JP5034259B2 - 単結晶製造装置 - Google Patents
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Description
前記原料導入器は、原料を貯留する両端が開放された中空のパイプと、
少なくとも一部が前記パイプの直径と同じか、または大きく形成されて、前記パイプの下方の開放端を着脱自在に塞ぐ底蓋と、
前記底蓋の底面から頂部に向けて一定の深さで形成された凹部と、
前記底蓋の底面と前記底蓋の頂部との間を貫通する吊下穴と、
前記パイプの上方の開放端から前記パイプ内を通り、前記吊下穴から前記凹部内に達し、下端に固着部材が形成された吊下ワイヤと、
前記吊下ワイヤの前記固着部材に固着され、少なくとも前記吊下穴の直径よりも大きく形成され前記底蓋を前記吊下ワイヤに固定する第1ストッパと、
前記第1ストッパよりも上側位置で前記固着部材に固着され、前記第1ストッパが破損した場合に前記底蓋を支持可能な第2ストッパと、
を備えたことにより上記課題を解決した。
本発明は、多結晶原料を収容して加熱により原料融液を形成するルツボと、前記ルツボに前記多結晶原料を供給する原料導入器とを有する単結晶製造装置であって、
前記原料導入器は、原料を貯留する両端が開放された中空のパイプと、
少なくとも一部が前記パイプの直径と同じか、または大きく形成されて、前記パイプの下方の開放端を着脱自在に塞ぐ底蓋と、
前記底蓋の底面から頂部に向けて一定の深さで形成された凹部と、
前記凹部の上端面と前記底蓋の頂部との間を貫通するとともに前記凹部より縮径された吊下穴と、
前記パイプの上方の開放端から前記パイプ内を通り、前記吊下穴から前記凹部内に達し、下端に固着部材が形成された吊下ワイヤと、
前記吊下ワイヤの前記固着部材に固着され、少なくとも前記吊下穴の直径よりも大きく形成され前記底蓋を前記吊下ワイヤに固定する第1ストッパと、
前記第1ストッパと前記凹部の上端面との間位置で前記固着部材に固着され、少なくとも前記吊下穴の直径よりも大きく、かつ前記第1ストッパと独立して形成された第1ストッパの直径よりも小さな径寸法の第2ストッパと、
を備えたことにより上記課題を解決した。
本発明は、前記底蓋の底面には、前記凹部の上端面から該底蓋頂部に向けて一定の深さで、前記第1ストッパの外径よりも小さくかつ第2ストッパの外径よりも大きな内径寸法に形成されて前記第2ストッパが入り込む第2凹部を更に備えたことが可能である。
本発明は、前記底蓋において、前記第1ストッパと前記凹部の上端面との間には、前記第2ストッパを取り囲み、前記第2ストッパよりも少なくとも高さの高いスペーサーが設けられたことが好ましい。
本発明は、前記底蓋の上面は、頂部から底面に向かって広がる傾斜面を成していることができる。
本発明は、前記パイプの上方の開放端には、前記吊下ワイヤが前記パイプの中心付近を通るように前記吊下ワイヤを規制する孔が形成された上蓋を更に備えたことがある。
本発明は、前記多結晶原料は多結晶シリコンであることができる。
モリブデンやステンレス鋼(SUS)、アルミナなどのセラミックで形成されている。
また、第1ストッパ61と凹部53の上端面53aとの間には、第2ストッパ62を取り囲むようにスペーサー63が形成されている。こうしたスペーサー63は、第2ストッパ62よりも少なくとも高さが高くなるように形成される。スペーサー63は、例えば
モリブデンやステンレス鋼(SUS)、アルミナなどのセラミックで形成されていればよい。
モリブデンやステンレス鋼(SUS)、アルミナなどのセラミックで形成されている。
41 原料導入器
42 パイプ
43 底蓋
44 吊下ワイヤ
44a 固着部材
54 吊下穴
61 第1ストッパ
62 第2ストッパ
63 スペーサー
Claims (7)
- 多結晶原料を収容して加熱により原料融液を形成するルツボと、前記ルツボに前記多結晶原料を供給する原料導入器とを有する単結晶製造装置であって、
前記原料導入器は、原料を貯留する両端が開放された中空のパイプと、
少なくとも一部が前記パイプの直径と同じか、または大きく形成されて、前記パイプの下方の開放端を着脱自在に塞ぐ底蓋と、
前記底蓋の底面から頂部に向けて一定の深さで形成された凹部と、
前記底蓋の底面と前記底蓋の頂部との間を貫通する吊下穴と、
前記パイプの上方の開放端から前記パイプ内を通り、前記吊下穴から前記凹部内に達し、下端に固着部材が形成された吊下ワイヤと、
前記吊下ワイヤの前記固着部材に固着され、少なくとも前記吊下穴の直径よりも大きく形成され前記底蓋を前記吊下ワイヤに固定する第1ストッパと、
前記第1ストッパよりも上側位置で前記固着部材に固着され、前記第1ストッパが破損した場合に前記底蓋を支持可能な第2ストッパと、
を備えたことを特徴とする単結晶製造装置。 - 多結晶原料を収容して加熱により原料融液を形成するルツボと、前記ルツボに前記多結晶原料を供給する原料導入器とを有する単結晶製造装置であって、
前記原料導入器は、原料を貯留する両端が開放された中空のパイプと、
少なくとも一部が前記パイプの直径と同じか、または大きく形成されて、前記パイプの下方の開放端を着脱自在に塞ぐ底蓋と、
前記底蓋の底面から頂部に向けて一定の深さで形成された凹部と、
前記凹部の上端面と前記底蓋の頂部との間を貫通するとともに前記凹部より縮径された吊下穴と、
前記パイプの上方の開放端から前記パイプ内を通り、前記吊下穴から前記凹部内に達し、下端に固着部材が形成された吊下ワイヤと、
前記吊下ワイヤの前記固着部材に固着され、少なくとも前記吊下穴の直径よりも大きく形成され前記底蓋を前記吊下ワイヤに固定する第1ストッパと、
前記第1ストッパと前記凹部の上端面との間位置で前記固着部材に固着され、少なくとも前記吊下穴の直径よりも大きく、かつ前記第1ストッパと独立して形成された第1ストッパの直径よりも小さな径寸法の第2ストッパと、
を備えたことを特徴とする単結晶製造装置。 - 前記底蓋の底面には、前記凹部の上端面から該底蓋頂部に向けて一定の深さで、前記第1ストッパの外径よりも小さくかつ第2ストッパの外径よりも大きな内径寸法に形成されて前記第2ストッパが入り込む第2凹部を更に備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の単結晶製造装置。
- 前記底蓋において、前記第1ストッパと前記凹部の上端面との間には、前記第2ストッパを取り囲み、前記第2ストッパよりも少なくとも高さの高いスペーサーが設けられたことを特徴とする請求項1または2に記載の単結晶製造装置。
- 前記底蓋の上面は、頂部から底面に向かって広がる傾斜面を成していることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の単結晶製造装置。
- 前記パイプの上方の開放端には、前記吊下ワイヤが前記パイプの中心付近を通るように前記吊下ワイヤを規制する孔が形成された上蓋を更に備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の単結晶製造装置。
- 前記多結晶原料は多結晶シリコンであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の単結晶製造装置。
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