JP5052970B2 - Heat treatment apparatus and method of manufacturing heat treatment apparatus - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等（以下、単に「基板」と称する）に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a heat treatment apparatus for heating a substrate by irradiating a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device or the like (hereinafter simply referred to as “substrate”) with flash light, and a method for manufacturing the same.

従来より、イオン注入後の半導体ウェハーのイオン活性化工程においては、ハロゲンランプを使用したランプアニール装置が一般的に使用されていた。このようなランプアニール装置においては、半導体ウェハーを、例えば、１０００℃ないし１１００℃程度の温度に加熱（アニール）することにより、半導体ウェハーのイオン活性化を実行している。そして、このような熱処理装置においては、ハロゲンランプより照射される光のエネルギーを利用することにより、毎秒数百度程度の速度で基板を昇温する構成となっている。   Conventionally, a lamp annealing apparatus using a halogen lamp has been generally used in an ion activation process of a semiconductor wafer after ion implantation. In such a lamp annealing apparatus, ion activation of a semiconductor wafer is performed by heating (annealing) the semiconductor wafer to a temperature of about 1000 ° C. to 1100 ° C., for example. In such a heat treatment apparatus, the temperature of the substrate is raised at a rate of several hundred degrees per second by using the energy of light irradiated from the halogen lamp.

一般に、このようなハロゲンランプを使用したランプアニール装置においては、熱処理室内に種々のガスを導入することが多く、熱処理室を気密にするためのシール部材としてＯリングが使用されている。Ｏリングは樹脂製であって耐熱温度が比較的低いため、ハロゲンランプからの輻射熱による温度上昇を抑制する必要がある。このため、ガスや冷却流体を利用して熱処理中のＯリングを冷却するランプアニール装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、冷媒に効率良く熱を伝導するために、冷媒ジャケットとＯリングとの間に樹脂シートを挟み込んでいるランプアニール装置もある（例えば、特許文献２参照）。   Generally, in a lamp annealing apparatus using such a halogen lamp, various gases are often introduced into the heat treatment chamber, and an O-ring is used as a seal member for making the heat treatment chamber airtight. Since the O-ring is made of resin and has a relatively low heat-resistant temperature, it is necessary to suppress a temperature rise due to radiant heat from the halogen lamp. For this reason, a lamp annealing apparatus that cools an O-ring during heat treatment using gas or a cooling fluid has been proposed (see, for example, Patent Document 1). There is also a lamp annealing apparatus in which a resin sheet is sandwiched between a refrigerant jacket and an O-ring in order to conduct heat efficiently to the refrigerant (see, for example, Patent Document 2).

一方、近年、半導体デバイスの高集積化が進展し、ゲート長が短くなるにつれて接合深さも浅くすることが望まれている。しかしながら、毎秒数百度程度の速度で半導体ウェハーを昇温する上記ランプアニール装置を使用して半導体ウェハーのイオン活性化を実行した場合においても、半導体ウェハーに打ち込まれたボロンやリン等のイオンが熱によって深く拡散するという現象が生ずることが判明した。このような現象が発生した場合においては、接合深さが要求よりも深くなり過ぎ、良好なデバイス形成に支障が生じることが懸念される。   On the other hand, in recent years, as semiconductor devices have been highly integrated, it is desired to reduce the junction depth as the gate length becomes shorter. However, even when ion activation of a semiconductor wafer is performed using the above-described lamp annealing apparatus that raises the temperature of the semiconductor wafer at a speed of several hundred degrees per second, ions such as boron and phosphorus implanted in the semiconductor wafer are heated. It was found that the phenomenon of deep diffusion occurs. When such a phenomenon occurs, there is a concern that the junction depth becomes deeper than required, which hinders good device formation.

このため、キセノンフラッシュランプ（以下、単に「フラッシュランプ」とするときにはキセノンフラッシュランプを意味する）を使用して半導体ウェハーの表面にフラッシュ光（閃光）を照射することにより、イオンが注入された半導体ウェハーの表面のみを極めて短時間（数ミリセカンド以下）に昇温させる技術が提案されている（例えば、特許文献３，４）。キセノンフラッシュランプの放射分光分布は紫外域から近赤外域であり、従来のハロゲンランプよりも波長が短く、シリコンの半導体ウェハーの基礎吸収帯とほぼ一致している。よって、キセノンフラッシュランプから半導体ウェハーにフラッシュ光を照射したときには、透過光が少なく半導体ウェハーを急速に昇温することが可能である。また、数ミリセカンド以下の極めて短時間のフラッシュ光照射であれば、半導体ウェハーの表面近傍のみを選択的に昇温できることも判明している。このため、キセノンフラッシュランプによる極短時間の昇温であれば、イオンを深く拡散させることなく、イオン活性化のみを実行することができるのである。   For this reason, a semiconductor into which ions are implanted by irradiating the surface of a semiconductor wafer with flash light (flash light) using a xenon flash lamp (hereinafter, simply referred to as “flash lamp” means xenon flash lamp). Techniques have been proposed for raising the temperature of only the wafer surface in a very short time (several milliseconds or less) (for example, Patent Documents 3 and 4). The radiation spectral distribution of a xenon flash lamp ranges from the ultraviolet region to the near infrared region, has a shorter wavelength than the conventional halogen lamp, and almost coincides with the fundamental absorption band of a silicon semiconductor wafer. Therefore, when the semiconductor wafer is irradiated with flash light from the xenon flash lamp, the semiconductor wafer can be rapidly heated with little transmitted light. Further, it has been found that if the flash light is irradiated for a very short time of several milliseconds or less, only the vicinity of the surface of the semiconductor wafer can be selectively heated. For this reason, if the temperature is raised for a very short time by a xenon flash lamp, only the ion activation can be performed without diffusing ions deeply.

特開２００２−９０１０号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2002-9010 特開平９−３２６３６６号公報JP-A-9-326366 特開２００４−５５８２１号公報JP 2004-55821 A 特開２００４−８８０５２号公報JP 2004-88052 A

しかしながら、キセノンフラッシュランプは一瞬の閃光照射によって被照射物を加熱するものであるため、熱処理室内のシールするＯリングにキセノンフラッシュランプから閃光が照射されたときにはＯリング全体が熱によって劣化するよりも光照射によって表面が劣化するという現象が見られる。Ｏリング表面の劣化は熱処理室内の気密性を損なうだけでなく、その劣化したＯリングがガスやパーティクルの発生源になるという点で大きな問題となる。   However, since the xenon flash lamp heats the object to be irradiated by flash irradiation for a moment, when the flash light is irradiated from the xenon flash lamp to the sealing O-ring in the heat treatment chamber, the entire O-ring is deteriorated by heat. There is a phenomenon that the surface is deteriorated by light irradiation. The deterioration of the O-ring surface not only impairs the airtightness in the heat treatment chamber, but also causes a serious problem in that the deteriorated O-ring becomes a source of gas and particles.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、フラッシュ光照射によるＯリングの劣化を防止することができる熱処理装置およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus and a method for manufacturing the same that can prevent the deterioration of the O-ring caused by flash light irradiation.

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置において、フラッシュランプを有する光源と、前記光源の下方に設けられ、基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、前記チャンバーの上部開口を覆う石英窓と、前記チャンバーの側壁上端部と前記石英窓との間に挟み込まれたＯリングと、前記石英窓の周縁部を上側から前記チャンバーの側壁上端部に押圧する石英窓押さえ部材と、を備え、前記石英窓押さえ部材の前記Ｏリングに対向する側の面にフラッシュ光の反射を防止する反射防止面を形成することを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a first aspect of the present invention is a heat treatment apparatus for heating a substrate by irradiating the substrate with flash light, wherein the substrate is provided with a light source having a flash lamp, and provided below the light source. A holding chamber for holding the substrate in the chamber, a quartz window covering the upper opening of the chamber, an O-ring sandwiched between the upper end of the side wall of the chamber and the quartz window, A quartz window pressing member that presses the peripheral edge of the quartz window from the upper side to the upper end of the side wall of the chamber, and prevents flash light from reflecting on the surface of the quartz window pressing member facing the O-ring. An antireflection surface is formed.

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理装置において、前記反射防止面における正反射の反射率は２０％以下であることを特徴とする。   According to a second aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the first aspect of the present invention, the reflectance of regular reflection at the antireflection surface is 20% or less.

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理装置において、前記反射防止面は、光を乱反射する粗面であることを特徴とする。   According to a third aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the first or second aspect of the present invention, the antireflection surface is a rough surface that irregularly reflects light.

また、請求項４の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理装置において、前記反射防止面は、光を吸収する光吸収面であることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the first or second aspect of the present invention, the antireflection surface is a light absorption surface that absorbs light.

また、請求項５の発明は、請求項４の発明に係る熱処理装置において、前記石英窓押さえ部材はアルミニウムにて形成され、前記反射防止面は、黒アルマイトの被膜が形成されることを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the fourth aspect of the present invention, the quartz window pressing member is made of aluminum, and the antireflection surface is formed with a black alumite film. To do.

また、請求項６の発明は、フラッシュランプを有する光源から当該光源の下方に設けられたチャンバー内に収容された基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置の製造方法において、前記チャンバーの上部開口を覆う石英窓の周縁部を上側からＯリングを介して前記チャンバーの側壁上端部に押圧する石英窓押さえ部材の前記Ｏリングに対向する側の面に反射防止加工を行うことを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a heat treatment apparatus for heating a substrate by irradiating the substrate housed in a chamber provided below the light source from a light source having a flash lamp. The quartz window pressing member that presses the peripheral edge of the quartz window covering the upper opening of the chamber from the upper side to the upper end of the side wall of the chamber from above is subjected to antireflection processing on the surface facing the O-ring. It is characterized by performing.

また、請求項７の発明は、請求項６の発明に係る熱処理装置の製造方法において、前記反射防止加工は、粗面加工であることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the method for manufacturing a heat treatment apparatus according to the sixth aspect of the invention, the antireflection processing is rough surface processing.

また、請求項８の発明は、請求項７の発明に係る熱処理装置の製造方法において、前記粗面加工は、前記石英窓押さえ部材の前記Ｏリングに対向する側の面にサンドペーパ加工、サンドブラスト加工またはけがき法のいずれかによる表面処理を行うことを特徴とする。   The invention of claim 8 is the method of manufacturing a heat treatment apparatus according to claim 7, wherein the rough surface processing is performed by sandpaper processing or sandblasting on the surface of the quartz window pressing member facing the O-ring. Alternatively, the surface treatment is performed by any one of the scribing methods.

また、請求項９の発明は、請求項６の発明に係る熱処理装置の製造方法において、前記反射防止加工は、前記石英窓押さえ部材の前記Ｏリングに対向する側の面の黒体処理であることを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the method for manufacturing a heat treatment apparatus according to claim 6, wherein the antireflection processing is a black body treatment of a surface of the quartz window pressing member facing the O-ring. It is characterized by that.

また、請求項１０の発明は、請求項９の発明に係る熱処理装置の製造方法において、前記石英窓押さえ部材はアルミニウムにて形成され、前記黒体処理は、黒アルマイトの被膜を形成する表面処理であることを特徴とする。   The invention of claim 10 is the method of manufacturing a heat treatment apparatus according to claim 9, wherein the quartz window pressing member is made of aluminum, and the black body treatment is a surface treatment for forming a black alumite film. It is characterized by being.

請求項１から請求項５の発明によれば、石英窓押さえ部材のＯリングに対向する側の面にフラッシュ光の反射を防止する反射防止面を形成しているため、フラッシュ光が反射によってＯリングにまで到達することは防止され、その結果フラッシュ光照射によるＯリングの劣化を防止することができる。   According to the first to fifth aspects of the present invention, since the antireflection surface for preventing the reflection of the flash light is formed on the surface of the quartz window pressing member facing the O-ring, the flash light is reflected by the O. Reaching the ring is prevented, and as a result, deterioration of the O-ring due to flash light irradiation can be prevented.

また、特に請求項３の発明によれば、反射防止面が光を乱反射する粗面であるため、フラッシュ光が反射防止面によって乱反射されてＯリングにまで到達することは防止される。   In particular, according to the third aspect of the invention, since the antireflection surface is a rough surface that irregularly reflects light, the flash light is prevented from being irregularly reflected by the antireflection surface and reaching the O-ring.

また、特に請求項４の発明によれば、反射防止面が光を吸収する光吸収面であるため、フラッシュ光が反射防止面によって吸収されてＯリングにまで到達することは防止される。   In particular, according to the invention of claim 4, since the antireflection surface is a light absorption surface that absorbs light, the flash light is prevented from being absorbed by the antireflection surface and reaching the O-ring.

また、請求項６から請求項１０の発明によれば、石英窓押さえ部材のＯリングに対向する側の面に反射防止加工を行うため、フラッシュ光が反射によってＯリングにまで到達することは防止され、その結果フラッシュ光照射によるＯリングの劣化を防止することができる。   According to the inventions of claims 6 to 10, since the antireflection process is performed on the surface of the quartz window pressing member facing the O-ring, the flash light is prevented from reaching the O-ring by reflection. As a result, it is possible to prevent the deterioration of the O-ring caused by flash light irradiation.

また、特に請求項７，８の発明によれば、反射防止加工として粗面加工を行っているため、フラッシュ光が乱反射されてＯリングにまで到達することは防止される。   In particular, according to the seventh and eighth aspects of the invention, since the rough surface processing is performed as the antireflection processing, the flash light is prevented from being irregularly reflected and reaching the O-ring.

また、特に請求項９，１０の発明によれば、反射防止加工として黒体処理を行っているため、フラッシュ光が吸収されてＯリングにまで到達することは防止される。   In particular, according to the ninth and tenth aspects of the invention, since the black body treatment is performed as the antireflection processing, the flash light is prevented from being absorbed and reaching the O-ring.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図１は、本発明に係る熱処理装置１の構成を示す側断面図である。熱処理装置１は基板として略円形の半導体ウェハーＷに閃光（フラッシュ光）を照射してその半導体ウェハーＷを加熱するフラッシュランプアニール装置である。   First, the overall configuration of the heat treatment apparatus according to the present invention will be outlined. FIG. 1 is a side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus 1 according to the present invention. The heat treatment apparatus 1 is a flash lamp annealing apparatus that irradiates a substantially circular semiconductor wafer W as a substrate with flash (flash light) and heats the semiconductor wafer W.

熱処理装置１は、半導体ウェハーＷを収容する略円筒形状のチャンバー６と、複数のフラッシュランプＦＬを内蔵するランプハウス５と、を備える。また、熱処理装置１は、チャンバー６およびランプハウス５に設けられた各動作機構を制御して半導体ウェハーＷの熱処理を実行させる制御部３を備える。   The heat treatment apparatus 1 includes a substantially cylindrical chamber 6 that accommodates a semiconductor wafer W, and a lamp house 5 that houses a plurality of flash lamps FL. Further, the heat treatment apparatus 1 includes a control unit 3 that controls each operation mechanism provided in the chamber 6 and the lamp house 5 to execute the heat treatment of the semiconductor wafer W.

チャンバー６は、ランプハウス５の下方に設けられており、略円筒状の内壁を有するチャンバー側部６３、および、チャンバー側部６３の下部を覆うチャンバー底部６２によって構成される。また、チャンバー側部６３およびチャンバー底部６２によって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。熱処理空間６５の上方は上部開口６０とされており、上部開口６０にはチャンバー窓６１が装着されて閉塞されている。   The chamber 6 is provided below the lamp house 5 and includes a chamber side 63 having a substantially cylindrical inner wall and a chamber bottom 62 covering the lower part of the chamber side 63. A space surrounded by the chamber side 63 and the chamber bottom 62 is defined as a heat treatment space 65. An upper opening 60 is formed above the heat treatment space 65, and a chamber window 61 is attached to the upper opening 60 to be closed.

チャンバー６の天井部を構成するチャンバー窓６１は、石英により形成された円板形状部材であり、ランプハウス５から出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５に透過する石英窓として機能する。チャンバー６の本体を構成するチャンバー底部６２およびチャンバー側部６３は、例えば、ステンレススチール等の強度と耐熱性に優れた金属材料にて形成されており、チャンバー側部６３の内側面の上部のリング６３１は、光照射による劣化に対してステンレススチールより優れた耐久性を有するアルミニウム（Ａｌ）合金等で形成されている。   The chamber window 61 constituting the ceiling portion of the chamber 6 is a disk-shaped member made of quartz, and functions as a quartz window that transmits the flash light emitted from the lamp house 5 to the heat treatment space 65. The chamber bottom 62 and the chamber side 63 constituting the main body of the chamber 6 are formed of, for example, a metal material having excellent strength and heat resistance such as stainless steel, and a ring on the upper side of the inner side surface of the chamber side 63. 631 is formed of an aluminum (Al) alloy or the like having durability superior to stainless steel against deterioration due to light irradiation.

チャンバー底部６２には、保持部７を貫通して半導体ウェハーＷをその下面（ランプハウス５からの光が照射される側とは反対側の面）から支持するための複数（本実施の形態では３本）の支持ピン７０が立設されている。支持ピン７０は、例えば石英により形成されており、チャンバー６の外部から固定されているため、容易に取り替えることができる。   The chamber bottom 62 has a plurality (in this embodiment) for supporting the semiconductor wafer W from the lower surface (surface opposite to the side irradiated with light from the lamp house 5) through the holding portion 7. 3) support pins 70 are provided upright. The support pin 70 is made of, for example, quartz and is fixed from the outside of the chamber 6 and can be easily replaced.

チャンバー側部６３は、半導体ウェハーＷの搬入および搬出を行うための搬送開口部６６を有し、搬送開口部６６は、軸６６２を中心に回動するゲートバルブ１８５により開閉可能とされる。チャンバー側部６３における搬送開口部６６とは反対側の部位には熱処理空間６５に処理ガス（例えば、窒素（Ｎ₂）ガスやヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス、あるいは、酸素（０₂）ガス等）を導入する導入路８１が形成され、その一端は弁８２を介して図示省略の給気機構に接続され、他端はチャンバー側部６３の内部に形成されるガス導入バッファ８３に接続される。また、搬送開口部６６には熱処理空間６５内の気体を排出する排出路８６が形成され、弁８７を介して図示省略の排気機構に接続される。 The chamber side 63 has a transfer opening 66 for carrying in and out the semiconductor wafer W, and the transfer opening 66 can be opened and closed by a gate valve 185 that rotates about a shaft 662. In a portion of the chamber side 63 opposite to the transfer opening 66, an inert gas such as nitrogen (N ₂ ) gas, helium (He) gas, argon (Ar) gas, etc. Alternatively, an introduction path 81 for introducing oxygen (0 ₂ ) gas or the like is formed, one end of which is connected to an air supply mechanism (not shown) via a valve 82, and the other end is formed inside the chamber side portion 63. Connected to the gas introduction buffer 83. A discharge passage 86 for discharging the gas in the heat treatment space 65 is formed in the transfer opening 66 and is connected to an exhaust mechanism (not shown) through a valve 87.

図２は、チャンバー６をガス導入バッファ８３の位置にて水平面で切断した断面図である。図２に示すように、ガス導入バッファ８３は、図１に示す搬送開口部６６の反対側においてチャンバー側部６３の内周の約１／３に亘って形成されており、導入路８１を介してガス導入バッファ８３に導かれた処理ガスは、複数のガス供給孔８４から熱処理空間６５内へと供給される。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the chamber 6 cut along a horizontal plane at the position of the gas introduction buffer 83. As shown in FIG. 2, the gas introduction buffer 83 is formed over about ３ of the inner periphery of the chamber side 63 on the opposite side of the transfer opening 66 shown in FIG. Then, the processing gas guided to the gas introduction buffer 83 is supplied into the heat treatment space 65 from the plurality of gas supply holes 84.

また、熱処理装置１は、チャンバー６の内部において半導体ウェハーＷを水平姿勢にて保持しつつフラッシュ光照射前にその保持する半導体ウェハーＷの予備加熱を行う略円板状の保持部７と、保持部７をチャンバー６の底面であるチャンバー底部６２に対して昇降させる保持部昇降機構４と、を備える。図１に示す保持部昇降機構４は、略円筒状のシャフト４１、移動板４２、ガイド部材４３（本実施の形態ではシャフト４１の周りに３本配置される）、固定板４４、ボールネジ４５、ナット４６およびモータ４０を有する。チャンバー６の下部であるチャンバー底部６２には保持部７よりも小さい直径を有する略円形の下部開口６４が形成されており、ステンレススチール製のシャフト４１は、下部開口６４を挿通して、保持部７（厳密には保持部７のホットプレート７１）の下面に接続されて保持部７を支持する。   The heat treatment apparatus 1 also includes a substantially disc-shaped holding unit 7 that holds the semiconductor wafer W in a horizontal position inside the chamber 6 and performs preheating of the held semiconductor wafer W before irradiation with flash light. And a holding unit elevating mechanism 4 that elevates the unit 7 with respect to the chamber bottom 62 which is the bottom surface of the chamber 6. 1 includes a substantially cylindrical shaft 41, a moving plate 42, guide members 43 (three arranged around the shaft 41 in the present embodiment), a fixed plate 44, a ball screw 45, It has a nut 46 and a motor 40. A substantially circular lower opening 64 having a smaller diameter than the holding portion 7 is formed in the chamber bottom 62 which is the lower portion of the chamber 6, and the stainless steel shaft 41 is inserted through the lower opening 64 to hold the holding portion. 7 (strictly speaking, the hot plate 71 of the holding unit 7) is connected to the lower surface of the holding unit 7 to support it.

移動板４２にはボールネジ４５と螺合するナット４６が固定されている。また、移動板４２は、チャンバー底部６２に固定されて下方へと伸びるガイド部材４３により摺動自在に案内されて上下方向に移動可能とされる。また、移動板４２は、シャフト４１を介して保持部７に連結される。   A nut 46 that is screwed into the ball screw 45 is fixed to the moving plate 42. The moving plate 42 is slidably guided by a guide member 43 that is fixed to the chamber bottom 62 and extends downward, and is movable in the vertical direction. Further, the moving plate 42 is connected to the holding unit 7 via the shaft 41.

モータ４０は、ガイド部材４３の下端部に取り付けられる固定板４４に設置され、タイミングベルト４０１を介してボールネジ４５に接続される。保持部昇降機構４により保持部７が昇降する際には、駆動部であるモータ４０が制御部３の制御によりボールネジ４５を回転し、ナット４６が固定された移動板４２がガイド部材４３に沿って鉛直方向に移動する。この結果、移動板４２に固定されたシャフト４１が鉛直方向に沿って移動し、シャフト４１に接続された保持部７が図１に示す半導体ウェハーＷの受渡位置と図５に示す半導体ウェハーＷの処理位置との間で滑らかに昇降する。   The motor 40 is installed on a fixed plate 44 attached to the lower end of the guide member 43, and is connected to the ball screw 45 via the timing belt 401. When the holding part 7 is raised and lowered by the holding part raising / lowering mechanism 4, the motor 40 as the driving part rotates the ball screw 45 under the control of the control part 3, and the moving plate 42 to which the nut 46 is fixed follows the guide member 43. Move vertically. As a result, the shaft 41 fixed to the moving plate 42 moves along the vertical direction, and the holding unit 7 connected to the shaft 41 moves between the delivery position of the semiconductor wafer W shown in FIG. 1 and the semiconductor wafer W shown in FIG. Move up and down smoothly between the processing positions.

移動板４２の上面には略半円筒状（円筒を長手方向に沿って半分に切断した形状）のメカストッパ４５１がボールネジ４５に沿うように立設されており、仮に何らかの異常により移動板４２が所定の上昇限界を超えて上昇しようとしても、メカストッパ４５１の上端がボールネジ４５の端部に設けられた端板４５２に突き当たることによって移動板４２の異常上昇が防止される。これにより、保持部７がチャンバー窓６１の下方の所定位置以上に上昇することはなく、保持部７とチャンバー窓６１との衝突が防止される。   On the upper surface of the moving plate 42, a mechanical stopper 451 having a substantially semi-cylindrical shape (a shape obtained by cutting the cylinder in half along the longitudinal direction) is provided so as to extend along the ball screw 45. If the upper limit of the mechanical stopper 451 is struck against the end plate 452 provided at the end of the ball screw 45, the moving plate 42 is prevented from rising abnormally. Thereby, the holding part 7 does not rise above a predetermined position below the chamber window 61, and the collision between the holding part 7 and the chamber window 61 is prevented.

また、保持部昇降機構４は、チャンバー６の内部のメンテナンスを行う際に保持部７を手動にて昇降させる手動昇降部４９を有する。手動昇降部４９はハンドル４９１および回転軸４９２を有し、ハンドル４９１を介して回転軸４９２を回転することより、タイミングベルト４９５を介して回転軸４９２に接続されるボールネジ４５を回転して保持部７の昇降を行うことができる。   The holding unit lifting mechanism 4 has a manual lifting unit 49 that manually lifts and lowers the holding unit 7 when performing maintenance inside the chamber 6. The manual elevating part 49 has a handle 491 and a rotating shaft 492. By rotating the rotating shaft 492 via the handle 491, the ball screw 45 connected to the rotating shaft 492 is rotated via the timing belt 495 to hold the holding part. 7 can be moved up and down.

チャンバー底部６２の下側には、シャフト４１の周囲を囲み下方へと伸びる伸縮自在のベローズ４７が設けられ、その上端はチャンバー底部６２の下面に接続される。一方、ベローズ４７の下端はベローズ下端板４７１に取り付けられている。べローズ下端板４７１は、鍔状部材４１１によってシャフト４１にネジ止めされて取り付けられている。保持部昇降機構４により保持部７がチャンバー底部６２に対して上昇する際にはベローズ４７が収縮され、下降する際にはべローズ４７が伸張される。そして、保持部７が昇降する際にも、ベローズ４７が伸縮することによって熱処理空間６５内の気密状態が維持される。   A telescopic bellows 47 that surrounds the shaft 41 and extends downward is provided below the chamber bottom 62, and its upper end is connected to the lower surface of the chamber bottom 62. On the other hand, the lower end of the bellows 47 is attached to the bellows lower end plate 471. The bellows lower end plate 471 is attached by being screwed to the shaft 41 by a flange-shaped member 411. The bellows 47 is contracted when the holding portion 7 is raised with respect to the chamber bottom 62 by the holding portion lifting mechanism 4, and the bellows 47 is expanded when the holding portion 7 is lowered. When the holding unit 7 moves up and down, the airtight state in the heat treatment space 65 is maintained by the expansion and contraction of the bellows 47.

図３は、保持部７の構成を示す断面図である。保持部７は、半導体ウェハーＷを予備加熱（いわゆるアシスト加熱）するホットプレート（加熱プレート）７１、および、ホットプレート７１の上面（保持部７が半導体ウェハーＷを保持する側の面）に設置されるサセプタ７２を有する。保持部７の下面には、既述のように保持部７を昇降するシャフト４１が接続される。サセプタ７２は石英（あるいは、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）等であってもよい）により形成され、その上面には半導体ウェハーＷの位置ずれを防止するピン７５が設けられる。サセプタ７２は、その下面をホットプレート７１の上面に面接触させてホットプレート７１上に設置される。これにより、サセプタ７２は、ホットプレート７１からの熱エネルギーを拡散してサセプタ７２上面に載置された半導体ウェハーＷに伝達するとともに、メンテナンス時にはホットプレート７１から取り外して洗浄可能とされる。   FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the holding unit 7. The holding unit 7 is installed on a hot plate (heating plate) 71 that preheats the semiconductor wafer W (so-called assist heating), and an upper surface of the hot plate 71 (a surface on the side where the holding unit 7 holds the semiconductor wafer W). The susceptor 72 is provided. As described above, the shaft 41 that moves up and down the holding unit 7 is connected to the lower surface of the holding unit 7. The susceptor 72 is made of quartz (or may be aluminum nitride (AIN) or the like), and a pin 75 for preventing displacement of the semiconductor wafer W is provided on the upper surface thereof. The susceptor 72 is installed on the hot plate 71 with its lower surface in surface contact with the upper surface of the hot plate 71. Thus, the susceptor 72 diffuses the thermal energy from the hot plate 71 and transmits it to the semiconductor wafer W placed on the upper surface of the susceptor 72, and can be removed from the hot plate 71 and cleaned during maintenance.

ホットプレート７１は、ステンレススチール製の上部プレート７３および下部プレート７４にて構成される。上部プレート７３と下部プレート７４との間には、ホットプレート７１を加熱するニクロム線等の抵抗加熱線７６が配設され、導電性のニッケル（Ｎｉ）ロウが充填されて封止されている。また、上部プレート７３および下部プレート７４の端部はロウ付けにより接着されている。   The hot plate 71 includes an upper plate 73 and a lower plate 74 made of stainless steel. A resistance heating wire 76 such as a nichrome wire for heating the hot plate 71 is disposed between the upper plate 73 and the lower plate 74, and is filled with a conductive nickel (Ni) solder and sealed. The end portions of the upper plate 73 and the lower plate 74 are bonded by brazing.

図４は、ホットプレート７１を示す平面図である。図４に示すように、ホットプレート７１は、保持される半導体ウェハーＷと対向する領域の中央部に同心円状に配置される円板状のゾーン７１１および円環状のゾーン７１２、並びに、ゾーン７１２の周囲の略円環状の領域を周方向に４等分割した４つのゾーン７１３〜７１６を備え、各ゾーン間には若干の間隙が形成されている。また、ホットプレート７１には、支持ピン７０が挿通される３つの貫通孔７７が、ゾーン７１１とゾーン７１２との隙間の周上に１２０°毎に設けられる。   FIG. 4 is a plan view showing the hot plate 71. As shown in FIG. 4, the hot plate 71 includes a disc-shaped zone 711 and an annular zone 712 that are concentrically arranged in a central portion of a region facing the held semiconductor wafer W, and a zone 712. There are four zones 713 to 716 obtained by equally dividing a peripheral substantially annular region into four equal parts in the circumferential direction, and a slight gap is formed between the zones. The hot plate 71 is provided with three through holes 77 through which the support pins 70 are inserted, every 120 ° on the circumference of the gap between the zone 711 and the zone 712.

６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、相互に独立した抵抗加熱線７６が周回するように配設されてヒータが個別に形成されており、各ゾーンに内蔵されたヒータにより各ゾーンが個別に加熱される。保持部７に保持された半導体ウェハーＷは、６つのゾーン７１１〜７１６に内蔵されたヒータにより加熱される。また、ゾーン７１１〜７１６のそれぞれには、熱電対を用いて各ゾーンの温度を計測するセンサ７１０が設けられている。各センサ７１０は略円筒状のシャフト４１の内部を通り制御部３に接続される。   In each of the six zones 711 to 716, heaters are individually formed so that mutually independent resistance heating wires 76 circulate, and each zone is individually formed by a heater built in each zone. Heated. The semiconductor wafer W held by the holding unit 7 is heated by heaters built in the six zones 711 to 716. Each of the zones 711 to 716 is provided with a sensor 710 that measures the temperature of each zone using a thermocouple. Each sensor 710 passes through the inside of a substantially cylindrical shaft 41 and is connected to the control unit 3.

ホットプレート７１が加熱される際には、センサ７１０により計測される６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が予め設定された所定の温度になるように、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が制御部３により制御される。制御部３による各ゾーンの温度制御はＰＩＤ(Proportional,Integral,Derivative)制御により行われる。ホットプレート７１では、半導体ウェハーＷの熱処理（複数の半導体ウェハーＷを連続的に処理する場合は、全ての半導体ウェハーＷの熱処理）が終了するまでゾーン７１１〜７１６のそれぞれの温度が継続的に計測され、各ゾーンに配設された抵抗加熱線７６への電力供給量が個別に制御されて、すなわち、各ゾーンに内蔵されたヒータの温度が個別に制御されて各ゾーンの温度が設定温度に維持される。なお、各ゾーンの設定温度は、基準となる温度から個別に設定されたオフセット値だけ変更することが可能とされる。   When the hot plate 71 is heated, the resistance heating wire disposed in each zone is set so that the temperature of each of the six zones 711 to 716 measured by the sensor 710 becomes a predetermined temperature. The amount of power supplied to 76 is controlled by the control unit 3. The temperature control of each zone by the control unit 3 is performed by PID (Proportional, Integral, Derivative) control. In the hot plate 71, the temperature of each of the zones 711 to 716 is continuously measured until the heat treatment of the semiconductor wafer W (when plural semiconductor wafers W are continuously processed, the heat treatment of all the semiconductor wafers W) is completed. Then, the power supply amount to the resistance heating wire 76 disposed in each zone is individually controlled, that is, the temperature of the heater built in each zone is individually controlled, and the temperature of each zone becomes the set temperature. Maintained. The set temperature of each zone can be changed by an offset value set individually from the reference temperature.

６つのゾーン７１１〜７１６にそれぞれ配設される抵抗加熱線７６は、シャフト４１の内部を通る電力線を介して電力供給源（図示省略）に接続されている。電力供給源から各ゾーンに至る経路途中において、電力供給源からの電力線は、マグネシア（マグネシウム酸化物）等の絶縁体を充填したステンレスチューブの内部に互いに電気的に絶縁状態となるように配置される。なお、シャフト４１の内部は大気開放されている。   The resistance heating wires 76 respectively disposed in the six zones 711 to 716 are connected to a power supply source (not shown) via a power line passing through the inside of the shaft 41. On the way from the power supply source to each zone, the power lines from the power supply source are arranged so as to be electrically insulated from each other inside a stainless tube filled with an insulator such as magnesia (magnesium oxide). The The interior of the shaft 41 is open to the atmosphere.

また、図６は、チャンバー６のシール部分周辺構造を示す部分拡大図である。熱処理空間６５の気密性を維持するために、チャンバー窓６１とチャンバー側部６３とはＯリング６９によってシールされている。Ｏリング６９は耐熱性に優れた樹脂（本実施形態では白色のバイトン（登録商標））にて形成されている。略円筒状のチャンバー側部６３の上端に円環状の溝６３２を刻設し、その溝にＯリング６９を嵌め込んで上からチャンバー窓６１によって押さえつけている。そして、フラッシュ光耐性に優れたアルミニウム製のクランプリング９０をチャンバー窓６１の上面周縁部に当接させるとともに、そのクランプリング９０をチャンバー側部６３にネジ止めすることによって、チャンバー窓６１の周縁部を上側からチャンバー側部６３の上端部に押圧し、チャンバー窓６１の下面周縁部とチャンバー側部６３の上端部との間にＯリング６９を挟み込んで密着させている。クランプリング９０によってチャンバー窓６１を押さえつけることにより、チャンバー６の上部開口６０はＯリング６９によってシールされる。なお、チャンバー６の下部開口６４はベローズ４７によってシールされている。   FIG. 6 is a partially enlarged view showing the peripheral structure of the seal portion of the chamber 6. In order to maintain the airtightness of the heat treatment space 65, the chamber window 61 and the chamber side portion 63 are sealed by an O-ring 69. The O-ring 69 is formed of a resin excellent in heat resistance (in this embodiment, white Viton (registered trademark)). An annular groove 632 is formed at the upper end of the substantially cylindrical chamber side portion 63, and an O-ring 69 is fitted into the groove and pressed by the chamber window 61 from above. Then, an aluminum clamp ring 90 excellent in flash light resistance is brought into contact with the peripheral edge of the upper surface of the chamber window 61, and the clamp ring 90 is screwed to the chamber side portion 63, whereby the peripheral edge of the chamber window 61 Is pressed against the upper end of the chamber side 63 from above, and an O-ring 69 is sandwiched between the lower peripheral edge of the chamber window 61 and the upper end of the chamber side 63 and is brought into close contact therewith. By pressing the chamber window 61 with the clamp ring 90, the upper opening 60 of the chamber 6 is sealed with the O-ring 69. The lower opening 64 of the chamber 6 is sealed with a bellows 47.

本実施形態においては、クランプリング９０の下面のうちチャンバー窓６１と接触する面、すなわちＯリング６９に対向する対向面９０１に光の反射を防止するための反射防止加工を行って反射防止面としている。反射防止加工としては、サンドブラスト加工を用いた対向面９０１の粗面加工を行っている。具体的には、圧縮空気に＃８０程度の比較的粗い研磨剤を混ぜて対向面９０１に吹き付ける。そうすると、対向面９０１に比較的粗い表面研削が行われることとなり、対向面９０１が光を乱反射する粗面となる。サンドブラスト加工は、対向面９０１における正反射の反射率が２０％以下となるまで行う。   In the present embodiment, an antireflection surface for preventing light reflection is applied to the surface of the lower surface of the clamp ring 90 that contacts the chamber window 61, that is, the opposing surface 901 that faces the O-ring 69. Yes. As the antireflection process, a rough surface process is performed on the facing surface 901 using a sandblast process. Specifically, a relatively coarse abrasive of about # 80 is mixed with compressed air and sprayed on the opposing surface 901. If it does so, comparatively rough surface grinding will be performed to the opposing surface 901, and the opposing surface 901 will become a rough surface which irregularly reflects light. The sandblasting is performed until the reflectance of regular reflection on the facing surface 901 becomes 20% or less.

次に、ランプハウス５は、筐体５１の内側に、複数本（本実施形態では３０本）のキセノンフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ５２と、を備えて構成される。また、ランプハウス５の筐体５１の底部にはランプ光放射窓５３が装着されている。ランプハウス５の床部を構成するランプ光放射窓５３は、石英により形成された板状部材である。ランプハウス５がチャンバー６の上方に設置されることにより、ランプ光放射窓５３がチャンバー窓６１と相対向することとなる。ランプハウス５は、チャンバー６内にて保持部７に保持される半導体ウェハーＷにランプ光放射窓５３およびチャンバー窓６１を介してフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射することにより半導体ウェハーＷを加熱する。   Next, the lamp house 5 includes a light source composed of a plurality of (30 in this embodiment) xenon flash lamps FL inside the housing 51, and a reflector 52 provided so as to cover the light source, It is configured with. A lamp light emission window 53 is attached to the bottom of the casing 51 of the lamp house 5. The lamp light radiation window 53 constituting the floor of the lamp house 5 is a plate-like member made of quartz. By installing the lamp house 5 above the chamber 6, the lamp light emission window 53 faces the chamber window 61. The lamp house 5 heats the semiconductor wafer W by irradiating the semiconductor wafer W held by the holding unit 7 in the chamber 6 with flash light from the flash lamp FL via the lamp light emission window 53 and the chamber window 61. .

複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が保持部７に保持される半導体ウェハーＷの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。   Each of the plurality of flash lamps FL is a rod-shaped lamp having a long cylindrical shape, and the longitudinal direction of each of the flash lamps FL is along the main surface of the semiconductor wafer W held by the holding unit 7 (that is, along the horizontal direction). They are arranged in a plane so as to be parallel to each other. Therefore, the plane formed by the arrangement of the flash lamps FL is also a horizontal plane.

キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部にコンデンサーに接続された陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備える。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気がガラス管内に瞬時に流れ、そのときのジュール熱でキセノンガスが加熱されて光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。   The xenon flash lamp FL has a rod-shaped glass tube (discharge tube) in which xenon gas is sealed and an anode and a cathode connected to a capacitor at both ends thereof, and an outer peripheral surface of the glass tube. And a triggered electrode. Since xenon gas is an electrical insulator, electricity does not flow into the glass tube under normal conditions even if electric charges are accumulated in the capacitor. However, if the insulation is broken by applying a high voltage to the trigger electrode, the electricity stored in the capacitor instantaneously flows into the glass tube, and the xenon gas is heated by Joule heat at that time, and light is emitted. . In such a xenon flash lamp FL, the electrostatic energy stored in the condenser in advance is converted into an extremely short light pulse of 0.1 to 10 milliseconds, which is extremely in comparison with a continuous light source. It has the feature that it can irradiate strong light.

また、リフレクタ５２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ５２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を保持部７の側に反射するというものである。リフレクタ５２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。このような粗面化加工を施しているのは、リフレクタ５２の表面が完全な鏡面であると、複数のフラッシュランプＦＬからの反射光の強度に規則パターンが生じて半導体ウェハーＷの表面温度分布の均一性が低下するためである。   In addition, the reflector 52 is provided above the plurality of flash lamps FL so as to cover all of them. The basic function of the reflector 52 is to reflect flash light emitted from the plurality of flash lamps FL toward the holding unit 7. The reflector 52 is formed of an aluminum alloy plate, and the surface (the surface facing the flash lamp FL) is roughened by blasting to exhibit a satin pattern. The roughening process is performed when the surface of the reflector 52 is a perfect mirror surface, and a regular pattern is generated in the intensity of the reflected light from the plurality of flash lamps FL, so that the surface temperature distribution of the semiconductor wafer W is obtained. This is because the uniformity of the is reduced.

また、制御部３は、熱処理装置１に設けられた上記の種々の動作機構を制御する。制御部３のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部３は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備えている。   Further, the control unit 3 controls the various operation mechanisms provided in the heat treatment apparatus 1. The configuration of the control unit 3 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the control unit 3 stores a CPU that performs various arithmetic processes, a ROM that is a read-only memory that stores basic programs, a RAM that is a readable and writable memory that stores various information, control software, data, and the like. It has a magnetic disk.

上記の構成以外にも熱処理装置１は、半導体ウェハーＷの熱処理時にフラッシュランプＦＬおよびホットプレート７１から発生する熱エネルギーによるチャンバー６およびランプハウス５の過剰な温度上昇を防止するため、様々な冷却用の構造を備えている。例えば、チャンバー６のチャンバー側部６３およびチャンバー底部６２には水冷管（図示省略）が設けられている。また、ランプハウス５は、内部に気体流を形成して排熱するための気体供給管５５および排気管５６が設けられて空冷構造とされている（図１，５参照）。また、チャンバー窓６１とランプ光放射窓５３との間隙にも空気が供給され、ランプハウス５およびチャンバー窓６１を冷却する。   In addition to the above configuration, the heat treatment apparatus 1 is used for various cooling purposes in order to prevent excessive temperature rise of the chamber 6 and the lamp house 5 due to the heat energy generated from the flash lamp FL and the hot plate 71 during the heat treatment of the semiconductor wafer W. It has the structure of For example, water-cooled tubes (not shown) are provided on the chamber side 63 and the chamber bottom 62 of the chamber 6. The lamp house 5 has an air cooling structure provided with a gas supply pipe 55 and an exhaust pipe 56 for exhausting heat by forming a gas flow therein (see FIGS. 1 and 5). Air is also supplied to the gap between the chamber window 61 and the lamp light emission window 53 to cool the lamp house 5 and the chamber window 61.

次に、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの処理手順について簡単に説明する。ここで処理対象となる半導体ウェハーＷはイオン注入法により不純物（イオン）が添加された半導体基板であり、添加された不純物の活性化が熱処理装置１によるフラッシュ加熱処理により実行される。   Next, a processing procedure of the semiconductor wafer W in the heat treatment apparatus 1 will be briefly described. Here, the semiconductor wafer W to be processed is a semiconductor substrate to which an impurity (ion) is added by an ion implantation method, and the activation of the added impurity is performed by a flash heating process by the heat treatment apparatus 1.

まず、保持部７が図５に示す処理位置から図１に示す受渡位置に下降する。「処理位置」とは、フラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷに閃光照射が行われるときの保持部７の位置であり、図５に示す保持部７のチャンバー６内における位置である。また、「受渡位置」とは、チャンバー６に半導体ウェハーＷの搬出入が行われるときの保持部７の位置であり、図１に示す保持部７のチャンバー６内における位置である。熱処理装置１における保持部７の基準位置は処理位置であり、処理前にあっては保持部７は処理位置に位置しており、これが処理開始に際して受渡位置に下降するのである。図１に示すように、保持部７が受渡位置にまで下降するとチャンバー底部６２に近接し、支持ピン７０の先端が保持部７を貫通して保持部７の上方に突出する。   First, the holding unit 7 is lowered from the processing position shown in FIG. 5 to the delivery position shown in FIG. The “processing position” is a position of the holding unit 7 when the semiconductor wafer W is irradiated with flash light from the flash lamp FL, and is a position in the chamber 6 of the holding unit 7 shown in FIG. Further, the “delivery position” is the position of the holding unit 7 when the semiconductor wafer W is carried in and out of the chamber 6, and is the position of the holding unit 7 shown in FIG. The reference position of the holding unit 7 in the heat treatment apparatus 1 is the processing position. Before the processing, the holding unit 7 is located at the processing position, and this is lowered to the delivery position at the start of processing. As shown in FIG. 1, when the holding portion 7 is lowered to the delivery position, the holding portion 7 comes close to the chamber bottom portion 62, and the tip of the support pin 70 penetrates the holding portion 7 and protrudes above the holding portion 7.

次に、保持部７が受渡位置に下降したときに、弁８２および弁８７が開かれてチャンバー６の熱処理空間６５内に常温の窒素ガスが導入される。続いて、ゲートバルブ１８５が開いて搬送開口部６６が開放され、装置外部の搬送ロボットにより搬送開口部６６を介してイオン注入後の半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入され、複数の支持ピン７０上に載置される。   Next, when the holding unit 7 is lowered to the delivery position, the valve 82 and the valve 87 are opened, and normal temperature nitrogen gas is introduced into the heat treatment space 65 of the chamber 6. Subsequently, the gate valve 185 is opened to open the transfer opening 66, and the semiconductor wafer W after ion implantation is transferred into the chamber 6 through the transfer opening 66 by a transfer robot outside the apparatus, and a plurality of support pins 70. Placed on top.

半導体ウェハーＷの搬入時におけるチャンバー６への窒素ガスのパージ量は約４０リットル／分とされ、供給された窒素ガスはチャンバー６内においてガス導入バッファ８３から図２中に示す矢印ＡＲ４の方向へと流れ、図１に示す排出路８６および弁８７を介してユーティリティ排気により排気される。また、チャンバー６に供給された窒素ガスの一部は、べローズ４７の内側に設けられる排出口（図示省略）からも排出される。なお、以下で説明する各ステップにおいて、チャンバー６には常に窒素ガスが供給および排気され続けており、窒素ガスの供給量は半導体ウェハーＷの処理工程に合わせて様々に変更される。   The purge amount of nitrogen gas into the chamber 6 when the semiconductor wafer W is loaded is about 40 liters / minute, and the supplied nitrogen gas is moved from the gas introduction buffer 83 in the direction of the arrow AR4 shown in FIG. Then, the exhaust gas is exhausted by utility exhaust via the discharge path 86 and the valve 87 shown in FIG. A part of the nitrogen gas supplied to the chamber 6 is also discharged from an outlet (not shown) provided inside the bellows 47. In each step described below, nitrogen gas is continuously supplied to and exhausted from the chamber 6, and the supply amount of the nitrogen gas is variously changed according to the processing process of the semiconductor wafer W.

半導体ウェハーＷがチャンバー６内に搬入されると、ゲートバルブ１８５により搬送開口部６６が閉鎖される。そして、保持部昇降機構４により保持部７が受渡位置からチャンバー窓６１に近接した処理位置にまで上昇する。保持部７が受渡位置から上昇する過程において、半導体ウェハーＷは支持ピン７０から保持部７のサセプタ７２へと渡され、サセプタ７２の上面に載置・保持される。保持部７が処理位置にまで上昇するとサセプタ７２に保持された半導体ウェハーＷも処理位置に保持されることとなる。   When the semiconductor wafer W is loaded into the chamber 6, the transfer opening 66 is closed by the gate valve 185. The holding unit lifting mechanism 4 raises the holding unit 7 from the delivery position to a processing position close to the chamber window 61. In the process in which the holding unit 7 is lifted from the delivery position, the semiconductor wafer W is transferred from the support pins 70 to the susceptor 72 of the holding unit 7 and is placed and held on the upper surface of the susceptor 72. When the holding unit 7 is raised to the processing position, the semiconductor wafer W held by the susceptor 72 is also held at the processing position.

ホットプレート７１の６つのゾーン７１１〜７１６のそれぞれは、各ゾーンの内部（上部プレート７３と下部プレート７４との間）に個別に内蔵されたヒータ（抵抗加熱線７６）により所定の温度まで加熱されている。保持部７が処理位置まで上昇して半導体ウェハーＷが保持部７と接触することにより、その半導体ウェハーＷはホットプレート７１に内蔵されたヒータによって予備加熱されて温度が次第に上昇する。   Each of the six zones 711 to 716 of the hot plate 71 is heated to a predetermined temperature by a heater (resistance heating wire 76) individually incorporated in each zone (between the upper plate 73 and the lower plate 74). ing. When the holding unit 7 rises to the processing position and the semiconductor wafer W comes into contact with the holding unit 7, the semiconductor wafer W is preheated by the heater built in the hot plate 71 and the temperature gradually rises.

この処理位置にて約６０秒間の予備加熱が行われ、半導体ウェハーＷの温度が予め設定された予備加熱温度Ｔ１まで上昇する。予備加熱温度Ｔ１は、半導体ウェハーＷに添加された不純物が熱により拡散する恐れのない、２００℃ないし８００℃程度、好ましくは３５０℃ないし５５０℃程度とされる。また、保持部７とチャンバー窓６１との間の距離は、保持部昇降機構４のモータ４０の回転量を制御することにより任意に調整することが可能とされている。   Preheating for about 60 seconds is performed at this processing position, and the temperature of the semiconductor wafer W rises to a preset preheating temperature T1. The preheating temperature T1 is set to about 200 ° C. to 800 ° C., preferably about 350 ° C. to 550 ° C., in which impurities added to the semiconductor wafer W are not likely to diffuse due to heat. Further, the distance between the holding unit 7 and the chamber window 61 can be arbitrarily adjusted by controlling the rotation amount of the motor 40 of the holding unit lifting mechanism 4.

約６０秒間の予備加熱時間が経過した後、保持部７が処理位置に位置したまま制御部３の制御によりランプハウス５のフラッシュランプＦＬから半導体ウェハーＷへ向けてフラッシュ光が照射される。このとき、フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー６内の保持部７へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ５２により反射されてからチャンバー６内へと向かい、これらのフラッシュ光の照射により半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱が行われる。フラッシュ加熱は、フラッシュランプＦＬからの閃光照射により行われるため、半導体ウェハーＷの表面温度を短時間で上昇することができる。   After the preheating time of about 60 seconds elapses, flash light is irradiated from the flash lamp FL of the lamp house 5 toward the semiconductor wafer W under the control of the control unit 3 while the holding unit 7 is positioned at the processing position. At this time, a part of the flash light emitted from the flash lamp FL goes directly to the holding part 7 in the chamber 6, and the other part is once reflected by the reflector 52 and then goes into the chamber 6. Flash heating of the semiconductor wafer W is performed by irradiation of the flash light. Since the flash heating is performed by flash irradiation from the flash lamp FL, the surface temperature of the semiconductor wafer W can be increased in a short time.

すなわち、ランプハウス５のフラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリ秒ないし１０ミリ秒程度の極めて短く強い閃光である。そして、フラッシュランプＦＬからの閃光照射によりフラッシュ加熱される半導体ウェハーＷの表面温度は、瞬間的に１０００℃ないし１１００℃程度の処理温度Ｔ２まで上昇し、半導体ウェハーＷに添加された不純物が活性化された後、表面温度が急速に下降する。このように、熱処理装置１では、半導体ウェハーＷの表面温度を極めて短時間で昇降することができるため、半導体ウェハーＷに添加された不純物の熱による拡散（この拡散現象を、半導体ウェハーＷ中の不純物のプロファイルがなまる、ともいう）を抑制しつつ不純物の活性化を行うことができる。なお、添加不純物の活性化に必要な時間はその熱拡散に必要な時間に比較して極めて短いため、０．１ミリセカンドないし１０ミリセカンド程度の拡散が生じない短時間であっても活性化は完了する。   In other words, the flash light emitted from the flash lamp FL of the lamp house 5 is converted to a light pulse whose electrostatic energy stored in advance is extremely short, and the irradiation time is about 0.1 to 10 milliseconds. A short and strong flash. Then, the surface temperature of the semiconductor wafer W flash-heated by flash irradiation from the flash lamp FL instantaneously rises to a processing temperature T2 of about 1000 ° C. to 1100 ° C., and the impurities added to the semiconductor wafer W are activated. After being done, the surface temperature drops rapidly. As described above, in the heat treatment apparatus 1, the surface temperature of the semiconductor wafer W can be raised and lowered in a very short time. Therefore, diffusion of impurities added to the semiconductor wafer W due to heat (this diffusion phenomenon is caused in the semiconductor wafer W). It is possible to activate the impurities while suppressing the impurity profile. Since the time required for activation of the added impurity is extremely short compared to the time required for thermal diffusion, activation is possible even for a short time when no diffusion of about 0.1 millisecond to 10 millisecond occurs. Is completed.

また、フラッシュ加熱の前に保持部７により半導体ウェハーＷを予備加熱しておくことにより、フラッシュランプＦＬからの閃光照射によって半導体ウェハーＷの表面温度を処理温度Ｔ２まで速やかに上昇させることができる。   In addition, by preheating the semiconductor wafer W by the holding unit 7 before the flash heating, the surface temperature of the semiconductor wafer W can be quickly raised to the processing temperature T2 by flash irradiation from the flash lamp FL.

フラッシュ加熱が終了し、処理位置における約１０秒間の待機の後、保持部７が保持部昇降機構４により再び図１に示す受渡位置まで下降し、半導体ウェハーＷが保持部７から支持ピン７０へと渡される。続いて、ゲートバルブ１８５により閉鎖されていた搬送開口部６６が開放され、支持ピン７０上に載置された半導体ウェハーＷは装置外部の搬送ロボットにより搬出され、熱処理装置１における半導体ウェハーＷのフラッシュ加熱処理が完了する。   After the flash heating is finished and the standby for about 10 seconds at the processing position, the holding unit 7 is lowered again to the delivery position shown in FIG. Is passed. Subsequently, the transfer opening 66 closed by the gate valve 185 is opened, and the semiconductor wafer W placed on the support pins 70 is unloaded by a transfer robot outside the apparatus, and the semiconductor wafer W is flushed in the heat treatment apparatus 1. The heat treatment is completed.

既述のように、熱処理装置１における半導体ウェハーＷの熱処理時には窒素ガスがチャンバー６に継続的に供給されており、その供給量は、保持部７が処理位置に位置するときには約３０リットル／分とされ、保持部７が処理位置以外の位置に位置するときには約４０リットル／分とされる。   As described above, nitrogen gas is continuously supplied to the chamber 6 during the heat treatment of the semiconductor wafer W in the heat treatment apparatus 1, and the supply amount is about 30 liters / minute when the holding unit 7 is located at the processing position. When the holding unit 7 is located at a position other than the processing position, the rate is about 40 liters / minute.

ところで、本実施形態においては、クランプリング９０の下面のうちＯリング６９と対向する対向面９０１をサンドブラスト加工によって粗面としている。従来にあっては、かかる粗面加工を行うことなくクランプリング９０を装着しており、フラッシュ加熱時にフラッシュ光の一部が対向面９０１とチャンバー側部６３の上端面（特に、リング６３１の上端面）との間に入り込んで多重反射を生じ、その結果フラッシュ光がＯリング６９にまで到達して樹脂の表面劣化が生じることとなっていた。   By the way, in this embodiment, the opposing surface 901 which opposes the O-ring 69 among the lower surfaces of the clamp ring 90 is roughened by sandblasting. Conventionally, the clamp ring 90 is mounted without performing such rough surface processing, and during flash heating, a part of the flash light is transmitted to the opposing surface 901 and the upper end surface of the chamber side portion 63 (particularly on the ring 631). In this case, multiple reflections occur, and the flash light reaches the O-ring 69 to cause deterioration of the resin surface.

対向面９０１を粗面としておけば、クランプリング９０とチャンバー側部６３との間にフラッシュ光の一部が入り込んだとしても、その光は粗面化された対向面９０１によって乱反射されＯリング６９にまでは到達しない。また、図６に示すように、溝６３２の外周側よりも内周側を高くして遮光壁６３３を形成している。この遮光壁６３３によってもＯリング６９へのフラッシュ光の到達は抑制される。その結果、フラッシュ加熱時にＯリング６９がフラッシュ光に曝されることが確実に防止され、フラッシュ光照射によるＯリング６９の劣化を防止することができる。   If the facing surface 901 is a rough surface, even if a part of the flash light enters between the clamp ring 90 and the chamber side portion 63, the light is diffusely reflected by the roughened facing surface 901 and the O-ring 69. It does not reach to. In addition, as shown in FIG. 6, the light shielding wall 633 is formed by making the inner peripheral side higher than the outer peripheral side of the groove 632. The light blocking wall 633 also suppresses the flash light from reaching the O-ring 69. As a result, it is possible to reliably prevent the O-ring 69 from being exposed to flash light during flash heating, and to prevent the O-ring 69 from being deteriorated due to flash light irradiation.

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、サンドブラスト加工によって対向面９０１を粗面としていたが、粗面加工の手法はサンドブラスト加工に限定されるものではなく、サンドペーパを使用した粗面化であっても良いし、けがきによって対向面９０１を粗面化するようにしても良い。これらの機械的な表面処理によって対向面９０１を粗面化し、対向面９０１における正反射の反射率が２０％以下となるようにすれば、フラッシュ加熱時にクランプリング９０とチャンバー側部６３との間に入り込んだフラッシュ光の大部分は対向面９０１によって乱反射され、Ｏリング６９にはほとんど到達しないため、フラッシュ光照射によるＯリング６９の表面劣化を防止することができる。   While the embodiments of the present invention have been described above, the present invention can be modified in various ways other than those described above without departing from the spirit of the present invention. For example, in the above embodiment, the facing surface 901 is roughened by sandblasting, but the method of roughing is not limited to sandblasting, and may be roughening using sand paper. The opposing surface 901 may be roughened by scribing. If the opposing surface 901 is roughened by these mechanical surface treatments so that the reflectance of regular reflection at the opposing surface 901 is 20% or less, the space between the clamp ring 90 and the chamber side portion 63 during flash heating is reduced. Since most of the flash light that has entered is diffusely reflected by the facing surface 901 and hardly reaches the O-ring 69, surface deterioration of the O-ring 69 due to flash light irradiation can be prevented.

また、反射防止加工としては、粗面加工に限定されるものではなく、対向面９０１を光吸収面とする加工を行っても良い。具体的には、アルミニウム製のクランプリング９０の対向面９０１に陽極酸化によって黒アルマイトの被膜を形成する。このような黒体処理を行うことによって対向面９０１の光吸収率が上昇し、それに伴って対向面９０１の基礎的な反射率が低下する。これにより、対向面９０１における正反射の反射率も２０％以下となり、上記の粗面加工を行ったのと同様に、フラッシュ光照射によるＯリング６９の表面劣化を防止することができる。   Further, the antireflection processing is not limited to the rough surface processing, and processing using the opposing surface 901 as a light absorbing surface may be performed. Specifically, a black alumite film is formed on the facing surface 901 of the aluminum clamp ring 90 by anodic oxidation. By performing such a black body process, the light absorption rate of the opposing surface 901 increases, and the basic reflectance of the opposing surface 901 decreases accordingly. Thereby, the reflectance of regular reflection on the facing surface 901 is also 20% or less, and the surface deterioration of the O-ring 69 due to flash light irradiation can be prevented in the same manner as the above rough surface processing.

また、対向面９０１を光吸収面とする手法は黒体処理に限定されるものではなく、有色の塗料を塗布したり、光を吸収するシート状部材を貼着するものであっても良い。もっとも、対向面９０１の光吸収率が高くなると、フラッシュ加熱時に対向面９０１がフラッシュ光を吸収してクランプリング９０自体が昇温するおそれあるため、その冷却対策（例えば、冷却配管の配設）を施しておく方が好ましい。   Further, the method of using the opposing surface 901 as the light absorbing surface is not limited to the black body treatment, and a colored paint may be applied or a sheet-like member that absorbs light may be attached. Of course, if the light absorption rate of the facing surface 901 increases, the facing surface 901 absorbs flash light during flash heating, and the clamp ring 90 itself may rise in temperature. It is preferable to apply.

要するに、クランプリング９０の対向面９０１に反射防止加工を施して反射防止面を形成するようにすれば、フラッシュ加熱時にクランプリング９０とチャンバー側部６３との間にフラッシュ光が入り込んだとしても、その光がＯリング６９にまで到達することは防止され、その結果フラッシュ光照射によるＯリング６９の劣化を防止することができる。   In short, if antireflection processing is performed on the opposing surface 901 of the clamp ring 90 to form an antireflection surface, even if flash light enters between the clamp ring 90 and the chamber side portion 63 during flash heating, The light is prevented from reaching the O-ring 69, and as a result, deterioration of the O-ring 69 due to flash light irradiation can be prevented.

また、チャンバー側部６３の上端面、特にリング６３１の上端面に反射防止加工を行うようにしても良い。これにより、フラッシュ光がＯリング６９にまで到達することをより確実に防止することができる。   Further, antireflection processing may be performed on the upper end surface of the chamber side portion 63, particularly the upper end surface of the ring 631. Thereby, it is possible to more reliably prevent the flash light from reaching the O-ring 69.

また、上記実施形態においては、ランプハウス５に３０本のフラッシュランプＦＬを備えるようにしていたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬの本数は任意の数とすることができる。また、フラッシュランプＦＬはキセノンフラッシュランプに限定されるものではなく、クリプトンフラッシュランプであっても良い。   In the above embodiment, the lamp house 5 is provided with 30 flash lamps FL. However, the present invention is not limited to this, and the number of flash lamps FL can be any number. The flash lamp FL is not limited to a xenon flash lamp, and may be a krypton flash lamp.

また、上記実施形態においては、半導体ウェハーに光を照射してイオン活性化処理を行うようにしていたが、本発明にかかる熱処理装置による処理対象となる基板は半導体ウェハーに限定されるものではない。例えば、窒化シリコン膜や多結晶シリコン膜等の種々のシリコン膜が形成されたガラス基板に対して本発明にかかる熱処理装置による処理を行っても良い。一例として、ＣＶＤ法によりガラス基板上に形成した多結晶シリコン膜にシリコンをイオン注入して非晶質化した非晶質シリコン膜を形成し、さらにその上に反射防止膜となる酸化シリコン膜を形成する。この状態で、本発明にかかる熱処理装置により非晶質のシリコン膜の全面に光照射を行い、非晶質のシリコン膜が多結晶化した多結晶シリコン膜を形成することもできる。   In the above embodiment, the semiconductor wafer is irradiated with light to perform the ion activation process. However, the substrate to be processed by the heat treatment apparatus according to the present invention is not limited to the semiconductor wafer. . For example, the glass substrate on which various silicon films such as a silicon nitride film and a polycrystalline silicon film are formed may be processed by the heat treatment apparatus according to the present invention. As an example, an amorphous silicon film made amorphous by ion implantation of silicon into a polycrystalline silicon film formed on a glass substrate by a CVD method is formed, and a silicon oxide film serving as an antireflection film is further formed thereon. Form. In this state, the entire surface of the amorphous silicon film is irradiated with light by the heat treatment apparatus according to the present invention, so that a polycrystalline silicon film obtained by polycrystallizing the amorphous silicon film can be formed.

また、ガラス基板上に下地酸化シリコン膜、アモルファスシリコンを結晶化したポリシリコン膜を形成し、そのポリシリコン膜にリンやボロン等の不純物をドーピングした構造のＴＦＴ基板に対して本発明にかかる熱処理装置により光照射を行い、ドーピング工程で打ち込まれた不純物の活性化を行うこともできる。   Further, a heat treatment according to the present invention is applied to a TFT substrate having a structure in which a base silicon oxide film and a polysilicon film obtained by crystallizing amorphous silicon are formed on a glass substrate, and the polysilicon film is doped with impurities such as phosphorus and boron. It is also possible to activate the impurities implanted in the doping process by irradiating light with an apparatus.

本発明に係る熱処理装置の構成を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the structure of the heat processing apparatus which concerns on this invention. 図１の熱処理装置のガス路を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the gas path of the heat processing apparatus of FIG. 保持部の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of a holding | maintenance part. ホットプレートを示す平面図である。It is a top view which shows a hot plate. 図１の熱処理装置の構成を示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the structure of the heat processing apparatus of FIG. チャンバーのシール部分周辺構造を示す部分拡大図である。It is the elements on larger scale which show the seal part peripheral structure of a chamber.

符号の説明Explanation of symbols

１ 熱処理装置
４ 保持部昇降機構
５ ランプハウス
６ チャンバー
７ 保持部
６０ 上部開口
６１ チャンバー窓
６３ チャンバー側部
６９ Ｏリング
６５ 熱処理空間
７１ ホットプレート
７２ サセプタ
９０ クランプリング
９０１ 対向面
ＦＬ フラッシュランプ
Ｗ 半導体ウェハー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat processing apparatus 4 Holding part raising / lowering mechanism 5 Lamp house 6 Chamber 7 Holding part 60 Upper opening 61 Chamber window 63 Chamber side part 69 O-ring 65 Heat processing space 71 Hotplate 72 Susceptor 90 Clamp ring 901 Opposite surface FL Flash lamp W Semiconductor wafer

Claims (10)

基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置であって、
フラッシュランプを有する光源と、
前記光源の下方に設けられ、基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて基板を保持する保持手段と、
前記チャンバーの上部開口を覆う石英窓と、
前記チャンバーの側壁上端部と前記石英窓との間に挟み込まれたＯリングと、
前記石英窓の周縁部を上側から前記チャンバーの側壁上端部に押圧する石英窓押さえ部材と、
を備え、
前記石英窓押さえ部材の前記Ｏリングに対向する側の面にフラッシュ光の反射を防止する反射防止面を形成することを特徴とする熱処理装置。 A heat treatment apparatus for heating a substrate by irradiating the substrate with flash light,
A light source having a flash lamp;
A chamber provided below the light source and containing a substrate;
Holding means for holding the substrate in the chamber;
A quartz window covering the upper opening of the chamber;
An O-ring sandwiched between the upper end of the side wall of the chamber and the quartz window;
A quartz window pressing member that presses the peripheral edge of the quartz window from above to the upper end of the side wall of the chamber;
With
A heat treatment apparatus, wherein an antireflection surface for preventing reflection of flash light is formed on a surface of the quartz window pressing member facing the O-ring. 請求項１記載の熱処理装置において、
前記反射防止面における正反射の反射率は２０％以下であることを特徴とする熱処理装置。 The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein
The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the reflectance of regular reflection on the antireflection surface is 20% or less. 請求項１または請求項２記載の熱処理装置において、
前記反射防止面は、光を乱反射する粗面であることを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 1 or 2,
The heat treatment apparatus, wherein the antireflection surface is a rough surface that irregularly reflects light. 請求項１または請求項２記載の熱処理装置において、
前記反射防止面は、光を吸収する光吸収面であることを特徴とする熱処理装置。 In the heat treatment apparatus according to claim 1 or 2,
The heat treatment apparatus, wherein the antireflection surface is a light absorption surface that absorbs light. 請求項４記載の熱処理装置において、
前記石英窓押さえ部材はアルミニウムにて形成され、
前記反射防止面は、黒アルマイトの被膜が形成されることを特徴とする熱処理装置。 The heat treatment apparatus according to claim 4, wherein
The quartz window pressing member is made of aluminum,
A heat treatment apparatus characterized in that a black alumite film is formed on the antireflection surface. フラッシュランプを有する光源から当該光源の下方に設けられたチャンバー内に収容された基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理装置の製造方法であって、
前記チャンバーの上部開口を覆う石英窓の周縁部を上側からＯリングを介して前記チャンバーの側壁上端部に押圧する石英窓押さえ部材の前記Ｏリングに対向する側の面に反射防止加工を行うことを特徴とする熱処理装置の製造方法。 A method of manufacturing a heat treatment apparatus for heating a substrate by irradiating flash light from a light source having a flash lamp to a substrate accommodated in a chamber provided below the light source,
Antireflection processing is performed on the surface of the quartz window pressing member facing the O-ring of the quartz window pressing member that presses the peripheral edge of the quartz window covering the upper opening of the chamber from the upper side to the upper end of the side wall of the chamber through the O-ring. A method of manufacturing a heat treatment apparatus characterized by the above. 請求項６記載の熱処理装置の製造方法において、
前記反射防止加工は、粗面加工であることを特徴とする熱処理装置の製造方法。 In the manufacturing method of the heat processing apparatus of Claim 6,
The method for manufacturing a heat treatment apparatus, wherein the antireflection processing is rough surface processing. 請求項７記載の熱処理装置の製造方法において、
前記粗面加工は、前記石英窓押さえ部材の前記Ｏリングに対向する側の面にサンドペーパ加工、サンドブラスト加工またはけがき法のいずれかによる表面処理を行うことを特徴とする熱処理装置の製造方法。 In the manufacturing method of the heat processing apparatus of Claim 7,
The method of manufacturing a heat treatment apparatus, wherein the rough surface processing is performed by performing a surface treatment by any one of sand paper processing, sand blast processing, and scribing on a surface of the quartz window pressing member facing the O-ring. 請求項６記載の熱処理装置の製造方法において、
前記反射防止加工は、前記石英窓押さえ部材の前記Ｏリングに対向する側の面の黒体処理であることを特徴とする熱処理装置の製造方法。 In the manufacturing method of the heat processing apparatus of Claim 6,
The method for manufacturing a heat treatment apparatus, wherein the antireflection processing is black body treatment of a surface of the quartz window pressing member facing the O-ring. 請求項９記載の熱処理装置の製造方法において、
前記石英窓押さえ部材はアルミニウムにて形成され、
前記黒体処理は、黒アルマイトの被膜を形成する表面処理であることを特徴とする熱処理装置の製造方法。 In the manufacturing method of the heat processing apparatus of Claim 9,
The quartz window pressing member is made of aluminum,
The method for manufacturing a heat treatment apparatus, wherein the black body treatment is a surface treatment for forming a black alumite film.

Images