JP5059349B2 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Description
このプラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」という。)は、DC(直流)型とAC(交流)型とがあり、信頼性、画質など様々な面でAC型が優れているため、現在のPDPの主流はAC型となっている。
前面パネル80では、ガラス基板81の主面に走査電極82と維持電極83とが対をなし、かつストライプ状に形成されて表示電極対84を形成している。
走査電極82及び維持電極83は、透明電極821及び透明電極831主面に金属製のバス電極822及びバス電極832が積層されてなる。
この保護層86は、例えば、MgO膜をスパッタリングで形成するスパッタ法を用いて形成されている。
また、ガラス基板81の表示電極対が形成されていない側の主面には、隣り合う表示電極対同士の間に沿って、ブラックストライプ817が形成されている。
上記構成によってPDP900では、表示電極対84とアドレス電極92との放電空間を隔てて交差する領域に、放電セルが形成され、放電セルがマトリクス状に配列されている。
ところで、最近のPDPでは、高精細化仕様のものが普及し始めており、高精細化に伴うセルの数の増加によって、1放電セルあたりのアドレス放電1パルスに割当て可能な時間(以下、「アドレスパルス時間」)が短くなるため、アドレス放電が正常に行われる確率(以下、「放電確率」という。)が低下する。
このような問題を解決するために、図8に示すように、保護層70の表面に結晶性が高いMgO微粒子86aを島状に分散配置し、電子放出特性を向上させることにより、放電遅延を解消して、放電確率を向上させたPDPがある。(例えば、特許文献1)
本発明は、このような課題を解決しようとなされたものであって、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施することが可能なPDP及びその製造方法を提供することを目的とする。
1)前面板と背面板とが放電空間を挟んで対向配置され、前記前面板は、前記放電空間に面する側に、走査電極及び維持電極からなる表示電極対と誘電体層と保護層とが順次積層され、前記背面板には、前記表示電極対と前記放電空間を隔てて交差するアドレス電極が配され、前記交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、前記保護層表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子が配設され、前記表示電極対又は前記アドレス電極のいずれかに対向する前記保護層表面の領域を第1領域とし、前記走査電極と前記維持電極間とに挟まれている狭窄部と対向している前記保護層表面上の領域を第2領域とするとき、前記第1領域及び第2領域に、前記保護層表面の前記第1領域及び第2領域以外の領域における前記微粒子の面密度よりも、前記微粒子の面密度が大きい部分を有し、前記微粒子の面密度が大きい領域は、当該領域よりも前記微粒子の面密度が小さい領域に比べ、配設されている前記微粒子の結晶性が高い。
このように、前記微粒子を放電性能の向上幅が大きい第1領域に集中して配設しているので、即ち、放電性能改善効果の大きい一部の領域に微粒子の面密度を高めて配設しているので、配設する微粒子のトータルの使用量も低減することができ、透光性の低下が軽減され、発光効率の低下も軽減される。
ところで、上記ピークが走査電極の維持電極側端部に存在することから、走査電極及びアドレス電極のいずれにも対向する保護層表面の領域における微粒子の面密度を、この領域以外の全ての領域に微粒子の面密度よりも大きくすることも考えられるが、その場合、放電セルの中心を基準とした走査電極側と維持電極側とでは、透光性能が異なってくるため、左側及び右側からそれぞれ斜めに画像を観た場合の輝度が異なる可能性がある。
また、前記表示電極対の前記走査電極及び前記維持電極それぞれにおいて、互いに近接し合う2つの端部と対向している前記保護層表面の領域を第5領域とするとき、前記第5領域における前記微粒子の面密度が、前記保護膜表面の前記第5領域以外の全ての領域における前記微粒子の面密度よりも大きいとしてもよい。
前記第5領域は、このピーク領域を含んでいるため、第5領域に微粒子を集中して配置することで、透光性が低下する割合を小さくして発光効率の低下を軽減すると共に、初期電子放出性能を効率的に向上することができ、放電遅延抑制を促進することができる。
(構成)
以下、本実施の形態のPDPについて詳細に説明する。
図1に本実施の形態におけるPDP1の分解斜視図である。
図1において、PDP1は、前面パネル10と背面パネル20とが放電空間を挟んで対向するように配置され、前面パネル10におけるガラス基板11の主面に、維持電極12及び走査電極13が配され、走査電極13と維持電極12とが対を成して表示電極対14が形成されており、ガラス基板11の主面外方側において隣り合う表示電極対14同士に挟まれる領域にブラックストライプ17aが配設されている。
ここで、上記放電セルとは、1画素のR,G,Bのいずれかの成分に対応する副画素に対応するPDPの領域であって、井桁状の隔壁を有している本実施の形態のPDP1においては、前面パネル10の主面と直交する直線の延長上からPDPを透視したとき(以下、このような見方を便宜的に「平面視的に透視したとき」という。)、配設方向が異なる2種の隔壁のそれぞれにおいて、隣り合うもの同士の対を第1隔壁対及び第2隔壁対とした場合、第1隔壁対と第2隔壁対とが交わることによって区分される領域をいい、他の実施の形態においても同様とする。
バス電極122及びバス電極132は、Agを材料として厚膜形成された厚さ7μm、幅95μmの金属電極であって、維持電極12及び走査電極13への電荷供給を容易にして、透明電極121及び透明電極131の電気抵抗に起因する弊害を低減している。
保護層16は、EB蒸着機やプラズマガン蒸着機などを用いた成膜法、スパッタ法またはCVD法などに代表される薄膜プロセスで形成され、MgOを主成分とし、放電によって発生した高エネルギーのイオンから走査電極13、維持電極12及び誘電体層15を保護すると同時に、放電空間に2次電子を効率よく放出して放電開始電圧を低減する機能を有する。
なお、ここでいう微粒子とは、粒径が0.1μm以上、10μm以下のものをいう。
アドレス電極22を覆うように、背面パネル20のガラス基板21の放電空間側主面に誘電体層23が積層され、アドレス電極22と表示電極対14とが放電空間を隔てて交差する領域に対応して放電空間を仕切るように、井桁状の隔壁24,25が誘電体層23主面に配されている。
背面パネル20では、カラー表示のために、放電セル毎に誘電体層23主面から隔壁24,25側壁にかけて例えば赤、緑、青の蛍光体層26が塗布されており、表示電極対14の延伸方向に配列された赤色、緑色、青色のそれぞれの蛍光体層26を有する放電セルが一組となってカラー表示のための一画素を形成している。
井桁状の隔壁24、25では、PDP製造時における排気工程及び放電ガスの導入を容易にするために、表示電極対14の延伸方向に配された隔壁25とアドレス電極22の延伸方向に配された隔壁24との間で高さに差があり、アドレス電極22延伸方向の隔壁24が、表示電極対14延伸方向の隔壁25より高くなるように設けられている。
(微粒子結晶16aの配設領域について)
図2(a)は、前面パネルの主面と直交する直線の延長上からPDP1を見た平面図であり、図2(b)は、PDP1がアドレス電極22を通るXZ平面と交差して得られる断面図である。
図2(c)は、微粒子結晶16aの拡大断面図であり、この図2(d)は、その部分をZ軸方向から見た図である。
このとき、配設領域16rにおいて、図2(d)に示すように、下地の保護層16が微粒子結晶16aによって覆われる面積の割合(以下、「微粒子結晶被覆率」という。)は、30%とした。
(配設領域16rの配設位置決定根拠)
図3(a),(b)は、従来のPDPにおいて、アドレス放電を行う場合の印加電圧をアドレス電極と走査電極のバス電極に加えた場合における、放電空間側にある前面パネル表面の電界強度(以下、「アドレス電界強度」という。)をシミュレーションにより求めた結果を示す図である。
図3(a)は、アドレス電極上の保護層表面のアドレス電界強度分布を示す図である。
この図3(a)より、アドレス電極上の保護層表面においてもっともアドレス電界強度が高い部位は、走査電極の放電セル中心側の端部と対向する領域であることがわかる。
この図3(b)より、走査電極の放電セル中心側の端部を通り、かつ、アドレス電極22と直交する方向の保護層表面において最もアドレス電界強度が高い部位は、走査電極の放電セル中心側の端部であることがわかる。
アドレス電界強度が高い部位ほど、初期電子が放出し易いため、このアドレス電界強度が高い部位を網羅するように微粒子結晶16aを配設した。
より具体的には、微粒子結晶16aの配設領域16rを、走査電極13の透明電極121及び維持電極12の透明電極131において、互いに近接する2つの端部とその間の領域を覆う矩形の領域とした。
また、放電開始後における放電の範囲は、放電の起点の周囲にまで拡大するため、上記アドレス電界強度が高い走査電極の放電セル中心側の端部の領域を逸脱する領域に配設されている微粒子結晶16aは、上記放電範囲の拡大促進に寄与する。
また、微粒子結晶16aは、アドレス電極22に直交して放電セルの中心を通る直線を基準として左右対称に配設されているため、左右の透光性に差がなく、輝度が視認方向で異ならないようにするのに有効である。
(透光性能について)
図4は、放電セルにおいて、保護層16の全面積に対する微粒子結晶16aの配設領域の面積の割合(以下、「微粒子結晶配設領域の面積割合」という。)を変化させた場合における、前面パネル10を厚み方向に透過する可視光の透過率(以下、「可視光透過率」という。)の変化を示す図である。
図4が示すように、例えば、特許文献1のような従来のPDPでは、放電セルにおける保護層16全面に微粒子結晶を配設している場合には、微粒子結晶被覆率を100%とすると、可視光透過率は41%となる。
本実施の形態では、微粒子結晶被覆率30%で、微粒子結晶配設領域の面積割合を30%としており、このときの可視光透過率が53%となっている。つまり、放電セルにおける保護層16に全く微粒子を配設していない場合に比べ、可視光透過率が4%低下するに留まり、また、放電セルにおける保護層16全面に微粒子結晶を配設している場合と比べ、可視光透過率が12%も大きい。
(放電遅延について)
図5は、微粒子結晶の配設領域における微粒子結晶被覆率は30%とした場合であって、放電セルにおける微粒子結晶配設領域の面積割合と放電開始時間比率との関係を示す図である。
また、微粒子結晶配設領域の面積割合が50%越え、100%以下の範囲で変化した場合、これに伴う放電開始時間比率の変化は殆どない。
このことより、放電開始時間を短縮するためには、微粒子結晶配設領域の面積割合が50%を超えての設定にはあまり意味がない。
つまり、放電セルにおける保護層16に全く微粒子を配設していない場合に比べ、放電開始時間が半分以下となる。
また、放電セルにおける保護層16の全面に微粒子を配設する場合と比べると、この場合の放電開始時間比率が34%であるため、本実施の形態のPDP1の放電開始時間比率が8%大きくなり、若干不利のように思われるが、可視光透過率では、本実施の形態のPDP1の方が12%も大きく、有利となっていることを考慮すれば、放電遅延抑制性能をあまり変えずに透光性能を向上させていると言える。
以上より、微粒子結晶被覆率が30%の場合、微粒子結晶配設領域の面積割合は、5%以上、50%以下とすることが望ましい。
これは、微粒子が放電遅延の抑制に寄与する結晶性の高いものと、放電遅延の抑制に寄与しない結晶性の低いものとが混在しており、放電遅延の抑制に寄与する結晶性の高いものの存在確率が非常に低いため、放電遅延を抑制するには、ある程度の量が必要とされるためであると考えられる。
(微粒子結晶16aの配設方法)
微粒子結晶16aの配設方法は、保護層16の成膜後、保護層16における配設領域16r以外の領域にマスクを配置し、エタノール等の揮発性液体に、粒径0.5μmから2μmの酸化マグネシウム微粒子結晶を分散した液体を印刷工法により塗布して配設した。
この方法によれば、低コストで酸化マグネシウム微粒子結晶を保護層表面の特定部分に微粒子結晶被覆率を大きくして配設することができ、また、揮発性液体の揮発に伴い酸化マグネシウム微粒子結晶が、一様な面密度で保護層表面に分散配置されるので、酸化マグネシウム微粒子結晶の偏在が少ない。
以上のように、本実施の形態のPDP1は、もともと高い初期電子の放出性能を有する場所に、微粒子結晶16aを集中的に配設して、さらに初期電子放出性能を高めることにより、放電遅延を抑制すると共に、1放電セルあたりの微粒子結晶の使用量を少なくして、透光性能の大幅な低下を抑制し、発光効率の低下を抑制することができる。
以下、微粒子結晶16aの電子放出性能への影響について詳細に説明する。
アドレス放電時に、酸化マグネシウムに電界が印加されると、バンド内のフェルミレベルが上昇し、保護層のキャリア密度が高まる。
このキャリア密度に相関して、初期電子放出が起こり、初期電子から放電に進展する。
ここで、電子ビーム蒸着等の成膜や塗布による成膜では、結晶性の向上に限界があり、放電遅延を抑制するほどの効果を得にくいのに対して、一方、生成条件を単独で設定できる微粒子結晶16aであれば、結晶性を向上し易く、バルクにおける結晶性の高いMgOの含有割合を高めることができる。
また、本実施の形態では、保護層16表面に微粒子結晶16aを含む揮発性液体を塗布する方法として印刷工法を用いているが、この印刷工法に限定するものではなく、この工法に代えていわゆるインクジェット法を用いてもよい。
また、この場合、保護層16表面の配設領域16r以外の領域にマスクを配して保護層16全面に向けて上記揮発性液体を射出してもよいが、インクジェットの射出位置精度が高い場合には、マスクを配さずに目的の場所のみに前記揮発性液体を射出することにより塗布してもよく、さらなるコスト低減化が可能である。
この方法でも、低コストで酸化マグネシウム微粒子結晶を保護層表面の特定部分に微粒子結晶被覆率を大きくして配設することができ、また、揮発性液体の揮発に伴い酸化マグネシウム微粒子結晶が、一様な面密度で保護層表面に分散は位置されるので、酸化マグネシウム微粒子結晶の偏在が少ない。
この場合、微粒子結晶の配設面積が小さくなるため、透光性をより高められる。
また、本実施の形態のPDP1では、保護層16及び微粒子結晶16aの主成分は、共にMgOとしたが、MgOに限るものではなく、どちらもマグネシウムと同じ第II族に属する金属の酸化物であればよい。
その場合、どちらも第II族に属する金属の酸化物であることが望ましい。
また、放電セルは、上述したように、3原色、即ち、赤色、緑色及び青色の各色のいずれかに対応し、各色に対応する3つの放電セルで1画素を表示しているが、各色に対応する放電セル毎に、配設領域の微粒子結晶の面密度を設定するとしてもよい。
(変形例1)
本実施の形態のPDP1は、微粒子結晶16aの配設領域16rが、放電セルの中央部に集中的に配設されており、より具体的には、微粒子結晶16aの配設領域16rを、走査電極13の透明電極121及び維持電極12の透明電極131において、互いに近接する2つの端部とその間に挟まれた領域(以下、「狭窄領域」という。)を覆う矩形の領域としているが、微粒子結晶16aの配設領域をこれに限定するものではない。
このPDP2は、基本的な構成はPDP1と同一であり、微粒子結晶の配設位置のみが異なり、微粒子結晶の組成もPDP1と同一である。
より具体的には、PDP2は、図6(a),(b)に示すように、PDP1における微粒子結晶16aの配設領域16rから上記狭窄領域を除外したものを新たな配設領域としている。
微粒子結晶116a及び微粒子結晶116bは、図6(c),(d)に示すように、配設領域116ra及び配設領域116rbにおいて一様な面密度で点在している。
何故ならば、保護層16表面の上記狭窄領域では、図3に示すように、アドレス放電時の電圧印加において、アドレス電界強度分布としては急激に減少する領域となっており、アドレス電界強度のピークとなっているピーク領域に比べ、アドレス電界強度が低く、もともと潜在する初期電子放出能力が小さいこのような領域に配設された微粒子結晶の放電遅延抑制への寄与度は、小さいものと思われるからである。
以上のように、変形例1のPDP2は、もともと高い初期電子の放出性能を有する場所、即ち、走査電極13の透明電極131の端部、即ち、配設領域116rbに、微粒子結晶116bを集中的に配設して、さらに初期電子放出性能を高めることにより、放電遅延を抑制すると共に、1放電セルあたりの微粒子結晶の使用量を少なくして、透光性能の大幅な低下を抑制し、発光効率の低下を抑制することができる。
なお、PDP2において、配設領域116ra及び配設領域116rb以外の領域には微粒子結晶が全く配設されていないが、透光性に影響を殆ど与えないように、微粒子結晶被覆率を配設領域116ra,116rbに配設されている微粒子結晶の微粒子結晶被覆率よりも小さく、例えば5%にして、配設領域116ra及び配設領域116rb以外の領域に配設してもよい。
また、本実施の形態のPDP1では、保護層16の主成分と微粒子結晶116a、116bの主成分とが一致しているが、異なっていてもよい。その場合、どちらも第II族に属する金属の酸化物であることが望ましい。
何故なら、各放電セルに配されている蛍光体の毎に、発光輝度や放電遅延の発生状況に差があるため、前記微粒子の面密度を各色に対応する放電セル毎に決めることで、発光効率低下の抑制及び放電遅延の抑制を行う上でよりきめ細かな調整を行なうことができるからである。
(変形例2)
本実施の形態のPDP1およびその変形例1のPDP2では、例えば、図2(a)に示すように、微粒子結晶の配設領域におけるY軸方向の長さは、透明電極121及び透明電極131の幅(Y軸方向長さ)よりも長くなるように設定した。
つまり、透明電極121及び透明電極131のY軸方向の縁部では、アドレス電界強度が低く、潜在する初期放電性能が低いと考えられる。
図7(a),(b),(c),(d)は、以上の内容を考慮して微粒子結晶の配設領域を決定したPDP3の構成を示す図である。
即ち、PDP3では、図7(a),(b)に示すように、走査電極13の透明電極121及び維持電極12の透明電極131において、互いに近接する2つの端部のいずれかと、アドレス電極22との両方に対向する保護層16表面の領域、つまり、配設領域216ra及び配設領域216rbにそれぞれ微粒子結晶216a及び微粒子結晶216bが配設されるとした。
微粒子結晶216a,216bの配設方法は、微粒子結晶16aの配設方法と同様である。つまり、微粒子結晶216a,216bの配設方法を保護層16表面に配設するために、印刷工法、インクジェット法及びスプレーのいずれをも用いることができる。
ただし、微粒子結晶被覆率を100%から次第に小さくしても、20%に至るまでは、顕著な放電遅れが生じることはなかった。
微粒子結晶216a,216bの配設方法は、微粒子結晶16aの配設方法と同様である。つまり、微粒子結晶216a,216bの配設方法を保護層16表面に配設するために、上述した印刷工法、インクジェット法及びスプレーのいずれをも用いることができる。
なお、PDP3において、配設領域216ra及び配設領域216rb以外の領域には微粒子結晶が全く配設されていないが、透光性に影響を殆ど与えないように、微粒子結晶被覆率を配設領域216ra,216rbに配設されている微粒子結晶の微粒子結晶被覆率よりも小さく、例えば5%にして、配設領域216ra及び配設領域216rb以外の領域に配設してもよい。
また、変形例2のPDP3では、保護層16の主成分と微粒子結晶216a、216bの主成分とが一致しているが、異なっていてもよい。その場合、どちらも第II族に属する金属の酸化物であることが望ましい。
また、実施の形態1、変形例1、変形例2と徐々に微粒子結晶の配設領域の面積を縮小する例を示してきたが、これら以外の形態で微粒子結晶を配設してもよく、例えば、以下に列挙する配設領域の設定でも、保護層全面に微粒子結晶の配設領域を設けていた従来よりも、発光効率低下の抑制と放電遅延の抑制とを両立実施し易くなる。
(微粒子結晶の配設領域のその他の例)
1)透明電極121と透明電極131とを合わせた領域に対向する保護層16表面に微粒子結晶を配設する。
2)アドレス電極22であって隣り合う隔壁25同士で挟まれる部分と対向する保護層16表面に微粒子結晶を配設する。
3)上記1)及び上記2)の例で示したそれぞれの微粒子結晶の配設領域を合わせたものを新たな粒子結晶の配設領域とする。
4)透明電極121と透明電極131とこれらの間に挟まれる放電セル中央部分とを合わせた領域に対向する保護層16表面に微粒子結晶を配設する。
10 前面パネル
11,21 ガラス基板
12 維持電極
13 走査電極
14 表示電極対
15 誘電体層
16 保護層
16a 微粒子結晶
16r 配設領域
17a ブラックストライプ
20 背面パネル
22 アドレス電極
23 誘電体層
24,25 隔壁
26 蛍光体層
112,113 透明電極
116a,116b 微粒子結晶
116ra,116rb 配設領域
121,131 透明電極
122,132 バス電極
216a,216b 微粒子結晶
216ra,216rb 配設領域
Claims (6)
- 前面板と背面板とが放電空間を挟んで対向配置され、前記前面板は、前記放電空間に面する側に、走査電極及び維持電極からなる表示電極対と誘電体層と保護層とが順次積層され、前記背面板には、前記表示電極対と前記放電空間を隔てて交差するアドレス電極が配され、前記交差する箇所に放電セルが形成されてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層表面には、金属酸化物の結晶を含む微粒子が配設され、
前記表示電極対又は前記アドレス電極のいずれかに対向する前記保護層表面の領域を第1領域とし、
前記走査電極と前記維持電極間とに挟まれている狭窄部と対向している前記保護層表面上の領域を第2領域とするとき、
前記第1領域及び第2領域に、前記保護層表面の前記第1領域及び第2領域以外の領域における前記微粒子の面密度よりも、前記微粒子の面密度が大きい部分を有し、前記微粒子の面密度が大きい領域は、当該領域よりも前記微粒子の面密度が小さい領域に比べ、配設されている前記微粒子の結晶性が高いプラズマディスプレイパネル。 - 前記表示電極対と対向している前記保護層表面の領域を第3領域とするとき、前記第2領域と前記第3領域とを合わせた第4領域における前記微粒子の面密度が、前記保護膜表面の前記第4領域以外の全ての領域における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
- 前記表示電極対と対向している前記保護層表面の領域を第3領域とするとき、
前記第3領域における前記微粒子の面密度が、前記保護膜表面の前記第3領域以外の全ての領域における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記表示電極対の前記走査電極及び前記維持電極それぞれにおいて、互いに近接し合う2つの端部と対向している前記保護層表面の領域を第5領域とするとき、
前記第5領域における前記微粒子の面密度が、前記保護膜表面の前記第5領域以外の全ての領域における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記表示電極対の前記走査電極及び前記維持電極それぞれにおいて、互いに近接し合う2つの端部と対向している前記保護層表面の領域を第5領域とするとき、
前記第5領域と第2領域とを合わせた第6領域における前記微粒子の面密度が、前記保護膜表面の前記第6領域以外の全ての領域における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記表示電極対は複数存在し、
前記表示電極対の走査電極と維持電極は、それぞれ透明電極とバス電極との対からなり、
前記走査電極及び前記維持電極において、各透明電極の一部の領域と対向する保護層表面の第7領域における前記微粒子の面密度が、前記保護膜表面の前記第7領域以外の全ての領域における前記微粒子の面密度よりも大きい請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
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JP2002352726A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその駆動方法 |
JP2004087356A (ja) * | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
DE60329013D1 (de) * | 2002-11-22 | 2009-10-08 | Panasonic Corp | Plasmaanzeigetafel und verfahren zu ihrer herstellung |
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