JP5052152B2 - Vacuum chamber, load lock chamber, and processing apparatus - Google Patents
Vacuum chamber, load lock chamber, and processing apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP5052152B2 JP5052152B2 JP2007032362A JP2007032362A JP5052152B2 JP 5052152 B2 JP5052152 B2 JP 5052152B2 JP 2007032362 A JP2007032362 A JP 2007032362A JP 2007032362 A JP2007032362 A JP 2007032362A JP 5052152 B2 JP5052152 B2 JP 5052152B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- members
- vacuum chamber
- holes
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、真空チャンバ、ロードロックチャンバ、及び処理装置に関する。 The present invention relates to a vacuum chamber, a load lock chamber, and a processing apparatus.
近年、液晶ディスプレイは大型化が進み、処理基板としては、例えば2850mm×3350mmサイズのガラス基板が用いられるようになってきている。この液晶ディスプレイの製造には、配線用金属膜の成膜プロセスを行うスパッタリング装置など多くの処理装置が用いられ、これらの処理装置は、所定のプロセスを行うべく真空チャンバを有している。 In recent years, the size of liquid crystal displays has increased, and a glass substrate having a size of, for example, 2850 mm × 3350 mm has been used as a processing substrate. In manufacturing the liquid crystal display, many processing apparatuses such as a sputtering apparatus for forming a wiring metal film are used, and these processing apparatuses have a vacuum chamber for performing a predetermined process.
処理基板の大型化に伴って、この処理基板の全面に亘って成膜プロセスなどを一括して行うことができるように、処理装置の真空チャンバ自体も大型化させる必要がある。この場合、1の大型のアルミニウムブロックから削り出して大型の真空チャンバを製作したのでは、専用の大型切削加工装置が必要になる等、真空チャンバ自体の製作費の高騰を招く。 As the processing substrate is increased in size, the vacuum chamber itself of the processing apparatus needs to be increased in size so that a film forming process or the like can be performed all over the entire surface of the processing substrate. In this case, if a large vacuum chamber is manufactured by cutting out from one large aluminum block, a dedicated large cutting device is required, resulting in an increase in the manufacturing cost of the vacuum chamber itself.
このことから、処理装置の価格を低減することができ、また、装置材料を効率良く使用して材料の無駄を少なくすべく、分割された複数個の構成部材が溶接により接合された枠状の側壁部と、この側壁部に対してボルトにより固定される底板および蓋板から構成される真空チャンバが知られている。(例えば、特許文献1参照)。
しかしながら、ロードロックチャンバーや前処理工程などの大気状態と低圧状態とを繰り返して行うための処理装置を前記真空チャンバを用いて構成すると、溶接で部材が接合されている側壁部でリークが発生しやすくなるという問題がある。 However, when a processing apparatus for repeatedly performing an atmospheric state and a low pressure state, such as a load lock chamber and a pretreatment process, is configured using the vacuum chamber, leakage occurs at the side wall portion where the members are joined by welding. There is a problem that it becomes easy.
また、枠上の側壁部のみ複数に分割した構成部品を溶接して形成しても、底板および蓋板を処理装置の設置場所まで輸送するためには、大型のトレーラなどの輸送手段が必要になって不便であり、また、そのサイズや重量によっては法令の制限を受けて輸送できないという問題がある。 Even if only the side wall portion on the frame is formed by welding a plurality of divided parts, a transportation means such as a large trailer is required to transport the bottom plate and the cover plate to the installation location of the processing apparatus. It is inconvenient, and depending on its size and weight, there is a problem that it cannot be transported due to legal restrictions.
ところで、処理基板の脱気処理等の前処理を行う処理装置では、多数枚の大型基板を同時に処理するために、1の処理空間を有する各真空チャンバを積み上げ固定して、多段の処理空間を有するように構成した多段の真空チャンバを用いることがある。この場合、各真空チャンバの底板および蓋板は、低圧にした処理空間内と真空チャンバ外部との圧力差によるゆがみに耐えられるように所定の厚さが必要であり、薄くすることができないため、各真空チャンバの高さは高くなる。従って、各真空チャンバを積み重ねて、例えば10段の真空チャンバを構成すると、多段の真空チャンバの高さは非常に高くなってしまい、装置の設置場所が限定され、また、装置作製材料が多くなるという問題がある。 By the way, in a processing apparatus that performs pre-processing such as degassing processing of processing substrates, in order to process a large number of large substrates simultaneously, each vacuum chamber having one processing space is stacked and fixed to form a multi-stage processing space. In some cases, a multi-stage vacuum chamber is used. In this case, the bottom plate and the cover plate of each vacuum chamber must have a predetermined thickness so that they can withstand distortion due to a pressure difference between the processing space at a low pressure and the outside of the vacuum chamber. The height of each vacuum chamber is increased. Therefore, if the vacuum chambers are stacked to form, for example, a 10-stage vacuum chamber, the height of the multi-stage vacuum chamber becomes very high, the installation location of the apparatus is limited, and the material for manufacturing the apparatus increases. There is a problem.
そこで、本発明の課題は、上記従来技術の問題点を解消すべく、輸送にも便利で、かつ、装置作製材料が少ない構成部品からなる真空チャンバを提供することにある。また、この真空チャンバを備えたロードロックチャンバ及び処理装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a vacuum chamber comprising components that are convenient for transportation and have a small amount of material for manufacturing a device, in order to solve the above-described problems of the prior art. Another object of the present invention is to provide a load lock chamber and a processing apparatus provided with this vacuum chamber.
本発明の真空チャンバは、底面、天井面及び側壁が一体となって構成され、貫通穴が形成された略直方体のチャンバ部材を2以上備え、前記チャンバ部材のうち、少なくとも1のチャンバ部材の貫通穴の一方の口が形成されている面に、前記貫通穴の周囲に亘って設けられたシール部材の装着を可能とする環状の溝が形成され、この溝にシール部材を装着して、隣接するチャンバ部材の各貫通穴が連通するように、チャンバ部材を2以上接合してなることを特徴とする。 The vacuum chamber according to the present invention includes two or more substantially rectangular parallelepiped chamber members each having a bottom surface, a ceiling surface, and a side wall and formed with a through hole, and at least one of the chamber members penetrates the chamber. An annular groove is formed on the surface of the hole in which one of the openings is formed, and a seal member provided around the through hole can be mounted. Two or more chamber members are joined such that each through hole of the chamber member communicates with each other.
真空チャンバを構成する部材が、貫通穴を形成した略直方体のチャンバ部材であるので、輸送に便利である。また、溶接ではなく、シール部材を用いて接合することで、大気状態と低圧状態とを繰り返して処理を行うような装置に真空チャンバを用いる場合であっても、接合部からのリークの発生を抑制することができる。 Since the member constituting the vacuum chamber is a substantially rectangular parallelepiped chamber member in which a through hole is formed, it is convenient for transportation. Moreover, even when a vacuum chamber is used in an apparatus that performs processing in an atmospheric state and a low pressure state by joining using a seal member instead of welding, leakage from the joint portion is generated. Can be suppressed.
前記チャンバ部材には設置時の垂直方向に並んで前記貫通穴が2以上形成されていることが好ましい。貫通穴が設置時の垂直方向に並んで2以上形成されていることで、多段の真空チャンバを構成することが可能である。2以上の貫通穴が形成された略直方体のチャンバ部材を用いる場合、この貫通穴が連通して多段の処理空間を形成していることで、処理空間の間に大気状態の空間がない。従って、本発明の真空チャンバでは、処理空間の間には、各処理空間の真空状態に耐えられるだけの厚みを有する壁部があればよいので、よりコンパクトに段数の多い真空チャンバを作製することが可能である。
It is preferable that two or more through holes are formed in the chamber member in a vertical direction when installed . By forming two or more through holes side by side in the vertical direction at the time of installation, it is possible to configure a multistage vacuum chamber. In the case of using a substantially rectangular parallelepiped chamber member in which two or more through holes are formed, the through holes communicate with each other to form a multistage processing space, so that there is no atmospheric space between the processing spaces. Therefore, in the vacuum chamber of the present invention, it is only necessary to provide a wall portion having a thickness that can withstand the vacuum state of each processing space between the processing spaces, so that a vacuum chamber having a larger number of stages can be produced more compactly. Is possible.
前記真空チャンバは、前記接合されたチャンバ部材を、2段以上積み重ねてなることが好ましい。より多段の真空チャンバを容易に構成することが可能である。 The vacuum chamber is preferably formed by stacking the joined chamber members in two or more stages. It is possible to easily construct a multistage vacuum chamber.
本発明のロードロックチャンバは、貫通穴が2以上形成された略直方体のチャンバ部材を2以上備え、前記チャンバ部材のうち、少なくとも1のチャンバ部材の貫通穴の一方の口が形成されている面に設けられた溝にOリングを装着し、隣接する各貫通穴が連通するように、隣接するチャンバ部材を接合してなる真空チャンバからなり、端部のチャンバ部材の貫通穴には蓋部材が設けられており、各貫通穴が連通してなる処理空間には、真空ポンプが接続されていることを特徴とする。このように多段の真空チャンバを有するロードロックチャンバを、2以上のチャンバ部材を配置して各貫通穴を連通してなる処理空間を2以上備えた真空チャンバで作製することで、各チャンバ部材自体は小さくすることができ、輸送に便利である。かつ、前記のチャンバ部材で構成することで、ロードロックチャンバ全体をコンパクトに形成でき、また、Oリングでチャンバ部材同士を接合することで、真空引きを多数繰り返してもリークが発生しにくい。 The load lock chamber of the present invention includes two or more substantially rectangular parallelepiped chamber members in which two or more through holes are formed, and a surface in which one of the through holes of at least one of the chamber members is formed. It is composed of a vacuum chamber formed by attaching an O-ring to a groove provided in each of the grooves and connecting adjacent chamber members so that the adjacent through holes communicate with each other, and a lid member is formed in the through hole of the end chamber member. A vacuum pump is connected to a processing space that is provided and that has through holes communicating with each other. In this way, the load lock chamber having a multi-stage vacuum chamber is produced in a vacuum chamber provided with two or more processing spaces in which two or more chamber members are arranged and the respective through holes communicate with each other. Can be small and convenient for transportation. In addition, by configuring the chamber member as described above, the entire load lock chamber can be formed in a compact manner, and by joining the chamber members with an O-ring, leaks are unlikely to occur even when repeated evacuation is repeated.
本発明の処理装置は、貫通穴が2以上形成された略直方体のチャンバ部材を2以上備え、前記チャンバ部材のうち、少なくとも1のチャンバ部材の貫通穴の一方の口が形成されている面に設けられた溝にOリングを装着し、隣接する各貫通穴が連通するように、隣接するチャンバ部材を接合してなる真空チャンバからなり、端部のチャンバ部材のうち、一端のチャンバ部材の貫通穴には壁面部材が設けられ、他端のチャンバ部材の貫通穴には蓋部材が設けられており、各貫通穴が連通してなる処理空間は、真空ポンプが接続され、かつ、各処理空間の底部には、基板を載置する載置台及び基板を加熱する加熱手段が設けられていることを特徴とする。このように多段の処理空間(脱気室)を有する処理装置を、前記のチャンバ部材を配置して貫通穴を連通してなる脱気室を2以上備えるように作製することで、各チャンバ部材自体は小さくすることができ、輸送に便利である。かつ、前記のチャンバ部材で構成することで、処理装置全体をコンパクトに形成でき、また、Oリングでチャンバ部材同士を接合することで、前処理工程に適している。 The processing apparatus of the present invention includes two or more substantially rectangular parallelepiped chamber members formed with two or more through holes, and the surface of the chamber member on which one of the through holes of at least one chamber member is formed. It consists of a vacuum chamber formed by attaching an O-ring to the provided groove and adjoining adjacent chamber members so that adjacent through holes communicate with each other. A wall member is provided in the hole, a lid member is provided in the through hole of the chamber member at the other end, and a processing space in which each through hole communicates is connected to a vacuum pump, and each processing space At the bottom of the substrate, a mounting table for mounting the substrate and a heating means for heating the substrate are provided. Thus, each chamber member is prepared by providing a processing apparatus having multi-stage processing spaces (deaeration chambers) with two or more deaeration chambers in which the chamber members are arranged and the through holes communicate with each other. It can be made small and convenient for transportation. And by comprising with the said chamber member, the whole processing apparatus can be formed compactly, and it is suitable for a pre-processing process by joining chamber members with an O-ring.
以上説明したように、本発明の真空チャンバ、ロードロックチャンバー、及び処理装置は、コンパクトで、前処理工程に適したものであり、かつ、構成部材は輸送にも便利であるという優れた効果を奏する。 As described above, the vacuum chamber, the load lock chamber, and the processing apparatus of the present invention are compact, suitable for the pretreatment process, and have excellent effects that the constituent members are convenient for transportation. Play.
本発明の第1の真空チャンバの実施の形態について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の多段の真空チャンバ1の模式的斜視図である。多段の真空チャンバ1は、真空チャンバ1全体で例として10個の処理空間Aを有するものであり、処理空間Aが1つ形成された本発明の真空チャンバ11を10段重ねたものである。各真空チャンバ11は、複数のチャンバ部材(図1では、説明を簡便にするため3つのチャンバ部材11a〜11cを例示する)をOリング等のシール部材で接合して構成されているものである。各処理空間Aも、各チャンバ部材11a〜11cに設けられた各貫通穴10a〜10cが連通して構成されているものである。このように、小さいブロック状のチャンバ部材11a〜11cをシール部材で接合して、1つの真空チャンバを作製し、この真空チャンバを積み上げ、ボルトなどで固定して多段の真空チャンバ1を作製することができるので、各チャンバ部材を処理装置の設置場所まで輸送し、そこで組み立てることができる。そのため、大型で特殊な輸送手段は不要である。かつ、シール部材で接合しているので大気状態から所定の圧力まで下げる工程をくりかえしたとしても、リークが生じにくいので特に前処理工程などを行うのに適している。
An embodiment of the first vacuum chamber of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic perspective view of a
この多段真空チャンバ1の各チャンバ部材11a〜11cの側壁部111、上壁部112及び底壁部113は、それぞれの処理空間A内を低圧にした場合の処理空間A内と本発明の真空チャンバ1外部との圧力差によるゆがみに耐えられるように、所定の厚さが必要であり、例えば、図1中では、底壁部113の厚みは195mm、側壁部111の厚みは85mm、上壁部112の厚みは195mmである。特に、各処理空間Aの間、即ち上部の真空チャンバ11の底壁部113と、下部の真空チャンバ11の上壁部112との間には、大気の空間(真空引きされない空間)12が形成されてしまうため、処理空間を低圧にした場合に圧力差に耐えられるように、この空間12と上部及び下部の処理空間Aとの間には、それぞれ所定の厚み(195mm)が必要であり、薄くすることはできない。その結果、各貫通穴10a間の厚みは390mmとなる。従って、前記各真空チャンバ11を図1のように10段積み重ねて多段の真空チャンバ1を構成すると、高さが非常に高くなってしまう場合がある。
The
本発明の第2の真空チャンバの構成について図2〜図4を用いて説明する。図2は、本発明の第2の真空チャンバ2の構成を示す模式的斜視図であり、図3は、真空チャンバ2を構成するチャンバ部材21a〜21fの構成を示す模式図であり、図4は、本発明の真空チャンバ2の構成を示す模式的断面図である。
The configuration of the second vacuum chamber of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 is a schematic perspective view showing the configuration of the
本発明の真空チャンバ2は、チャンバ部材が2以上接合されて構成されているものであり、処理基板を搬送することができる処理空間Aが内部に多段で形成されている。図2中では、例として真空チャンバ2は、対向する壁面間を貫通する貫通穴20a〜20cが2以上形成されたチャンバ部材21a〜21cを横に3個ずつ並べてそれぞれ接合し、かつ、チャンバ部材21a〜21cの下に、貫通穴20d〜20fが形成されたチャンバ部材21d〜21fを配設しそれぞれ接合しているので、チャンバ部材は横に3つ、縦に2つ積み重ねられていることになる。従って、真空チャンバ2は、全部で6個のチャンバ部材21a〜21fからなる。積み重ねたチャンバ部材21a〜21cとチャンバ部材21d〜21f間は、ずれ防止のためにボルトで接合されていることが好ましい。
各処理空間Aは、各チャンバ部材21a〜21fの断面が多角形状の貫通穴20a〜20c、20d〜20fを連通せしめて形成される。図2では、説明を簡単にするため、処理空間Aについては各チャンバ部材の最上段の貫通穴20a〜20fについてのみ示したが、図4に図示したように、各チャンバ部材に各5段の貫通穴が設けられ、真空チャンバ2には、全部で10段の処理空間Aが形成されている。
The
Each processing space A is formed by communicating through-
チャンバ部材21a〜21fは、例えば、それぞれアルミニウムやステンレス等から製作されものであり、図3では、例として略直方体形状のアルミニウムからなるチャンバ部材21aに、対向する壁面間を貫通する略直方体状の貫通穴20aを縦方向に5段設けたものを示す。そして、この各チャンバ部材21a〜21cに設けられた5段の各貫通穴20a〜20cが連通し、縦に5段の処理空間Aが形成され、チャンバ部材は2つ上下に積み重ねられているので、処理空間Aは真空チャンバ2全体で10段形成されている。最上段の処理空間Aを例にとって説明すると、チャンバ部材21a〜21cの最上段に形成された貫通穴20a〜20cが連通して1つの処理空間Aとして形成されている。
The
チャンバ部材21a〜21fは例えば2200mm×3200mm×1200mm(縦×横×奥行き)であり、このようなコンパクトで軽量なチャンバ部材21から大型(例えば4400mm×3200mm×3600mm(縦×横×奥行き))の多段の真空チャンバ2を構成することができる。チャンバ部材の輸送には大型で特殊な輸送手段は不要であるので、このチャンバ部材を処理装置の設置場所まで輸送し、そこで組み立てて任意の大型の多段の真空チャンバを作製できるというメリットがある。また、貫通穴20a〜20fは、前述のように連通して処理空間Aを形成するものであり、例えば、2850mm×3350mmのような大面積の基板を導入するために、貫通穴20a〜20fの断面は210mm×2930mmの略長方形状に設定され、これらが連通した処理空間Aは、210mm×2930mm×3600mm(縦×横×奥行き)に設定されている。
The
このチャンバ部材は、真空チャンバ2が処理空間A内部を所望の圧力(例えば1Pa)とした場合に歪みを生じさせにくくするために、各壁部の厚さを所定の厚さに設定する必要がある。例えば、図3中では、側壁部211の厚みは85mm、上壁部212の厚みは195mm、底壁部213の厚みは195mm、及び貫通穴20a間の壁面の厚みは195mmと設定されている。本発明の真空チャンバは、略直方体のチャンバ部材21aの壁面を貫いて貫通穴20が形成されているので、処理空間Aの間に大気状態の空間がないため、処理空間同士の間には、処理空間の低圧状態に耐えられるだけの厚みがあればよい。従って、チャンバ部材同士を接合しているチャンバ部材21a〜21cとチャンバ部材21c〜21fとの間の部分のみ厚くなっているので、全体としてコンパクトな多段の真空チャンバを作製することが可能である。
In the chamber member, it is necessary to set the thickness of each wall portion to a predetermined thickness so that the
また、各チャンバ部材21a〜21fには、接合部材が設けられて、隣接した各チャンバ部材21と接合できるように構成されている。接合部材としては、例えばOリングなどのシール部材があげられ、真空チャンバ2を構成するチャンバ部材21a〜21fのうち、チャンバ部材21a、21c、21d、21fの貫通穴が形成されている1の面の各貫通穴の周囲に溝部214を形成し、この溝部214にOリングRを装着して図示しない固定具(例えば、チャンバ部材21a〜21c、及び21d〜21fを貫通するネジ)で固定し、隣接する各チャンバ部材21aと21b、21bと21c、21dと21e、及び21eと21fを接合できるように構成している。このように処理空間Aを形成するために溶接ではなく、シール部材でチャンバ部材を接合することで、大気状態と真空状態とを繰り返したとしても、リークが発生しにくくなる。
Each
図1に示した本発明の10段の多段真空チャンバ1の場合、総重量は188960kg、大きさは6000mm×3200mm×3600mm(縦×横×奥行き)であった。これに対し、図2に示した本発明の10段の多段真空チャンバ2の場合、総重量は139830kg、上述のように大きさは4400mm×3200mm×3600mm(縦×横×奥行き)であり、アルミ重量が図1の真空チャンバ1の0.74倍となる。従って、本発明の第2の多段の真空チャンバ2によれば、よりコンパクトに構成でき、かつ重量を軽く、材料を節約して構成できることがわかる。
In the case of the 10-stage
また、図2では、例としてチャンバ部材21a〜21cをチャンバ部材21d〜21f上に積み重ねているが、チャンバ部材21a〜21cのみでチャンバ部材を積み重ねずに、処理空間Aを5個有する真空チャンバ2を構成することも可能である。この場合も、チャンバ部材21a〜21cに、各処理空間Aをいくつ設けるかは適宜決定される。
In FIG. 2, the
ところで、真空チャンバ11、並びに多段の真空チャンバ1及び2を使用するには、各処理空間Aを大気から隔絶するために、処理空間Aの一端を密閉し、他端を開閉自在にする部材を設ける必要がある。例えば、真空チャンバ2の場合、真空チャンバ2の端部を構成するチャンバ部材21a、21dの各貫通穴20a、20dに、壁面部材を設け、かつ、他端のチャンバ部材21c、21fの各貫通穴20c、20fには開閉自在の蓋部材を設け、これらの部材によって各処理空間Aが構成されることが好ましい。これらの各部材もOリング等のシール部材でチャンバ部材に接合されていることが好ましい。
By the way, in order to use the
以上述べた多段の真空チャンバ2は、大気状態と真空状態とを繰り返してもリークが発生しにくいので、例えば、大型基板用の多段のロードロックチャンバーに用いることができる。例えば、真空チャンバ2の端部を構成するチャンバ部材21a、21c、21d及び21fの各貫通穴220a、20c、20d及び20fに、Oリング等のシール部材で蓋部材を接合する。そして、各処理空間Aに真空ポンプを接続すると共に、チャンバ部材21c及び21fを、例えば基板搬送用チャンバに接続するように構成する。このように構成すれば、チャンバ部材21a及び21d側から各処理空間A内に基板を搬送し、所定の圧力とした後に、基板搬送用チャンバー側の蓋部材を開けて、基板搬送用チャンバに設置されたロボットにより基板を取り出して、次の処理を行う処理装置に搬送するように用いることが可能である。
Since the
また、多段の真空チャンバ2は、前処理工程を行う処理装置にも用いることができる。例えば、図5は、本発明の真空チャンバ2を用いた脱気処理装置3の構成を説明するための断面模式図であり、図2〜図4と同一の構成要素については同じ参照符号を付してある。
The
本発明の脱気処理装置3は、本発明の真空チャンバ2の各処理空間Aを脱気室31としているので、全部で10段の脱気室31を有しているものである。脱気室31の一端(チャンバ部材21a、21d側)には開閉自在の蓋部材311が設けられ、他端(チャンバ部材21c、21f側)には壁面部材312が設けられており、脱気室内に基板を出しいれできるように構成されている。各脱気室31の底部には、載置台313及び加熱手段314が設けられていて、脱気室31内で基板の真空脱気処理を行うことができる。
Since the
また、各脱気室31は、図示しないドライポンプ及びターボ分子ポンプに接続され、各脱気室31内を所望の圧力にすることが可能である。
In addition, each
本発明の脱気処理装置3の真空チャンバ2の下部には、台座32が設けられ、真空チャンバ2を支持し、台座32内に周辺機器を収納することが好ましい。
It is preferable that a
例えば、脱気室31に搬入された基板は、載置台313に載置され、次いで、ドライポンプによって脱気室31内を所望の圧力(例えば1Pa)とし、ターボ分子ポンプにより真空度を保持しながら、基板Sを加熱手段314によって70℃まで加熱し、基板Sの脱気処理を行うことが可能である。この場合、加熱手段314としては、温水循環路を形成したものであってもよく、コイルヒーターやパネルヒーターなどでもよい。
For example, the substrate carried into the
本発明の真空チャンバを用いれば、ロードロックチャンバーや多数枚の処理基板を処理するための処理装置を作製することが可能である。従って、半導体素子作製分野で利用可能である。 By using the vacuum chamber of the present invention, it is possible to manufacture a load lock chamber and a processing apparatus for processing a large number of processing substrates. Therefore, it can be used in the field of manufacturing semiconductor devices.
1 真空チャンバ
2 真空チャンバ
3 脱気処理装置
10a〜10c 貫通穴
11a〜11c チャンバ部材
12 空間
20a〜20f 貫通穴
21a〜21f チャンバ部材
31 脱気室
32 台座
111 側壁部
112 上壁部
113 底壁部
211 側壁部
212 上壁部
213 底壁部
214 溝部
311 蓋部材
312 壁面部材
313 載置台
314 加熱手段
A 処理空間
R リング
S 基板
DESCRIPTION OF
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007032362A JP5052152B2 (en) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | Vacuum chamber, load lock chamber, and processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007032362A JP5052152B2 (en) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | Vacuum chamber, load lock chamber, and processing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008197374A JP2008197374A (en) | 2008-08-28 |
JP5052152B2 true JP5052152B2 (en) | 2012-10-17 |
Family
ID=39756379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007032362A Active JP5052152B2 (en) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | Vacuum chamber, load lock chamber, and processing apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5052152B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5274275B2 (en) * | 2009-01-22 | 2013-08-28 | 株式会社アルバック | Heat treatment device |
JP5232671B2 (en) * | 2009-01-22 | 2013-07-10 | 株式会社アルバック | Processing equipment |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3350234B2 (en) * | 1994-06-06 | 2002-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | Object buffer device, processing device using the same, and method of transporting the same |
JPH0864542A (en) * | 1994-08-25 | 1996-03-08 | Plasma Syst:Kk | Vacuum chamber for semiconductor processor and manufacture thereof |
DE202004005216U1 (en) * | 2004-03-15 | 2004-07-15 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Vacuum treatment unit for coating glass components has at least two adjacent chambers or chamber regions separated from each other by walls with an opening via a valve device |
JP4384109B2 (en) * | 2005-01-05 | 2009-12-16 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | Drive shaft of vapor deposition source for vapor deposition system and vapor deposition system having the same |
JP4078487B2 (en) * | 2005-05-25 | 2008-04-23 | 株式会社日立プラントテクノロジー | Substrate assembly apparatus and method |
-
2007
- 2007-02-13 JP JP2007032362A patent/JP5052152B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008197374A (en) | 2008-08-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5052152B2 (en) | Vacuum chamber, load lock chamber, and processing apparatus | |
US20170059254A1 (en) | Vapor chamber | |
US20130255781A1 (en) | Shared gas panels in plasma processing systems | |
US20190162480A1 (en) | Airtight penetration structure for heat dissipation device | |
TWI475628B (en) | Vacuum chamber for processing substrate and apparatus including the same | |
US10766160B2 (en) | Sheet for forming pillar for glass panel unit, pillar mounting device for manufacturing glass panel unit, glass panel unit manufacturing method, and glass window manufacturing method | |
US20170010048A1 (en) | Thin vapor chamber and manufacturing method thereof | |
JP5274275B2 (en) | Heat treatment device | |
KR20060013573A (en) | Module and frame for cable entries | |
JP2005281864A (en) | Vacuum treating apparatus with variable pumping arrangement | |
JP5232671B2 (en) | Processing equipment | |
KR20070111382A (en) | Proessure reduction vessel, pressure reduction processing apparatus and method of manufacturing a proessure reduction vessel | |
JP2010171206A5 (en) | ||
JP4587784B2 (en) | Vacuum chamber | |
JP2007032918A (en) | Heating furnace | |
JP2018523806A (en) | Frame profile elements, wall elements, and frameworks for clean gas chambers | |
JP5585945B2 (en) | Seal structure and joining device | |
KR101416815B1 (en) | Assembly type chamber | |
JP2014029115A (en) | Connecting structure of vacuum evacuation device and vacuum evacuation system | |
CN2760385Y (en) | Light fixture | |
TW200505259A (en) | Image display device and manufacturing method of a spacer assembly used for the image display device | |
KR20220124729A (en) | sealed chamber | |
KR101695948B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100915156B1 (en) | Flat panel display manufacturing machine | |
CN112665430A (en) | Thin type temperature-equalizing plate and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090828 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120625 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120711 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5052152 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |