JP5029596B2

JP5029596B2 - Organic EL devices, electronic devices

Info

Publication number: JP5029596B2
Application number: JP2008332863A
Authority: JP
Inventors: 英和小林
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2008-12-26
Filing date: 2008-12-26
Publication date: 2012-09-19
Anticipated expiration: 2024-06-02
Also published as: JP2009081146A

Description

本発明は、有機ＥＬ装置、電子機器に関するものである。 The present invention relates to an organic EL device and an electronic device.

近年、ノートパソコン、携帯電話機、電子手帳等の電子機器において、情報を表示する
手段として有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称す）素子を画素毎に複数
備える有機ＥＬ装置が提案されている。一般的に、有機ＥＬ素子は、対向する一対の電極
の間に有機ＥＬ層（発光層）を含む有機機能層が配置された構成を有している。 2. Description of the Related Art In recent years, an organic EL device including a plurality of organic electroluminescence (hereinafter referred to as organic EL) elements for each pixel as a means for displaying information has been proposed in electronic devices such as notebook computers, mobile phones, and electronic notebooks. In general, an organic EL element has a configuration in which an organic functional layer including an organic EL layer (light emitting layer) is disposed between a pair of opposed electrodes.

このような有機ＥＬ装置として、例えば各画素の発光色について、その発光スペクトル
の半値幅を縮小すべく光共振器を備えた構成のものが例えば特許文献１に開示されている
。 As such an organic EL device, for example, Patent Document 1 discloses a configuration in which an optical resonator is provided to reduce the half-value width of the emission spectrum of each pixel.

特開平８−２１３１７４号公報JP-A-8-213174

上記特許文献１に開示された有機ＥＬ装置では、発光層としての有機ＥＬ層を挟む半透
明反射層と反射層とによって光共振器構造が構成されており、当該発光層から発せられる
光のスペクトルの半値幅の縮小、又は発光効率の向上、可干渉光の発生などを実現できる
ものとされている。ここで、各色の画素に対して、それぞれ同一構造の光共振器を作り込
む場合、全ての色について最適化を図ることが困難な場合が多い。これは、最適化する発
光波長に対して光共振器の構造を最適化する場合、各色の画素毎に有機ＥＬ層の膜厚を大
きく異ならせる必要があるからである。特に赤色（Ｒ）の画素の有機ＥＬ層では、極端に
厚くせざるを得なく、駆動電圧の上昇、効率の低下を招くこととなる。また、有機ＥＬ装
置では一般的に表色範囲が狭いが、光共振構造の導入によりその表色範囲を広げることが
できる一方、該光共振構造の導入に伴って発光効率が低下する場合がある。 In the organic EL device disclosed in Patent Document 1, an optical resonator structure is configured by a translucent reflective layer and a reflective layer sandwiching an organic EL layer as a light emitting layer, and a spectrum of light emitted from the light emitting layer. It is possible to realize a reduction in the half-value width, improvement in luminous efficiency, generation of coherent light, and the like. Here, in the case where an optical resonator having the same structure is formed for each color pixel, it is often difficult to optimize all colors. This is because when the structure of the optical resonator is optimized with respect to the emission wavelength to be optimized, it is necessary to greatly vary the film thickness of the organic EL layer for each color pixel. In particular, in the organic EL layer of a red (R) pixel, it must be made extremely thick, leading to an increase in driving voltage and a decrease in efficiency. In addition, although the color display range is generally narrow in an organic EL device, the color display range can be widened by introducing an optical resonant structure, while the light emission efficiency may decrease with the introduction of the optical resonant structure. .

本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、光共振器構造の導入により
色純度を高めつつ、発光効率の低下を抑制可能な有機ＥＬ装置を提供することにある。ま
た、本発明の異なる目的は、信頼性に優れた電子機器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an organic EL device capable of suppressing a decrease in light emission efficiency while improving color purity by introducing an optical resonator structure. Another object of the present invention is to provide an electronic device with excellent reliability.

上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置は、光反射性を有する第１の電極と、光透過性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光層と、を有する画素が複数設けられた有機ＥＬ装置であって、前記複数の画素は、第１の画素と、第２の画素と、を有し、前記第１の画素から発せられる光と、前記第２の画素から発せられる光は、互いに異なる色であり、前記第１の画素には、前記第２の電極と接するように半透過反射層が設けられており、前記半透過反射層は、前記発光層から発せられた光の一部を透過しかつ一部を反射し、前記第１の電極との間で光共振器を構成しており、前記半透過反射層は、前記第１画素における前記第２の電極よりも小さい面積で設けられていることを特徴とする。
また、本発明の別の態様では、前記第２画素には、前記半透過反射層が設けられていないことを特徴とする。
また、本発明の別の態様では、前記第２の画素から発せられる光の色純度は、前記第１の画素から発せられる色純度よりも高いことを特徴とする。
また、本発明の別の態様では、前記第２の画素から発せられる光は赤色であることを特徴とする。
また、本発明の別の態様では、前記発光層は、高分子有機ＥＬ材料により形成されていることを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置は、光反射性電極と、有機ＥＬ層と、光透過性電極と、前記有機ＥＬ層の発光光の一部を透過し一部を反射することで、前記光反射性電極との間で光共振器を構成する半透過反射層と、がこの順で積層された画素を複数具備してなる有機ＥＬ装置であって、複数の前記画素のうち、第１画素に配置された第１の前記有機ＥＬ層と第２画素に配置された第２の前記有機ＥＬ層とは互いに異なる色を発光し、前記第１画素には第１の前記半透過反射層が設けられ、前記第２画素には第２の前記半透過反射層が設けられ、前記第１の半透過反射層の面積は、前記第１画素の発光領域の面積よりも小さく、前記第１画素の発光領域の面積に対する前記第１の半透過反射層の面積比は、前記第２画素の発光領域の面積に対する前記第２の半透過反射層の面積比よりも小さいことを特徴とする。
また、本発明の別の態様では、光反射性電極と有機ＥＬ層と光透過性電極とがこの順で積層された画素を複数具備してなる有機ＥＬ装置であって、複数の前記画素のうち、第１画素に配置された第１の前記有機ＥＬ層と第２画素に配置された第２の前記有機ＥＬ層とは互いに異なる色を発光し、前記第１画素には、前記第１の有機ＥＬ層の発光光の一部を透過し一部を反射することで、前記光反射性電極との間で光共振器を構成しうる半透過反射層が設けられておらず、前記第２画素には、前記第２の有機ＥＬ層の発光光の一部を透過し一部を反射することで、前記光反射性電極との間で光共振器を構成する第２の半透過反射層が設けられており、前記第２の半透過反射層の面積は、前記第２画素の発光領域の面積よりも小さいことを特徴とする。
また、前記第１の有機ＥＬ層の発光光の色純度は、前記第２の有機ＥＬ層の発光光の色純度よりも高い構成とすることができる。
また、前記第１の有機ＥＬ層の発光光は赤色である構成とすることができる。
また、前記有機ＥＬ層を高分子有機ＥＬ材料にて構成することができる。
In order to solve the above problems, an organic EL device of the present invention includes a first electrode having light reflectivity, a second electrode having light transmittance, the first electrode, and the second electrode. An organic EL device having a plurality of pixels each having a light emitting layer provided between the first pixel and the second pixel, wherein the plurality of pixels includes a first pixel and a second pixel. The light emitted from the second pixel and the light emitted from the second pixel have different colors, and the first pixel is provided with a transflective layer so as to be in contact with the second electrode. The transflective layer transmits a part of the light emitted from the light emitting layer and reflects a part of the light, and constitutes an optical resonator with the first electrode. The transmission / reflection layer is provided with a smaller area than the second electrode in the first pixel.
In another aspect of the present invention, the second pixel is not provided with the transflective layer.
In another aspect of the present invention, the color purity of light emitted from the second pixel is higher than the color purity emitted from the first pixel.
In another aspect of the present invention, the light emitted from the second pixel is red.
In another aspect of the present invention, the light emitting layer is formed of a polymer organic EL material.
In order to solve the above-described problems, an organic EL device of the present invention transmits a part of light emitted from a light-reflective electrode, an organic EL layer, a light-transmissive electrode, and the organic EL layer and reflects a part thereof. Thus, an organic EL device comprising a plurality of pixels laminated in this order with a transflective layer constituting an optical resonator with the light reflective electrode, wherein the plurality of pixels The first organic EL layer disposed in the first pixel and the second organic EL layer disposed in the second pixel emit light different from each other, and the first pixel has a first color in the first pixel. The transflective layer is provided, the second pixel is provided with the second transflective layer, and the area of the first transflective layer is larger than the area of the light emitting region of the first pixel. The ratio of the area of the first transflective layer to the area of the light emitting region of the first pixel is smaller than that of the second pixel. And wherein the smaller than the area ratio of the relative area of the light area the second semitransparent reflective layer.
According to another aspect of the present invention, there is provided an organic EL device including a plurality of pixels in which a light reflective electrode, an organic EL layer, and a light transmissive electrode are stacked in this order. Among them, the first organic EL layer disposed in the first pixel and the second organic EL layer disposed in the second pixel emit different colors, and the first pixel has the first A part of the emitted light of the organic EL layer is transmitted and reflected so that a transflective layer that can form an optical resonator with the light reflective electrode is not provided. The two pixels transmit a part of the emitted light of the second organic EL layer and reflect a part thereof, thereby forming a second transflective reflection constituting an optical resonator with the light reflective electrode. And an area of the second transflective layer is smaller than an area of a light emitting region of the second pixel. That.
Further, the color purity of the emitted light of the first organic EL layer can be higher than the color purity of the emitted light of the second organic EL layer.
Further, the emitted light of the first organic EL layer may be red.
The organic EL layer can be composed of a polymer organic EL material.

このような有機ＥＬ装置によると、半透過反射層は光反射性電極との間で光共振器を構
成することとなり、つまり有機ＥＬ層から光反射性電極側に発せられた光は、該光反射性
電極に反射され、その結果、光反射性電極と半透過反射層との間で共振される。そして、
共振の結果、該半透過反射層を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過する
ものとされている。一方、有機ＥＬ層から半透過反射層側に発せられた光は、その一部が
該半透過反射層を透過し、他部が半透過反射層にて反射され、その結果、光反射性電極と
半透過反射層との間で共振される。そして、共振の結果、該半透過反射層を透過可能な波
長となったときに、反射光はこれを透過するものとされている。以上のように半透過反射
層を透過した光は、当該有機ＥＬ装置から出射されて表示等に供されることとなるが、本
発明では、反射光が共振の後に半透過反射層を透過するものとされているため、当該有機
ＥＬ装置から出射される光の色純度が向上することとなる。 According to such an organic EL device, the transflective layer forms an optical resonator with the light reflective electrode, that is, the light emitted from the organic EL layer to the light reflective electrode side is Reflected by the reflective electrode, and as a result, resonated between the light reflective electrode and the transflective layer. And
As a result of resonance, the reflected light is transmitted through the semi-transparent reflective layer when the wavelength is transmitted. On the other hand, a part of the light emitted from the organic EL layer to the transflective layer side is transmitted through the transflective layer and the other part is reflected by the transflective layer. As a result, the light reflective electrode And the transflective layer. And, as a result of resonance, the reflected light is transmitted through a wavelength that can be transmitted through the transflective layer. As described above, the light transmitted through the transflective layer is emitted from the organic EL device and used for display. In the present invention, the reflected light is transmitted through the transflective layer after resonance. Therefore, the color purity of the light emitted from the organic EL device is improved.

さらに、本発明では、半透過反射層の反射率を異なる色の画素間で相違するように構成
しているため、例えば用いられる有機ＥＬ層のうち、相対的に色純度の低い有機ＥＬ層を
含む画素においては、半透過反射層の反射率を相対的に高く構成することができる。一方
、相対的に色純度の高い有機ＥＬ層を含む画素においては、半透過反射層の反射率を相対
的に低く構成することができる。このような構成を採用することで、半透過反射層の導入
によって生じ得る発光効率の低減を、該半透過反射層の導入による色純度の向上効果を保
ちつつ最小限に抑えることが可能となる。 Further, in the present invention, since the reflectance of the transflective layer is configured to be different between pixels of different colors, for example, among organic EL layers used, an organic EL layer having a relatively low color purity is used. In the included pixel, the reflectance of the transflective layer can be made relatively high. On the other hand, in a pixel including an organic EL layer with relatively high color purity, the reflectance of the semi-transmissive reflective layer can be configured to be relatively low. By adopting such a configuration, it is possible to minimize the reduction in light emission efficiency that may be caused by the introduction of the semi-transmissive reflective layer while maintaining the effect of improving the color purity by introducing the semi-transmissive reflective layer. .

本発明の有機ＥＬ装置において、前記有機ＥＬ層を高分子有機ＥＬ材料にて構成し、且
つ赤、緑、青の各色を発光可能に構成する一方、前記画素内における半透過反射層の反射
率が、（赤の画素での反射率）＜（緑の画素での反射率）＜（青の画素での反射率）の関
係を有してなるように構成することができる。 In the organic EL device of the present invention, the organic EL layer is composed of a polymer organic EL material, and is configured to emit red, green, and blue colors, while the reflectance of the transflective layer in the pixel Can be configured to have a relationship of (reflectance at a red pixel) <(reflectance at a green pixel) <(reflectance at a blue pixel).

有機ＥＬ層として高分子有機ＥＬ材料を用いた場合、一般的に赤の色純度は相対的に高
くできる一方、緑と青（特に青）の色純度は相対的に低いものとなる。そこで、上記のよ
うに赤の画素での反射率を相対的に低くする一方、緑の画素、さらには青の画素での反射
率を相対的に大きくすることで、各色の画素での色純度を一律に高くすることが可能とな
る。そして、このように一律に色純度を高めつつも、もともと色純度の高い赤の画素では
反射率を低くすることで、好適に発光効率の低減を抑えることが可能となる。 When a polymer organic EL material is used as the organic EL layer, generally, the color purity of red can be relatively high, while the color purity of green and blue (particularly blue) is relatively low. Therefore, as described above, the reflectance at the red pixel is relatively lowered, while the reflectance at the green pixel and further the blue pixel is relatively increased, so that the color purity of each color pixel is increased. Can be raised uniformly. Further, while uniformly increasing the color purity in this way, it is possible to suitably suppress the reduction of the light emission efficiency by reducing the reflectance in the red pixel originally having a high color purity.

なお、半透過反射層の反射率を画素毎に異ならしめる方法としては、例えば画素内にお
ける半透過反射層の平面内占有面積を、発光色の異なる画素毎に相違させるものとするこ
とができる。この場合、有機ＥＬ層を高分子有機ＥＬ材料にて構成し、且つ赤、緑、青の
各色を発光可能に構成したときには、画素内における半透過反射層の平面内占有面積は、
（赤の画素での占有面積）＜（緑の画素での占有面積）＜（青の画素での占有面積）の関
係を有することとなる。 As a method for making the reflectance of the semi-transmissive reflective layer different for each pixel, for example, the in-plane occupation area of the semi-transmissive reflective layer in the pixel can be made different for each pixel having a different emission color. In this case, when the organic EL layer is composed of a polymer organic EL material and each of the red, green, and blue colors can emit light, the in-plane occupation area of the transflective layer in the pixel is
(Occupied area of red pixels) <(Occupied area of green pixels) <(Occupied area of blue pixels).

上述した通り、本発明の有機ＥＬ装置では、半透過反射層の反射率（例えば平面内占有
面積）を赤、緑、青の順で高い構成とすることに特徴があるが、例えば赤の画素には半透
過反射層を形成しないものとしても良い。つまり、本発明の有機ＥＬ装置において、前記
半透過反射層が、緑と青の画素に対して選択的に形成されてなるものとすることができる
。 As described above, the organic EL device according to the present invention is characterized in that the reflectance of the transflective layer (for example, the occupied area in the plane) is increased in the order of red, green, and blue. It is good also as what does not form a semi-transmissive reflective layer. That is, in the organic EL device of the present invention, the transflective layer can be formed selectively with respect to green and blue pixels.

また、前記緑と青の画素に対して、赤を吸収する赤吸収フィルターを半透過反射層より
も光出射側に選択的に形成することができる。この場合、当該有機ＥＬ装置の光出射側（
表示面側）に偏光板等を配設しなくても、半透過反射層において反射した外光が当該有機
ＥＬ装置から出射される不具合を解消することができるようになる。したがって、高コン
トラストで、色純度が高く、ＩＶＬ（電流−電圧−輝度）特性に優れた有機ＥＬ装置を提
供可能となる。なお、前記光透過性電極が所定の透光性基板内面に形成されてなるととも
に、前記赤吸収フィルターが該透光性基板内面に形成されてなるものとすることができる
。この場合、赤吸収フィルターの導入により、当該有機ＥＬ装置の外面に凹凸等が生じる
不具合を解消できるとともに、透光性基板により赤吸収フィルターを保護すること可能と
なる。 Further, for the green and blue pixels, a red absorption filter that absorbs red can be selectively formed on the light emitting side with respect to the transflective layer. In this case, the light emission side of the organic EL device (
Even if a polarizing plate or the like is not provided on the display surface side, it is possible to solve the problem that external light reflected by the transflective layer is emitted from the organic EL device. Therefore, it is possible to provide an organic EL device having high contrast, high color purity, and excellent IVL (current-voltage-luminance) characteristics. The light transmissive electrode may be formed on the inner surface of a predetermined light transmissive substrate, and the red absorption filter may be formed on the inner surface of the light transmissive substrate. In this case, by introducing the red absorption filter, it is possible to solve the problem that unevenness or the like is generated on the outer surface of the organic EL device, and it is possible to protect the red absorption filter by the translucent substrate.

次に、本発明の電子機器は、本発明の有機ＥＬ装置を例えば表示部として備えることを
特徴とする。このような電子機器によれば、色純度が高く、高コントラストの表示を実現
することが可能となる。 Next, an electronic apparatus according to the present invention includes the organic EL device according to the present invention as a display unit, for example. According to such an electronic apparatus, it is possible to realize display with high color purity and high contrast.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する各図にお
いて、図面上で認識可能な大きさとするために、縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合が
ある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing to be referred to, the scale may be different for each layer or each member in order to make the size recognizable on the drawing.

（第１実施形態）
図１は、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態について、特にアクティブマトリクス型の
有機ＥＬ装置１の要部を模式的に示す説明図である。なお、有機ＥＬ装置１は、薄膜トラ
ンジスターを用いたアクティブ型の駆動方式を採用している。 (First embodiment)
FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a main part of an active matrix type organic EL device 1 in particular, regarding an embodiment of the organic EL device of the present invention. The organic EL device 1 employs an active driving method using a thin film transistor.

有機ＥＬ装置１は、基板２の上に、回路素子としての薄膜トランジスターを含む回路素
子部１４、画素電極（陽極）１１１、有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）を含む機能層１１０、
陰極１２、及び封止部３等を順次積層した構造からなる。 The organic EL device 1 includes a circuit element unit 14 including a thin film transistor as a circuit element, a pixel electrode (anode) 111, a functional layer 110 including an organic EL layer (organic EL element) on the substrate 2.
The cathode 12 and the sealing portion 3 are sequentially laminated.

基板２としては、本例ではガラス基板が用いられている。ガラス基板の他にも、シリコ
ン基板、石英基板、セラミックス基板、金属基板、プラスチック基板、プラスチックフィ
ルム基板等、電気光学装置や回路基板に用いられる公知の様々な基板が適用される。基板
２内には、発光領域としての複数の画素領域Ａがマトリクス状に配列されており、カラー
表示を行う場合、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する画素領域
Ａが所定の配列で構成される。各画素領域Ａには、画素電極１１１が配置され、その近傍
には信号線１３２、電源線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線
等が配置されている。 As the substrate 2, a glass substrate is used in this example. In addition to the glass substrate, various known substrates used for electro-optical devices and circuit substrates such as a silicon substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, a metal substrate, a plastic substrate, and a plastic film substrate are applied. In the substrate 2, a plurality of pixel areas A as light emitting areas are arranged in a matrix, and when performing color display, for example, corresponding to each color of red (R), green (G), and blue (B). The pixel area A is configured in a predetermined array. In each pixel region A, a pixel electrode 111 is arranged, and in the vicinity thereof, a signal line 132, a power supply line 133, a scanning line 131, scanning lines for other pixel electrodes (not shown), and the like are arranged.

また、封止部３は、水や酸素の侵入を防いで陰極１２あるいは機能層１１０の酸化を防
止するものであり、基板２に塗布される封止樹脂、及び基板２に貼り合わされる封止基板
３ｂ（封止缶）等を含む。封止樹脂の材料としては、例えば、熱硬化樹脂あるいは紫外線
硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられ
る。封止樹脂は、基板２の周縁に環状に塗布されており、例えば、マイクロディスペンサ
等により塗布される。封止基板３ｂは、ガラスや金属等からなり、基板２と封止基板３ｂ
とは封止樹脂を介して張り合わされる。 The sealing portion 3 prevents water and oxygen from entering and prevents the cathode 12 or the functional layer 110 from being oxidized. The sealing portion 3 is applied to the substrate 2 and the sealing is bonded to the substrate 2. Substrate 3b (sealing can) is included. As the material of the sealing resin, for example, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is used, and in particular, an epoxy resin that is one kind of thermosetting resin is preferably used. The sealing resin is annularly applied to the periphery of the substrate 2 and is applied by, for example, a microdispenser. The sealing substrate 3b is made of glass or metal, and the substrate 2 and the sealing substrate 3b
Are bonded together via a sealing resin.

図２は、上記有機ＥＬ装置１の回路構造を示している。
図２において、基板２上には、複数の走査線１３１と、走査線１３１に対して交差する
方向に延びる複数の信号線１３２と、信号線１３２に並列に延びる複数の電源線１３３と
が配線されている。また、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に上記画素領域Ａが
形成されている。
信号線１３２には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナロ
グスイッチを含むデータ側駆動回路１０３が接続されている。また、走査線１３１には、
シフトレジスタ及びレベルシフタを含む走査側駆動回路１０４が接続されている。 FIG. 2 shows a circuit structure of the organic EL device 1.
In FIG. 2, a plurality of scanning lines 131, a plurality of signal lines 132 extending in a direction intersecting the scanning lines 131, and a plurality of power supply lines 133 extending in parallel to the signal lines 132 are wired on the substrate 2. Has been. Further, the pixel region A is formed at each intersection of the scanning line 131 and the signal line 132.
For example, the data line driving circuit 103 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch is connected to the signal line 132. The scanning line 131 includes
A scanning side drive circuit 104 including a shift register and a level shifter is connected.

画素領域Ａには、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチン
グ用の第１の薄膜トランジスタ１２３と、この薄膜トランジスタ１２３を介して信号線１
３２から供給される画像信号を保持する保持容量１３５と、保持容量１３５によって保持
された画像信号がゲート電極に供給される駆動用の第２の薄膜トランジスタ１２４と、こ
の薄膜トランジスタ１２４を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電源線１３３
から駆動電流が流れ込む画素電極１１１（陽極）と、画素電極１１１と対向電極１２（陰
極）との間に挟み込まれる機能層１１０とが設けられている。機能層１１０は、有機ＥＬ
素子としての有機ＥＬ層を含む。 In the pixel region A, a first thin film transistor 123 for switching in which a scanning signal is supplied to the gate electrode through the scanning line 131, and the signal line 1 through the thin film transistor 123.
32, a storage capacitor 135 that holds the image signal supplied from 32, a driving second thin film transistor 124 to which the image signal held by the storage capacitor 135 is supplied to the gate electrode, and a power line 133 through the thin film transistor 124. When electrically connected to the power line 133
Are provided with a pixel electrode 111 (anode) through which a drive current flows, and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the counter electrode 12 (cathode). The functional layer 110 is an organic EL
An organic EL layer as an element is included.

画素領域Ａでは、走査線１３１が駆動されて第１の薄膜トランジスタ１２３がオンとな
ると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量１３５に保持され、この保持容量１３５
の状態に応じて、第２の薄膜トランジスタ１２４の導通状態が決まる。また、第２の薄膜
トランジスタ１２４のチャネルを介して電源線１３３から画素電極１１１に電流が流れ、
さらに機能層１１０を通じて対向電極１２（陰極）に電流が流れる。そして、このときの
電流量に応じて、機能層１１０が発光する。 In the pixel region A, when the scanning line 131 is driven and the first thin film transistor 123 is turned on, the potential of the signal line 132 at that time is held in the holding capacitor 135, and the holding capacitor 135
Depending on the state, the conduction state of the second thin film transistor 124 is determined. In addition, current flows from the power supply line 133 to the pixel electrode 111 through the channel of the second thin film transistor 124,
Further, a current flows to the counter electrode 12 (cathode) through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current at this time.

図３は、上記有機ＥＬ装置１における表示領域の断面構造を拡大した図である。この図
３には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する３つの画素領域の断面構造
が示されている。前述したように、有機ＥＬ装置１は、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等
が形成された回路素子部１４、画素電極（陽極）１１１、機能層１１０が形成された発光
素子部１１、及び陰極１２が順次積層して構成されている。
この有機ＥＬ装置１では、機能層１１０から基板２側に発した光が、回路素子部１４及
び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、機能層１１０から
基板２の反対側に発した光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透
過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。 FIG. 3 is an enlarged view of the cross-sectional structure of the display region in the organic EL device 1. FIG. 3 shows a cross-sectional structure of three pixel regions corresponding to red (R), green (G), and blue (B) colors. As described above, the organic EL device 1 includes the circuit element unit 14 in which a circuit such as a TFT is formed on the substrate 2, the pixel electrode (anode) 111, the light emitting element unit 11 in which the functional layer 110 is formed, and The cathode 12 is formed by sequentially laminating.
In the organic EL device 1, light emitted from the functional layer 110 to the substrate 2 side passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2 and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2, and the functional layer 110. The light emitted from the opposite side of the substrate 2 is reflected by the cathode 12, passes through the circuit element unit 14 and the substrate 2, and is emitted to the lower side (observer side) of the substrate 2.

回路素子部１４においては、基板２上に遮光性材料からなる遮光層ＢＭが島状に形成さ
れ、さらにこれを覆う形にてシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成されている。
この下地保護膜２ｃ上には、遮光層ＢＭと平面的に重畳する位置に対し、多結晶シリコン
からなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領
域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みにより形成されている。
なお、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。 In the circuit element portion 14, a light shielding layer BM made of a light shielding material is formed in an island shape on the substrate 2, and further, a base protective film 2c made of a silicon oxide film is formed so as to cover the island.
On the base protective film 2c, an island-shaped semiconductor film 141 made of polycrystalline silicon is formed at a position overlapping the light shielding layer BM in a planar manner. Note that a source region 141a and a drain region 141b are formed in the semiconductor film 141 by high concentration P ion implantation.
A portion where P is not introduced is a channel region 141c.

さらに回路素子部１４には、下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶
縁膜１４２が形成されており、該ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ
等からなるゲート電極（走査線）１４３が形成されている。また、ゲート電極１４３及び
ゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形
成されている。各層間絶縁膜としては、例えばＳｉＯ₂或いはＳｉＮからなるもの透光性
絶縁膜を適当な膜厚（例えば２００ｎｍ程度）としたものを採用することができる。
ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられ
ている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１の
ソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５
，１４６が形成されている。 Further, a transparent gate insulating film 142 covering the base protective film 2c and the semiconductor film 141 is formed in the circuit element portion 14, and Al, Mo, Ta, Ti, W are formed on the gate insulating film 142.
A gate electrode (scanning line) 143 made of, for example, is formed. A transparent first interlayer insulating film 144a and a second interlayer insulating film 144b are formed on the gate electrode 143 and the gate insulating film 142. As each interlayer insulating film, a transparent insulating film made of, for example, SiO ₂ or SiN and having an appropriate thickness (for example, about 200 nm) can be employed.
The gate electrode 143 is provided at a position corresponding to the channel region 141c of the semiconductor film 141. Further, contact holes 145 that penetrate the first and second interlayer insulating films 144a and 144b and are connected to the source and drain regions 141a and 141b of the semiconductor film 141, respectively.
, 146 are formed.

そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、Ａｌ等の光反射性材料からなる半透過反射層
１２６が所定パターンの島状に形成され、さらにこれを覆う形にて、ＩＴＯ等からなる透
明な画素電極１１１が島状に形成されている。
画素電極１１１は、上述したコンタクトホール１４５を介してＴＦＴ１２３に接続され
ている。なお、他方のコンタクトホール１４６は電源線１３３に接続されている。このよ
うにして、回路素子部１４には、画素電極１１１に接続された半導体膜１４１を含む駆動
用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。なお、回路素子部１４には、前述した保
持容量１３５及びスイッチング用の薄膜トランジスタ１２４も形成されているが、図３で
はこれらの図示を省略している。 On the second interlayer insulating film 144b, a semi-transmissive reflective layer 126 made of a light reflective material such as Al is formed in an island shape with a predetermined pattern, and further, a transparent transparent layer made of ITO or the like is formed so as to cover it. The pixel electrode 111 is formed in an island shape.
The pixel electrode 111 is connected to the TFT 123 through the contact hole 145 described above. The other contact hole 146 is connected to the power supply line 133. In this way, the driving thin film transistor 123 including the semiconductor film 141 connected to the pixel electrode 111 is formed in the circuit element portion 14. The circuit element unit 14 is also formed with the storage capacitor 135 and the switching thin film transistor 124 described above, but these are not shown in FIG.

このように第２層間絶縁膜１４４ｂ上には半透過反射層１２６及び画素電極１１１が形
成されているが、半透過反射層１２６は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各画素
で異なる反射率を有している。具体的には、不等号関係が（赤色の画素の反射率）＜（緑
色の画素の反射率）＜（青色の画素の反射率）となるように各画素の半透過反射層１２６
が形成されており、ここでは反射率を異ならせるために、半透過反射層１２６の各画素内
での面内占有面積比を、（赤色の画素における占有面積）：（緑色の画素における占有面
積）：（青色の画素における占有面積）＝０：５０：５０としている。これにより、本実
施形態での半透過反射層１２６の反射率比が、（赤色の画素の半透過反射層の反射率）：
（緑色の画素の半透過層の反射率）：（青色の画素の半透過層の反射率）＝０：５０：５
０とされている。 As described above, the transflective layer 126 and the pixel electrode 111 are formed on the second interlayer insulating film 144b. The transflective layer 126 has red (R), green (G), and blue (B). Each pixel has a different reflectance. Specifically, the transflective layer 126 of each pixel is set so that the inequality relationship is (reflectance of red pixel) <(reflectance of green pixel) <(reflectance of blue pixel).
Here, in order to vary the reflectance, the in-plane occupation area ratio in each pixel of the transflective layer 126 is expressed as (occupation area in red pixels): (occupation area in green pixels) ): (Occupied area in blue pixels) = 0: 50: 50. Thereby, the reflectance ratio of the transflective layer 126 in this embodiment is (reflectance of the transflective layer of the red pixel):
(Reflectance of the semi-transmissive layer of the green pixel): (Reflectance of the semi-transmissive layer of the blue pixel) = 0: 50: 5
0.

半透過反射層１２６は、機能層１１０中の有機ＥＬ層（発光層）１１０ｂで発光した光
の一部を反射し、一部を透過する機能を有し、画素開口と重なるように若しくは画素開口
よりも若干大きな平面形状にて形成されている。なお、半透過反射層１２６はアルミニウ
ム等からなる反射性金属膜を１０ｎｍ程度の薄膜に形成したものである。 The transflective layer 126 has a function of reflecting part of the light emitted from the organic EL layer (light emitting layer) 110b in the functional layer 110 and transmitting part of the light, and overlaps the pixel opening or the pixel opening. It is formed in a slightly larger planar shape. The transflective layer 126 is formed by forming a reflective metal film made of aluminum or the like into a thin film of about 10 nm.

画素電極１１１は、平面視略矩形にパターニングされて形成されている。この画素電極
１１１の厚さは、５０ｎｍ〜２００ｎｍ（例えば７０ｎｍ）の範囲が好ましい。 The pixel electrode 111 is formed by patterning into a substantially rectangular shape in plan view. The thickness of the pixel electrode 111 is preferably in the range of 50 nm to 200 nm (for example, 70 nm).

そして、上記のような半透過反射層１２６及び画素電極１１１の上に発光素子部１１が
形成されている。発光素子部１１は、画素電極１１１上に積層された機能層１１０と、機
能層１１０同士の間に配されて各機能層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として
構成されている。機能層１１０上には、アルミニウム等の反射性金属膜からなる陰極１２
が配置されている。なお、半透過反射膜１２６と陰極１２との間の光学的距離は、当該画
素の発光波長と同じか、或いはその整数倍となるように設計されており、その結果、半透
過反射層１２６と陰極１２とが、当該画素から取り出したい光に対して光共振器を構成す
ることとなる。 The light emitting element portion 11 is formed on the transflective layer 126 and the pixel electrode 111 as described above. The light emitting element portion 11 is mainly configured by a functional layer 110 stacked on the pixel electrode 111 and a bank portion 112 that is disposed between the functional layers 110 and partitions each functional layer 110. On the functional layer 110, a cathode 12 made of a reflective metal film such as aluminum.
Is arranged. The optical distance between the transflective film 126 and the cathode 12 is designed to be the same as or an integral multiple of the emission wavelength of the pixel. The cathode 12 constitutes an optical resonator for light that is desired to be extracted from the pixel.

バンク部１１２は、図３に示すように、基板２側に位置する無機物バンク層（第１バン
ク層）１１２ａと、基板２から離れて位置する有機物バンク層（第２バンク層）１１２ｂ
との積層にて構成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えばＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等の
無機材料からなる。また、有機物バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等
の耐熱性、耐溶媒性のあるレジストから形成されている。 As shown in FIG. 3, the bank 112 includes an inorganic bank layer (first bank layer) 112a located on the substrate 2 side, and an organic bank layer (second bank layer) 112b located away from the substrate 2.
It is comprised by lamination. The inorganic bank layer 112a is made of an inorganic material such as SiO ₂ or TiO ₂ . The organic bank layer 112b is formed of a resist having heat resistance and solvent resistance such as acrylic resin and polyimide resin.

また、機能層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、
正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された有機ＥＬ層（発光層）１１０ｂとから
構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、正孔を有機ＥＬ層１１０ｂに注入する機能を有するとと
もに、正孔を正孔注入／輸送層１１０ａ内部において輸送する機能を有する。このような
正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と有機ＥＬ層１１０ｂの間に設けることによ
り、有機ＥＬ層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、有機ＥＬ層１
１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される
電子が有機ＥＬ層で再結合し、発光が得られる。 The functional layer 110 includes a hole injection / transport layer 110a stacked on the pixel electrode 111,
It consists of an organic EL layer (light emitting layer) 110b formed adjacent to the hole injection / transport layer 110a.
The hole injection / transport layer 110a has a function of injecting holes into the organic EL layer 110b and a function of transporting holes inside the hole injection / transport layer 110a. By providing such a hole injection / transport layer 110a between the pixel electrode 111 and the organic EL layer 110b, device characteristics such as light emission efficiency and lifetime of the organic EL layer 110b are improved. Organic EL layer 1
In 10b, the holes injected from the hole injection / transport layer 110a and the electrons injected from the cathode 12 are recombined in the organic EL layer, and light emission is obtained.

なお、正孔注入／輸送層１１０ａは、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）
等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との混合物（ＰＥＤＯＴ
／ＰＳＳ）をインクジェット法にて成膜したもので、各画素共通で５０ｎｍの厚さに調整
されている。 The hole injection / transport layer 110a is made of polyethylene dioxythiophene (PEDOT).
A mixture of polythiophene derivatives such as polystyrene sulfonic acid (PSS) (PEDOT)
/ PSS) is formed by an inkjet method, and is adjusted to a thickness of 50 nm for each pixel.

有機ＥＬ層１１０ｂは、赤色（Ｒ）の画素では、赤色（Ｒ）に発光する高分子材料から
なる赤色有機ＥＬ層１１０ｂ₁にて構成され、同様に緑色（Ｇ）の画素では、緑色（Ｇ）
に発光する高分子材料からなる緑色有機ＥＬ層１１０ｂ₂にて構成され、さらに青色（Ｂ
）の画素では、青色（Ｂ）に発光する高分子材料からなる青色有機ＥＬ層１１０ｂ₃にて
構成されている。そして、各色画素は所定の配列（例えばストライプ状）で配置されてい
る。なお、各有機ＥＬ層１１０ｂ₁，１１０ｂ₂，１１０ｂ₃は、各発光材料（高分子材料
）をインクジェット法にて成膜したもので、厚さは赤色の画素で８０ｎｍ、緑色の画素で
８０ｎｍ、青色の画素で７０ｎｍ程度とした。 The organic EL layer 110b is configured by a red organic EL layer 110b ₁ made of a polymer material that emits red (R) light in a red (R) pixel. Similarly, in a green (G) pixel, a green (G )
It is composed of a green organic EL layer 110b ₂ made of a polymer material that emits light and further blue (B
) Pixel is composed of a blue organic EL layer 110b ₃ made of a polymer material that emits blue (B). Each color pixel is arranged in a predetermined arrangement (for example, a stripe shape). Each of the organic EL layers 110b ₁ , 110b ₂ , and 110b ₃ is formed by forming each light emitting material (polymer material) by an inkjet method, and has a thickness of 80 nm for a red pixel, 80 nm for a green pixel, The blue pixel is about 70 nm.

赤色有機ＥＬ層１１０ｂ₁を形成する発光材料としては、例えばローダミン色素を添加
したＰＰＶやＭＥＨ−ＰＰＶあるいはポリフルオレン系などの有機ＥＬ材料からなるもの
を用いることができ、緑色有機ＥＬ層１１０ｂ₂を形成する発光材料としては、例えばＰ
ＰＶ誘導体やＦ８ＢＴ＋ポリジオクチルフルオレンなどのフルオレン誘導体などの有機Ｅ
Ｌ材料からなるものを用いることができる。青色有機ＥＬ層１１０ｂ₃を形成する発光材
料としては、例えばポリジオクチルフルオレン誘導体などの有機ＥＬ材料からなるものを
用いることができる。 As a light emitting material for forming the red organic EL layer 110b ₁ , for example, a material made of an organic EL material such as PPV, MEH-PPV, or polyfluorene added with a rhodamine dye can be used, and the green organic EL layer 110b ₂ can be used. As the light emitting material to be formed, for example, P
Organic E such as PV derivatives and fluorene derivatives such as F8BT + polydioctylfluorene
What consists of L material can be used. As a light emitting material for forming the blue organic EL layer 110b ₃ , for example, a material made of an organic EL material such as a polydioctylfluorene derivative can be used.

一方、バンク部１１２は、画素電極１１１をパターニング形成した後、まずＳｉＯ₂等
の無機材料からなる無機物バンク層１１２ａを、画素開口を備える形にて厚さ５０ｎｍ程
度に形成し、その後、ポリイミド等の有機材料からなる有機物バンク層１１２ｂを、同じ
く画素開口を備える形にて厚さ２μｍ程度に形成することで得られるものである。 On the other hand, after patterning the pixel electrode 111, the bank 112 first forms an inorganic bank layer 112a made of an inorganic material such as SiO ₂ to a thickness of about 50 nm with a pixel opening, and then polyimide or the like. The organic bank layer 112b made of the above organic material is obtained by forming a pixel opening having a thickness of about 2 μm.

次に、陰極（対向電極）１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１
１１と対になって機能層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、上記金属有
機化合物１５０のリチウム（Ｌｉ）イオンを還元できるものとして、本例ではカルシウム
層１２ａとアルミニウム層１２ｂとが積層されて構成されている。アルミニウム層１２ｂ
は、有機ＥＬ層１１０ｂから発せられた光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、
Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等を採用することもできる。また、その厚さは、例えば１０
０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲とすることができる。 Next, the cathode (counter electrode) 12 is formed on the entire surface of the light emitting element portion 11, and the pixel electrode 1
11 plays a role of flowing a current through the functional layer 110. In the present example, the cathode 12 is configured by laminating a calcium layer 12a and an aluminum layer 12b as being capable of reducing lithium (Li) ions of the metal organic compound 150. Aluminum layer 12b
Is to reflect the light emitted from the organic EL layer 110b to the substrate 2 side, in addition to the Al film,
An Ag film, a laminated film of Al and Ag, or the like can also be employed. The thickness is, for example, 10
It can be in the range of 0 nm to 1000 nm.

このように構成された有機ＥＬ装置１においては、半透過反射層１２６は陰極１２との
間で光共振器を構成することとなり、つまり有機ＥＬ層１１０から陰極１２側に発せられ
た光は、該陰極１２に反射され、その結果、陰極１２と半透過反射層１２６との間で共振
される。そして、共振の結果、半透過反射層１２６を透過可能な波長となったときに、反
射光はこれを透過することとなる。
一方、有機ＥＬ層１１０から半透過反射層１２６側に発せられた光は、その一部が該半
透過反射層１２６を透過し、他部が半透過反射層１２６にて反射され、その結果、陰極１
２と半透過反射層１２６との間で共振される。そして、共振の結果、該半透過反射層１２
６を透過可能な波長となったときに、反射光はこれを透過することとなる。 In the organic EL device 1 configured as described above, the transflective layer 126 forms an optical resonator with the cathode 12, that is, the light emitted from the organic EL layer 110 to the cathode 12 side is Reflected by the cathode 12, and as a result, resonated between the cathode 12 and the transflective layer 126. As a result of the resonance, the reflected light is transmitted through the semi-transmissive reflective layer 126 when the wavelength is transmitted.
On the other hand, part of the light emitted from the organic EL layer 110 to the transflective layer 126 side is transmitted through the transflective layer 126 and the other part is reflected by the transflective layer 126. As a result, Cathode 1
2 and the transflective layer 126 are resonated. As a result of resonance, the transflective layer 12
When the wavelength reaches 6, the reflected light passes through it.

以上のように半透過反射層１２６を透過した光は、当該有機ＥＬ装置１から出射されて
表示等に供されることとなるが、本実施形態では、反射光が共振の後に半透過反射層１２
６を透過するものとされているため、当該有機ＥＬ装置１を出射する光の色純度が向上し
、これを表示装置として用いた場合に、高輝度、高コントラストの表示を得ることが可能
とされている。本実施形態では、青色で色度（ｘ，ｙ＝０．１４，０．１６）、緑色で色
度（ｘ，ｙ＝０．４０，０．５９）、赤色で色度（ｘ，ｙ＝０．６６，０．３３）を得る
ことができた。なお、光共振器構造（つまり半透過反射層１２６）を備えない有機ＥＬ装
置では、青色で色度（ｘ，ｙ＝０．１５，０．２）、緑色で色度（ｘ，ｙ＝０．４２，０
．５５）であった。 As described above, the light transmitted through the transflective layer 126 is emitted from the organic EL device 1 and used for display or the like. In the present embodiment, the reflected light is transmitted after the transflective layer after the resonance. 12
6, the color purity of the light emitted from the organic EL device 1 is improved, and when this is used as a display device, it is possible to obtain a display with high brightness and high contrast. Has been. In the present embodiment, blue chromaticity (x, y = 0.14, 0.16), green chromaticity (x, y = 0.40, 0.59), and red chromaticity (x, y = 0.66, 0.33) could be obtained. In an organic EL device that does not include an optical resonator structure (that is, the transflective layer 126), blue chromaticity (x, y = 0.15, 0.2) and green chromaticity (x, y = 0). .42,0
. 55).

さらに、本実施形態では、有機ＥＬ層１１０として高分子材料を用いて構成しているが
、青色と緑色は、赤色に比して色純度が相対的に低く、特に青色の色純度が低いものとな
る。そこで、本実施形態のように、相対的に色純度の低い緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の画
素に対して半透過反射層１２６の反射率を大きくし、相対的に色純度の高い赤色（Ｒ）の
画素に対して半透過反射層１２６の反射率（面内占有面積）を小さくすることで、各色の
画素毎に色純度をバランス良く高めることが可能となる。 Further, in the present embodiment, the organic EL layer 110 is made of a polymer material, but blue and green have relatively low color purity compared to red, and in particular, have low blue color purity. It becomes. Therefore, as in the present embodiment, the reflectance of the transflective layer 126 is increased for the green (G) and blue (B) pixels with relatively low color purity, and red with relatively high color purity. By reducing the reflectance (in-plane occupation area) of the transflective layer 126 with respect to the pixel (R), it is possible to improve the color purity in a balanced manner for each color pixel.

また、一般的に光共振構造を採用すると、色純度が向上するものの発光効率が低減する
傾向にある。ところが、本実施形態では、半透過反射層１２６の反射率（面内占有面積）
を異なる色の画素毎に相違するように構成しているため、該半透過反射層１２６の導入に
よって生じ得る発光効率の低減を最小限に抑えることが可能となる。具体的には、本実施
形態の有機ＥＬ装置１では、全画素駆動による白表示の際に輝度２５０Ｃｄ／ｍ²、発光
時で光量３ｌｍ／Ｗを得ることができ、一方、光共振器構造（つまり半透過反射層１２６
）を備えない有機ＥＬ装置では、同２５０Ｃｄ／ｍ²、３．５１ｌｍ／Ｗで、発光効率の
大きな低減は生じなかった。 In general, when an optical resonance structure is employed, although the color purity is improved, the light emission efficiency tends to be reduced. However, in this embodiment, the reflectance (in-plane occupation area) of the transflective layer 126
Therefore, it is possible to minimize the reduction in light emission efficiency that can be caused by the introduction of the transflective layer 126. Specifically, in the organic EL device 1 of the present embodiment, it is possible to obtain a luminance of 250 Cd / m ² during white display by all pixel driving and a light amount of 3 lm / W during light emission, while an optical resonator structure ( That is, the transflective layer 126
In the organic EL device that does not include (), the emission efficiency was not significantly reduced at 250 Cd / m ² and 3.51 lm / W.

なお、本実施形態では、赤色（Ｒ）の画素に対して相対的に反射率（面内占有面積）の
小さい半透過反射層１２６を形成したが、赤色（Ｒ）の画素に対して該半透過反射層１２
６を形成しないものとしても良い。つまり、緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）の画素にのみ選択的
に半透過反射層１２６を形成するものとしても良い。 In the present embodiment, the transflective layer 126 having a relatively low reflectance (occupied area in the plane) is formed with respect to the red (R) pixel. Transflective layer 12
6 may not be formed. That is, the semi-transmissive reflective layer 126 may be selectively formed only on green (G) and blue (B) pixels.

さらに、画素毎に半透過反射層１２６の反射率を異ならせるために、該半透過反射層１
２６の厚さを画素毎に異なる構成としても良い。具体的には、半透過反射層１２６の層厚
関係が、（赤色の画素の層厚）＜（緑色の画素の層厚）＜（青色の画素の層厚）となるよ
うに構成することが好ましい。 Further, in order to make the reflectance of the transflective layer 126 different for each pixel, the transflective layer 1
The thickness of 26 may be different for each pixel. Specifically, the layer thickness relationship of the transflective layer 126 may be configured so that (layer thickness of red pixel) <(layer thickness of green pixel) <(layer thickness of blue pixel). preferable.

以下、第１実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
まず、基板２上に厚さ３００ｎｍ程度の遮光層ＢＭを公知のフォトリソグラフィ技術に
より形成した後、下地保護膜２ｃ及びＴＦＴ１２３を形成するとともに、層間絶縁膜１４
４ａ，１４４ｂを形成してＥＬ装置の基体を作成する。
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上に、半透過反射層１２６としてＡｌを厚さ１０ｎｍ
程度に形成し、これを各画素における面内占有面積を上述した範囲に設計すべくパターニ
ングを行う。 Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL device 1 of the first embodiment will be described.
First, a light shielding layer BM having a thickness of about 300 nm is formed on the substrate 2 by a known photolithography technique, and then a base protective film 2c and a TFT 123 are formed, and the interlayer insulating film 14
4a and 144b are formed to form a base of the EL device.
Then, Al is formed to a thickness of 10 nm as the transflective layer 126 on the second interlayer insulating film 144b.
Then, patterning is performed to design the in-plane occupation area of each pixel in the above-described range.

続いて、全画素に透明陽極としてのＩＴＯを厚さ７０ｎｍ程度にパターン形成し、さら
に画素開口膜たる無機物バンク層１１２ａとしてＳｉＯ₂を厚さ５０ｎｍ程度に、さらに
有機物バンク層１１２ｂとしてポリイミドを厚さ２μｍ程度にパターン形成する。
そして、形成したバンク内にインクジェット法にて正孔注入／輸送層を形成する材料と
してＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ材料を含む液状組成物を塗布し、各色の画素共通に厚さ５０ｎｍ
とした。
さらに高分子型発光材料を各色の画素にインクジェット法にて形成する。このときの膜
厚は、赤色の画素で８０ｎｍ、緑色の画素で８０ｎｍ、青色の画素で７０ｎｍとした。続
いて、陰極１２を形成するとともに封止工程を行って、第１実施形態の有機ＥＬ装置１を
得るものとしている。 Subsequently, ITO as a transparent anode is patterned to a thickness of about 70 nm on all the pixels, and SiO _{2 is formed} to a thickness of about 50 nm as the inorganic bank layer 112a serving as the pixel opening film, and polyimide is formed as the organic bank layer 112b. A pattern is formed to about 2 μm.
Then, a liquid composition containing a PEDOT / PSS material is applied as a material for forming a hole injection / transport layer by an inkjet method in the formed bank, and a thickness of 50 nm is common to pixels of each color.
It was.
Further, a polymer light emitting material is formed on each color pixel by an ink jet method. The film thicknesses at this time were 80 nm for red pixels, 80 nm for green pixels, and 70 nm for blue pixels. Subsequently, the cathode 12 is formed and a sealing process is performed to obtain the organic EL device 1 of the first embodiment.

（第２実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の第２実施形態について図４を用いて説明する。本第２実施形態の
有機ＥＬ装置１００においては、第１実施形態の構成に加えて、緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）
の画素において半透過反射層１２６の光出射側に赤色を吸収する機能を備えた赤色吸収フ
ィルター１２５が形成されている。なお、該赤色吸収フィルター１２５が形成されている
点以外は、第１実施形態と同様のため、説明を省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the organic EL device will be described with reference to FIG. In the organic EL device 100 of the second embodiment, in addition to the configuration of the first embodiment, green (G) and blue (B)
A red absorption filter 125 having a function of absorbing red is formed on the light emitting side of the transflective layer 126 in the pixel. In addition, since it is the same as that of 1st Embodiment except the point which this red absorption filter 125 is formed, description is abbreviate | omitted.

このような赤色吸収フィルター１２５を導入することで、色純度の向上とともに外光反
射を低減でき、その結果、当該有機ＥＬ装置１００を一層視認性に優れた表示装置として
構成することが可能となる。なお、このような外光反射を防止するためには、基板２の光
出射側に公知の円偏光板を配設するものとしても良い。また、本第２実施形態では、半透
過反射層１２６の各画素内での面内占有面積比を、（赤色の画素における占有面積）：（
緑色の画素における占有面積）：（青色の画素における占有面積）＝１０：４０：５０と
している。これにより、本実施形態での半透過反射層１２６の反射率比が、（赤色の画素
の半透過反射層の反射率）：（緑色の画素の半透過層の反射率）：（青色の画素の半透過
層の反射率）＝１０：４０：５０とされている。 By introducing such a red absorption filter 125, it is possible to improve color purity and reduce external light reflection, and as a result, it is possible to configure the organic EL device 100 as a display device with further excellent visibility. . In order to prevent such external light reflection, a known circularly polarizing plate may be provided on the light emitting side of the substrate 2. In the second embodiment, the in-plane occupation area ratio in each pixel of the transflective layer 126 is (occupied area in red pixels): (
Occupied area in green pixels): (occupied area in blue pixels) = 10: 40: 50. Thereby, the reflectance ratio of the transflective layer 126 in this embodiment is (reflectance of the transflective layer of the red pixel): (reflectance of the transflective layer of the green pixel): (blue pixel) Of the semi-transmissive layer) = 10: 40: 50.

ここで、赤色吸収フィルター１２５は、例えばＳｎフタロシアニン化合物等からなる樹
脂層にて構成することができる。また、赤色吸収フィルター１２５を緑色（Ｇ）と青色（
Ｂ）の画素に対して選択的に配設する方法としては、例えばインクジェット法或いはフォ
トリソグラフィ法等を採用することができる。具体的には、インクジェット法によるとき
は、まず第２層間絶縁膜１４４ｂ上全面にＣＦ₄プラズマを掛け、緑色（Ｇ）と青色（Ｂ
）の画素上に紫外線を照射して表面改質しておけば、該フィルター１２５を均一に成膜で
きることとなる。 Here, the red absorption filter 125 can be formed of a resin layer made of, for example, a Sn phthalocyanine compound. Also, the red absorption filter 125 is made green (G) and blue (
As a method for selectively disposing the pixels in B), for example, an inkjet method or a photolithography method can be employed. Specifically, when the ink jet method is used, first, CF ₄ plasma is applied over the entire surface of the second interlayer insulating film 144b, and green (G) and blue (B
If the surface of the pixel is modified by irradiating it with ultraviolet rays, the filter 125 can be uniformly formed.

（第３実施形態）
図５は、本発明の電子機器の実施の形態例を示している。
本例の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置を表示手段として備えている。図５は、携帯
電話の一例を示した斜視図で、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は前記
の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。このように本発明の電気光学装置に係る有
機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器は、良好な発光特性を得ることができるとと
もに、電子機器の低価格化を図ることができる。 (Third embodiment)
FIG. 5 shows an embodiment of the electronic apparatus of the present invention.
The electronic apparatus of this example includes the above-described organic EL device as display means. FIG. 5 is a perspective view showing an example of a mobile phone. Reference numeral 1000 indicates a mobile phone body, and reference numeral 1001 indicates a display unit using the organic EL device. As described above, an electronic apparatus including the organic EL device according to the electro-optical device of the present invention as a display unit can obtain good light emission characteristics and can reduce the price of the electronic apparatus.

第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す説明図。Explanatory drawing which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment typically. アクティブマトリクス型有機ＥＬ装置の回路構成を示す回路図。The circuit diagram which shows the circuit structure of an active matrix type organic electroluminescent apparatus. 第１実施形態の有機ＥＬ装置について表示領域の断面構造を示す拡大図。The enlarged view which shows the cross-section of a display area | region about the organic electroluminescent apparatus of 1st Embodiment. 第２実施形態の有機ＥＬ装置について表示領域の断面構造を示す拡大図。The enlarged view which shows the cross-section of a display area | region about the organic electroluminescent apparatus of 2nd Embodiment. 本発明の電子機器の実施形態を示す斜視図。FIG. 14 is a perspective view showing an embodiment of an electronic apparatus according to the invention.

符号の説明Explanation of symbols

１，１００…有機ＥＬ装置、１２…陰極（光反射性電極）、１１０ｂ…有機ＥＬ層（発
光層）、１１１…画素電極（陽極、光透過性電極）、１２６…半透過反射層。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,100 ... Organic EL apparatus, 12 ... Cathode (light reflective electrode), 110b ... Organic EL layer (light emitting layer), 111 ... Pixel electrode (anode, light transmissive electrode), 126 ... Semi-transmissive reflective layer.

Claims

光反射性を有する第１の電極と、光透過性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた発光層と、を有する画素が複数設けられた有機ＥＬ装置であって、
前記複数の画素は、第１の画素と、第２の画素と、を有し、
前記第１の画素から発せられる光と、前記第２の画素から発せられる光は、互いに異なる色であり、
前記第１の画素には、前記第２の電極と接するように半透過反射層が設けられており、
前記半透過反射層は、前記発光層から発せられた光の一部を透過しかつ一部を反射し、前記第１の電極との間で光共振器を構成しており、
前記半透過反射層は、前記第１画素における前記第２の電極よりも小さい面積で設けられており、
前記第２画素には、前記半透過反射層が設けられていないことを特徴とする有機ＥＬ装置。 A plurality of pixels each including a first electrode having light reflectivity, a second electrode having light transmittance, and a light emitting layer provided between the first electrode and the second electrode are provided. An organic EL device,
The plurality of pixels include a first pixel and a second pixel,
The light emitted from the first pixel and the light emitted from the second pixel are different from each other,
The first pixel is provided with a transflective layer so as to be in contact with the second electrode,
The transflective layer transmits a part of the light emitted from the light emitting layer and reflects a part thereof, and constitutes an optical resonator with the first electrode,
The transflective layer is provided in a smaller area than the second electrode in the first pixel ,
The organic EL device, wherein the second pixel is not provided with the transflective layer .

前記第２の画素から発せられる光の色純度は、前記第１の画素から発せられる色純度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。 The color purity of the light emitted from the second pixel, the organic EL device according to claim 1, wherein the higher than the color purity emitted from the first pixel.

前記第２の画素から発せられる光は赤色であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。 The organic EL device according to claim 1 or 2, characterized in that light emitted from the second pixel is red.

前記発光層は、高分子有機ＥＬ材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。 The organic light emitting device according to any one of claims 1 to 3 , wherein the light emitting layer is formed of a polymer organic EL material.

請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus, comprising an organic EL device according to any one of claims 1 to 4.