JP5049456B2 - 車両用制御装置 - Google Patents

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Description

本発明は、例えば鉄道用車両などの車両に搭載される制御装置に関し、特に主電動機を駆動するインバータ装置の入力側に設けられた車両用制御装置に関する。
従来、例えば鉄道用の車両の回生運転時には、軽負荷回生制御(例えば非特許文献1参照)もしくは回生負荷抵抗チョッパ制御装置(例えば非特許文献2参照)により、インバータ装置の入力側である直流側電圧が過電圧になるのを回避している。
前述した軽負荷回生制御とは、車両に搭載された主電動機の駆動を制御するためのインバータ装置の直流側電圧が所定値以上になった際に主電動機のトルクを絞ることで回生エネルギーを抑制する制御である。
次に、従来の回生負荷抵抗チョッパ制御装置の構成例を図14を参照して説明する。この装置では、架線71から電圧を供給し、フィルタリアクトル72とフィルタコンデンサ73を介してインバータ装置74が接続され、このインバータ装置74内のスイッチング素子の制御により主電動機75の回転数が制御される。また、インバータ装置74と並列に回生負荷抵抗76と回生負荷抵抗チョッパ77が接続される。
図15は、図14に示した回生負荷抵抗チョッパ77を制御する制御部78の構成例を示すブロック図である。
この制御部78では、フィルタコンデンサ73の電圧から、回生負荷抵抗チョッパ77の動作開始電圧値を減算した値にゲイン部81によるゲイン(定数K4)をかけた上で、ゲイン部81からの出力値に対し上下限リミット処理部82による上下限リミット処理を行なう。上下限リミット処理部82の処理にかかる下限値は、回生負荷抵抗チョッパ77が動作しないレベル(ゲートOFFレベル)とし、上限値は回生負荷抵抗チョッパ77のゲートが常時ONしているレベル(ゲートFULL ONレベル)とする。そして、上下限リミット処理部82の出力信号を回生負荷抵抗チョッパ77のゲート信号として用いて、回生負荷抵抗チョッパ77のオンオフを制御することにより、回生負荷抵抗76に流れる電流量を制御している。
新井静男、他4名,「直流電車の新軽負荷回生制御」,平成9年電気学会産業応用部門全国大会講演論文集,p.259−263 神田英樹、他2名,「インバータ制御車の電気ブレーキ制御方式」,第33回 鉄道におけるサイバネティクス利用国内シンポジウム論文集,p.231−234
前述した回生負荷抵抗チョッパ制御装置では回生エネルギーを抵抗で消費していたので、回生エネルギーが有効活用されない。また、前述した軽負荷回生制御においては、回生運転時のインバータ直流側電圧が過電圧になるのを防ぐために回生エネルギーをインバータ制御により抑制して空気ブレーキを用いていたので、空気ブレーキ関係の消耗品が磨耗してしまう。
これらの問題を解消するために、図14に示した回生負荷抵抗76に代えて、例えばコンデンサなどの蓄電装置および制御用チョッパ装置を設け、制御用チョッパ装置の動作により回生時に発生したエネルギーを蓄電装置に蓄えることが考えられる。しかしながら、力行時の制御用チョッパ装置の制御は電流値の大小にしたがって行なう必要があるのに対し、回生時の制御用チョッパ装置の制御は電圧値の大小にしたがって行なう必要があるので、単一の制御装置よる充放電の制御ができない。また、制御用チョッパ装置にて、インバータ装置74の回生時に蓄電装置へ流れる電流を制御して電圧調整を行った場合、回生エネルギーの急変時においては電流制御が間に合わないので、インバータ装置74の直流側電圧が過電圧になる恐れがある。
さらに、蓄電装置に吸収できるエネルギーには限りがあるので、発生する回生エネルギーの吸収を常に行ないたい場合には、回生エネルギーが発生するごとに、予め吸収しておいたエネルギーを放出する必要がある。また、蓄電装置を所定の使用電圧範囲の上限値を超えた値または下限値未満の値で使用すると損傷の原因となる。これらの理由から、回生時に発生したエネルギーを適切に有効利用することは難しかった。
そこで、本発明の目的は、回生時に発生したエネルギーを適切に有効利用することが可能になる車両用制御装置を提供することにある。
すなわち、本発明に関わる車両用制御装置は、主電動機と、この主電動機の駆動を制御するインバータ装置と、このインバータ装置の直流側に接続された半導体スイッチング装置と、この半導体スイッチング装置に接続された蓄電装置と、前記インバータ装置の直流側電圧を検出する直流電圧検出手段と、前記インバータ装置の直流側への電流を検出する第1の電流検出手段と、前記蓄電装置の端子電圧を検出する蓄電電圧検出手段と、前記蓄電装置から前記半導体スイッチング装置に流れる電流を検出する第2の電流検出手段と、前記インバータ装置が力行制御を行なう際に、前記第1の電流検出手段により検出した電流値が所定のしきい値電流を超えたに前記蓄電装置からの放電が開始するように前記半導体スイッチング装置を制御する放電開始制御を行ない放電開始後に前記蓄電電圧検出手段により検出された電圧値が減少して前記蓄電装置が使用可能な電圧範囲内の所定の下限値より高い所定のしきい値電圧未満となった状態で、前記しきい値電圧の値から前記蓄電電圧検出手段により検出された電圧値を減算した値に第1のゲイン処理を行ない、この処理結果の値を前記蓄電装置の定格電流の値から減算し、この減算結果である電流値に対し、前記定格電流の値を上限値とした第1のリミット処理を行ない、一方で、前記第1の電流検出手段により検出した電流値から前記しきい値電流の値を減算した値に第2のゲイン処理を行なった値に対し、前記第1のリミット処理の結果である電流値を上限値とした第2のリミット処理を行ない、この処理結果の値を前記蓄電装置から前記半導体スイッチング装置に流れる電流の指令値とし、この指令値から前記第2の電流検出手段により検出した電流値を減算した値に対し、比例、積分を含む電流制御を行ない、この電流制御の出力値と所定のキャリア波の出力値との比較を行ない、この比較の結果、前記電流制御の出力値が前記キャリア波の出力値を上回ったときに前記半導体スイッチング装置のゲート信号を生成することにより、前記蓄電電圧検出手段により検出された電圧値が前記しきい値電圧未満となって減少するにつれて前記第1のゲイン処理の結果の値を上昇させて、この結果、前記第1のリミット処理の結果である電流値を減少させて、この減少の結果、前記指令値を減少させて、この減少の結果、前記蓄電装置から前記半導体スイッチング装置に流れる電流値が減少するように前記半導体スイッチング装置を制御する放電抑制制御を行ない、前記力行制御の際に前記蓄電電圧検出手段により検出した電圧値が前記下限値になったに、前記第1のリミット処理の結果である電流値を0として、この結果、前記指令値を0にして、前記蓄電装置から前記半導体スイッチング装置に流れる電流値が0となるように前記半導体スイッチング装置を制御する放電停止制御を行なう放電制御手段と、前記インバータ装置が回生制御を行なう際に、前記直流電圧検出手段により検出した電圧値が所定の第1のしきい値電圧まで上昇した際に前記蓄電装置への充電が開始されるように前記半導体スイッチング装置を制御し、前記直流電圧検出手段により検出した電圧値が前記第1のしきい値電圧より低い第2のしきい値電圧まで下降した際に前記蓄電装置への充電が停止するように前記半導体スイッチング装置を制御することで前記蓄電装置への充電を制御する充電制御手段とを備えたことを特徴とする。
本発明に係わる車両用制御装置では、インバータ装置が力行制御を行なう際は電流値が所定のしきい値電流を超えた場合に蓄電装置の放電が開始するように制御し、前記力行制御の際に蓄電装置の端子電圧が、当該蓄電装置に流れる電流が過電流状態とならない状態で当該蓄電装置が使用可能な電圧範囲内の所定の下限値になった場合に蓄電装置からの放電が停止するように制御し、回生制御を行なう際は電圧値の大小にしたがって蓄電装置の充電制御を行なうようにしたので、主電動機からの回生時に発生したエネルギーを適切に有効利用することができる。
以下図面により本発明の実施形態について説明する。
図1は、本発明の実施形態にしたがった鉄道車両用制御装置の構成例を示すブロック図である。
この鉄道車両用制御装置では、直流電源1に対し、フィルタリアクトル2を介してインバータ装置4が接続されており、インバータ装置4の入力側にフィルタコンデンサ3が、インバータ装置4の出力側に主電動機5がそれぞれ接続される。
また、フィルタコンデンサ3と並列に、半導体スイッチング装置であるチョッパ装置6が接続される。このチョッパ装置6は、第1のIGBT6aのエミッタと第2のIGBT6bのコレクタが接続されてなる。第1のIGBT6aのコレクタは直流電源1の高電位側に接続され、第2のIGBT6bのエミッタは直流電源1の低電位側に接続される。第2のIGBT6bのコレクタとエミッタの間には、蓄電装置として電気二重層コンデンサ(EDLC)7が接続される。
また、フィルタコンデンサ3の端子電圧(Vdc)の値を検出する直流電圧検出部8、直流電源1から供給されてフィルタリアクトル2を流れる電流(Idc)の値を検出する直流電流検出部9、インバータ装置4への入力電流(Iinv)の値を検出するインバータ電流検出部10、EDLC7の端子電圧(Vch)の値を検出するEDLC電圧検出部11、および、EDLC7から第2のIGBT6bのコレクタに出力される電流(Ich)の値を検出するEDLC電流検出部12がそれぞれ設けられる。また、チョッパ装置6には充放電制御装置13が接続される。
図2は、図1に示した鉄道車両用制御装置の制御に係る各種パラメータ値を表にして示した図である。これらのパラメータについては順次説明する。
図3は、図1に示した充放電制御装置13の構成例を示すブロック図である。
この充放電制御装置13は、充電制御部21、放電制御部22および力行回生検出部23を備える。力行回生検出部23は、主電動機5、インバータ装置4が力行時にあるか回生時にあるかを検出する。充放電制御装置13では、力行回生検出部23による検出結果にしたがって、力行時は放電制御部22からの制御信号が、回生時は充電制御部21からの制御信号がチョッパ装置6に入力されるように、スイッチ24が切り替えられるようになっている。
力行回生検出部23では、例えば図示しない運転用装置において、運転士により加速にかかる操作がなされて、これを示す制御信号が出力された際に、この信号を検出して力行時とみなし、減速にかかる操作がなされたことを示す制御信号が出力された際は、これを検出して回生時とみなす。つまり、力行時にあるか回生時にあるかによってチョッパ装置6の制御方法を切り替えている。
次に、放電制御部22による放電制御について説明する。図4は、図3に示した放電制御部22の回路構成例を示すブロック図である。図5は、図4に示した構成の放電制御部22による制御を行なった際の動作波形を示した図である。
この放電制御部22では、まず直流電流検出部9で検出した直流電源供給電流(Idc)の値から直流電源供給電流リミット値(IdcL)の値を減算する。IdcLの値は7[A]である。そして、この減算した値に、ゲイン部31によるゲイン(定数K1)処理を行ない、この値に対し、上下限リミット処理部32による上下限リミット処理を行なう。この上下限リミット処理の上限値(LimitU)は50[A](図2参照)であり、下限値(LimitL)は0[A]である。LimitUは、チョッパ装置6およびEDLC7の定格電流の値である。
上下限リミット処理部32から出力される値は、チョッパ装置6の電流指令値(Ich)となる。そしてこのIchの値から、EDLC電流検出部12で検出したIchの値を減算した上で、ACR(電流制御部)33にて、比例、積分を含む電流制御を行なう。そして、ACR33からの出力値とCAR(キャリア波生成部)34からの出力値をPWM制御部35にて比較する処理である三角波比較を行ない、この比較の結果、ACR33からの出力値がCAR34からの出力値を上回ったときにチョッパ装置6の第1のIGBT6aのゲート信号を生成する。
具体的には、Idcの値が7[A]を超えるとIchの値が正の値となり、PWM制御部35による処理を経てチョッパ装置6にゲート信号が供給されるようになる。これにより、チョッパ装置6がオン状態となり、EDLC7に予め蓄えられたエネルギーの放電が開始される。
図5のグラフで示されるように、力行時はIdcおよびIinvの値が徐々に上昇する。また、チョッパ装置6がオン状態となってEDLC7からの放電が開始されると、Vchの値が徐々に減少する一方で、Idcの値は放電開始時から上昇しない。また、Iinvの値は、力行時に必要な電流値に達すると上昇しない。
よって、主電動機5を駆動するためのエネルギーを架線(直流電源1に相当)からの電力に代えて確保することができる。なお、チョッパ装置6がオン状態になってもEDLC7にエネルギーが充電されていない場合には、Iinvの値が力行時に必要な電流値に達するまでIdcの値が上昇する。
次に、図3に示した充電制御部21の回路構成例について、図6を参照して説明する。図7は、図6に示した構成の充電制御部21による制御を行なった際の動作波形を示した図である。
この充電制御部21では、直流電圧検出部8により検出したVdcの値をヒステリシスコンパレータ41(図6参照)に入力し、その出力信号をチョッパ装置6の第1のIGBT6aのゲートに入力して第1のIGBT6aを制御する。また、第2のIGBT6bは常にオフ状態にする。ヒステリシスコンパレータ41の上限値(HysU)は280[V](図2参照)で、下限値(HysL)は275[V](図2参照)である。
具体的には、回生開始後にVdcの値が280[V]未満の値から280[V]まで上昇する(図7参照)と、チョッパ装置6の第1のIGBT6aのゲートがオン状態となって、EDLC7への充電が開始される。
図7に示したグラフでは、充電開始後のVdcの値の軌跡は280[V]で一定となっているが、実際には、チョッパ装置6の第1のIGBT6aのゲートがオン状態となってEDLC7への充電が開始されるとVdcの値が減少し、この減少したVdcの値がHysLの値(275[V])まで下降すると、第1のIGBT6aのゲートがオフ状態となってEDLC7への充電が停止する。するとVdcの値が再び上昇して、この値がHysUの値(280[V])となることでIGBT6aのゲートが再びオン状態となり、EDLC7への充電が再開される。以後はこれらの動作を繰り返す。
つまり、Vdcの値が所定の上限値または下限値となった場合にEDLC7への充電のオンオフを制御するので、回生制御の際に回生エネルギーが急変してもインバータ装置4の直流側電圧が過電圧になることが回避できる。よって安全な回生制御が可能になる。以上説明したように、力行時には電流値の大小にしたがって放電制御を行ない、回生時には電圧値の大小にしたがって充電制御を行なうので、力行時と回生時においてそれぞれ適した制御を行なうことができる。
次に、図4に示した構成の放電制御部22の変形例について図8を参照して説明する。この変形例では、前述した放電制御に加え、放電によりEDLC7の端子電圧が所定の使用電圧範囲(100[V]〜200[V]、図2参照)の下限値(100[V])未満になることを防ぐための放電抑制制御を行なうことができる。
EDLC7の端子電圧を使用電圧範囲の下限値(100[V])以上とするのは、放電によりEDLC7の電圧が一定の値を超えて減少するとEDLC7に流れる電流が過電流状態となり、EDLC7の損傷の原因となるからである。
図9は、図8に示した構成の放電制御部22による制御を行なった際の、VchとIchの値の関係をグラフで示した図である。図10は、図8に示した構成の放電制御部22による制御を行なった際の動作波形を示した図である。
図8に示した構成の放電制御部22では、前述した放電開始後において、Vchの値の変化に応じて、上下限リミット処理部32のLimitU(図2参照)の値を変化させる。
放電制御部22では、放電抑制開始電圧(VchLL)の値(110[V]、図2参照)から、EDLC電圧検出部11により検出したVchの値を減算し、この値に対してゲイン部51によるゲイン(定数K2)処理を行なう。そして、ゲイン部51の出力値を初期LimitUの値(50[A]、図2参照)から減算し、この減算により得られた値に対して上下限リミット処理部52による上下限リミット処理を行なう。この上下限リミット処理における下限値は0[A]で、上限値は50[A]である。そして、上下限リミット処理部52からの出力値が、上下限リミット処理部32におけるLimitUの値となる。
具体的には、放電によりVchの値が110[V]未満となると、ゲイン部51からの出力値が正の値となる。そして、ゲイン部51からの出力値の上昇にしたがって上下限リミット処理部32のLimitUの値が減少するのでIchの値が減少する。この構成例では、Vchの値が減少して、EDLC7の使用電圧下限値である100[V]となった際に上下限リミット処理部32のLimitUの値が0[A]となるように制御される。上下限リミット処理部32のLimitUの値が0[A]になるとIchの値も0[A]になるのでチョッパ装置6がオフ状態となる。よって、EDLC7の放電が停止する。
放電抑制制御が開始されると、図10のグラフに示すようにVdcの値が減少する。また、放電抑制制御によりIchの値が徐々に減少すると、その減少した分だけIdcの値が徐々に上昇する。つまり、Iinvの値は放電抑制制御が開始されても変化せず、放電停止時におけるIdcの値はIinvの値と同じになり、Ichの値が0となる。以上述べたように、Vchの値がEDLC7の使用電圧範囲の下限値(100[V])を下回った状態での放電がなされなくなるため、EDLC7を安全に使用することができる。
次に、図6に示した構成の充電制御部21の変形例について図11を参照して説明する。この変形例では、前述した充電制御に加え、充電によりEDLC7の端子電圧が所定の使用電圧範囲の上限値(200[V]、図2参照)を超えることを防ぐための充電抑制制御を行なうことができる。
図12は、図11に示した構成の充電制御部21による制御を行なった際のVchの値とHysU(図2参照)の値の関係をグラフで示した図である。図13は、図11に示した構成の充電制御部21による制御を行なった際の動作波形を示した図である。
図11に示した構成の充電制御部21では、前述した充電制御の開始後において、Vchの値の変化に応じてヒステリシスコンパレータ41のHysU(図2参照)の値を変化させる。充電制御部21では、EDLC電圧検出部11により検出したVchの値から充電抑制開始電圧(VchUL)の値(190[V]、図2参照)を減算した値に対してゲイン部61によるゲイン(定数K3)処理を行なう。そしてゲイン部61による出力値に対して下限値リミット処理部62による下限値リミット処理を行なう。この下限値リミット処理における下限値は0[A]である。
そして、下限値リミット処理部62からの出力値に、初期のHysUの値(280[V]、図2参照)の値を加算した値がヒステリシスコンパレータ41のHysUの値となる。HysUの値が280[V]を超えて徐々に上昇すると、チョッパ装置6の第1のIGBT6aのゲートがオフ状態からオン状態に切り替わる際の電圧値が徐々に上昇することになるので、回生時に発生するエネルギーが一定である場合には、Vdcの平均値の増加とともにIinvの値が減少する。Iinvの値は、充電時におけるIchの値と同じなので、EDLC7への充電が徐々に抑制されることになる。
図13に示したグラフでは、充電抑制開始後において、Vdcの値が280[V]を超えて直線的に上昇しているが、実際には、EDLC7への充電が開始されるとVdcの値はHysLの値(275[V])となるまで減少して、HysLの値となった際にEDLC7への充電が停止し、Vdcの値はHysUの値となるまで再び上昇する。つまりVdcの値は、Vchの値の上昇にともなって上昇した値であるHysUの値とHysLの値(275[V])との間での変化を繰り返す。
具体的には、回生制御によりVchの値が増加してVchULの値(190[V])を超えると、ゲイン部61からの出力値が正の値となり、ヒステリシスコンパレータ41のHysUの値が増加する。この構成例では、Vchの値が使用電圧上限値(200[V])に達した際にHysUの値が310[V]になるように制御される(図12参照)。
Vchの値がEDLC7の使用電圧上限値である200[V]となって、Vdcの値がインバータの軽負荷回生制御開始レベル(300[V])となった場合には、インバータ装置4は軽負荷回生制御を開始し、Vdcの値が300[V]一定となるように制御する。このときのVdcの値はHysUの値(310[V])より小さい値なので、チョッパ装置6はオフ状態である。よって、車両の減速制御を継続して行なうことができる。以上説明したように、Vchの値がEDLC7の所定の使用電圧範囲上限値を上回った状態での充電がなされなくなるため、EDLC7を安全に使用することができる。
なお、この発明は、前記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、前記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
本発明の実施形態にしたがった鉄道車両用制御装置の構成例を示すブロック図。 図1に示した鉄道車両用制御装置の制御に係る各種パラメータ値を表にして示した図。 図1に示した充放電制御装置の構成例を示すブロック図。 図3に示した放電制御部の構成例を示すブロック図。 図4に示した構成の放電制御部による制御を行なった際の動作波形を示した図。 図3に示した充電制御部の回路構成例を示すブロック図。 図6に示した構成の充電制御部による制御を行なった際の動作波形を示した図。 図4に示した構成の放電制御部の変形例を示すブロック図。 図8に示した構成の放電制御部による制御を行なった際の、VchとIchの関係をグラフで示した図。 図8に示した構成の放電制御部による制御を行なった際の動作波形を示した図。 図6に示した構成の充電制御部の変形例を示すブロック図。 図11に示した構成の充電制御部による制御を行なった際の、VchとHysUの関係をグラフで示した図。 図11に示した構成の充電制御部による制御を行なった際の動作波形を示した図。 従来の回生負荷抵抗チョッパ制御装置の構成例を示すブロック図。 図14に示した回生負荷抵抗チョッパを制御する制御部の構成例を示すブロック図。
符号の説明
1…直流電源、2…フィルタリアクトル、3…フィルタコンデンサ、4…インバータ装置、5…主電動機、6…チョッパ装置、7…電気二重層コンデンサ(EDLC)、8…直流電圧検出部、9…直流電流検出部、10…インバータ電流検出部、11…EDLC電圧検出部、12…EDLC電流検出部、13…充放電制御装置、21…充電制御部、22…放電制御部、23…力行回生検出部、31…ゲイン部、32…上下限リミット処理部、33…ACR(電流制御部)、34…CAR(キャリア波生成部)、35…PWM制御部、41…ヒステリシスコンパレータ、51…ゲイン部、52…上下限リミット処理部、61…ゲイン部、62…下限リミット処理部。

Claims (3)

  1. 主電動機と、
    この主電動機の駆動を制御するインバータ装置と、
    このインバータ装置の直流側に接続された半導体スイッチング装置と、
    この半導体スイッチング装置に接続された蓄電装置と、
    前記インバータ装置の直流側電圧を検出する直流電圧検出手段と、
    前記インバータ装置の直流側への電流を検出する第1の電流検出手段と、
    前記蓄電装置の端子電圧を検出する蓄電電圧検出手段と、
    前記蓄電装置から前記半導体スイッチング装置に流れる電流を検出する第2の電流検出手段と、
    前記インバータ装置が力行制御を行なう際に、前記第1の電流検出手段により検出した電流値が所定のしきい値電流を超えたに前記蓄電装置からの放電が開始するように前記半導体スイッチング装置を制御する放電開始制御を行ない放電開始後に前記蓄電電圧検出手段により検出された電圧値が減少して前記蓄電装置が使用可能な電圧範囲内の所定の下限値より高い所定のしきい値電圧未満となった状態で、前記しきい値電圧の値から前記蓄電電圧検出手段により検出された電圧値を減算した値に第1のゲイン処理を行ない、この処理結果の値を前記蓄電装置の定格電流の値から減算し、この減算結果である電流値に対し、前記定格電流の値を上限値とした第1のリミット処理を行ない、一方で、前記第1の電流検出手段により検出した電流値から前記しきい値電流の値を減算した値に第2のゲイン処理を行なった値に対し、前記第1のリミット処理の結果である電流値を上限値とした第2のリミット処理を行ない、この処理結果の値を前記蓄電装置から前記半導体スイッチング装置に流れる電流の指令値とし、この指令値から前記第2の電流検出手段により検出した電流値を減算した値に対し、比例、積分を含む電流制御を行ない、この電流制御の出力値と所定のキャリア波の出力値との比較を行ない、この比較の結果、前記電流制御の出力値が前記キャリア波の出力値を上回ったときに前記半導体スイッチング装置のゲート信号を生成することにより、前記蓄電電圧検出手段により検出された電圧値が前記しきい値電圧未満となって減少するにつれて前記第1のゲイン処理の結果の値を上昇させて、この結果、前記第1のリミット処理の結果である電流値を減少させて、この減少の結果、前記指令値を減少させて、この減少の結果、前記蓄電装置から前記半導体スイッチング装置に流れる電流値が減少するように前記半導体スイッチング装置を制御する放電抑制制御を行ない、前記力行制御の際に前記蓄電電圧検出手段により検出した電圧値が前記下限値になったに、前記第1のリミット処理の結果である電流値を0として、この結果、前記指令値を0にして、前記蓄電装置から前記半導体スイッチング装置に流れる電流値が0となるように前記半導体スイッチング装置を制御する放電停止制御を行なう放電制御手段と、
    前記インバータ装置が回生制御を行なう際に、前記直流電圧検出手段により検出した電圧値が所定の第1のしきい値電圧まで上昇した際に前記蓄電装置への充電が開始されるように前記半導体スイッチング装置を制御し、前記直流電圧検出手段により検出した電圧値が前記第1のしきい値電圧より低い第2のしきい値電圧まで下降した際に前記蓄電装置への充電が停止するように前記半導体スイッチング装置を制御することで前記蓄電装置への充電を制御する充電制御手段と
    を備えたことを特徴とする車両用制御装置。
  2. 前記充電制御手段は、
    前記回生制御の際に前記蓄電電圧検出手段により検出された電圧値が前記蓄電装置の使用可能な電圧範囲内の所定の上限値となったに、前記蓄電装置への充電が停止するように前記半導体スイッチング装置を制御する充電停止手段を有する
    ことを特徴とする請求項に記載の車両用制御装置。
  3. 前記充電制御手段は、
    前記回生制御の際に前記蓄電電圧検出手段により検出された電圧値が増加して前記蓄電装置の使用可能な電圧範囲内の所定の上限値より低い所定のしきい値電圧を超えた際に、前記検出された電圧値と前記所定の上限値より低い所定のしきい値電圧との差分の大小に応じて、前記蓄電装置に流れる電流値が減少するように前記半導体スイッチング装置を制御する充電抑制手段と、
    前記蓄電電圧検出手段により検出された電圧値が前記所定の上限値より低い所定のしきい値電圧からさらに増加して前記上限値となった際に、前記蓄電装置に流れる電流値が0となるように前記半導体スイッチング装置を制御する充電停止手段と
    を有することを特徴とする請求項に記載の車両用制御装置。
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