JP5074073B2 - 粉体状ソース供給系の洗浄方法、記憶媒体、基板処理システム及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
まず、長時間に亘って待機状態が維持された基板処理システム10において図2の処理を実行した後、成膜処理装置11において2枚のウエハに続けて成膜処理を施した。その後、該成膜処理を施されたウエハの表面に付着した、大きさが0.10μm以上のパーティクルの数をパーティクルカウンタ等によって数えた。そして、その結果を図5のグラフに示した。
まず、長時間に亘って待機状態が維持された基板処理システム10において図4の処理を実行した後、成膜処理装置11において2枚のウエハに続けて成膜処理を施した。その後、該成膜処理を施されたウエハの表面に付着した、大きさが0.10μm以上のパーティクルの数を数えた。そして、その結果を図5のグラフに示した。
長時間に亘って待機状態が維持された基板処理システム10において図2の処理や図4の処理を実行することなく、成膜処理装置11において2枚のウエハに続けて成膜処理を施した。その後、該成膜処理を施されたウエハの表面に付着した、大きさが0.10μm以上のパーティクルの数を数えた。そして、その結果を図5のグラフに示した。
まず、長時間に亘って待機状態が維持された基板処理システム10において、図2の処理におけるキャリアガスの供給流量を成膜処理時と同じ量に設定してプリパージ処理を実行した後、成膜処理装置11において2枚のウエハに続けて成膜処理を施した。その後、該成膜処理を施されたウエハの表面に付着した、大きさが0.10μm以上のパーティクルの数を数えた。そして、その結果を図5のグラフに示した。
10 基板処理システム
11 成膜処理装置
12 粉体状ソース供給系
13 粉体状ソース
14 アンプル
16 キャリアガス供給装置
17 粉体状ソース導入管
18 ドライポンプ
19 パージ管
21 付加ガス供給装置
22 開閉弁
23 圧力制御弁
27 ヒータ
28 超音波振動発生装置
29 境界層
30 粉粒
Claims (14)
- 粉体状ソースを供給する粉体状ソース供給系と、該供給された粉体状ソースを用いて基板に成膜処理を施す成膜処理装置とを備え、前記粉体状ソース供給系は、前記粉体状ソースを収容する容器と、該容器内へキャリアガスを供給するキャリアガス供給装置と、前記容器及び前記成膜処理装置を接続し、且つ前記キャリアガス及び前記粉体状ソースの混合物を前記容器から前記成膜処理装置に向けて導入する導入管と、該導入管から分岐して排気装置に接続されたパージ管と、前記導入管を前記成膜処理装置及び前記パージ管への分岐点の間において開閉する開閉弁とを有する基板処理システムにおける前記粉体状ソース供給系の洗浄方法であって、
前記成膜処理に先立って、前記開閉弁が閉弁し且つ前記排気装置が前記パージ管内を排気する際に、前記キャリアガス供給装置が、前記キャリアガスによる粘性力が前記成膜処理時における前記キャリアガスによる粘性力よりも大きくなるように前記キャリアガスを供給する洗浄ステップを有することを特徴とする洗浄方法。 - 前記洗浄ステップでは、前記キャリアガス供給装置が前記成膜処理時の供給流量よりも多い供給流量で前記キャリアガスを前記容器内に供給することを特徴とする請求項1記載の粉体状ソース供給系の洗浄方法。
- 前記洗浄ステップでは、前記キャリアガス供給装置が前記成膜処理時の供給流量の少なくとも25%増の供給流量で前記キャリアガスを前記容器内に供給することを特徴とする請求項2記載の粉体状ソース供給系の洗浄方法。
- 前記基板処理システムは、前記容器及び前記パージ管への分岐点の間において前記導入管内に付加ガスを供給する付加ガス供給装置を備え、
前記洗浄ステップでは、前記付加ガス供給装置が前記成膜処理時の供給流量よりも少ない供給流量で前記付加ガスを前記導入管内に供給することを特徴とする請求項1記載の粉体状ソース供給系の洗浄方法。 - 前記洗浄ステップでは、前記付加ガス供給装置が前記成膜処理時の供給流量の少なくとも40%減の供給流量で前記付加ガスを前記導入管内に供給することを特徴とする請求項4記載の粉体状ソース供給系の洗浄方法。
- 前記洗浄ステップを繰り返すことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の粉体状ソース供給系の洗浄方法。
- 前記洗浄ステップでは、前記容器内の粉体状ソースの表面に境界層を発生させるように、前記キャリアガスを前記容器内に供給することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の粉体状ソース供給系の洗浄方法。
- 粉体状ソースを供給する粉体状ソース供給系と、該供給された粉体状ソースを用いて基板に成膜処理を施す成膜処理装置とを備え、前記粉体状ソース供給系は、前記粉体状ソースを収容する容器と、該容器内へキャリアガスを供給するキャリアガス供給装置と、前記容器及び前記成膜処理装置を接続し、且つ前記キャリアガス及び前記粉体状ソースの混合物を前記容器から前記成膜処理装置に向けて導入する導入管と、該導入管から分岐して排気装置に接続されたパージ管と、前記導入管を前記成膜処理装置及び前記パージ管への分岐点の間において開閉する開閉弁とを有する基板処理システムにおける前記粉体状ソース供給系の洗浄方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記洗浄方法は、
前記成膜処理に先立って、前記開閉弁が閉弁し且つ前記排気装置が前記パージ管内を排気する際に、前記キャリアガス供給装置が、前記キャリアガスによる粘性力が前記成膜処理時における前記キャリアガスによる粘性力よりも大きくなるように前記キャリアガスを供給する洗浄ステップを有することを特徴とする記憶媒体。 - 粉体状ソースを供給する粉体状ソース供給系と、該供給された粉体状ソースを用いて基板に成膜処理を施す成膜処理装置とを備え、前記粉体状ソース供給系は、前記粉体状ソースを収容する容器と、該容器内へキャリアガスを供給するキャリアガス供給装置と、前記容器及び前記成膜処理装置を接続し、且つ前記キャリアガス及び前記粉体状ソースの混合物を前記容器から前記成膜処理装置に向けて導入する導入管と、該導入管から分岐して排気装置に接続されたパージ管と、前記導入管を前記成膜処理装置及び前記パージ管への分岐点の間において開閉する開閉弁とを有する基板処理システムであって、
前記成膜処理に先立って、前記開閉弁が閉弁し且つ前記排気装置が前記パージ管内を排気する際に、前記キャリアガス供給装置が、前記キャリアガスによる粘性力が前記成膜処理時における前記キャリアガスによる粘性力よりも大きくなるように前記キャリアガスを供給することを特徴とする基板処理システム。 - 前記パージ管は圧力制御弁を有することを特徴とする請求項9記載の基板処理システム。
- 前記パージ管のコンダクタンスは、前記成膜処理装置及び前記パージ管への分岐点の間における前記導入管のコンダクタンスより大きいことを特徴とする請求項9又は10記載の基板処理システム。
- 前記容器は超音波振動発生装置を有することを特徴とする請求項9乃至11のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 前記導入管はヒータを有することを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の基板処理システム。
- 請求項1記載の粉体状ソース供給系の洗浄方法の実行に続けて前記基板に前記成膜処理を施すことを特徴とする基板処理方法。
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