの形状及び大きさは、特に限定されない。
図2の積層基板2’は、基板(複合型基板)1と、この基板1における下層配線部41の表面の少なくとも一部が露出するように、露出部の上方(51、52)を開孔させてなる第2低誘電絶縁層14a、第3低誘電絶縁層16a等とを備える。図2の積層基板2においては、第2低誘電絶縁層14a及び第3低誘電絶縁層16aの間にエッチングストッパー膜71aを備える。
また、図3の積層基板2"は、図2の積層基板2’における第3低誘電絶縁層16aの表面にエッチングストッパー膜75aを備えるものである。
以下、本発明のデュアルダマシン構造の形成方法における塗布工程以降の工程を、孔部51をビアとし、孔部52をトレンチとした積層基板2"(図3)に基づいて説明する。
この低誘電絶縁層工程においては、反応性イオンエッチング等の方法を適用することができ、上記エッチングストッパー膜75aの有無に関わらず、図6における組成物充填部64の一部を残存させ、トレンチ53が形成されるように、除去条件が選択される。
このレジスト下層膜除去工程においては、プラズマアッシング等の方法を適用することができ、図7におけるレジスト下層膜62及び組成物充填部65が除去されて、下層配線部41の上側表面が露出し、図8の構造を得る。図8は、基板(複合型基板)1と、この基板1の表面に配され、基板1における下層配線部41の上側表面に、図7における組成物充填部65が除去されてなる孔部51を有する第2低誘電絶縁層14aと、この孔部(ビア)51よりも広い開口領域を有するトレンチ53と、第2低誘電絶縁層14a及び第3低誘電絶縁層16aの間に配されたエッチングストッパー膜71aとを備える概略断面図である。
上記配線材料充填工程においては、通常、スパッタリング、メッキ等が行われ、図8に示される孔部51及びトレンチ53が、銅等の配線材料で満たされる(図9参照)。図9は、配線材料充填工程が行われた結果、配線材料層43が形成された構造の一例であり、上記の孔部51及びトレンチ53が、配線材料で満たされており、配線材料層43が、エッチングストッパー膜75aの表面の一部又は全てを被覆したことを示す。
尚、上記のように、配線材料充填工程を行う前に、図8に示される、孔部51の内表面、及び、トレンチ53の内表面に、バリアメタル膜(33,35)を形成した場合には、図11に示すようなデュアルダマシン構造を有する基板8’を得ることができる。
また、以下に示される重合体(A−1)、(A−2)、(A−3)等の重量平均分子量(Mw)は、東ソー社製のGPCカラム(「TSK−GEL G2000HXL:2本、G3000HXL:1本)を連結して用い、流量:1.0ml/分、溶出溶剤:テトラヒドロフラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ(検出器:示差屈折計)により測定した。
合成例1[重合体(A−1)の合成]
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素雰囲気下で、アセナフチレン8部、5−ヒドロキシメチルアセナフチレン4部、酢酸n−ブチル50部及びアゾビスイソブチロニトリル4部を仕込み、攪拌しつつ80℃で7時間重合した。その後、反応溶液を酢酸n−ブチル100部で希釈し、多量の水/メタノール(質量比=1/2)混合溶媒で有機層を洗浄した。次いで、溶媒を留去して、Mwが1,000の重合体(A−1)を得た。
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素雰囲気下で、アセナフチレン7部、ビニルベンジルアルコール3部、1−メトキシ−2−プロパノール60部及び2,2−アゾビスイソ酪酸ジメチル2部を仕込み、攪拌しつつ80℃で4時間重合した。その後、反応溶液を酢酸n−ブチル100部で希釈し、多量の水/メタノール(質量比=1/2)混合溶媒で有機層を洗浄した。次いで、溶媒を留去して、Mwが1,500の重合体(A−2)を得た。
温度計を備えたセパラブルフラスコに、窒素雰囲気下で、2,7−ジヒドロキシナフタレン100部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100部及びパラホルムアルデヒド50部を仕込んだ。その後、蓚酸2部を添加し、脱水しながら120℃に昇温し、5時間反応させ、Mwが1,500の重合体(A−3)を得た。
実施例1
上記重合体(A−1)10部と、界面活性剤(B)であるエアープロダクツ社製「サーフィノール465」(商品名、表1中「B−1」と示す)0.001部と、酸発生剤(D)であるビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート(D−1)0.5部と、架橋剤(E)であるテトラブトキシメチルグリコールウリル(E−1、下記に構造を示す)0.5部とを、溶剤(C)である酢酸n−ブチル(C−1)89部に溶解し、混合溶液を得た。その後、この混合溶液を、孔径0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、得られた濾液をレジスト下層膜形成用組成物とした。
得られたレジスト下層膜形成用組成物を、サイズ100nm、ピッチ1H/1.2S及び深さ1,000nmのビア、並びに、サイズ200nm、ピッチ1L/1S及び深さ1,000nmのトレンチラインが形成されたテトラエチルオルソシリケート(TEOS)の基板上に、スピンコートし、以下の方法により、ビア及びトレンチへの埋め込み性を評価した。
上記レジスト下層膜形成用組成物をスピンコートした後、塗膜付き基板を200℃で60秒間加熱した。これにより、TEOS基板の表面上に、膜厚300nmのレジスト下層膜を形成した。作製したレジスト下層膜について、ビア及びトレンチへの組成物の埋め込み状態を、走査型電子顕微鏡により観察した。組成物が、ビア及びトレンチに充填されていた場合(埋め込まれていた場合)を良好(「○」)とし、埋め込まれていなかった場合を不良(「×」)と判定した。
表1に示す配合処方とした以外は、実施例1と同様にして、レジスト下層膜形成用組成物を調製し、評価を行った。尚、表1中の「B−2」は、JSR社製「ダイナフロー」(商品名)、「C−2」は1−メトキシ−2−アセトキシプロパン、「E−2」は、n−ブチルエーテル化ヘキサメチロールメラミン、「E−3」テトラメトキシメチルグリコールウリル、「E−4」はメチロール化ヘキサメチロールメラミンである。
表1に示す配合処方とした以外は、実施例1と同様にして、レジスト下層膜形成用組成物を調製し、各種評価を行った。尚、表1中の「B−3」は、大日本インキ社製「メガファックR−08」(商品名)、「B−4」は、旭硝子社製「サーフロンSC−103」(商品名)である。
実施例1〜15及び比較例1〜9の各レジスト下層膜上に、3層レジストプロセス用中間層形成組成物溶液(商品名「NFC SOG302」、JSR社製)をスピンコートし、200℃のホットプレート上で60秒間加熱し、引き続き、300℃のホットプレート上で60秒間加熱して、膜厚0.05μmの中間層被膜を形成した。その後、中間層被膜上に、上記ArF用レジスト組成物をスピンコートし、130℃のホットプレート上で90秒間プレベークして、膜厚0.2μmのレジスト被膜を形成した。次いで、ArFエキシマレーザー露光装置(NIKON社製、レンズ開口数:0.78、露光波長:193nm)を用い、マスクパターンを介して、最適露光時間だけ露光した。その後、130℃のホットプレート上で90秒間ポストベークした後、濃度2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、25℃で1分間現像した。そして、水洗及び乾燥して、ArF用ポジ型レジストパターンを得た。このレジストパターンをマスクとし、中間被膜を加工した。次いで、加工した中間被膜をマスクとして、レジスト下層膜の加工を行った。その後、加工したレジスト下層膜をマスクとして、基板の加工を行った。
上記のようにして形成されたパターンを走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、実施例1〜15はいずれもパターン形状に不良は見当たらなかった。しかし、トレンチラインの埋め込み性が不良であった比較例1〜9では、パターンが倒れる、パターンが曲がる等の不良現象が観察された。
実施例1〜15及び比較例1〜9の各レジスト下層膜に対し、エッチング装置(型式名「EXAM」、神鋼精機社製)を使用して、CF4/Ar/O2(CF4:40mL/min、Ar:20mL/min、O2:5mL/min;圧力:20Pa;RFパワー:200W;処理時間:40秒;温度:15℃)でエッチング処理した。エッチング処理前後の膜厚を測定して、エッチングレートを算出し、エッチング耐性を評価したところ、実施例1〜15及び比較例1〜9のすべてにおいて、エッチングレートが150nm/min以下と良好であった。
実施例1〜15及び比較例1〜9の各レジスト下層膜の剥離容易性を評価するため、上記ポジ型レジストパターンの形成に用いたレジスト下層膜のフッ化処理後の剥離性を以下の方法により評価した。スピンコート法によりレジスト下層膜を形成し、上記エッチング装置を用いて、CF4(CF4:100mL/min;圧力:30Pa;RFパワー:200W;処理時間:60秒;温度:15℃)でレジスト下層膜をフッ化処理し、その後、剥離処理としてアッシングによる剥離処理を行った。アッシング剥離性は、フッ化処理後の基板をNH3プラズマアッシング条件(圧力:0.1Torr、高周波電力:550W、NH3=150sccm、基板温度:20℃)でのアッシング処理前後のレジスト下層膜の膜厚を測定したところ、実施例1〜15及び比較例1〜9のすべてにおいて、剥離処理後5分未満に膜厚が0nmとなり、良好な剥離性を示した。
11:基層
12:第1低誘電絶縁層
12a:第1低誘電絶縁層
14:第2低誘電絶縁層
14a:第2低誘電絶縁層
15:低誘電絶縁層
16:第3低誘電絶縁層
16a:第3低誘電絶縁層
16b:第3低誘電絶縁層
2、2’及び2":積層基板
31:バリアメタル層
33:バリアメタル層
35:バリアメタル層
41:下層配線部
43:配線材料層
45:接続配線部
47:上層配線部
51:孔部(ビア又はトレンチ)
52:孔部(ビア又はトレンチ)
53:トレンチ
6:レジスト下層膜
62:レジスト下層膜
64:組成物充填部
65:組成物充填部
71a:エッチングストッパー膜
75a:エッチングストッパー膜
8及び8’:デュアルダマシン構造を有する基板
9:フォトレジスト膜
Claims (8)
- ビアもしくはトレンチへの埋め込みに使用されるレジスト下層膜形成用組成物であって、(A)アリール基を有する重合体、(B)アセチレン基を有する界面活性剤、及び、(C)溶剤を含有することを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記(A)重合体が、下記一般式(1)〜(4)で表される構造単位の群から選択される少なくとも1種を含む請求項1に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 更に、(D)酸発生剤を含有する請求項2に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 更に、(E)架橋剤を含有する請求項3に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記界面活性剤(B)が非イオン性である請求項1乃至5のいずれかに記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 前記界面活性剤(B)が、エチレンオキサイド部を含む化合物、アセチレンアルコール化合物、及び、アセチレングリコール化合物から選ばれる少なくとも1種である請求項6に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- ビアもしくはトレンチパターンが形成された低誘電絶縁膜を有する基板上に、請求項1〜7のいずれかに記載のレジスト下層膜用組成物を塗布し、レジスト下層膜を形成する工程と、
前記レジスト下層膜上に配置され、レジストパターンが形成されたフォトレジスト膜をマスクとして用いて、前記フォトレジスト膜の前記レジストパターンをエッチングにより前記レジスト下層膜に転写する工程と、
前記フォトレジスト膜の前記レジストパターンが転写された前記レジスト下層膜をマスクとして用いて、前記レジスト下層膜の下に配置された低誘電絶縁膜に前記レジスト下層膜の前記レジストパターンを転写する工程と、
前記低誘電絶縁膜に前記レジスト下層膜の前記レジストパターンを転写した後、前記レジスト下層膜を除去する工程と、
を備えることを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008096629A JP5077026B2 (ja) | 2008-04-02 | 2008-04-02 | レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008096629A JP5077026B2 (ja) | 2008-04-02 | 2008-04-02 | レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009251130A JP2009251130A (ja) | 2009-10-29 |
JP5077026B2 true JP5077026B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=41311942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008096629A Active JP5077026B2 (ja) | 2008-04-02 | 2008-04-02 | レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5077026B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012117948A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法及びレジスト下層膜 |
JP6146305B2 (ja) * | 2011-10-12 | 2017-06-14 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
KR20150097516A (ko) * | 2012-12-18 | 2015-08-26 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 다환방향족 비닐화합물을 포함하는 자기조직화막의 하층막 형성조성물 |
US9324604B2 (en) * | 2014-07-04 | 2016-04-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Gap-fill methods |
TWI592760B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-07-21 | 羅門哈斯電子材料韓國有限公司 | 與經外塗佈之光致抗蝕劑一起使用之塗層組合物 |
JP2016161886A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | Jsr株式会社 | 下層膜形成用組成物、下層膜の形成方法及び自己組織化リソグラフィープロセス |
WO2016208518A1 (ja) * | 2015-06-22 | 2016-12-29 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法 |
CN115058175A (zh) * | 2015-08-31 | 2022-09-16 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | 与外涂布光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物 |
KR102180026B1 (ko) * | 2016-03-30 | 2020-11-17 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 글리콜우릴 골격을 갖는 화합물을 첨가제로서 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 |
KR102003345B1 (ko) * | 2017-04-28 | 2019-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법 |
JP6981945B2 (ja) | 2018-09-13 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3463682B2 (ja) * | 1996-04-24 | 2003-11-05 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4292910B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2009-07-08 | Jsr株式会社 | アセナフチレン誘導体、重合体および反射防止膜形成組成物 |
US6641986B1 (en) * | 2002-08-12 | 2003-11-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol surfactant solutions and methods of using same |
JP4419554B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2010-02-24 | Jsr株式会社 | 反射防止膜形成組成物および反射防止膜 |
JP4638378B2 (ja) * | 2005-06-07 | 2011-02-23 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法 |
TWI414893B (zh) * | 2006-03-14 | 2013-11-11 | Jsr Corp | 底層膜形成用組成物及圖型之形成方法 |
JP2007298633A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Jsr Corp | 反射防止膜形成用組成物、積層体およびレジストパターンの形成方法 |
JP4910168B2 (ja) * | 2006-09-07 | 2012-04-04 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
-
2008
- 2008-04-02 JP JP2008096629A patent/JP5077026B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009251130A (ja) | 2009-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5077026B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びそれを用いたデュアルダマシン構造の形成方法 | |
JP5177137B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物 | |
JP4288776B2 (ja) | 反射防止膜形成組成物 | |
JP5051133B2 (ja) | レジスト下層膜形成方法及びそれに用いるレジスト下層膜用組成物並びにパターン形成方法 | |
JP5257009B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 | |
JP5195478B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 | |
JP4134760B2 (ja) | 反射防止膜形成組成物および反射防止膜 | |
JP3852107B2 (ja) | 反射防止膜形成組成物 | |
JP4292910B2 (ja) | アセナフチレン誘導体、重合体および反射防止膜形成組成物 | |
TWI361956B (en) | Anti-reflective coating-forming composition containing sulfur atom for lithography | |
WO2006049045A1 (ja) | スルホン酸エステルを含有するリソグラフィー用反射防止膜形成組成物 | |
JP5229044B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターン形成方法 | |
JP4892670B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物 | |
KR101668113B1 (ko) | 하층막 형성 조성물 | |
JP4639915B2 (ja) | レジスト下層膜用組成物 | |
JP5177132B2 (ja) | レジスト下層膜用組成物及びデュアルダマシン構造の形成方法 | |
JP4729803B2 (ja) | 多層レジストプロセス用下層膜形成組成物 | |
JP5251433B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP2010015112A (ja) | 多層レジストプロセス用下層膜形成組成物 | |
JPWO2007046453A1 (ja) | ビニルナフタレン誘導体の重合体、反射防止膜形成組成物及び反射防止膜 | |
JP4433933B2 (ja) | 感放射線性組成物およびハードマスク形成材料 | |
JP5229025B2 (ja) | パターン形成方法及び平坦化膜形成用組成物 | |
JP5012798B2 (ja) | 下層膜形成用組成物及びデュアルダマシン構造の形成方法 | |
JP4134759B2 (ja) | 反射防止膜形成組成物および反射防止膜 | |
JP2011180425A (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110127 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120813 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5077026 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |