JP5074826B2 - ドーパントの注入方法、及びドーピング装置 - Google Patents
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Description
このGeは、常温では固体物であるため、従来は、坩堝内の半導体融液中に直接投下する方法が採用されていた。
しかし、このように直接固体物を投下する場合、投下により半導体融液が飛散し、チャンバや炉内に付着したものが引き上げ中に落下し、単結晶化を阻害するという問題がある。また、固体物が半導体融液中に投下される際、Geの投下により気体が巻き込まれ、それがピンホールとなって単結晶の歩留まりを悪化させるという問題がある。
また、同様に、注入管の上部及び側壁部が密閉されているため、注入管の引き上げ時に内部に半導体融液が吸い込まれ、半導体融液が固化し、注入管に割れが生じる可能性があるという問題がある。
半導体融液中にゲルマニウム(Ge)をドープするドーパントの注入方法であって、
常温で固体状のGeを保持するとともに、前記半導体融液表面近傍で液化させ、液化したGeを下方に流す連通孔が形成されたドーパント保持部と、このドーパント保持部に保持されたGeを覆う被覆部と、前記被覆部に形成され、外部との通気を行う通気孔と、前記ドーパント保持部の下部に設けられ、前記連通孔から流れ出した液化したGeを前記半導体融液表面に導く導管と、前記導管の側面に形成され、外気との通気を行う通気孔とを備えたドーピング装置に、固体状のGeを装填する工程と、
前記ドーピング装置を前記半導体融液表面から所定の高さに保持し、装填された固体状のGeを液化させる工程と、
前記連通孔より前記半導体融液中に液化したGeをドーピングする工程とを実施し、かつ、前記Geを液化させる工程、及び、前記液化したGeをドーピングする工程の少なくともいずれかで前記導管を前記半導体融液に浸け込むことを特徴とする。
この発明によれば、Geをドーピング装置に装填し、このドーピング装置内で半導体融液の熱によりGeを液化させた後、連通孔から半導体融液中に液化したGeをドーピングしている。この際、ドーピング装置の被覆部に外部との通気を行う通気孔が形成されているため、被覆部で囲まれた内部の空間と外部の空間の圧力が調整され、液化したGeが滞留することを防止して、液化したGeを連通孔から速やかに半導体融液中にドーピングすることができる。また、通気孔によりドーパント保持部のGeを覆う被覆部内部の空間が密閉されないので、滴下後に半導体融液がドーピング装置内部に吸い込まれ、ドーピング装置に割れが生じることもない。
この発明によれば、Geを液化させる工程、及び、前記液化したGeをドーピングする工程の少なくともいずれかで連通孔を半導体融液に浸け込むことにより、固体状のGe等を直接半導体融液に投入した場合のように、半導体融液が飛散することがなく、引き上げ装置内部を汚染することもない。
前記ドーパント装置は、前記ドーパント保持部の下部に設けられ、前記連通孔から流れ出した液化したGeを前記半導体融液表面に導く導管を備えている場合、
前記Geを液化させる工程、及び、前記液化したGeをドーピングする工程の少なくともいずれかで前記導管を前記半導体融液に浸け込むのが好ましい。
この発明によれば、Geを液化させる際、導管を浸け込んでおくことにより、連通孔を半導体融液中に浸け込む際に液化したGeがシリコン融液に落下した際に液ハネが発生することがなく、炉内を汚染することがない。
半導体融液中にゲルマニウム(Ge)をドープするドーパントの注入方法であって、
常温で固体状のGeを保持するとともに、前記半導体融液表面近傍で液化させ、液化したGeを下方に流す長孔状の連通孔が形成されたドーパント保持部と、このドーパント保持部に保持されたGeを覆う被覆部と、前記被覆部に形成され、外部との通気を行う通気孔と、前記ドーパント保持部の下部に設けられ、前記連通孔から流れ出した液化したGeを前記半導体融液表面に導く導管と、前記導管の側面に形成され、外気との通気を行う通気孔とを備えたドーピング装置に、固体状のGeを装填する工程と、
前記ドーピング装置を前記半導体融液表面から所定の高さに保持し、装填された固体状のGeを液化させる工程と、
前記連通孔より前記導管を介して前記半導体融液中に液化したGeをドーピングする工程とを実施し、かつ、前記Geを液化させる工程、及び、前記液化したGeを前記半導体融液にドーピングする工程の少なくともいずれかで前記導管を前記半導体融液に浸け込むことを特徴とする。
この発明によれば、Geをドーピング装置に装填し、このドーピング装置内で半導体融液の熱によりGeを液化させた後、液化したGeを、導管を介して半導体融液に導いているので、固体のGe等を直接半導体融液に投入した場合のように、半導体融液が飛散することがなく、引き上げ装置内部での単結晶化が悪くなることもない。また、半導体融液にはドーピング装置の下端しか浸け込まないので、半導体融液中に不純物の混入する可能性をより防止することができる。
さらに、Geを液化させる工程、及び、液化したGeをドーピングする工程のいずれでも導管を浸け込んでおくことにより、Geの液化を促進することができる上、導管により液化したGeが半導体融液に落下しても、液ハネによる炉内汚染を防止できるため、ドーパントの注入手順を簡略化できる。
この発明によれば、ドーパント保持部のGeを覆う被覆部内部の空間が密閉されないので、液化したGeが被覆部内部の空間の減圧状態によって滴下しにくくなったり、滴下後に半導体融液がドーピング装置内部に吸い込まれ、ドーピング装置に割れが生じることもない。
常温で固体状のGeを保持するとともに、前記半導体融液表面近傍で液化させ、液化したGeを下方に流す連通孔が形成されたドーパント保持部と、このドーパント保持部に保持されたGeを覆う被覆部と、前記被覆部に形成され、外部との通気を行う通気孔と、前記ドーパント保持部の下部に設けられ、前記連通孔から流れ出した液化したGeを前記半導体融液表面に導く導管と、前記導管の側面に形成され、外気との通気を行う通気孔とを備え、
前記連通孔は、長孔状に形成されていることを特徴とする。
このようなドーピング装置であれば、前述したドーパントの注入方法に係る発明に好適に用いることができる。
〔第1実施形態〕
〔1〕全体構成
図1には、本発明の第1実施形態に係る引き上げ装置1が示されている。
引き上げ装置1は、引き上げ装置本体2と、ドーピング装置3とを有する。
引き上げ装置本体2は、チャンバ20と、このチャンバ20内に配置された坩堝21と、この坩堝21に熱を放射して加熱する加熱部22と、引き上げ部23と、シールド24と、断熱筒25とを備える。
坩堝21は、半導体ウェハの原料である多結晶のシリコンを融解し、シリコンの融液とするものである。坩堝21は、有底の円筒形状の石英製の第一坩堝211と、この第一坩堝211の外側に配置され、第一坩堝211を収納する黒鉛製の第二坩堝212とを備えている。坩堝21は、所定の速度で回転する支持軸26に支持されている。
引き上げ部23は、坩堝21上部に配置されており、種子結晶又はドーピング装置3が取り付けられる。引き上げ部23は回転可能に構成されている。
断熱筒25は、坩堝21及び加熱部22の周囲を取り囲むように配置されている。
シールド24は、加熱部22からドーピング装置3に向かって放射される輻射熱を遮断する熱遮蔽用シールドである。このシールド24は、ドーピング装置3の周囲を取り巻くように配置されており、融液の表面を覆うように設置されている。このシールド24は、下端側の開口部が上端側の開口部より小さくなった円錐形状となっている。
ドーピング装置3は、坩堝21内で融解したシリコン融液中に、固体状のゲルマニウム(Ge)を液化させて注入するものであり、図2に示されるように、被覆部31、ドーパント保持部32、導管33及び支持部34を備えて構成され、支持部34の上端が装置本体2の引き上げ部23に取り付けられる(図1参照)。
被覆部31は、装置本体2内でドーパントの注入を行う際に、内部に収容されたドーパントを保護する部分であり、両端が開口された円筒状体からなる胴部311と、この胴部311の上端面を塞ぐ蓋部312とを備えている。
蓋部312は、ドーパントを内部に収納するために、胴部311と着脱可能に構成され、その上面には、支持部34が突設されている。
また、胴部311の側面には、被覆部31の内外を連通させる孔313が形成されている。
連通孔321は、固体状のGeドーパントが脱落しないように、Geドーパントの粒径よりも小さな孔径に設定されるが、この連通孔321の孔径が小さすぎると、液化したGeドーパントの表面張力により、Geドーパントをを完全に坩堝21内に投入できないことがある。
導管33は、ドーパント保持部32上のGeドーパントが液化した際、外部に飛散させずに、シリコン融液に導く部分であり、被覆部31の径よりも小さな円筒状体から構成され、その上端は、ドーパント保持部32の円錐外周面に接合されている。
このようなドーピング装置3を構成する被覆部31、ドーパント保持部32、及び導管33は、すべて透明石英で構成され、各部を互いに熱等で接合することにより組み立てられる。
次に、前述した構造の引き上げ装置1によってシリコン融液S中にGeドーパントDをドープする方法について説明する。
まず、被覆部31の蓋部312を取り外し、内部に固体状のGeドーパントDを装填する。この状態でGeドーパントDは、ドーパント保持部32で引っ掛かり保持される。
次に、蓋部312を胴部311に取り付けた後、ドーピング装置3を装置本体2の引き上げ部23に取り付ける。
高さ寸法Hは、シリコン融液Sの熱でGeドーパントを液化させるために、Geの融点近傍となる高さ寸法とするのが好ましく、固体状のGeドーパントがその融点958.8℃程度になるような位置とするのが好ましい。
GeドーパントDが略液化したが、表面張力の関係で導管33内を流下しない場合、図3(B)に示されるように、ドーピング装置3をさらに下降させ、ドーパント保持部32の連通孔321をシリコン融液Sの液面に浸け込み、液化したGeドーパントDをシリコン融液S中に拡散させる。尚、GeドーパントDが連通孔321から適切に導管33を介して流下するのであれば、浸け込みを行う必要は必ずしもない。
GeドーパントDの注入が終了したら、主ドーパントである赤燐(P)や砒素(As)によるシリコン融液Sのドープを行う。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。尚、以下の説明では、既に説明した部分と同一の部分等については、同一符号を付してその説明を省略する。
前述の第1実施形態では、ドーピング装置3によってGeドーパントを液化させてシリコン融液S中に注入した後、赤燐、砒素の主ドーパントのドーピングを行っていた。
これに対して、第2実施形態では、図4に示されるように、主ドーパントである赤燐、砒素等の常温では固体だが、シリコンの融点近傍で気化するドーパントD1と、副ドーパントであるGeドーパントD2を、同時にシリコン融液中に注入することのできるドーピング装置4を用いている点が相違する。
ドーピング装置4は、図5に示されるように、主ドーパント収容部41、副ドーパント収容部42、案内部43、及び支持部44を備えて構成され、主ドーパント収容部41の下に副ドーパント収容部42が取り付けられ、主ドーパント収容部41及び副ドーパント収容部42の外側を覆うように案内部43が設けられ、案内部43の上面に支持部44が設けられ、支持部44の上端が引き上げ装置1の引き上げ部23に取り付けられる(図4
参照)。
より詳細に説明すると、図6に示されるように、主ドーパント収容部41は、円筒状の胴部411と、この胴部411の下端面を塞ぐ底部412と、胴部411の上端面に設けられる蓋部413とを備えて構成される。
胴部411の上部近傍の外周面には、複数の突起414が突出して設けられている。
底部412は、胴部411の下端面を塞ぎ、収容された主ドーパントD1を支持する部分である。この底部412の下面周縁には、鉤状の爪412Aが複数下方に突出して設けられている。
蓋部413は、胴部411の上端面を塞ぐように設けられるが、略中央には、主ドーパントD1が気化した際、ドーパントガスを下方に導くための開口部413Aが形成されている。
筒状体421は、上下に開口された円筒状体として構成され、この筒状体421の外周面上端には、複数の突起421Aが突出して設けられている。また、この筒状体421のドーパント保持部422で区画される下側の部分には、筒状体421の内外を貫通する孔421Bが1箇所形成されている。
連通孔422Aは、筒状体421の円筒の直径方向に沿って延びる長孔状に形成されている。尚、この連通孔422Aの幅寸法は、収容されるGeドーパントD2の粒径よりも小さく設定され、例えば、略3mm程度の幅寸法に設定されている。尚、この連通孔422Aの幅寸法が小さすぎると、液化したGeドーパントの表面張力により、Geドーパントを完全に坩堝21内に投入できないことがある。
胴部431は、主ドーパント収容部41及び副ドーパント収容部42を囲む大径の円筒状体として構成され、胴部431の上端内面には、係止突起433が複数突出して設けられている。
蓋部432は、胴部431の上面を塞ぐ円板状体から構成され、その外周縁は、胴部431の外周面より突出している。また、この蓋部432の上面略中心には、前述した支持部44が突設されている。
一方、主ドーパント収容部41の爪412A、副ドーパント収容部42の突起421Aは、突起414及び係止突起433の係合部分に対して、下方に位置し、高温となるため、石英部材で形成するのが好ましい。
このようなドーピング装置4を組み立てるに際しては、図5に示されるように、まず、案内部43の係止突起433に主ドーパント収容部41の突起414を引っ掛け、さらに、主ドーパント収容部41の下面の爪412Aに副ドーパント収容部42の突起421Aを引っ掛け、副ドーパント収容部42を主ドーパント収容部41に吊り下げるような状態で組み立てる。
また、このように主ドーパント収容部41に副ドーパント収容部42が吊り下げられた状態では、底部412の下面と、筒状体421の上端面との間に僅かな隙間が形成され、副ドーパント収容部42の被覆部に相当する部分の内外間の通気が確保されることとなる。
次に、前述した構造の引き上げ装置1によってシリコン融液S中に主ドーパントD1及び副ドーパントD2をドープする方法について、図8を参照して説明する。
まず、案内部43を引き上げ装置1の引き上げ部23に取り付けた後、主ドーパント収容部41内に主ドーパントD1を装填し、案内部43に主ドーパント収容部41を装着する。
次に、副ドーパント収容部42に副ドーパントD2を装填し、主ドーパント収容部41の下部に副ドーパント収容部42を吊り下げる。
ドーピング装置4の組立が終了したら、装置本体2の引き上げ部23を降下させ、副ドーパント収容部42の筒状体421の下端をシリコン融液Sに浸け込む。尚、案内部43の胴部431の下端は浸け込まなくても浸け込んでもよい。
一方、副ドーパントD2の融液面からの高さ寸法H2は、副ドーパントD2の液化が促進される高さ寸法とするのが好ましく、例えば、略10〜20mm程度とするのが好ましい。
一方、副ドーパントD2は、シリコン融液Sの熱によって液化し、ドーパント保持部422の連通孔422Aから筒状体421の内面を経由して、シリコン融液S内に拡散される。
前述した手順によってシリコン融液Sに副ドーパントD2及び主ドーパントD1である赤燐(Phos)の同時ドープを行い、その後、ドープされたシリコン融液Sの引き上げを行ってインゴットを得た。
この際、シリコンのチャージ量23kgに対して、赤燐のドープ量は150g、Geのドープ量は150gであった。
一方、引き上げられたインゴットのトップ部分のGe濃度が狙い値に対してどのような値となっているかを確認したところ、図10に示されるような分布であり、狙い値に対して極めてバラツキの少ないものであった。
これらの結果より、本実施形態のドーピング装置4によって、赤燐(Phos)及びGeを同時にドーピングすることを確認することができ、狙い抵抗率に対して大きなバラツキを生じることなくドーピングできることが確認された。
尚、本発明は、前述した各実施形態に限定されるものではなく、次に示すような変形をも含むものである。
前述した実施形態では、赤燐、砒素等の副ドーパントとしてGeを採用していたが、例えば、硼素(B:ボロン)を主ドーパントとして副ドーパントとしてGeを採用する場合、シリコン素材と共にボロンを坩堝内に投入し、溶解させた後、Geを前述した方法で注入すればよい。
すなわち、副ドーパント収容部42をGeドープ用に単独で使用してもよい。尚、その際には、副ドーパント収容部42の上端面は蓋部材等で閉塞してドーピングを行うのが好ましい。
すなわち、図11に示されるように、導管を有しないドーピング装置5を用いて、GeドーパントDをドーピングしてもよい。この場合、図11(A)に示されるように、第1実施形態と同様にシリコン融液Sの液面から所定高さHの高さで一定時間保持してGeドーパントDを液化させ、GeドーパントDが略液化されたら、連通孔321をシリコン融液Sに浸け込む。これにより、液化したGeドーパントDがシリコン融液Sに滴下することがないので、液ハネ等による引き上げ装置内部の汚染を防止できる。
その他、本発明の実施の際の具体的な構造及び手順等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
Claims (4)
- 半導体融液中にゲルマニウム(Ge)をドープするドーパントの注入方法であって、
常温で固体状のGeを保持するとともに、前記半導体融液表面近傍で液化させ、液化したGeを下方に流す連通孔が形成されたドーパント保持部と、このドーパント保持部に保持されたGeを覆う被覆部と、前記被覆部に形成され、外部との通気を行う通気孔と、前記ドーパント保持部の下部に設けられ、前記連通孔から流れ出した液化したGeを前記半導体融液表面に導く導管と、前記導管の側面に形成され、外気との通気を行う通気孔とを備えたドーピング装置に、固体状のGeを装填する工程と、
前記ドーピング装置を前記半導体融液表面から所定の高さに保持し、装填された固体状のGeを液化させる工程と、
前記連通孔より前記半導体融液中に液化したGeをドーピングする工程とを実施し、かつ、前記Geを液化させる工程、及び、前記液化したGeをドーピングする工程の少なくともいずれかで前記導管を前記半導体融液に浸け込むことを特徴とするドーパントの注入方法。 - 請求項1に記載のドーパントの注入方法において、
前記Geを液化させる工程、及び、前記液化したGeをドーピングする工程の少なくともいずれかで前記連通孔を前記半導体融液に浸け込むことを特徴とするドーパントの注入方法。 - 半導体融液中にゲルマニウム(Ge)をドープするドーパントの注入方法であって、
常温で固体状のGeを保持するとともに、前記半導体融液表面近傍で液化させ、液化したGeを下方に流す長孔状の連通孔が形成されたドーパント保持部と、このドーパント保持部に保持されたGeを覆う被覆部と、前記被覆部に形成され、外部との通気を行う通気孔と、前記ドーパント保持部の下部に設けられ、前記連通孔から流れ出した液化したGeを前記半導体融液表面に導く導管と、前記導管の側面に形成され、外気との通気を行う通気孔とを備えたドーピング装置に、固体状のGeを装填する工程と、
前記ドーピング装置を前記半導体融液表面から所定の高さに保持し、装填された固体状のGeを液化させる工程と、
前記連通孔より前記導管を介して前記半導体融液中に液化したGeをドーピングする工程とを実施し、かつ、前記Geを液化させる工程、及び、前記液化したGeを前記半導体融液にドーピングする工程の少なくともいずれかで前記導管を前記半導体融液に浸け込むことを特徴とするドーパントの注入方法。 - 半導体融液中にゲルマニウム(Ge)をドープするドーピング装置であって、
常温で固体状のGeを保持するとともに、前記半導体融液表面近傍で液化させ、液化したGeを下方に流す連通孔が形成されたドーパント保持部と、このドーパント保持部に保持されたGeを覆う被覆部と、前記被覆部に形成され、外部との通気を行う通気孔と、前記ドーパント保持部の下部に設けられ、前記連通孔から流れ出した液化したGeを前記半導体融液表面に導く導管と、前記導管の側面に形成され、外気との通気を行う通気孔とを備え、
前記連通孔は、長孔状に形成されていることを特徴とするドーピング装置。
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