JP5056405B2 - スイッチング装置 - Google Patents
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Description
前記半導体スイッチング素子のゲート電圧の時間変化率が第1の基準値を超えた後に前記第1の基準値と異なる第2の基準値を下回ることを検出することによって、前記時間変化率の符号の変化を検知する符号変化検知手段と、
前記符号変化検知手段によって検知された前記時間変化率の符号の変化の検知タイミングに応じて、前記スイッチング素子をターンオンさせる駆動電圧又は駆動電流を変化させる切替手段とを備えることを特徴とする。
C* コンデンサ
CMP* コンパレータ
D* ダイオード
G1 制御部
M* トランジスタ
Q* スイッチング素子
R* 抵抗
VD 電源電圧
Claims (5)
- 半導体スイッチング素子のスイッチング装置であって、
前記半導体スイッチング素子のゲート電圧の時間変化率が第1の基準値を超えた後に前記第1の基準値と異なる第2の基準値を下回ることを検出することによって、前記時間変化率の符号の変化を検知する符号変化検知手段と、
前記符号変化検知手段によって検知された前記時間変化率の符号の変化の検知タイミングに応じて、前記スイッチング素子をターンオンさせる駆動電圧又は駆動電流を変化させる切替手段とを備えることを特徴とする、スイッチング装置。 - 前記切替手段は、前記時間変化率が前記第2の基準値を下回るタイミングに応じて、前記駆動電圧又は駆動電流を変化させる、請求項1に記載のスイッチング装置。
- 前記切替手段は、前記時間変化率が前記第2の基準値を下回った時点から遅延時間経過した後に、前記駆動電圧又は駆動電流を変化させる、請求項2に記載のスイッチング装置。
- 前記第1の基準値は、前記第2の基準値よりも高い値に設定された、請求項1から3のいずれか一項に記載のスイッチング装置。
- 前記切替手段は、前記スイッチング素子のゲート抵抗の抵抗値を変化させる、請求項1から4のいずれか一項に記載のスイッチング装置。
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