JP5044450B2 - パターン形成方法、パターン露光方法及び装置、電磁波シールド材料 - Google Patents

Description

本発明は、パターン形成方法、パターン露光方法及び装置、電磁波シールド材料に関し、更に詳しくは、帯状ワークに電解メッキの核となるコアパターンを形成するパターン形成方法、パターン露光方法及び装置と、前記コアパターンに電解メッキが施されてなる電磁波シールド材料に関する。

薄型で大画面の画像表示装置として、前側ガラス板と後側ガラス板との間での放電によって発光するプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと略称する）が普及している。このＰＤＰには、放電によって発生する電磁波を遮蔽するため、前側ガラス板の前方に配置される電磁波シールドフイルムが用いられている。電磁波シールドフイルムは、透明フイルム上にメッシュ状に金属細線（以下、金属メッシュと呼ぶ）を形成したものである。

金属メッシュは、例えば次のような手順で形成される。まず、帯状の透明フイルムを連続搬送しながら、その上面に塗布された銀塩感材にフォトマスクを介して光を照射して、メッシュ状のパターンの潜像を形成する。次いで、これを現像処理することにより、透明フイルム上に銀でメッシュ状のコアを形成し、コア上に銅の電解メッキを施す。

電解メッキでは、ワークのエッジ部分や、被メッキ部の端部等に電流が集中してメッキが厚くなるメッキムラが生じることが知られている。電磁波シールドフイルムのコアに対する電解メッキでは、透明フイルムの幅方向の両端部に設けられたコアに電流が集中してメッキが厚くなり、その部分の金属メッシュの線幅が太くなる。

電磁波シールドフイルムは、金属メッシュの線幅により表面抵抗値が変化するので、金属メッシュの線幅にムラがあると電磁波シールド性能が不安定になる。そのため、ＰＤＰメーカでは、ＰＤＰのサイズに合せて電磁波シールドフイルム切断する際に、金属メッシュが太く形成された幅方向の両端部を切断、廃棄している。

従来、メッキムラを防止する方法として、電極を絶縁材で覆って端部への電流集中を防止する発明がされている（例えば、特許文献１及び２参照）。また、液槽内に液の流れ分布を均一にする整流部材を設置するメッキ装置が発明されている（例えば、特許文献３参照）。
特開平０５−３３９７８８号公報 特開２０００−２７３６８９号公報 特開平０８−００３７８６号公報

帯状に形成された電磁波シールドフイルムは、ロール状に巻かれてＰＤＰメーカに供給されているが、このロールは、幅方向の両端部の巻径が中央部よりも太くなる。これは、電磁波シールドフイルムの幅方向の両端部で金属メッシュが太く形成されているためである。ロールの巻径が不均一になると、取り扱い性が悪化するという問題がある。また、巻径の太くなった部分で透明フイルムが伸びるので両端部がわかめ状に変形し、電磁波シールドフイルムの搬送不良の原因となる。

上記問題を解決するため、特許文献１〜３記載の発明を用いて金属メッシュの太さを一定にすることが考えられる。しかし、特許文献１〜３記載の発明は、メッキ装置で対策を講じているため、複雑な装置と管理が必要であり、コストと管理工数とが大きくなるという問題があった。

本発明は、上記課題を解決するために、メッキ装置に複雑で高コストな対策を施すことなく、ローコストに電流集中によるメッキムラの発生を防止することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明のパターン形成方法は、帯状ワークの幅方向における両端部近傍のコアが、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは両端部近傍にコアが設けられないように、コアのパターンを形成している。これによれば、コアの表面抵抗が幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に大きくなるので、電流集中を防いで両端部近傍のメッキ量を少なくすることができる。

本発明のパターン露光方法は、コアのパターンと略同形状のマスクパターンを有するフォトマスクを介して、帯状ワークに設けられた感光層に光を照射し、マスクパターンを感光層に露光している。このマスクパターンの露光時に、帯状ワークの幅方向における両端部近傍のコアが、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは両端部近傍にコアが設けられないように、露光状態を幅方向で変化させている。これによれば、コアの表面抵抗が幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に大きくなるので、電流集中を防いで両端部近傍のメッキ量を少なくすることができる。

上述した露光状態の変化は、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に形成されるコアのパターンの潜像が、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは両端部近傍で潜像が形成されないように、帯状ワークの幅方向で変化させている。これにより、帯状ワークの幅方向における両端部近傍のコアは、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは設けられなくなる。

露光状態を変化させるには、帯状ワークの幅方向の両端部近傍を露光する光量を、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に小さくすることが好ましい。これにより、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に形成される潜像が、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄くなるように露光することができる。

また、露光状態を変化させる別の手法としては、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面するマスクパターンの線幅を、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に細くしてもよい。これによれば、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に形成される潜像が、幅方向の両端縁に近づくにしたがって幅方向の中央部の潜像よりも徐々に細くなるように露光することができる。

本発明のパターン露光装置は、感光層を有する帯状ワークの搬送手段と、コアのパターンと略同形状のマスクパターンを有するフォトマスクと、フォトマスクを介して帯状ワークに光を照射し、感光層にマスクパターンを露光する照明手段とを備えている。また、帯状ワークの幅方向で両端部近傍のコアが、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは両端部近傍で前記コアが設けられないように、露光状態を幅方向で変化させる露光制御手段を備えている。これによれば、コアの表面抵抗を幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に大きくして、両端部近傍のメッキ量を少なくすることができる。

露光制御手段は、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に形成されるコアのパターンの潜像が、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは前記両端部近傍で前記潜像が形成されないように、露光状態を幅方向で変化させている。これにより、帯状ワークの幅方向における両端部近傍のコアは、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは設けられなくなる。

露光制御手段として、帯状ワークと前記照明手段の間に配置されて、帯状ワークの幅方向の全域を覆うフィルタを用いることができる。このフィルタは、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面する部位の透過率が、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に低くすることが好ましい。

上述のフィルタとして、帯状ワークと照明手段の間で、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面して配置された一対のフィルタを用いてもよい。各フィルタは、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に透過率が低くなっていることが好ましい。

別の露光制御手段として、照明手段を制御して、帯状ワークの幅方向の両端部近傍を露光する光量を幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に小さくする照明制御部を用いてもよい。

照明手段を、レーザ出力器と、レーザ出力器から出力されたレーザ光を帯状ワークの幅方向で走査する走査機構とから構成し、照明制御部は、レーザ光による走査開始を検出する検出器を有しており、検出器の検出信号に基づいて、帯状ワークの幅方向の両端部近傍を露光する際のレーザパワーを、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に弱くすることが好ましい。

更に別の露光制御手段として、帯状ワークと照明手段の間で、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面して配置された一対の遮光フィルタを用いてもよい。各遮光フィルタは、幅方向の両端縁に近づくにしたがって面積が徐々に大きくなっていることが好ましい。例えば、各遮光フィルタは、帯状ワークの幅方向の端縁と交差する１辺が傾斜した略三角形状であることが好ましい。

更にまた別の露光制御手段として、帯状ワークと照明手段との間に配置され、帯状ワークの幅方向に沿って形成されたスリットを有する遮光板を用いてもよい。スリットは、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対する開口面積が、幅方向の両端縁に近づくにしたがって小さくなっていることが好ましい。

更にまた別の露光制御手段として、帯状ワークと照明手段の間に配置され、帯状ワークの幅方向に沿って形成されたスリットを有する遮光板と、記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面して配置され、幅方向の両端縁に近づくにしたがって面積が徐々に大きくされた一対の遮光フィルタから構成してもよい。

マスクパターンを露光制御手段として用いてもよい。マスクパターンは、帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面する部位の線幅が、幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に細くすることが好ましい。

帯状ワークの感光層に対する露光は、帯状ワーク搬送手段によって帯状ワークを連続搬送し、フォトマスクを帯状ワークに近接して配置させ、照明手段によりフォトマスクを介してワーク搬送速度に同期された露光周期及び露光時間で帯状ワークの感光層にプロキシミティ露光を行うことが好ましい。

帯状ワークは、電磁波シールド材料であることが好ましい。本発明の電磁波シールド材料は、帯状のフイルム上に予め所定のパターンで形成されたコアの表面に電解メッキによる金属コートを施したもので、フイルムの幅方向の両端部に近づくにしたがってコアを徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいはコアの形成を省略することにより、その表面に施される金属コートにも同様のメッキパターンを持たせている。

パターン露光方法及び装置、電磁波シールド材料に共通して、帯状ワークの幅方向においてコアが徐々に薄く、または徐々に細く、あるいはコアの形成を省略する範囲は、電解メッキ時に電流集中が発生しやすい両端部近傍の電流集中エリアであることが好ましい。これによれば、電流集中エリアであっても電流の集中が生じにくくなり、両端部近傍のメッキ量を少なくすることができる。なお、電流集中エリアとしては、帯状ワークの幅方向の両端縁から内側に５０ｍｍ以下であることが好ましい。

本発明によれば、メッキが施されるコア自体を幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または細くなるように、あるいはコアが設けられないようにしたので、メッキ装置になんら対策を施さなくても、電流集中によって幅方向の両端部のメッキが厚くなることを防止することができる。

また、コアを徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいはコアが設けられなくするため、コアを形成する前段階の露光時に、コアのパターンの潜像が徐々に薄く、または細くなるように、あるいはコアのパターンが形成されないように露光するので、コアの状態を容易に制御することができる。

更に、潜像を徐々に薄く、または徐々に細く、あるいは形成されないようにするために、露光時に照明手段から照射される光量を制御し、またはフィルタ、遮光フィルタ、または遮光板等で光を遮るようにし、あるいはマスクパターンの線幅を調整するようにしたので、簡単、ローコストに採用することができる。

また、本発明の電磁波シールド材料によれば、メッキムラが発生しないので、高い電磁波シールド性能を得ることができる。更に、幅方向の両端部のメッキが厚くならないので、ロール状に巻いたときに端部の径が大きくなるのを防止することができる。

また、本発明の電磁波シールド材料では、予期せぬ幅方向の抵抗分布が発生した場合、予めコアパターンの露光工程で、メッキの幅分布を緩和する方向に分布をつけておけば、数回のトライアンドエラーによって、適正にメッキの幅方向の抵抗分布を緩和することも可能である。

図１に示すように、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電磁波シールドに用いられる電磁波シールドフイルム２は、幅Ｗｆを有する帯状の透明フイルム３と、この透明フイルム３の上に形成される金属メッシュ４から構成されている。金属メッシュ４は、例えば、透明フイルム３の端縁に対して４５°の角度で傾斜された線幅１０〜２０μｍ程度の微細な金属製の線を３００μｍ程度のピッチで格子状に配列したもので、ＰＤＰの画質に影響を与えない透過性を備えている。

図２に示すように、金属メッシュ４は、透明フイルム３上に銀でメッシュ状に形成されるコア５と、このコア５の表面に施される銅メッキ６から構成されている。この電磁波シールドフイルム２は、ロール状に巻かれた状態でＰＤＰメーカに供給され、幅方向の両端部の金属メッシュ４が不安定な部分を除いて、ＰＤＰのサイズに合せて切断される。

図３に示すように、電磁波シールドフイルム２は、透明フイルム３上に設けられた銀塩感材にコア５のパターンを露光して潜像を形成（Ｋ１）し、この銀塩感材を現像して透明フイルム３上にコア５を形成し（Ｋ２）、コア５の表面に銅を電解メッキして銅メッキ６を形成（Ｋ３）することにより形成されている。

電磁波シールドフイルム２の幅方向の両端部に設定されている領域Ｗｈは、電解メッキ時に電流集中が発生しやすい電流集中エリアである。図４に示すように、この領域Ｗｈ内には、内側から端縁に近づくにしたがって、幅方向中央部の正常パターン部のコア５よりも線幅が徐々に薄く、または徐々に細くされたコア５が設けられるパターン細線部と、コア５が設けられないパターン無し部が形成されている。これにより、領域Ｗｈ内のコア５の表面抵抗が端縁に近づくにしたがって徐々に大きくなるので、電解メッキ時に両端部のコア５に電流集中が発生しにくくなり、領域Ｗｈ内のメッキ量は幅方向の中央部と同程度、または少なくなる。なお、電磁波シールドフイルム２の幅Ｗｆが、例えば６５０〜７５０ｍｍであるとき、領域Ｗｈは、例えば５０ｍｍ以下であることが好ましい。

図５に示すように、コア５のパターン露光に使用されるパターン露光装置１０は、前記透明フイルム３を供給するワーク供給部１２と、透明フイルム帯状ワーク１１上に設けられた銀塩感材にコア５のパターンを露光する露光部１３と、露光済みの帯状ワーク１１を巻き取るワーク巻取り部１４と、複数本の帯状ワーク１１を連続して処理する際に、先に処理を終えた帯状ワーク１１の後端と、後続の帯状ワーク１１の先端とが接合されるワーク接合部１５と、これらを統括的に制御する制御部１６とを備えている。

帯状ワーク１１は、前述の透明フイルム３と、この透明フイルム３上に塗布される銀塩感材とからなる。透明フイルム３は、例えば、厚さ１００μｍ、ワーク幅６５０〜７５０ｍｍの透明なＰＥＴフイルムであり、１００〜１０００ｍの長さのものがロール状に巻かれてワーク供給部１２にセットされる。

ワーク供給部１２にセットされた帯状ワーク１１は、先端が引き出されて複数のローラに掛けられ、ワーク巻取り部１４の巻取り用リール２４に係止される。そして、搬送手段である巻取り用リール２４と、露光ローラ２８及び複数の駆動ローラがモータ群２５によって巻取り方向に回転されることにより、帯状ワーク１１は、ワーク供給部１２からワーク巻取り部１４に向かうワーク搬送方向Ｆに沿って搬送される。

上記銀塩感材は、例えば、４０５ｎｍの波長域に中心感度を持った感材設計がなされている。感材分光感度特性については上記の設計に限ったものでなく、中心波長はどのような設計であってもよいが、光源波長との関係で両者を合わせる必要がある。また銀塩感材の露光量／濃度特性としてγの大きな感材を使用している。露光量に応じて濃度変化が緩やかに変化するのではなく、ある露光量以上になると一気に濃度が変化する、いわゆる硬調な感材である。

露光部１３は、例えば、露光ローラ２８と、この露光ローラ２８の上部に配置されるフォトマスク２９と、フォトマスク２９に光を照射する照明手段である照明部３０とから構成されている。図６に示すように、フォトマスク２９は、例えば、厚さ４．５ｍｍ、ワーク搬送方向Ｆのマスク長さＬｍ＝２００ｍｍ、マスク幅Ｗｍ＝８００ｍｍの透明なソーダガラスで形成されたマスク基板３２と、このマスク基板３２の一方の面に、ワーク搬送方向Ｆに沿って形成される複数個のマスクパターン３３とからなる。

マスクパターン３３は、例えば黒色の遮光パターン３４に、マスクパターン３３の形状のスリットを形成して光が透過できるようにしたものである。なお、本来、遮光パターン３４を黒地で、スリットからなるマスクパターン３３を白地で描くべきであるが、図面が煩雑になるため、図６（Ａ）では、遮光パターンを白地で、マスクパターン３３を黒線で描いている。

マスクパターン３３は、マスク基板３２上に設けられたパターンエリア３５内に、ワーク搬送方向Ｆに沿って複数個が形成されている。パターンエリア３５は、例えば、ワーク搬送方向Ｆのパターン長さＬｐが２００ｍｍ、ワーク幅方向のパターン幅Ｗｐが７６０ｍｍとされている。このように、パターンエリア３５のパターン幅Ｗｐがワーク幅Ｗｆよりも大きくされているのは、帯状ワーク１１が搬送時に蛇行しても、その幅方向の全域に確実にマスクパターン３３を露光するためである。そのため、ワーク幅Ｗｆとパターン幅Ｗｐは上記数値に限定されないが、Ｗｆ＜Ｗｐの関係を有することが好ましい。

マスクパターン３３の線幅は、プロキシミティ露光によって生ずる線幅太りを見込んで、出来上がり寸法より細めの線幅としておくのが好ましい。また、パターンの角度やピッチ、線幅は限定されるものではないが、帯状ワーク１１の送り方向に周期的なパターンであることが必須である。

図７、露光部１３の構成を示す概略図である。照明部３０は、露光光源であるレーザ出力器３８と、このレーザ出力器３８から出力されたレーザ光Ｓをコリメートして平行光にするコリメートレンズ３９と、レーザ光Ｓを反射する反射ミラー４０と、走査手段であるポリゴンミラー４１と、このポリゴンミラー４１を回転させるモータ４２から構成されている。

レーザ出力器３８は、例えば、シングルモード半導体レーザ出力器であり、帯状ワーク１１の銀塩感材に合せて波長が４０５ｎｍのレーザ光Ｓを出力する。コリメートレンズ３９は、例えば、入力されたレーザ光Ｓを直径３．６ｍｍの射影形状を有する平行光に変換する。ポリゴンミラー４１は、略円板形状の外周面に平板な反射面４１ａが複数設けられたもので、反射面４１ａに入射されたレーザ光Ｓをフォトマスク２９に向けて反射し、その際にモータ４２によって矢印Ｅ方向に回転されることにより、レーザ光Ｓを矢印Ｇ方向に沿ってフォトマスク２９の幅方向上で走査させる。

制御部１６は、帯状ワーク１１の搬送速度に同期された露光周期及び露光時間でレーザ光Ｓを走査させ、マスクパターン３３を搬送方向に周期的なパターンとして銀塩感材に露光する。

露光ローラ２８の近傍には、照明部３０によってレーザ光Ｓの走査が開始される側の側方に、レーザ光Ｓを検出するフォトダイオード４５が配置されている。このフォトダイオード４５は、レーザ光Ｓを検出して検出信号を制御部１６に入力する。

図８は、帯状ワーク１１をレーザ光Ｓで走査する際のレーザ出力器３８のレーザパワーを表すタイミングチャートである。照明部３０を制御する制御部１６は、フォトダイオード４５からの検出信号に応じてレーザ出力器３８のレーザパワーを例えば１００％から５０％に小さくする。そして、レーザ光Ｓがフォトダイオード４５から帯状ワーク１１の幅方向の端部に到達するのに要する時間ｔ１の経過後、上述した電流集中エリアである領域Ｗｈの幅寸法を移動するのに要する時間ｔ２で、レーザパワーを５０％から再び１００％に徐々に上昇させて銀塩感材に露光を行なう。反対側の端部では、ｔ２のタイミングでレーザパワーを１００％から５０％に徐々に下げ、ｔ１のタイミングでレーザパワーを５０％から１００％に上昇させる。

以上のような露光制御を行なうことにより、帯状ワーク１１の領域Ｗｈ内に照射されるレーザ光Ｓは、幅方向の端縁に近づくにしたがって光量が徐々に小さくなるので、帯状ワーク１１に形成される潜像は、光量にしたがって徐々に薄くなり、現像後に形成されるコア５は、幅方向の端縁に近づくにしたがって徐々に線が薄くなる。これにより、領域Ｗｈ内のコア５の表面抵抗が端縁に近づくにしたがって徐々に大きくなるので、電解メッキ時に電流集中が発生しにくくなり、領域Ｗｈ内のメッキの厚みは幅方向の中央部と同程度、またはそれよりも少なくなる。

次に、上記実施形態の作用について説明する。図９に示すように、パターン露光装置１０に帯状ワーク１１がセットされて動作が開始されると（Ｓ１）、モータ４２によりポリゴンミラー４１の回転が開始される（Ｓ２）。ポリゴンミラー４１の回転速度が、予め設定されている設定回転速度に達すると（Ｓ３）、モータ群２５が動作して帯状ワーク１１の搬送が開始される（Ｓ４）。帯状ワーク１１の搬送速度が、予め設定されている設定速度に達すると（Ｓ５）、レーザ出力器３８がオンされる（Ｓ６）。

レーザ出力器３８から照射されたレーザ光Ｓは、コリメートレンズ３９により平行光に変換され、ポリゴンミラー４１によってフォトマスク２９上を矢印Ｇ方向に走査される。その際に、フォトダイオード４５によってレーザ光Ｓが検出され、レーザパワーが例えば１００％から５０％に低下される。そして、時間ｔ１の経過後、レーザ光Ｓは時間ｔ２で、レーザパワーが５０％から再び１００％に徐々に上昇され幅方向の中央部が露光される。次いで、時間ｔ２のタイミングでレーザパワーが１００％から５０％に下げられ、次いでｔ１のタイミングで５０％から１００％に上昇される。これにより、帯状ワーク１１の領域Ｗｈ内に照射されるレーザ光Ｓは、幅方向の端縁に近づくにしたがって光量が徐々に小さくなるので、潜像も光量にしたがって徐々に薄くなる。

パターン露光装置１０内に設けられている光学センサによって、帯状ワーク１１の後端を表すマークが検出されると、そのエンド信号が制御部１６に入力され（Ｓ７）、帯状ワーク１１の搬送が停止される（Ｓ８）。そして、新たな帯状ワーク１１のロールがセットされ、その先端がワーク接合部１５によって古い帯状ワーク１１の後端に接合される（Ｓ９）。

図３に示すように、露光が終了した帯状ワーク１１は、銀塩感材が現像されて透明フイルム３の一方の面にコア５が形成される。領域Ｗｈ内のコア５は、端縁に近づくにしたがって露光時の光量が徐々に少なくされているので、線が徐々に薄くなるように形成される。これにより、コア５の表面抵抗も端縁に近づくにしたがって徐々に大きくなる。

なお、場合によっては露光量変化を調節することで幅方向の両端近傍にパターンが設けられなくしてもよい。これにより、次の電解メッキ工程ｋ２で帯状ワーク１１の幅方向の両端部に電流集中が発生しても、領域Ｗｈ内のメッキの厚みは幅方向の中央部と同程度、またはそれよりも少なくなる。そして、完成した電磁波シールドフイルム２をロール状に巻いてもそのロールの両端部が巻き太ることはないので、ロールの取り扱い性の悪化、搬送不良は発生しない。

また、このロール状に巻かれた電磁波シールドフイルム２は、後工程でロール状の粘着材と貼り合わされた後、両端耳部をスリットして廃却する工程を経てもよく、端部の品質的に不安定な部分を取り除くことができる。

なお、上記実施形態では、照明部３０の光量を調整することによって領域Ｗｈのコア５が端縁に近づくにしたがって徐々に薄くなるように形成したが、以下のようにして、照明部３０の光量を一定にしたままでも同様のコア５を形成することもできる。

図１０に示す露光部５０は、フォトマスク２９と照明部３０との間に配置されて帯状ワーク１１の幅方向の全域を覆うライン状のフィルタ５１を備えている。このフィルタ５１は、図１１に示すように、領域Ｗｈに対面する領域Ｗｔ１が帯状ワーク１１の両端縁に近づくにしたがって、中央部の領域Ｗｔ２よりも徐々に透過率が低くなるように設けられている。

上記フィルタ５１を用いることにより、帯状ワーク１１の領域Ｗｈ内に照射されるレーザ光Ｓは、幅方向の端縁に近づくにしたがって光量が徐々に小さくなるので、帯状ワーク１１に形成される潜像は光量にしたがって徐々に薄くなり、現像後に形成されるコア５も幅方向の端縁に近づくにしたがって線が薄くなる。

また、図１２に示す露光部５５のように、フォトマスク２９と照明部３０との間で、かつ帯状ワーク１１の領域Ｗｈに対面する位置に一対のフィルタ５６，５７を配置してもよい。

図１３に示すように、これらのフィルタ５６，５７の透過率を帯状ワーク１１の両端縁に近づくにしたがって低くなるようにすれば、上述した各実施例と同様に、領域Ｗｈ内のコア５が端縁に近づくにしたがって徐々に線が細くなるように形成することができる。

また、図１４に示す露光部６０のように、フォトマスク２９と照明部３０との間で、かつ帯状ワーク１１の領域Ｗｈに対面する位置に、端縁に近づくにしたがって面積が大きくなるように形成された略三角形の一対の遮光フィルタ６１，６２を配置してもよい。

図１５に示すように、遮光フィルタ６１，６２のワーク搬送方向の長さＬｆが、照明部３０から照射されるレーザ光Ｓの直径Ｄと同程度になるように形成すれば、上記各実施形態と同様に、領域Ｗｈに照射される光量を端縁に近づくにつれて徐々に小さくすることができる。なお、遮光フィルタ６１，６２は、その形状によって光量を調節するので、その透過率は均一（例えば、ＮＤ０．５）でよく、安価なフィルタを使用することができる。

また、図１６に示す露光部６５のように、フォトマスク２９と照明部３０との間にフォトマスク２９の全域を覆う遮光板６６を配置する。そして、この遮光板６６に帯状ワーク１１の幅方向に沿って配置され、領域Ｗｈに対面する位置で両端縁に近づくにしたがって開口面積が徐々に小さくされたスリット６７を形成してもよい。

図１７に示すように、スリット６７のワーク搬送方向の長さＬｓが、照明部３０から照射されるレーザ光Ｓの直径Ｄと同程になるように形成すれば、上記各実施形態と同様に、領域Ｗｈに照射される光量を端縁に近づくにつれて徐々に小さくすることができる。

また、図１８に示す露光部７０のように、フォトマスク２９と照明部３０との間にフォトマスク２９の全域を覆う遮光板７１を配置し、この遮光板７１に帯状ワーク１１の幅方向に沿ってスリット７２を形成してもよい。そして、遮光板７１の上方で、帯状ワーク１１の領域Ｗｈに対面する位置に、端縁に近づくにしたがってスリット７２の開口面積が大きくなるように形成された一対の遮光フィルタ７３，７４を配置する。

図１９に示すように、スリット７２のワーク搬送方向の長さＬｓが、照明部３０から照射されるレーザ光Ｓの直径Ｄと同程度になるように形成すれば、上記各実施形態と同様に、領域Ｗｈに照射される光量を端縁に近づくにつれて徐々に小さくすることができる。なお、遮光フィルタ７３，７４は、その形状によって光量を調節するので、その透過率は均一（例えば、ＮＤ０．５）でよく、安価なフィルタを使用することができる。

また図１０〜１９に示すいずれの実施形態でも、両端部近傍にパターンが設けられないように露光することができる。これはトータルの露光量を感材に潜像が出ない範囲に抑えるように設計することで容易に可能である。これによって両端近傍では、メッキがつかない状態にすることができる。これにより端部でのメッキ厚み差で生ずるわかめ状フイルム伸びを緩和できる。

図２０に示すフォトマスク２９に設けられているマスクパターン８０は、領域Ｗｈを含む領域Ｗｐ２の線幅が、両端縁に近づくにしたがって中央部の領域Ｗｐ１の線幅よりも徐々に細くなるように形成されている。これにより、領域Ｗｈ内に形成される潜像は、両端縁に近づくにしたがって徐々に細くなり、形成されるコア５も徐々に細くなるように形成される。

なお、上記各実施形態では、領域Ｗｈの幅寸法を５０ｍｍ以下（ワーク全幅の７％以下）としたが、この寸法はこれに限定されるものではない。電流集中の発生範囲は、ワークの形状や状態、メッキ装置の個体差によって変化するので、コア５への電解メッキを複数回行なって電流集中が発生する範囲を特定することが好ましい。

また電磁波シールド材料においてはエッジ部のみならず、メッキ装置のくせ等により、幅方向にメッキのつきやすい場所、つきにくい場所が発生する場合が考えられる。このような場合には、コア５への電解メッキを行って幅方向の抵抗分布を測定し、この分布に基づいて、露光工程にて予めメッキの分布がフラットになるように、露光状態を調整する。露光〜メッキ工程にて複数回のトライアンドエラーによって追い込むことで、均一なメッキ抵抗分布を実現できる。このように積極的な分布矯正手段としても本発明は適用が可能である。

また、上記各実施形態は、照明手段としてレーザ出力器３８とポリゴンミラー４１を用いたが、大面積の平行光源を用いてもよい。

また、上記各実施形態では帯状ワーク連続搬送によるマスクを介したレーザ走査型プロキシミティ露光装置による実施例を示したが、それに限定するものではない。たとえば最も一般的に知られている技術としてネガパターンマスクを露光ドラムにセットしておき、その上に帯状ワークを巻きつけて通して、所定パターンを密着露光する方法がある。この密着露光方法においても、詳細は省略するが、本発明を適用することが出来る。また、帯状ワークを間欠的に搬送して、マスクに対して静止状態で一定時間露光し、また搬送して、露光を繰り返す方式は一般的である。この方式においても、照射面積を小さくする原理で露光量を減らしている実施形態を除けば、本発明の適用が可能である。

また、周期的なパターンを有するコアを例に説明したが、パターンの無いベタメッキでも同様に、電流集中に起因するメッキムラを解消することができる。

更に、露光によって形成されたコアを例に説明したが、その他の方式を用いて帯状ワーク上にコアを形成する際にも、本発明のパターン形成方法を用いることができる。例えば、印刷方式やインクジェット方式を用いて帯状ワーク上に導電性ペーストをパターニングする場合には、パターン線幅を細くし、あるいは塗布量を変え、または導電性ペースト内の導電性物質の濃度を変化させることで、露光と同様の効果を具現させることができる。これにより、端部の電流集中に起因するメッキムラを解消することができる。特に電磁波シールド材料においては、両端のコアを細くすることにより、容易にメッキムラを緩和できる。また、両端近傍のコアのパターンを細くし、あるいはコアを設けないことで、メッキ後フイルム厚みは抑えられるので、両端部のフイルムがわかめ状に伸びるのを緩和することができる。

更に、本発明は、パターン露光だけではなく、写真露光等にも適用することができる。また、プロキシミティ露光を採用したが、投影露光を用いることも可能である。さらに各実施形態では帯状ワークを例に説明したが、シート状ワークを搬送しながら、連続的に露光する場合にも容易に適用が可能である。

本発明の電磁波シールドフイルムの平面図である。 電磁波シールドフイルムの断面図である。 電磁波シールドフイルムの製造工程を示すフローチャートである。 電磁波シールドフイルムの幅方向の端部におけるコアの状態を示す平面図である。 マスクパターンの露光に用いられるパターン露光装置の構成示す概略図である。 フォトマスク及びマスクパターンの平面図である。 第１実施形態の露光部の構成を示す斜視図である。 走査時のレーザパワーを示すタイミングチャートである。 マスクパターンの露光手順を示すフローチャートである。 透過率の異なるライン状フィルタを用いた第２実施形態の露光部の構成を示す斜視図である。 ライン状フィルタの長手方向の透過率分布を示すグラフである。 透過率の異なる一対のフィルタを用いた第３実施形態の露光部の構成を示す斜視図である。 一対のフィルタの長手方向における透過率分布を示すグラフである。 面積を変化させた一対の遮光フィルタを用いる第４実施形態の露光部の構成を示す斜視図である。 一対の遮光フィルタの形状とレーザ光の関係を示す説明図である。 面積を変化させたスリットを有する遮光板を用いる第５実施形態の露光部の構成を示す斜視図である。 スリットの形状とレーザ光の関係を示す説明図である。 遮光板と、面積を変化させた一対の遮光フィルタを用いる第６実施形態の露光部の構成を示す斜視図である。 スリット及び遮光フィルタの形状とレーザ光の関係を示す説明図である。 幅方向の両端部近傍で線幅を細くしたマスクパターンを有する第７実施形態のフォトマスクの平面図である。

符号の説明

２ 電磁波シールドフイルム
３ 透明フイルム
４ 金属メッシュ
５ コア
６ 銅メッキ
１０ パターン露光装置
１１ 帯状ワーク
１３，５０，５５，６０，６５，７０ 露光部
１６ 制御部
２８ 露光ローラ
２９ フォトマスク
３０ 照明部
３３，８０ マスクパターン
３８ レーザ出力器
４５ フォトダイオード
５１，５６，５７ フィルタ
６１，６２，７３，７４ 遮光フィルタ
６６，７１ 遮光板
６７，７２ スリット

Claims (26)

1. 一方の面にコアが設けられ、前記コアの表面に電解メッキによって金属コートが形成されている帯状ワークに、前記コアのパターンを形成するパターン形成方法において、
   前記帯状ワークの幅方向における両端部近傍の前記コアが、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは前記両端部近傍に前記コアが設けられないように、前記コアのパターンが形成されていることを特徴とするパターン形成方法。
2. 露光及び現像により一方の面にコアが設けられ、前記コアの表面に電解メッキによって金属コートが形成されている帯状ワークに、前記コアのパターンを露光するパターン露光方法であり、前記コアのパターンと略同形状のマスクパターンを有するフォトマスクを介して、前記帯状ワークに設けられた感光層に光を照射し、前記マスクパターンを前記感光層に露光する、パターン露光方法において、
   前記帯状ワークの幅方向における両端部近傍の前記コアが、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは前記両端部近傍に前記コアが設けられないように、露光状態が前記幅方向で変化されていることを特徴とするパターン露光方法。
3. 前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に形成される前記コアのパターンの潜像が、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは前記両端部近傍で前記潜像が形成されないように、前記露光状態が前記幅方向で変化されていることを特徴とする請求項２記載のパターン露光方法。
4. 前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍を露光する光量は、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に小さくされていることを特徴とする請求項３記載のパターン露光方法。
5. 前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面する前記マスクパターンの線幅は、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に細くされていることを特徴とする請求項３記載のパターン露光方法。
6. 前記帯状ワークの幅方向において前記コアが徐々に薄く、または徐々に細くされている範囲、あるいは前記コアが設けられていない範囲は、前記電解メッキ時に電流集中が発生しやすい電流集中エリアであることを特徴とする請求項２〜５いずれか記載のパターン露光方法。
7. 前記電流集中エリアは、前記帯状ワークの幅方向の両端縁から内側に５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６記載のパターン露光方法。
8. 前記帯状ワークは、電磁波シールド材料であることを特徴とする請求項２〜７いずれか記載のパターン露光方法。
9. 露光及び現像により一方の面にコアが設けられ、前記コアの表面に電解メッキによって金属コートが形成されている帯状ワークに、前記コアのパターンを露光するパターン露光装置において、
   感光層を有する前記帯状ワークの搬送手段と、
   前記コアのパターンと略同形状のマスクパターンを有するフォトマスクと、
   前記フォトマスクを介して前記帯状ワークに光を照射し、前記感光層に前記マスクパターンを露光する照明手段と、
   前記帯状ワークの幅方向で両端部近傍の前記コアが、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは前記両端部近傍で前記コアが設けられないように、露光状態を前記幅方向で変化させる露光制御手段を備えたことを特徴とするパターン露光装置。
10. 前記露光制御手段は、前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に形成される前記コアのパターンの潜像が、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは前記両端部近傍で前記潜像が形成されないように、前記露光状態を前記幅方向で変化させることを特徴とする請求項９記載のパターン露光装置。
11. 前記露光制御手段は、前記帯状ワークと前記照明手段の間に配置され、前記帯状ワークの幅方向の全域を覆うフィルタであり、前記フィルタは前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面する部位の透過率が、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に低くされていることを特徴とする請求項１０記載のパターン露光装置。
12. 前記露光制御手段は、前記帯状ワークと前記照明手段の間で、前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面して配置された一対のフィルタであり、前記各フィルタは前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に透過率が低くされていることを特徴とする請求項１０記載のパターン露光装置。
13. 前記露光制御手段は、前記照明手段を制御して、前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍を露光する光量を前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に小さくする照明制御部であることを特徴とする請求項１０記載のパターン露光装置。
14. 前記照明手段は、レーザ出力器と、前記レーザ出力器から出力されたレーザ光を前記帯状ワークの幅方向で走査する走査機構とを有し、
    前記照明制御部は、前記レーザ光による走査開始を検出する検出器を有しており、前記検出器の検出信号に基づいて、前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍を露光する際のレーザパワーを、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に弱くすることを特徴とする請求項１３記載のパターン露光装置。
15. 前記露光制御手段は、前記帯状ワークと前記照明手段の間で、前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面して配置された一対の遮光フィルタであり、前記各遮光フィルタは前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって面積が徐々に大きくされていることを特徴とする請求項１０記載のパターン露光装置。
16. 前記各遮光フィルタは、前記帯状ワークの幅方向の端縁と交差する１辺が傾斜した略三角形状であることを特徴とする請求項１５記載のパターン露光装置。
17. 前記露光制御手段は、前記帯状ワークと前記照明手段との間に配置され、前記帯状ワークの幅方向に沿って形成されたスリットを有する遮光板であり、前記スリットは、前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対する開口面積が、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって小さくされていることを特徴とする請求項１０記載のパターン露光装置。
18. 前記露光制御手段は、前記帯状ワークと前記照明手段の間に配置され、前記帯状ワークの幅方向に沿って形成されたスリットを有する遮光板と、
    前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面して配置され、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって面積が徐々に大きくされた一対の遮光フィルタから構成されていることを特徴とする請求項１０記載のパターン露光装置。
19. 前記露光制御手段として、前記マスクパターンを用い、前記マスクパターンは、前記帯状ワークの幅方向の両端部近傍に対面する部位の線幅が、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に細くされていることを特徴とする請求項１０記載のパターン露光装置。
20. 前記帯状ワーク搬送手段は、前記帯状ワークを連続搬送し、
    前記フォトマスクは、前記帯状ワークに近接して配置され、
    前記照明手段は、前記フォトマスクを介してワーク搬送速度に同期された露光周期及び露光時間で前記帯状ワークの前記感光層にプロキシミティ露光することを特徴とする請求項９〜１９いずれか記載のパターン露光装置。
21. 前記帯状ワークの幅方向において前記コアが徐々に薄く、または徐々に細くされている範囲、あるいは前記コアが設けられない範囲は、前記電解メッキ時に電流集中が発生しやすい電流集中エリアであることを特徴とする請求項９〜２０いずれか記載のパターン露光装置。
22. 前記電流集中エリアは、前記帯状ワークの幅方向の両端縁から内側に５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２１記載のパターン露光装置。
23. 前記帯状ワークは、電磁波シールド材料であることを特徴とする請求項９〜２２いずれか記載のパターン露光装置。
24. 帯状のフイルムと、前記フイルム上に形成されるコアと、前記コアの表面に電解メッキによって形成される金属コートとを有する電磁波シールド材料において、
    前記フイルムの幅方向の両端部近傍に形成される前記コアが、前記幅方向の両端縁に近づくにしたがって徐々に薄く、または徐々に細くなるように、あるいは前記両端部近傍で前記コアが設けられないように形成されていることを特徴とする電磁波シールド材料。
25. 前記フイルムの幅方向で前記コアが徐々に薄く、または徐々に細くされている範囲、あるいは前記コアが設けられない範囲は、前記電解メッキに時に電流集中が発生しやすい電流集中エリアであることを特徴とする請求項２４記載の電磁波シールド材料。
26. 前記電流集中エリアは、前記フイルムの幅方向の両端縁から内側に５０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項２５記載の電磁波シールド材料。

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