JP5065516B2 - 薄い電子検出器における後方散乱の減少 - Google Patents
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Landscapes
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Description
104 シリコンセンサ
106 軌跡
108 基準線
110 感受性を有する上部層
116 軌跡
202 カメラ底部
204 背面薄削された検出器
206 基板
208 感受性を有する検出器体積
210 電子
220 軌跡
222 軌跡
300 カメラ
302 軌跡
304 カメラ床部
305 距離
306 軌跡
400 カメラ
402 センサ
404 カメラ底部
406 傾斜面
408 軌跡
410 溝
412 軌跡
414 カメラ側壁
420 一次電子
430 壁構造
432 フィン
434 一次電子
436 軌跡
500 カメラ
502 センサ
504 カメラ底部
506 フィン
508 チャネル
510 一次電子
512 軌跡
514 平坦部
600 カメラ
604 センサ
606 フィン
608 チャネル
610 一次電子
614 軌跡
616 カメラ底部
624 検出器体積
626 軌跡
630 支持端部
700 カメラ
702 センサ
704 材料層
720 一次電子
722 軌跡
730 カメラ底部
732 検出器体積
800 カメラ
820 一次電子
822 軌跡
900a 構造
906a フィン
908a 空間
914a カメラ底部
900b 構造
906b フィン
908b 空間
914b カメラ底部
1000 透過型電子顕微鏡
1002 電子源
1004 集束鏡筒
1006 試料
1008 薄いセンサ
1010 カメラ
1012 構造
1014 カメラ床部
Claims (15)
- 透過型電子顕微鏡用カメラであって、
当該カメラは:
100μm未満の厚さを有する、半導体に基づくセンサ;
前記センサの下方に設けられた構造;
を有し、
前記構造は、後方散乱されて前記センサへ向かう電子の少なくとも一部を防止することで、前記後方散乱電子からのノイズを減少させるように備えられる、
ことを特徴とするカメラ。 - 前記センサは、基板及び検出体積を有するCMOSを用いたアクティブピクセルセンサを含み、
前記のセンサの下方に設けられた構造は、前記基板を通過する電子が、前記基板へ再度入り込み、かつ前記検出体積へ到達するのを防止する、
請求項1に記載のカメラ。 - 前記のセンサの下方に設けられた構造は、前記センサの底面の実質的に全面から下方に向かってある距離まで延在する何もない空間を供し、
前記距離は、前記センサの一次元最大寸法の少なくとも4倍で、それにより前記センサ下方の材料から後方散乱される電子によって引き起こされる前記センサの信号が減少する、
請求項1に記載のカメラ。 - 前記センサは50μm未満の厚さを有し、かつ
当該カメラの底部は、前記のセンサの底面から少なくとも200μmに設けられる、
請求項3に記載のカメラ。 - 前記のセンサの下方に設けられた構造は複数のフィンを有し、
前記フィンは、前記センサを通過する電子を偏向及び吸収する、
請求項1に記載のカメラ。 - 前記のセンサの下方に設けられた構造は複数の高アスペクト比のチャネルを有する、
請求項1に記載のカメラ。 - 前記複数の高アスペクト比のチャネルは前記センサに向かって開いている、請求項5に記載のカメラ。
- 前記複数の高アスペクト比のチャネルは前記センサから離れて開いている、請求項5に記載のカメラ。
- 前記のセンサの下方に設けられた構造は、電子の後方散乱を減少させるため、シリコンの原子番号よりも小さな平均原子番号を有する材料を含む、請求項1に記載のカメラ。
- 高エネルギー電子源;
前記電子を試料へ案内する集束鏡筒;
前記試料を通過した電子からの電子像を記録する請求項1乃至9のうちいずれか一項記載のカメラ;
を有する透過型電子顕微鏡。 - 透過型電子顕微鏡で試料を観察する方法であって:
高エネルギー電子ビームを試料へ向けて案内する工程;
電子が通過する、半導体に基づく薄いセンサを用いることによって前記試料を通過する電子を検出する工程;
前記センサを通過した電子が、前記センサへ戻るように散乱されて、誤った信号を生成するのを防止する構造を前記薄いセンサの下方に供する工程;
を有する方法。 - 前記の構造を前記薄いセンサの下方に供する工程が、複数の高アスペクト比のチャネルを有する構造を供する工程を有する、請求項11に記載の方法。
- 前記の構造を前記薄いセンサの下方に供する工程が、電子が検出器体積に到達するのを防止するように電子を偏向させる複数の傾斜面を有する構造を供する工程を有する、請求項11に記載の方法。
- 前記の構造を前記薄いセンサの下方に供する工程が、電子が検出器体積に到達するのを防止するように低い後方散乱係数を有する構造を供する工程を有する、請求項11に記載の方法。
- 前記の構造を背面薄削された半導体センサの下方に供する工程が、前記センサ下方から材料を分離するギャップを有する構造を供する工程を有し、
前記材料は、前記センサの一次元最大寸法の少なくとも4倍の距離に設けられる、
請求項11に記載の方法。
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