JP5076051B2 - 電磁波検出素子およびそれを用いた電磁波検出装置 - Google Patents
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Description
前記第2の超伝導体電極およびその断面の一部と上記の絶縁膜とその断面の1部とが重なって配置され、幅100nm以下、厚さ100nm以下のブリッジ配線によって、前記の絶縁膜の前記の断面を一度だけ通過して第1と第2のそれぞれの超伝導体電極を電気的に接続した単独の弱結合を形成し、前記弱結合を有する構成単位を複数備え、
上記の複数の構成単位について、両端を除くそれぞれの構成単位の第1の超伝導体電極は、隣の第2の超伝導体電極と接続されるように連なる直列接続され、その両端においては、第1の超伝導体電極あるいは第2の超伝導体電極は、引き出し線に接続されている素子であって、
上記のブリッジ配線が通過する絶縁膜の断面は、上記の引き出し線間に設けられた全ての構成単位について、同じ方向を向くように配置する。
動作温度を、上記ブリッジ配線が電磁波信号との結合により常伝導と超伝導との臨界状態となる非平衡状態を生じる温度に保つことで、
上記の非線形応答特性を用いて、上記受信した信号と上記局部発振信号とを混合し、
前記の混合された信号から、受信した信号と局部発振信号との差周波数を選択して増幅する。これにより、電磁波をヘテロダイン型で検出する高感度な電磁波検出装置を実現することができる。
(1)例えばシリコン基板などの平坦な基板の表面に酸化膜を、熱酸化やデポジションで形成した基板の上に、第5図に示す配置で、ニオブ、窒化ニオブ、MgB2、酸化物系超伝導材料などの超伝導体1の膜を、膜厚100nmで形成し、通常のリソグラフィー技術でパターニングする。この厚さは、50nmから300nmの厚さでもよい。また、パターニングにおいては、超伝導体1は第1の電極となるので、そのサイズは、大きさの上限として赤外線までの電磁波に対しては、検出する電磁波の波長の5倍以下の半径の円に収まるサイズ、紫外線よりも高エネルギーの電磁波、粒子線を含め全体としてのサイズの下限として1〜5μm程度であることが望ましい。
(2)次に、パターニングされた超伝導体1に熱酸化またはデポジションで絶縁膜を膜厚5から13nmで形成する。
(3)次に、ニオブ、窒化ニオブ、MgB2、酸化物系超伝導材料などの超伝導体2の膜を、膜厚100nmで形成し、電子ビーム(EB)露光を用いたリソグラフィー技術でパターニングする。この露光では、ベクトルスキャンを行いスキャン方向は、第6図の方向2のように、弱結合のための細線3に直角になるようにする。この超伝導体膜2のパターンは、第5図に示すように、超伝導体膜1のパターンに一部重なるようにする。また、このパターニングで、前記の絶縁膜を除去しておく。また、パターニングにおいては、超伝導体2は第2の電極となるので、そのサイズは、1〜5μm程度以上であるか、赤外線より長波長である場合、検出する電磁波の波長の5倍以下の半径の円に収まるサイズであることが望ましい。
(4)次に、その上に、ニオブ、窒化ニオブ、銅、金、タングステン、チタン、アルミニウム、MgB2、酸化物系超伝導材料あるいはビスマス膜を厚さ5〜30nmで形成し、電子ビーム露光を用いたリソグラフィー技術で15から250nmの幅でパターニングしてブリッジ配線を形成し、これによって弱結合を実現する。上述したように、このパターニングにおいては、超伝導体2の膜のEB露光におけるスキャン方向と直角の方向にスキャンする。この際、常伝導体導線あるいは超伝導体導線の第1の超伝導体電極と第2の超伝導体電極とを接続する最短長は、超伝導のコヒーレント長の0.3倍から6倍の長さが望ましい。このブリッジ配線は、接近した複数の微細配線をもって、ひとつの弱結合用のブリッジ配線とすることもできる。このブリッジ配線は、1次元伝導体であることが望ましい。
(5)次に、必要な場合は保護膜を設け、リード線を設けるための窓を形成してリード線4をつける。
3 細線
4 リード線
10 電磁検出素子
21 バイアス回路
22 負荷
23 センスアンプ
24 スイッチ回路
25 信号線
26 行アドレス指定
Claims (10)
- 平坦な電気的に絶縁性の基板上に、第1の超伝導体電極と、前記第1の超伝導体電極の上部に5以上10nm以下の絶縁膜を挟んで第2の超伝導体電極と、を備え、
前記第2の超伝導体電極およびその断面の一部と上記の絶縁膜とその断面の1部とが重なって配置され、幅100nm以下、厚さ100nm以下のブリッジ配線によって、前記の絶縁膜の前記の断面を一度だけ通過して第1と第2のそれぞれの超伝導体電極を電気的に接続した単独の弱結合を形成し、前記弱結合を有する構成単位を複数備え、
上記の複数の構成単位について、両端を除くそれぞれの構成単位の第1の超伝導体電極は、隣の第2の超伝導体電極と接続されるように連なる直列接続され、その両端においては、第1の超伝導体電極あるいは第2の超伝導体電極は、引き出し線に接続されている素子であって、
上記のブリッジ配線が通過する絶縁膜の断面は、上記の引き出し線間に設けられた全ての構成単位について、同じ方向を向くように配置されたものであることを特徴とする電磁波検出素子。 - 上記弱結合の最短長は、超伝導のコヒーレント長の0.3倍から6倍の長さであることを特徴とする請求項1に記載の電磁波検出素子。
- 上記弱結合の長さは5から30nm以内であり、その幅は15から100nm以内であり、厚さは5から30nm以内であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の電磁波検出素子。
- 上記ブリッジ配線は、常伝導体又は超伝導体のいずれかであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電磁波検出素子。
- 上記ブリッジ配線を構成する材料が、ニオブ、窒化ニオブ、銅、金、タングステン、チタン、アルミニウム、あるいはビスマスであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の電磁波検出素子。
- 第2の超伝導体電極と、上記ブリッジ配線の製造を、ベクトルスキャン型の電子ビーム露光装置で行い、そのスキャン方向は、互いに直角の方向である製造プロセスを用いて製造したことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の電磁波検出素子。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載の電磁波検出素子を1次元あるいは2次元状に配列し、これに測定しようとする電磁波を照射し、それぞれの電磁波検出素子の電圧−電流特性を、センスアンプを通じて順次読み取ることで、上記の測定しようとする電磁波の1次元あるいは2次元測定を行うことを特徴とする電磁波検出装置。
- 受信機に用いる請求項1から請求項6のいずれかに記載の電磁波検出素子に、受信した信号と受信機側で発生させた局部発振信号とをバイアス電圧に重畳して供給し、上記の電磁波検出素子の非線形応答特性を用いて混合し、前記の混合された信号から、受信した信号と局部発振信号との差周波数を選択して増幅するヘテロダイン型の検出を行うことを特徴とする電磁波検出装置。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載の電磁波検出素子において、上記ブリッジ配線を電磁波信号との結合により超伝導状態の臨界状態となる温度に保つことで、電磁波を高感度検出することを特徴とする電磁波検出装置。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載の電磁波検出素子において、
受信した信号と受信機側で発生させた局部発振信号とをバイアス電圧に重畳して供給し、上記ブリッジ配線を電磁波信号との結合により超伝導状態の臨界状態となる非平衡状態を生じる温度に保つことで、上記の非線形応答特性を用いて混合し、
前記の混合された信号から、受信した信号と局部発振信号との差周波数を選択して増幅するヘテロダイン型の検出を行うことを特徴とする電磁波検出装置。
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