JP5058667B2 - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体集積回路や液晶表示素子等の製造工程において、マスク、レチクル等の原版のパターンをウェハ、ガラスプレート等の基板に露光する露光装置に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus that exposes a pattern of an original such as a mask or a reticle onto a substrate such as a wafer or a glass plate in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal display element, or the like.
マスク、レチクル等の原版の変形要因を分類すると、自重による撓み、ガラス基板自体の研磨精度、マスク吸着、熱膨張による変形等が考えられる。
このような変形は、マスク毎、露光装置毎に変わってくることがあり、変形量を正確に計測するためには、実際の使用環境であるマスクステージ上で測定する必要がある。
図１、図２に示されるようにマスク１１の上に補正板１２を載せて密着させ、配管１３からマスク１１と補正板１２の間の圧力を変化させることによりマスク１１の撓みを補正している。
その際、マスク１１が変わるたびに、マスク１１の撓み量をレーザ変位計１４により計測し、所定の撓み量内に収まるように何度も圧力を変え計測し、圧力を決めている。
また、最初に決めた圧力も、基板２０を露光している間に、露光装置内の環境、マスク１１の使用状況により、撓み量が変化する場合がある。その場合は、再度、試行錯誤により圧力値を設定し露光している。
When the deformation factors of the original plate such as a mask and a reticle are classified, it is possible to consider deformation due to its own weight, polishing accuracy of the glass substrate itself, mask adsorption, deformation due to thermal expansion, and the like.
Such deformation may vary from mask to mask and from exposure apparatus to exposure apparatus. In order to accurately measure the amount of deformation, it is necessary to measure on the mask stage which is the actual use environment.
As shown in FIGS. 1 and 2, the
At that time, each time the
In addition, even when the pressure is initially determined, the amount of deflection may change depending on the environment in the exposure apparatus and the usage state of the
図４に従来例のロット処理中のフローチャート図が示され、露光が開始され（ステップ１０１）、ウェハ、ガラスプレート等の基板が準備される（ステップ１０２）。
原版面であるマスク面が計測され、計測値、指定圧力値が保存される（ステップ１０３）。
所定の撓み量内の許容範囲を超えている場合は（ステップ１０３）、エラーが発生する（ステップ１０５）。
所定の撓み量内の許容範囲を超えていない場合は、露光が開始される（ステップ１０６）。
次の基板がある場合（ステップ１０７）には、再び、基板が準備される（ステップ１０２）。
次の基板が無い場合、露光は終了する（ステップ１０８）。
また、特開２００５−８５８３３号公報では、マスク
を露光装置 にセットした状態における各サブフィールドの位置を正確に予想・補正 でき、露光装置 における露光精度を向上させることのできるマスク検査方法等が提案されている。
The mask surface, which is the original surface, is measured, and the measured value and the specified pressure value are stored (step 103).
If it exceeds the allowable range within the predetermined deflection amount (step 103), an error occurs (step 105).
If the allowable range within the predetermined deflection amount is not exceeded, exposure is started (step 106).
If there is a next substrate (step 107), the substrate is prepared again (step 102).
If there is no next substrate, the exposure ends (step 108).
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-85833 proposes a mask inspection method that can accurately predict and correct the position of each subfield when the mask is set in the exposure apparatus, and can improve the exposure accuracy in the exposure apparatus. Has been.
マスクの自重による撓み、ガラス基板自体の研磨精度、マスク吸着、熱膨張等の要因によるマスクの変形があるため、マスク全体の平面度を高める必要がある。
例えば、マスクの変形要因がマスクの自重による撓みだけの場合、マスクの撓みが最も大きいと予想される中心とマスク基準面の差分が少なければよい。
しかし、上記のマスクの変形要因の中で、ガラス研磨による変形、マスクの吸着による変形、熱膨張による変形については、予測が不可能である。
これらも含め補正する場合は、マスク全面に対して計測を行い補正する必要がある。
次に、マスクの撓みの経時変化分を補正する必要がある。
マスク、レチクルの原版の変形要因は、自重による撓み、ガラス基板自体の研磨精度、マスク吸着による変形、熱膨張による変形等が考えられる。
この中でも、マスク吸着による変形、熱膨張等は、時間が経過すると共に変化する。
時間経過による変化が生じた場合でも、従来例では、一旦決めた圧力値を撓みの許容範囲外になるまで、使用し許容範囲を超えた場合は、露光装置を停止していた。
Since there is deformation of the mask due to factors such as bending due to its own weight, polishing accuracy of the glass substrate itself, mask adsorption, and thermal expansion, it is necessary to increase the flatness of the entire mask.
For example, when the deformation factor of the mask is only the deflection due to the weight of the mask, the difference between the center where the deflection of the mask is expected to be the largest and the mask reference plane should be small.
However, among the deformation factors of the mask described above, it is impossible to predict deformation due to glass polishing, deformation due to mask adsorption, and deformation due to thermal expansion.
When correcting including these, it is necessary to measure and correct the entire mask.
Next, it is necessary to correct the change with time of the deflection of the mask.
Possible deformation factors of the mask and reticle original plate include bending due to its own weight, polishing accuracy of the glass substrate itself, deformation due to mask adsorption, deformation due to thermal expansion, and the like.
Among these, deformation due to mask adsorption, thermal expansion, and the like change with time.
Even in the case where there is a change due to the passage of time, in the conventional example, the exposure apparatus is stopped when the pressure value once determined is used until it exceeds the allowable range of deflection and exceeds the allowable range.
さらに、上記のようにマスク１１が変わるたびに圧力を決め、また、最初に決めた圧力も、再度、試行錯誤により圧力値を設定する２つの制御圧力の決定工程を自動化する必要がある。
従来例では、マスクの撓み量を、露光装置の調整時、露光開始時、基板２０の搬入時に計測し、許容範囲を超えた場合は露光装置を停止していた。
手動で圧力を設定し計測を繰り返し、最適な圧力値を設定する必要があり、その際には生産ができず、生産性が低下し、人員を必要とした。
そこで、本発明は、例えば、原版のパターン面の変形によるデフォーカスを低減させる露光装置を提供することを目的とする。
Further, the pressure is determined every time the
In the conventional example, the amount of deflection of the mask is measured when the exposure apparatus is adjusted, when exposure is started, and when the
It was necessary to set the pressure manually and repeat the measurement to set the optimum pressure value. At that time, production was not possible, productivity was lowered, and personnel were required.
Therefore, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that reduces defocus due to deformation of a pattern surface of an original, for example.
上記の課題を解決するため本発明の露光装置は、原版からの光を投影する投影光学系を有し、該原版のパターン面と前記投影光学系とを介して基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系の光軸方向における該パターン面の複数箇所の基準面からの距離に関する計測値を得る計測手段と、
該パターン面に直交する方向において該原版に力を加える手段と、を有し、
前記力を加える手段が該原版に加える力の変化量と前記計測手段により得られた計測値の変化量との比と、前記計測手段により得られた計測値とに基づいて、前記力を加える手段が該原版に加える力を変化させ、
前記力を加える手段が該原版に加える力を変化させた場合、前記力を加える手段が該原版に加える力の変化量と前記計測手段により得られた計測値の変化量との比を求めて更新し、
該パターン面上の少なくとも１箇所に関して前記計測手段により得られた計測値が許容範囲を越えた場合、前記計測手段により得られた該複数個所に関する計測値と該更新された比とに基づいて、前記計測手段により得られる該複数個所に関する計測値が許容範囲内となるように、前記力を加える手段が該原版に加える力を変化させる、
ことを特徴とする露光装置である。
In order to solve the above problems, an exposure apparatus of the present invention is an exposure apparatus that has a projection optical system that projects light from an original and exposes a substrate through the pattern surface of the original and the projection optical system. And
Measuring means for obtaining a measurement value relating to the distance from the reference surface at a plurality of locations of the pattern surface in the optical axis direction of the projection optical system;
Means for applying a force to the original plate in a direction perpendicular to the pattern surface,
The means for applying the force applies the force based on the ratio of the amount of change in the force applied to the original plate and the amount of change in the measured value obtained by the measuring means, and the measured value obtained by the measuring means. Changing the force that the means apply to the original,
When the force applying means changes the force applied to the original plate, the ratio of the change amount of the force applied by the force applying means to the original plate and the change amount of the measured value obtained by the measuring means is obtained. Updated,
When the measurement value obtained by the measurement means for at least one place on the pattern surface exceeds an allowable range, based on the measurement values obtained by the measurement means and the updated ratio, The force applying means changes the force applied to the original so that the measurement values obtained by the measuring means regarding the plurality of locations are within an allowable range;
An exposure apparatus characterized by that .
本発明によれば、例えば、原版のパターン面の変形によるデフォーカスを低減させる露光装置を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an exposure apparatus which Ru reduce defocus due to deformation of the pattern surface of the original.
以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
まず、マスク全体の平坦度を自動で高める本発明の実施例１を説明する。
図１には、本発明の実施例１の露光装置の構成が概略的に示されている。
露光装置は、マスク、レチクル等の原版からの光を投影する投影光学系を有し、原版のパターン面と投影光学系とを介してウェハ、ガラスプレート等の基板を露光する装置である。
露光装置は、マスクステージ１０を有し、その上には原版であるマスク１１が装填され、バキュームチャックにより吸着保持されている。
また、マスク１１上には、マスク１１の撓みを補正するための補正板１２が装着されている。原版に力を加える手段である補正板１２は、パターン面に直交する方向において原版であるマスク１１に力を加える手段である。
補正板１２には、マスク１１と補正板１２との間の圧力を調整するための配管１３があり、露光装置は圧力を制御するための制御系を備えている。
First, Embodiment 1 of the present invention for automatically increasing the flatness of the entire mask will be described.
FIG. 1 schematically shows the arrangement of an exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention.
The exposure apparatus has a projection optical system that projects light from an original such as a mask and a reticle, and exposes a substrate such as a wafer and a glass plate through the pattern surface of the original and the projection optical system.
The exposure apparatus has a
A
The
配管１３よる圧力制御により、圧力を適切な圧力値に変更し、図２に示されるように撓んでいたマスク１１が、図３に示されるマスク基準面３０まで持ち上げられる。
また、マスク１１面とのマスク基準面３０の距離を測るためのX方向に移動可能な変位計１４が備えられ、それを制御するための制御系を備えている。
Y方向への移動は、マスクステージ１０をスキャン駆動させ、レーザ変位計１４はマスク１１全面を計測する。
検出手段であるレーザ変位計１４は、投影光学系の光軸方向におけるパターン面の複数箇所の位置をそれぞれ検出する手段である。
この検出手段であるレーザ変位計１４により検出されたパターン面の複数箇所の位置が予め定められた許容範囲内になるように、原版に力を加える手段である補正板１２に力を発生させる。
このレーザ変位計１４は、予めマスク１１の基準面３０をレーザ変位計１４の原点として調整され、マスク１１面とのマスク基準面３０の距離を測定する。
The pressure is changed to an appropriate pressure value by the pressure control by the
Further, a
To move in the Y direction, the
The
A force is generated in the
The
次に、図５を参照して、本発明の実施例１を説明する。
マスク１１の平坦度は、自重による撓み、ガラス基板自体の研磨制度、マスク吸着時の変形、熱膨張等により影響を受け、マスク１１全面に対して計測を行い補正される。
図５に示されるステップ２０２では、マスク１１面全体の計測を行う。
その際の圧力値をP1とし変位計測値の平均値をd1とし、計測値d1及び圧力値P1を保存する。
ステップ２０３では、補正圧力の計算を行う。補正計算では、以下の式を使用する。
Next, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIG.
The flatness of the
In
The pressure value at that time is P1, the average value of the displacement measurement values is d1, and the measurement value d1 and the pressure value P1 are stored.
In
補正圧力値をP2とすると、Kは前回計測時の係数となり、今回の場合は装置調整時等で計測された時の値を使用か、工場出荷時の初期値を用いる。
P2の圧力値で、圧力制御する。
ステップ２０４では、ステップ２０１と同様にマスク全面に対して計測を行う。
その際の圧力値をP2とし変位計測値の平均値をd2とし、計測値d2及び圧力値P2を保存する。
When the correction pressure value is P2, K is a coefficient at the time of the previous measurement. In this case, the value measured at the time of device adjustment or the like is used, or the initial value at the time of factory shipment is used.
The pressure is controlled with the pressure value of P2.
In
The pressure value at that time is P2, the average value of the displacement measurement values is d2, and the measurement value d2 and the pressure value P2 are stored.
ステップ２０５では、計測値d2が定められた許容範囲に入っているかどうかを判定し、許容範囲に入っていない場合は、ステップ２０３に戻り、P1・P2・d1・d2から式（２）に従いKを算出し保存する。
そこで、式（１）とK・P2・d2から次の指定圧力P3を算出する。その値で圧力制御する。
ステップ２０４では、再度マスク全面に対して計測を行い、その際の圧力値をP3とし変位計測値の平均値をd3とし、計測値d3及び圧力値P3を保存する。
ステップ２０５では、計測値d3が定められた許容範囲に入っているかどうかを判定し、許容範囲に入っていない場合は、再度ステップ２０３に戻り計測を繰り返す。
許容範囲内に入っている場合は、マスク面はデフォーカスしない程度に平坦であると判断でき終了（ステップ２０６）する。
In
Therefore, the next specified pressure P3 is calculated from the equation (1) and K · P2 · d2. The pressure is controlled with that value.
In
In
If it is within the allowable range, it can be determined that the mask surface is flat enough not to defocus, and the process ends (step 206).
以上のように、各計測点における変位差を平均化し、平均値を０に近づけていくことにより、最終的にはデフォーカスされない変位差まで、補正していくことが可能になる。
また、マスク１１全面の計測に時間がかかる場合は、最初にマスク１１中心の変位差の一点計測のみで実施例１の方法で行い、次に、マスク１１全面に対して実施例１を行う。
これにより、ステップ２０３〜２０５を繰り返す工程数を減らし、時間的にも短縮する。
As described above, by averaging the displacement difference at each measurement point and bringing the average value close to 0, it is possible to finally correct the displacement difference that is not defocused.
If it takes time to measure the entire surface of the
As a result, the number of steps in which steps 203 to 205 are repeated is reduced and the time is shortened.
次に、図６を参照して、ロット処理中のマスクの経時変化を自動補正し、マスク平坦度を保つ本発明の実施例２を説明する。
本実施例２の装置構成は実施例１と同じで、検出手段であるレーザ変位計１４によりマスク等の原版上の少なくとも１つの検出点に対する経時的な変化量を算出する。
さらに、この変化量が許容範囲を越えたときに、原版に力を加える手段である補正板１２に前記力を発生させる。
実施例２を行う前提として、実施例１を実施し、ある程度のマスク平坦度が保たれているとする。
ロットの露光が開始された（ステップ３０１）際、ステップ３０２にて、ロット先頭基板２０が装置内に搬入される。
基板２０の搬入中もしくは基板２０の搬入後に、マスク面計測（ステップ３０３）を行う。
マスク面計測（ステップ３０３）は、マスク全面に対して計測を行うか、予め決められた数点を計測する。
Next, referring to FIG. 6, a second embodiment of the present invention that automatically corrects the change with time of the mask during the lot processing and maintains the mask flatness will be described.
The apparatus configuration of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and the amount of change over time for at least one detection point on an original plate such as a mask is calculated by a
Further, when the amount of change exceeds an allowable range, the force is generated on the
As a premise for performing the second embodiment, it is assumed that the first embodiment is performed and a certain degree of mask flatness is maintained.
When the exposure of the lot is started (step 301), in
Mask surface measurement (step 303) is performed during the loading of the
In the mask surface measurement (step 303), measurement is performed on the entire mask surface or several predetermined points are measured.
計測点数は、装置性能により、全体の動作を遅らせないような計測点数を決定する。
変位計計測値の平均値をd1、そのときの圧力値をP1とし保存する。
計測値d1が定められた許容範囲に入っているかどうかを判定（ステップ３０４）する。
許容範囲に入っていない場合は、再度マスク面計測する圧力計算を（ステップ３０５）行う。
圧力値は、初回のマスク面計測（ステップ３０３）の変位計計測値の平均値をd1、圧力値をP1とし、Kは、以前計測したときに保存された係数、もしくは装置調整時に保管された数値を使用し、変更する圧力値P2を求めることができる。
その圧力値で装置のマスクと補正板の間の圧力を制御する。
再度マスク面計測（ステップ３０３）を行い、変位計計測値の平均値d2と、そのときの圧力値をP2とし保存する。
計測値d2が定められた許容範囲に入っているかどうかを判定（ステップ３０４）し、入ってない場合は、P1・P2・d1・d2から式（２）に従いKを算出し保存する。
式（１）とK・P2・d2から次の指定圧力P3を算出する。
ステップ３０３に戻り、マスク面計測を繰り返す。
The number of measurement points is determined so as not to delay the entire operation according to the performance of the apparatus.
Save the average displacement measurement value as d1 and the pressure value at that time as P1.
It is determined whether or not the measured value d1 is within a predetermined allowable range (step 304).
If not within the allowable range, the pressure calculation for measuring the mask surface is performed again (step 305).
As for the pressure value, d1 is the average value of the displacement meter measurement value of the first mask surface measurement (step 303), P1 is the pressure value, and K is a coefficient stored at the time of previous measurement or stored at the time of apparatus adjustment. Using the numerical value, the pressure value P2 to be changed can be obtained.
The pressure value controls the pressure between the mask of the apparatus and the correction plate.
Mask surface measurement is performed again (step 303), and the average value d2 of the displacement meter measurement values and the pressure value at that time are stored as P2.
It is determined whether or not the measured value d2 is within the predetermined allowable range (step 304). If not, K is calculated from P1, P2, d1, and d2 according to the equation (2) and stored.
The next specified pressure P3 is calculated from the formula (1) and K · P2 · d2.
Returning to step 303, the mask surface measurement is repeated.
ステップ３０４で許容範囲内に入っている場合は、マスク面はデフォーカスしない程度に平坦であると判断でき、露光動作（ステップ３０６）する。
露光終了後、次の基板２０がある場合は、基板準備（ステップ３０２）に戻り、ロットの基板がなくなるまで繰り返す。
以上の様に、基板毎にマスク面の変位差を計測し、各計測点における変位差を平均化し、平均値を０に近づけていくことにより、最終的にはデフォーカスされない変位差まで、補正していくことが可能になる。
以上により、マスク１１の吸着による変形、熱膨張による変形等の経時変化を補正し、露光することができる。
If it is within the allowable range in
If there is a
As described above, the displacement difference of the mask surface is measured for each substrate, the displacement difference at each measurement point is averaged, and the average value is brought close to 0, so that the displacement difference that is not defocused is finally corrected. It becomes possible to do.
As described above, it is possible to perform exposure by correcting temporal changes such as deformation due to suction of the
次に、図７及び図８を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。
図７は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
露光装置を用いてウェハを露光する工程と、前記ウェハを現像する工程とを備え、具体的には、以下の工程から成る。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。
ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。
ステップ３（ウェハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ステップ４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウェハ上に実際の回路を形成する。
ステップ５（組立）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。
ステップ６（検査）では、ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。
こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷（ステップ７）される。
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus will be described with reference to FIGS.
FIG. 7 is a flowchart for explaining how to fabricate devices (ie, semiconductor chips such as IC and LSI, LCDs, CCDs, etc.). Here, a semiconductor chip manufacturing method will be described as an example.
The method comprises the steps of exposing a wafer using an exposure apparatus and developing the wafer, and specifically comprises the following steps.
In step 1 (circuit design), a semiconductor device circuit is designed.
In step 2 (mask production), a mask is produced based on the designed circuit pattern.
In step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon.
Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer using the mask and the wafer by the above exposure apparatus using the lithography technique.
Step 5 (assembly) is referred to as a post-process, and is a process for forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and an assembly process such as an assembly process (dicing, bonding), a packaging process (chip encapsulation), or the like. including.
In step 6 (inspection), the semiconductor device manufactured in step 5 undergoes inspections such as an operation confirmation test and a durability test.
Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
図８は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。
ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。
ステップ１３（電極形成）では、ウェハに電極を形成する。
ステップ１４（イオン打込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。
ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。
ステップ１６（露光）では、露光装置によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。
ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。
ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。
ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
FIG. 8 is a detailed flowchart of the wafer process in Step 4.
In step 11 (oxidation), the surface of the wafer is oxidized.
In step 12 (CVD), an insulating film is formed on the surface of the wafer.
In step 13 (electrode formation), an electrode is formed on the wafer.
In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer.
In step 15 (resist process), a photosensitive agent is applied to the wafer.
Step 16 (exposure) uses the exposure apparatus to expose a circuit pattern on the mask onto the wafer.
In step 17 (development), the exposed wafer is developed.
In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed.
In step 19 (resist stripping), the resist that has become unnecessary after the etching is removed.
By repeatedly performing these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.
１０：マスクステージ
１１：原版
１２：補正板
１３：圧力配管
１４：レーザ変位計
２０：基板
２１：プレートステージ
10: Mask stage 11: Original plate 12: Correction plate 13: Pressure pipe 14: Laser displacement meter 20: Substrate 21: Plate stage
Claims (4)
前記投影光学系の光軸方向における該パターン面の複数箇所の基準面からの距離に関する計測値を得る計測手段と、
該パターン面に直交する方向において該原版に力を加える手段と、を有し、
前記力を加える手段が該原版に加える力の変化量と前記計測手段により得られた計測値の変化量との比と、前記計測手段により得られた計測値とに基づいて、前記力を加える手段が該原版に加える力を変化させ、
前記力を加える手段が該原版に加える力を変化させた場合、前記力を加える手段が該原版に加える力の変化量と前記計測手段により得られた計測値の変化量との比を求めて更新し、
該パターン面上の少なくとも１箇所に関して前記計測手段により得られた計測値が許容範囲を越えた場合、前記計測手段により得られた該複数個所に関する計測値と該更新された比とに基づいて、前記計測手段により得られる該複数個所に関する計測値が許容範囲内となるように、前記力を加える手段が該原版に加える力を変化させる、
ことを特徴とする露光装置。 An exposure apparatus having a projection optical system for projecting light from an original, and exposing a substrate through the pattern surface of the original and the projection optical system,
Measuring means for obtaining a measurement value relating to the distance from the reference surface at a plurality of locations of the pattern surface in the optical axis direction of the projection optical system;
Means for applying a force to the original plate in a direction perpendicular to the pattern surface,
The means for applying the force applies the force based on the ratio of the amount of change in the force applied to the original plate and the amount of change in the measured value obtained by the measuring means, and the measured value obtained by the measuring means. Changing the force that the means apply to the original,
When the force applying means changes the force applied to the original plate, the ratio of the change amount of the force applied by the force applying means to the original plate and the change amount of the measured value obtained by the measuring means is obtained. Updated,
When the measurement value obtained by the measurement means for at least one place on the pattern surface exceeds an allowable range, based on the measurement values obtained by the measurement means and the updated ratio, The force applying means changes the force applied to the original so that the measurement values obtained by the measuring means regarding the plurality of locations are within an allowable range;
An exposure apparatus characterized by that.
前記工程で露光された該基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。 A step of exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 3 ;
A step of developing the substrate exposed in the step,
Device manufacturing method characterized by having a.
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|---|---|---|---|
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Publications (2)
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