JP5024141B2 - パターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体 - Google Patents

パターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP5024141B2
JP5024141B2 JP2008072869A JP2008072869A JP5024141B2 JP 5024141 B2 JP5024141 B2 JP 5024141B2 JP 2008072869 A JP2008072869 A JP 2008072869A JP 2008072869 A JP2008072869 A JP 2008072869A JP 5024141 B2 JP5024141 B2 JP 5024141B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cell
pattern data
pattern
cell group
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008072869A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009229623A (ja
Inventor
宗人 齋藤
浩一 鈴木
光雄 櫻井
典正 永瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Semiconductor Ltd
Original Assignee
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority to JP2008072869A priority Critical patent/JP5024141B2/ja
Priority to US12/405,265 priority patent/US8739075B2/en
Publication of JP2009229623A publication Critical patent/JP2009229623A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5024141B2 publication Critical patent/JP5024141B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

LSI(Large Scale integration)回路装置の製造に用いるフォトマスクに対するパターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体に関する。
LSI回路装置の製造において、高集積化のため、回路を構成する素子パターンの微細化が望まれている。そして、予め決められた素子特性を得るために、微細なパターンを形成するにあたっては、設計通りに高精度に、素子パターンを、半導体基板上に形成する必要がある。しかし、LSI回路装置の製造に用いるフォトマスクパターンが、光学的近接効果を考慮して形成されていなければ、半導体基板に転写するにあたって、設計通りの素子パターンを半導体基板上に形成することができない。
そこで、光学的近接効果を考慮したフォトマスクパターンを形成するため、素子パターンを形成するための設計データに対して、回転情報、軸反転情報、倍率情報を考慮するだけでなく、いわゆる、OPC(Optical Proximity Correction)を考慮した補正(OPC処理)をおこなって、フォトマスクパターンの作成に用いるデータを形成している。
上記のOPC処理は、すべての素子パターンを形成するための設計データに対して、素子パターンの間隔、幅、光学的条件に基づいて、行われる。そのため、素子パターンを形成するためのパターンデータ数が多い場合、OPC処理には長期間を要する。
そこで、まず、第1の領域に対するOPC処理を決定する。次いで、第1の領域に対するOPC処理を、第1の領域に含まれるパターンと同一パターンを有する第2の領域に対して再利用する。その結果、OPC処理に要する期間を短縮する提案がなされている(例えば、特許文献1。)。
また、まず、複数の素子パターンから構成され、繰り返し用いられる第1セルについて、予めOPC処理を行って得られた第2セルを登録する。そして、第2セルを第1セルと置き換えを行うことによって、設計データ全体のOPC処理を行う。その結果、OPC処理に要する期間を短縮する提案がなされている(例えば、特許文献2又は特許文献3。)。
特許第3343246号 特開2007−86587号公報 特開2005−84101号公報
上記より、OPC処理を行う一定の領域又はセルの選択を効率よく特定し、その領域又はセルに対して、OPC処理の目的において等価であるとみなされる領域又はセルを、より多く、かつ、効率的に特定できれば、よりOPC処理に要する期間を短縮できることは明らかである。
そこで、本発明の目的は、OPC処理を行う一定の領域又はセルを効率よく選択し、その領域又はセルに対して、OPC処理の目的において等価であるとみなされる領域又はセルを、漏れなく、かつ、効率的に特定するフォトマスクパターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するためのプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体を提供することにある。
上記の課題を解決するため、本発明の第1側面によれば、パターン形成に用いるパターンデータを含む第1セルを有し、前記第1セルが階層を構成している入力データから、LSI製造に用いるフォトマスクに対するパターンデータの作成方法であって、すべての階層について順次、注目する階層に属する前記第1セルの内、前記注目する階層より上位階層に属する前記第1セルのいずれかと同一となる前記第1セル、及び、一つ上の上位階層に2以上存在する前記第1セルに配置され、かつ、前記注目する階層に属する前記第1セルを選択して第1セル群に追加していく、第1セル群構成工程と、すべての階層について順次、前記第1セル群構成工程において、選択されなかった前記第1セルを第2セル群に追加していく第2セル群構成工程と、前記第2セル群に属する前記第1セルから前記第1セル群に属する前記第1セルと同一の前記第1セルを除いて、第3セル群を構成する第3セル群構成工程と、第3セル群に属する前記第1セルを構成するパターンデータに、光学的近接効果を補正するように変換したパターンデータを作成し、変換後のパターンデータを含む第2セルより第4セル群を構成する第4セル群構成工程と、を有することを特徴とするフォトマスクパターンデータの作成方法を提供される。
本発明によれば、効率よくOPC処理を行う第3セル群に属するセルを選択することができる。また、第3セル群に属するセルと同一のセルを特定することを、セルが含む情報を使用して、漏れなく、かつ、効率よく行うことができる。すなわち、OPC処理の目的において等価であるとみなされるセルを、漏れなく、かつ、効率よく特定することができる。
以下、本発明の実施例1、実施例2、及び、実施例3について説明する。しかし、本発明は、上記の実施例に限定されるものではない。
図1に、一般的なフォトマスク製造工程に関するフローチャートを示す。図1のフローチャートによれば、フォトマスクの製造は、パターンデータ補正12の工程及びフラクチャリング13の工程を経て描画用データ14を作成し、次いで、フォトマスク露光15の工程及びフォトマスク形成16の工程を経ることにより行われる。
パターンデータ補正12の工程は、条件ファイル11を取り込んで、入力データ10に対して、光学的近接効果によるパターン変形を抑制するOPC処理を行ったパターンデータを作成する工程である。ここで、入力データ10は、半導体素子を構成する実パターンを表すパターンデータであり、OPC処理を行う前のパターンデータである。また、条件ファイル11は、実パターンの形状、配置とパターン補正量が記述されているファイルである。なお、パターンデータ補正12の工程について、図2を用いて、さらに詳細に説明する。
フラクチャリング13の工程は、OPC処理を行ったパターンデータを、描画用データ14に変換する工程である。ここで、描画用データ14とは、露光装置が、石英ガラス上に堆積した金属層(例えば、クロム層)上のレジスト層に対して、電子ビームを照射して、レジストパターンを描画することに用いるデータである。
フォトマスク露光15の工程は、描画用データ14を用いて、露光装置がレジスト層に対して、電子ビームを照射して、レジストパターンを描画する工程である。
ここで、フォトマスクとは、石英ガラスと、その石英ガラス上の金属パターンを含むものである。そして、フォトマスクに光を照射することにより、その金属パターンは、半導体基板上のレジスト層に転写されると、半導体装置に含まれる素子を構成するパターンとなる。なお、フォトマスクは、その使用方法及び金属パターンの繰り返し単位の構成により、いわゆる、マスク、レチクルと呼ばれる。
フォトマスク形成16の工程は、以下のことを行う工程である。まず、石英ガラス上に堆積した金属層(例えば、クロム層)上のレジストパターンが形成された後、レジストパターンをマスクに、金属層をエッチングする。次いで、レジストパターンをアッシング(灰化)及び石英ガラスを洗浄することにより、レジストパターンを剥離する。その結果、石英ガラス上に金属パターンが形成される。
図2により、パターンデータ補正12の工程に関するフローチャートを示す。なお、実施例1のパターンデータ作成方法は、パターンデータ補正12の工程から構成される。
実施例1のパターンデータ作成方法によれば、以下のデータベースが形成される。まず、入力データ10対して、TEXT変換20の工程を行って得た、データAから構成されるデータベースA21が形成される。データAを使用して階層構造作成22の工程を行って得たデータBから構成されるデータベースB23が形成される。TEXT変換20の工程及び階層構造作成22の工程で行われるデータ作成の詳細について、図5を用いて詳細に説明する。ここで、セルが複数のパターンデータを組み合わせて構成されているものであるとした場合に、そのセルの配置情報データを有するセルを、そのセルの上位セルという。そこで、上記のセルだけでパターンデータ全体が構成されているだけでなく、セル及び上位セルによってパターンデータ全体が構成されている場合に、パターンデータ全体は階層構造を有するという。
次いで、データベースB23及びデータベースA21を使用して同一セルの抽出24の工程及び同一セルの登録25の工程を行って得たデータCから構成されるデータベースC26が形成される。なお、上記のデータC作成について、図6を用いて詳細に説明する。
次いで、データベースC26を使用して、注目する階層に属するセルが、その上位階層に属するセルのいずれかと同一となるセル、又は、一つ上の上位階層に2以上存在する上位セルが配置情報データを有するセルであるか否かの判断27を行う。判断27を行った結果、否定されたセルはデータベースD28に登録され、データベースD28が形成される。一方、判断27を行った結果、肯定されたセルはデータベースE29に登録され、データベースE29が形成される。
次いで、判断27をすべての階層に属するセルについて行ったか否かの判断30を行う。判断30を行った結果、否定された場合は、判断27をさらに行う。また、肯定された場合は、セルの振り分け31は終了する。
次いで、データベースE29中のセルと同一なデータベースD28中のセルが存在するかの判断32を行う。判断32の結果、肯定されたセル、及び、データベースE29に属するセルはデータベースG33に登録される。一方、データベースD28に属するセルであって、判断32により否定されたセルはデータベースF34に登録される。その結果、データベースF34及びG33が形成される。なお、データベースD28、E29、F34、G33にセルを登録することの詳細は、図7を用いて説明する。
次いで、条件ファイル11を入力して、セル内のパターンデータ補正35を行う。すなわち、いわゆる、OPC処理を行う。その結果、OPC処理を行ったセルによって、データベースH36を構成する。
次いで、OPC処理を行ったセルについて、OPC禁止枠作成37を行う。ここで、OPC処理を行ったセルを構成するパターンデータのうち、OPC処理を行ったセルに隣接して配置されるセルに影響されずに、常に同一な補正を受けるパターンデータを抜き出したとする。また、セルを構成するパターンデータにより表されるものを実パターンという。さらに、実パターンが組合わさってできるものを実セルレイアウトという。そこで、実セルレイアウトにおいて、常に同一な補正を受けるパターンデータに対応する実パターンが占める領域の外周を、OPC禁止枠という。
そして、常に同一な補正を受けるパターンデータから構成されるセルを定義する。すなわち、OPC禁止枠内のパターンを表すパターンデータから構成されるセルを定義する。そして、OPC禁止枠内のパターンを表すパターンデータから構成されるセルを、データベースI38に登録し、データベースI38を構成する。
次いで、OPC処理を行ったセルを、OPC禁止枠内のパターンを表すパターンデータから構成されるセルと、OPC禁止枠外のパターンデータとで構成する。そして、OPC処理を行う前のセルのOPC禁止枠内の領域について、OPC処理を行った後のOPC禁止枠内のパターンを表すパターンデータから構成されるセルに置き換え、置き換えセルを形成する。すなわち、セルの置き換え39を行い、置き換えセルをデータベースJ40に登録した結果、データベースJ40を構成する。そして、最上位のセル以外のセルについて、上記の処理を行ったか否かの判断41を行う。その結果、最上位のセルを除いて、セルの置き換え39を行ったと判断された場合、次の工程に進む。
パターンデータ補正42の工程では、次の処理を行う。まず、データベースJを構成するパターンデータであって、OPC禁止枠外のパターンデータを、最上位のセルに関連づける。
次いで、条件ファイル11の入力を受けて、最上位のセルに属し、OPC禁止枠外のパターンデータ(OPC処理を行っていないパターンデータ)についてのパターンデータ補正42、いわゆる、OPC処理を行う。その結果、データベースK43が構成される。
そこで、図1を用いて説明したフラクチャリング13を、データベースK43に属するパターンデータについて行って、描画用データ14を形成する。
図3により、図1に示したパターンデータ補正12の工程(詳細が図2に示されたもの)に変形を加えた工程についてのフローチャートを示す。図2に示したパターンデータ補正12の工程(詳細が図2に示されたもの)においては、入力データ10から描画用データ14を作成する過程で、パターンデータを登録する複数のデータベースを採用していた。しかし、パターンデータに処理を加える毎に、データベースを作成する工程が必要となる。そこで、図3に示すパターンデータ補正12の工程の変形例においては、上記のデータベースをまとめたデータベースを作成し、データベース内で、異なる形式のパターンデータを区分毎に分けて、パターンデータを管理することとしている。
図3に示すフローチャートを構成する工程は、フラクチャリング13、描画用データ14、TEXT変換20の工程、階層構造作成22の工程、同一セルの抽出24の工程、同一セルの登録25の工程、判断27、判断30、セルの振り分け31、判断32、セル内のパターンデータ補正35、OPC禁止枠作成37、セルの置き換え39、判断41、及び、パターンデータ補正42である。また、図3に示す工程を行うにあたり、入力データ10、及び、条件ファイル11を必要である。そして、図3に示す工程で処理されたパターンデータはデータベースZ44に登録される。
なお、図2に示した工程、入力データ10、及び、条件ファイル11と、同一の工程、入力データ10、条件ファイル11には、同一な番号を付している。従って、図2に示したものと同一な、図3に示す工程、入力データ10、条件ファイル11に関しては説明を省略する。
データベースZ44は、図2に示した、データベースA、C、D、E、G、H、I、J、及び、Kに関するパターンデータ又はセルが登録可能なデータベースである。なお、データベースB、Fを記載していないのは、データベースB、Fに登録すべきデータをそのまま使用しているからである。
そして、入力データ10について、TEXT変換20の工程を行うことにより得られたデータを、TEXT変換20の工程を行った後に、データベースZ44へ書き込む。また、階層構造作成22の工程を行うことにより得られたデータと、データベースAに登録すべきデータとを使用して、同一セルの抽出24の工程を行う。また、同一セルの登録25の後にデータベースCに登録すべきデータを、データベースZ44に書き込む。そして、データベースZ44からデータベースCに登録すべきデータを読み出して、判断27を行う。判断27において、同一セルが存在するセルのデータは、データベースDに登録すべきデータとして、データベースZ44に登録する。一方、同一セルが存在しないセルのデータは、データベースEに登録すべきデータとして、データベースZ44に登録する。その後、判断30において、データベースZ44からデータベースDに登録すべきデータを読み出して、判断30の工程を行う。
その結果、データベースGに登録すべきデータをデータベースZ44に登録する。なお、データベースFに登録すべきデータはそのまま使用する。その後、セル内のパターンデータ補正35、OPC禁止枠作成37、セルの置き換え39を順次行った後に、順次、データベースH、I、Jに登録すべきデータをデータベースZ44に登録し、又は、読み出しを行う。さらに、パターンデータ補正42を行った後に、データベースK43に登録すべきデータをデータベースZ44に登録する。
図4を用いて、入力データ10が表す、セル及びセルの配置イメージ50を説明する。セル及びセルの配置イメージ50において、TOPセル51、セルA52、セルB53、セルD54、セルC55、及び、セルE56が示されている。TOPセル51には、セルA52、2つのセルC55、及び、セルE56が配置されている。すなわち、TOPセル51は、セルA52、セルC55、及び、セルE56の配置情報を持ち、それらのセルの上位セルである。セルA52には、2つのセルB53が配置されている。すなわち、セルA52は、2つのセルB53の配置情報を持ち、セルB53の上位セルである。
セルC55には、セルD54が配置されている。すなわち、セルC55は4つのセルD54の配置情報を持ち、セルD54の上位セルである。
セルE56には、セルD54が配置されている。すなわち、セルE56は2つのセルD54の配置情報を持ち、セルD54の上位セルである。
図5を用いて、入力データ10に対するTEXT変換20を行う工程、及び、階層構造作成22を行う工程を説明する。入力データ10はバイナリーデータから構成されている。そのため、入力データ10を用いて、階層構造作成22に関する情報を検索するのには、時間がかかる。複数のバイナリーデータから上記の情報が成立しているため、バイナリーデータ間の関係を特定してから、情報の検索を行うからである。
そのため、TEXT変換20を行い、入力データ10からTEXTデータを作成する。ここで、TEXT変換20の工程とは、相互に関連する複数のバイナリーデータから、16進デジットからなり、文字を表すTEXTデータを作成する変換である。また、TEXT変換20の工程を行うと、各TEXTデータが文字に関連しているため、TEXTデータを用いて行う情報検索は、短時間で行うことができる。そして、データベースA21にTEXTデータを登録する。なお、子セルを表すTEXTデータは、セル名、親セルにおける配置座標、回転情報、XY軸反転情報、倍率情報、及び、子セルに含まれる図形の頂点座標を含んでいる。例えば、図5に示すTEXTデータによれば、親セルはTOPセル51である。そして、子セルは、セルA52、2つのセルC55、セルE56である。2つのセルC55の内、上段のセルC55のセル名はCELL−Cである。上段のセルC55の回転情報は0.00である。上段のセルC55のXY軸反転情報は、軸反転、X=OFF、Y=ONである。上段のセルCの倍率情報は、倍率=1である。上段のセルCの配置座標は、座標=1、(−2500、−1000)である。上段のセルCの含まれる図形の頂点座標は、座標=4、(−5000、−4500)(−4500、−4500)(−5000、−5000)(−4500、−5000)、座標=4、(5000、4500)(4500、4500)(5000、5000)(4500、5000)である。他のセルC55、セルA52、及び、セルE56に関するTEXTデータも同様な情報を有する。ただし、セルA52及びセルE56には図形が含まれていないため、図形の頂点座標が含まれていない。
次いで、階層構造作成22を行う工程とは、TEXTデータを用いて行う情報検索によって、親セルとその親セルに配置されている子セルを認識し、そして、その親セル及び子セルが階層構造を構成しているとするデータを作成する工程である。その後、データベースB23に、注目する階層に属する子セル毎に、親セル及び子セルが階層構造を構成しているとするデータを登録する。ここで、親セル及び子セルが階層構造を構成しているとするデータは、その子セルのセル名、その子セルに関連するすべての上位セル名、その子セルの1階層上位の上位セル(親セル)における配置座標、回転情報、XY軸反転情報、倍率情報、及び、子セルに含まれる図形の頂点座標を含む。そして、配置座標、回転情報、XY軸反転情報、倍率情報、及び、子セルに含まれる図形の頂点座標は、子セルを表すTEXTデータにおいて対応するものと同様なものである。なお、図5に示すデータベースB23には、「その子セルに関連するすべての上位セル名」が表す情報に従って、階層構造を表した樹形図が記載されているが、実際の親セル及び子セルが階層構造を構成しているとするデータとは異なる。そして、上記の樹形図によれば、TOPセル51の下位階層にセルA52、セルE56、2つのセルC55がある。また、セルA52の下位階層に2つのセルB53がある。上記のセルB53の下位階層に2つのセルD54がある。セルC55の下位階層に4つのセルD54がある。セルE56の下位階層に2つのセルD54がある。
図6を用いて、同一セルの抽出24を行う工程、及び、同一セルの登録25を行う工程を説明する。
同一セルの抽出24を行う工程とは、データベースA21に登録したTEXTデータを使用して、注目する同一階層において、2以上のセル名が存在するセルを同一セルとして特定する工程、及び、一つ上の上位階層に2以上存在するセルに配置されている、注目する階層に属するセルを選択する工程である。そして、セルの配置座標、回転情報、XY軸反転情報、倍率情報、及び、同一セルに含まれる図形の頂点座標を用いて、同一セルか否かの判断をする。しかし、回転情報、及び、XY軸反転情報について、異なるセルであっても同一セルであると判断する。
次いで、同一セルの登録25とは、同一セルに関する登録データ60を作成し、データベースB23に登録して、データベースC26を形成する工程である。ここで、登録データ60は、同一セル名、同一セルが配置されている上位セル名、同一セルが含む下位セル名、1階層上位の上位セル(親セル)における同一セルの配置座標、同一セルの回転情報、同一セルのXY軸反転情報、及び、同一セルの倍率情報を含む。なお、配置座標、回転情報、XY軸反転情報、倍率情報、及び、同一セルに含まれる図形の頂点座標は、同一セルを表すTEXTデータにおいて対応するものと同様なものである。以上より、データベースC26は、登録データ60及び親セル及び子セルが階層構造を構成しているとするデータを含むものである。なお、図6に示すデータベースB23には、実際の親セル及び子セルが階層構造を構成しているとするデータ、特に「その子セルに関連するすべての上位セル名」が表す情報に従って、階層構造を表した樹形図が記載されている。また、2つのセルC、2つのセルB、10個のセルD、4つのセルDを、それぞれ含んだハッチング領域は、同一セルの抽出24を行って、ハッチング領域内にあるセルを同一セルとして認識したところを概念的に表したものである。また、太い矢印は同一セルの認識を行っていく順番を概念的に表したものであり、同一セルの認識は、同一階層内で、すなわち、階層毎に行われることを示している。
図7を用いて、判断27を行う工程、判断30、及び、判断32を行う工程を説明する。上記の工程を行った結果、セルが振り分けられ、パターンデータの補正に用いるセルが特定される。
判断27を行う工程は、登録データ60及び親セル及び子セルが階層構造を構成しているとするデータを使用して、以下の判断を行う工程である。まず、親セル及び子セルが階層構造を構成しているとするデータ中の「その子セルに関連するすべての上位セル名」を使用して、注目する階層に属する子セルの内、注目する階層より上位階層に属する子セルのいずれかと同一となる子セルか否かを判断する。また、登録データ60中の「同一セル名」を使用して、一つ上の上位階層において2以上存在する子セルに、配置されている、注目する階層に属する子セルか否かを判断する。
次いで、上記の判断27を行うことによって、肯定的に判断された子セルはデータベースE29に登録し、否定に判断されて子セルはデータベースD28に登録する。
判断30を行う工程は、すべての階層において、判断27を行ったか否かを判断する工程である。判断27が行われていない階層がある場合は、判断27を行う工程に戻る。一方、すべての階層において、判断27を行っていた場合には、セルの振り分け31は終了する。
判断32を行う工程は、データベースE29に登録されたセルと、同一となるセルが、データベースD28に登録されているかを判断する。判断32において、肯定的であった場合には、データベースD28から、上記の同一となるセル抜き出して、データベースG33に登録する。また、データベースG33には、データベースE29に登録されていたセルも登録する。そして、データベースD28に残ったセルはデータベースF34に登録する。一方、否定的であった場合には、データベースD28に登録されたセルはデータベースF34に登録し、データベースE29に登録されたセルはデータベースG33に登録する。なお、データベースF34に登録されたセルはパターンデータの補正に用いられる。
以上のようなセルの振り分け31までの工程によれば、セルを構成するパターンデータではなく、TEXTデータを使用して、OPC処理の目的において等価であるとみなされる同一セルの抽出24、及び、同一セルの登録25を行うため、OPC処理を実際に行うセルと、そのセルのOPC処理の結果をそのまま利用することができる同一セルと、を短い時間で振り分けることができる。すなわち、パターンデータの補正に用いるセルを効率良く選択することができる。パターンデータの数より、TEXTデータの数のほうが少ないからである。
データベースF34に登録されるセルは、配置座標、回転情報、XY軸反転情報、倍率情報、及び、同一セルに含まれる図形の頂点座標を使用して、振り分けられる。しかし、回転情報、XY軸反転情報については、異なるものであっても、同一セルであると判断する。すなわち、同一性の判断において、完全同一でなくても、相似なセルは同一セルであると判断する。従って、OPC処理の結果をそのまま利用することができる同一セルの範囲が広くなるため、OPC処理を実際に行う時間が短縮される。
図8を用いて、セル内のパターンデータ補正35の工程、OPC禁止枠作成37の工程、セルの置き換え39の工程、及び、判断41を行う工程を説明する。そのため、図8は、データベースF34、セル内のパターン80、パターンデータ補正後における、セル内のパターン81、OPC禁止枠作成37後における、セル内のパターン82を示す。
セル内のパターンデータ補正35の工程は、データベースF34に登録されたセル内のパターンデータについて、条件ファイル11のデータを使用して、OPC処理を行う工程である。
ここで、OPC処理について、実際のフォトマスクが有するパターンについて説明すると以下のようになる。すなわち、フォトマスクが有するパターンを、半導体基板に転写する際に生じるパターンの変形を、セル内のパターンの間隔、幅、転写の際の光学的条件から予想し、当初のセル内のパターンを再現できるように、当初のセル内のパターンを変形する処理を、OPC処理という。
そうすると、セル内のパターンデータについて行う、OPC処理とは、セル内のパターンデータの間隔、幅、光学的条件に基づいて、半導体基板に転写する際に生じる変形を防止するように、セル内のパターンデータを変形する処理である。
なお、転写の際の光学的条件とは、例えば、フォトマスクを使用する転写工程で用いられる露光装置に関する光学的な条件であり、光の波長、レンズの開口数など、レンズの解像度に関係するものである。
そこで、セル内のパターンデータ補正35の工程は、パターンデータを扱うものであるが、その処理に応じた、実際のパターンによって、セル内のパターンデータ補正35の工程を以下に具体的に説明する。
データベースFに登録されたセル内のパターン80は、及び、データベースF34から特定され、セルB及びセルCを含む。セルBは3つの矩形パターンからなり、セルCは6つの矩形パターンから構成されている。
そこで、上記のセルB又はセルC内のパターンに対して、パターンの間隔、幅、を特定する。次いで、条件ファイル11を読み込み、上記の矩形パターンを再現するための変形パターンを特定する。そして、当初の矩形パターンを変形パターンに置き換え、セル内のパターン81に示すセルBB又はセルCCを得る。なお、変形パターンは矩形パターンに対し、端部を太らせたアレイパターンと、アレイパターン間に配置された、矩形状のアシストパターンからなる。矩形パターンの端部は転写の際、細くなるため、予め太らせる必要がある。また、矩形パターンの長辺部は太るため、矩形状のアシストパターンの挿入により、光の回折量を増加させて、矩形パターンを適正な幅とする必要があるからである。なお、アシストパターン自体は、解像度未満のパターンであるため、転写されることがないパターンである。
そして、セル内のパターン81に対応するパターンデータから構成されるセルBB、セルCCをデータベースH36に登録する。
OPC禁止枠作成37の工程おいて、次の処理を行う。最初に、図2において説明したOPC禁止枠をセルBB、セルCCについて設定する。なお、OPC禁止枠の設定について、図10を用い説明する。次いで、OPC禁止枠を表すパターンデータ及びOPC禁止枠内のパターンを表すパターンデータから、セル内のパターン82に示すセルBBB、セルCCCを構成する。そして、セルBBB、セルCCCをデータベースI38に登録する。
セルの置き換え39の工程において、図2において説明したように、セルB、又は、セルCに対応するパターンデータの内、OPC禁止枠内の領域についてセルBB又はセルCCに対応するパターンデータと置き換え、置き換えセルを形成する。そして、置き換えセルをデータベースJ40に登録する。
そして、TOPセル51以外のセルについて、上記の処理を行ったか否かの判断41を行う。その結果、TOPセル51を除いて、セルの置き換え39を行ったと判断された場合、次の工程に進む。なお、TOPセル51以外のセルについて、セルの置き換え39の工程を行った後の、TOPセル51のパターンについて、図9を用いて説明する。
パターンデータ補正42の工程では、以下の処理を行う。最初に、OPC禁止枠外のパターンを表すパターンデータを、TOPセル51に関連づける。次いで、条件ファイル11の入力を受けて、TOPセル51に属し、OPC禁止枠外のパターンデータ(OPC処理を行っていないパターンデータ)についてのパターンデータ補正42、いわゆる、OPC処理を行う。その結果、データベースK43が構成される。
図9は、セルの置き換え39の工程を行った後における、TOPセル83のパターン、及び、セル内のパターン80を示す。セル内のパターン80は図8において説明したものと同様なものである。
入力データ10における、TOPセル83を構成するパターンデータは、セル内のパターン80を表すデータを含むものである。そこで、セルの置き換え39を行うと、入力データ10のTOPセルは、TOP83のように、OPC処理をされたセルBBB、セルCCCを含むものである。
図10は、OPC禁止枠設定について、実パターンを用いて説明する図である。そして、図10は、セルCを構成するパターンの外周に設定したOPC禁止枠91、OPC禁止枠91を設定したセル90、常に同一な補正を受けるパターンデータに対応する実パターンが占める領域の外周に設定したOPC禁止枠93、OPC禁止枠93を設定したセル92、セルD94、及び、拡大図95を示す。
そこで、図2において説明したOPC禁止枠は、OPC禁止枠93に相当し、以下の処理を行うことにより、OPC禁止枠93を形成することができる。
最初に、セルCを繰り返し配置する場合には、上下方向、及び、左右方向の繰り替え幅で決定される領域の最外周にOPC禁止枠91を設定する。また、繰り返し配置が行われない場合は、最外周のパターンの外周にOPC禁止枠91を設定する。
次いで、注目するセルCに、隣接するパターンを考慮して、OPC処理を行う。隣接するパターンが異なると、OPC処理後の変形パターンの形状は、セルCの周辺部で異なるものとなる。そこで、セルC対してOPC処理を行って得られるセルCCにおいて、変形パターンが同一となる領域を予め、シミュレーションにより、求める。次いで、変形パターンが同一となる領域の最外周がOPC禁止枠91と同じ場合は、OPC禁止枠91をそのまま、OPC禁止枠93とする。一方、変形パターンが同一となる領域がOPC禁止枠91により囲まれる領域より小さい場合は、変形パターンが同一となる領域の最外周をOPC禁止枠93とする。
例えば、セルCに、4個のセルD94が配置されている。また、セルD94に2つの矩形パターンが配置されている。上記の場合に、OPC禁止枠93は拡大図95に示すように、例えば、セルD94を構成する矩形パターンのすべてを囲むような矩形状のパターンである。
以上の説明をまとめると、実施例1は、階層構造を構成する複数の第1セルからなる入力データ10から、フォトマスクのパターンに対するパターンデータを作成する方法に関するものである。そして、そのパターンデータを作成する方法は、階層構造に基づいて、第1セル毎に、その上位となる第1セルの情報を追加する工程と、階層構造のすべての階層について順次、一の階層に着目したとき、一の階層に属する第1セルの内、一の階層より上位階層に属する第1セルのいずれかと同一となる第1セル及び一の階層の直上の上位階層において2以上存在する第1セルに配置されている第1セル、を選択して第1セル群(データベースD28)に追加していく、第1セル群構成工程と、階層構造のすべての階層について順次、前記第1セル群構成工程において、選択されなかった前記第1セルを第2セル群(データベースE29)に追加していく第2セル群構成工程と、第2セル群に属する第1セルから第1セル群に属する第1セルと同一の第1セルを除いて、第3セル群(データベースF34)を構成する第3セル群構成工程と、第3セル群に属する第1セルを構成するパターンデータに対し、光学的近接効果を補正するように変換したパターンデータを作成し、変換後のパターンデータを含む第2セルより第4セル群(データベースH36)を構成する第4セル群構成工程と、入力データ10において、第1セルを、対応する第2セルに置き換える工程と、を有する。
また、上記の第1セル群構成工程において、相似な前記第1セルを同一性の判断において同一であると判断することを特徴としている。
さらに、入力データ10をテキストデータに変換する工程を、さらに、有し、前記各工程の実行において、テキストデータを使用することを特徴としている。
従って、セルを構成するパターンデータではなく、TEXTデータを使用して、OPC処理の目的において等価であるとみなされる同一セルの抽出24、及び、同一セルの登録25を行うため、OPC処理を実際に行うセルと、そのセルのOPC処理の結果をそのまま利用することができる同一セルと、を短い時間で振り分けることができる。すなわち、パターンデータの補正に用いるセルを効率良く選択することができる。パターンデータの数より、TEXTデータの数のほうが少ないからである。
データベースF34に登録されるセルは、配置座標、回転情報、XY軸反転情報、倍率情報、及び、同一セルに含まれる図形の頂点座標を使用して、振り分けられる。しかし、回転情報、XY軸反転情報については、異なるものであっても、同一セルであると判断する。すなわち、同一性の判断において、完全同一でなくても、相似なセルは同一セルであると判断する。従って、OPC処理の結果をそのまま利用することができる同一セルの範囲が広くなるため、OPC処理を実際に行う時間が短縮される。
その結果、フォトマスクを形成するための、描画用データを作成するための時間が短縮される。
図11を用いて、パターンデータ処理システム70について説明する。パターンデータ処理システム70は、I/F(インターフェイス)75、CPU76、記憶媒体77、RAM78、及び、ROM79から構成されている。また、パターンデータ処理システム70は、ディスプレイ71、通信装置72、キーボード73、及び、マウス74等の入力装置からのデータの入力を受ける。
ディスプレイ71は、例えば、入力データ10、パターンデータの処理状況、及び、処理結果の表示に用いられる装置である。キーボード73、マウス74は、手動入力に用いられる、入力装置である。通信装置72は、電磁的方法により、外部から入力データ10等の大容量データを受信し、又は、処理結果を送信するための装置である。
I/F(インターフェイス)75は、キーボード73、マウス74等の入力装置から入力されるデータを受け取り、パターンデータ処理システム70で扱えるデータ形式に変換する装置である。ROM79は、例えば、パターンデータ処理システム70において使用する制御プログラム、初期設定データを記憶する装置である。RAM78は、例えば、入力されるデータを一時的に記憶し、又は、CPU76が行った処理結果を記憶する装置である。CPU76は、例えば、上記の制御プログラムに従って、入力データ10に対してOPC処理を実行し、又は、処理結果を記憶するRAM78、記憶媒体77へのデータの入出力を制御する装置である。記憶媒体77は、大容量のデータを記憶する装置である。なお、上記の制御プログラムは、図2又は図3に示したフローチャートを用いて説明したパターンデータ作成方法を実行するためのプログラムである。
以上より、パターンデータ処理システム70は、制御プログラムに応じて、セルの振り分け31までの工程行うため、TEXTデータを使用して、OPC処理の目的において等価であるとみなされる同一セルの抽出24、及び、同一セルの登録25を行うため、OPC処理を実際に行うセルと、そのセルのOPC処理の結果をそのまま利用することができる同一セルと、を振り分けることができる。すなわち、パターンデータの補正に用いるセルを効率良く選択することができる。
そして、データベースF34に登録されるセルは、配置座標、回転情報、XY軸反転情報、倍率情報、及び、同一セルに含まれる図形の頂点座標を使用して、振り分けられる。しかし、回転情報、XY軸反転情報については、異なるものであっても、同一セルであると判断する。従って、OPC処理の結果をそのまま利用することができる同一セルの範囲が広くなるため、パターンデータ処理システム70はOPC処理を実際に行う時間を短縮することができる。
以下に本発明の特徴を付記する。
(付記1)
階層構造を構成する複数の第1セルからなる入力データから、フォトマスクのパターンに対するパターンデータを作成する方法であって、
前記階層構造に基づいて、前記第1セル毎に、その上位となる前記第1セルの情報を追加する工程と、
前記階層構造のすべての階層について順次、一の階層に着目したとき、前記一の階層に属する前記第1セルの内、前記一の階層より上位階層に属する前記第1セルのいずれかと同一となる前記第1セル及び前記一の階層の直上の上位階層において2以上存在する前記第1セルに配置されている前記第1セル、を選択して第1セル群に追加していく、第1セル群構成工程と、
前記階層構造のすべての階層について順次、前記第1セル群構成工程において、選択されなかった前記第1セルを第2セル群に追加していく第2セル群構成工程と、
前記第2セル群に属する前記第1セルから前記第1セル群に属する前記第1セルと同一の前記第1セルを除いて、第3セル群を構成する第3セル群構成工程と、
第3セル群に属する前記第1セルを構成するパターンデータに対し、光学的近接効果を補正するように変換したパターンデータを作成し、変換後のパターンデータを含む第2セルより第4セル群を構成する第4セル群構成工程と、
前記入力データにおいて、前記第1セルを、対応する前記第2セルに置き換える工程と、
を有することを特徴とするフォトマスクパターンデータの作成方法。
(付記2)
前記第1セル群構成工程において、相似な前記第1セルを同一性の判断において同一であると判断することを特徴とする付記1記載のフォトマスクパターンデータの作成方法。
(付記3)
前記入力データをテキストデータに変換する工程を、さらに、有し、前記各工程の実行において、テキストデータを使用することを特徴とする付記1記載のフォトマスクパターンデータの作成方法。
(付記4)
前記第1セルが、さらに、配置座標に関するデータ、回転情報に関するデータ、軸反転情報に関するデータの内いずれかを含む場合において、前記第1セル群構成工程における、同一のセルか異なるセルかを判断することにおいて、配置座標に関するデータ、回転情報に関するデータ、軸反転情報に関するデータのいずれかを使用しないことを特徴とする付記1記載のフォトマスクパターンデータを作成方法。
(付記5)
前記第2セル群に属する前記第1セルから前記第1セル群に属する第1セルと同一の前記第1セルを加えて第5セル群を構成する第5セル群構成工程を、さらに、有することを特徴とする付記3記載のパターンデータ作成方法。
(付記6)
階層構造を構成する複数の第1セルからなる入力データを受け取ったパターンデータ処理システムに対し、フォトマスクのパターンに対するパターンデータを作成させるプログラムあって、
パターンデータ処理システムに対し、前記階層構造に基づいて、前記第1セル毎に、その上位となる前記第1セルの情報を、前記第1セルに追加させるステップと、
パターンデータ処理システムに対し、前記階層構造のすべての階層について順次、一の階層に着目したとき、前記一の階層に属する前記第1セルの内、前記一の階層より上位階層に属する前記第1セルのいずれかと同一となる前記第1セル及び前記一の階層の直上の上位階層において2以上存在する前記第1セルに配置されている前記第1セル、を選択して第1セル群に追加させる、第1セル群構成ステップと、
パターンデータ処理システムに対し、前記階層構造のすべての階層について順次、前記第1セル群構成工程において、選択されなかった前記第1セルを第2セル群に追加させる、第2セル群構ステップと、
パターンデータ処理システムに対し、前記第2セル群に属する前記第1セルから前記第1セル群に属する前記第1セルと同一の前記第1セルを除いて、第3セル群を構成させる第3セル群構成ステップと、
パターンデータ処理システムに対し、第3セル群に属する前記第1セルを構成するパターンデータに対し、光学的近接効果を補正するように変換したパターンデータを作成させ、変換後のパターンデータを含む第2セルより第4セル群を構成させる第4セル群構成ステップと、
パターンデータ処理システムに対し、前記入力データにおいて、前記第1セルを、対応する前記第2セルに置き換させるステップと、
を有することを特徴とするフォトマスクパターンデータを作成させるプログラム。
(付記7)
前記第1セル群構成ステップにおいて、パターンデータ処理システムに対し、相似な前記第1セルを同一性の判断において同一であると判断させることを特徴とする付記6記載のフォトマスクパターンデータを作成させるプログラム。
(付記8)
前記入力データをテキストデータに変換させるステップを、さらに、有し、パターンデータ処理システムに対し、前記各ステップの実行において、テキストデータを使用させることを特徴とする付記6記載のフォトマスクパターンデータを作成させるプログラム。
(付記9)
前記第1セルが、さらに、配置座標に関するデータ、回転情報に関するデータ、軸反転情報に関するデータの内いずれかを含む場合において、前記第1セル群構成における、同一のセルか異なるセルかを判断することにおいて、配置座標に関するデータ、回転情報に関するデータ、軸反転情報に関するデータのいずれかを使用させないことを特徴とする付記6記載のフォトマスクパターンデータを作成させるプログラム。
(付記10)
階層構造を構成する複数の第1セルからなる入力データを受け取ったパターンデータ処理システムに対し、フォトマスクのパターンに対するパターンデータを作成させるプログラムを格納する媒体であって、
前記プログラムは、
パターンデータ処理システムに対し、前記階層構造に基づいて、前記第1セル毎に、その上位となる前記第1セルの情報を、前記第1セルに追加させるステップと、
パターンデータ処理システムに対し、前記階層構造のすべての階層について順次、一の階層に着目したとき、前記一の階層に属する前記第1セルの内、前記一の階層より上位階層に属する前記第1セルのいずれかと同一となる前記第1セル及び前記一の階層の直上の上位階層において2以上存在する前記第1セルに配置されている前記第1セル、を選択して第1セル群に追加させる、第1セル群構成ステップと、
パターンデータ処理システムに対し、前記階層構造のすべての階層について順次、前記第1セル群構成工程において、選択されなかった前記第1セルを第2セル群に追加させる、第2セル群構ステップと、
パターンデータ処理システムに対し、前記第2セル群に属する前記第1セルから前記第1セル群に属する前記第1セルと同一の前記第1セルを除いて、第3セル群を構成させる第3セル群構成ステップと、
パターンデータ処理システムに対し、第3セル群に属する前記第1セルを構成するパターンデータに対し、光学的近接効果を補正するように変換したパターンデータを作成させ、変換後のパターンデータを含む第2セルより第4セル群を構成させる第4セル群構成ステップと、
パターンデータ処理システムに対し、前記入力データにおいて、前記第1セルを、対応する前記第2セルに置き換させるステップと、
を有することを特徴とするプログラムを格納する媒体。
(付記11)
前記第1セル群構成ステップにおいて、パターンデータ処理システムに対し、相似な前記第1セルを同一性の判断において同一であると判断させることを特徴とする付記10記載のフォトマスクパターンデータを作成させるプログラムを格納する媒体。
(付記12)
前記入力データをテキストデータに変換させるステップを、さらに、有し、パターンデータ処理システムに対し、前記各ステップの実行において、テキストデータを使用させることを特徴とする付記10記載のフォトマスクパターンデータを作成させるプログラムを格納する媒体。
(付記13)
前記第1セルが、さらに、配置座標に関するデータ、回転情報に関するデータ、軸反転情報に関するデータの内いずれかを含む場合において、前記第1セル群構成における、同一のセルか異なるセルかを判断することにおいて、配置座標に関するデータ、回転情報に関するデータ、軸反転情報に関するデータのいずれかを使用させないことを特徴とする付記10記載のフォトマスクパターンデータを作成させるプログラムを格納する媒体。
(付記14)
付記10記載のプログラムを実行するパターンデータ処置システムであって、
前記入力データを受け取り、データ変換を行うインターフェイスと、
前記入力データを受け取り、前記プログラムを実行するCPUと、
前記CPUにおいて使用する前記プログラムを格納するROMと、
前記CPUからの処理結果を記憶する記憶媒体と、を備えるパターンデータ処理システム。
OPC処理を行う一定の領域又はセルを効率よく選択し、その領域又はセルに対して、OPC処理の目的において等価であるとみなされる領域又はセルを、漏れなく、かつ、効率的に特定するフォトマスクパターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するためのプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体を提供することができる。
図1は、一般的なフォトマスク製造工程に関するフローチャートを示す。 図2は、パターンデータ補正12の工程に関するフローチャートを示す。 図3は、図1に示したパターンデータ補正12の工程に変形を加えた工程についてのフローチャートを示す。 図4は、入力データ10が表す、セル及びセルの配置イメージ50を示す。 図5は、入力データ10に対するTEXT変換20を行う工程、及び、階層構造作成22を行う工程を示す。 図6は、同一セルの抽出24を行う工程、及び、同一セルの登録25を行う工程を示す。 図7は、判断27を行う工程、判断30、及び、判断32を行う工程を示す。 図8は、セル内のパターンデータ補正35の工程、OPC禁止枠作成37の工程、セルの置き換え39の工程、及び、判断41を行う工程を示す。 図9は、セルの置き換え39の工程を行った後における、TOPセル83のパターン、及び、セル内のパターン80を示す。 図10は、OPC禁止枠設定について、実パターンを用いて説明する図である。 図11は、パターンデータ処理システム70を示す。
符号の説明
10 入力データ
11 条件ファイル
12 パターンデータ補正
13 フラクチャリング
14 描画用データ
15 フォトマスク露光
16 フォトマスク形成
20 TEXT変換
21 データベースA
22 階層構造作成
23 データベースB
24 同一セルの抽出
25 同一セルの登録
26 データベースC
27 判断
28 データベースD
29 データベースE
30 判断
31 セルの振り分け
32 判断
33 データベースG
34 データベースF
35 セル内のパターンデータ補正
36 データベースH
37 OPC禁止枠作成
38 データベースI
39 セルの置き換え
40 データベースJ
41 判断
42 パターンデータ補正
43 データベースK
44 データベースZ
50 セル及びセルの配置イメージ
51 TOPセル
52 セルA
53 セルB
54 セルD
55 セルC
56 セルE
60 登録データ
70 パターンデータ処理システム
71 ディスプレイ
72 通信装置
73 キーボード
74 マウス
75 I/F(インターフェイス)
76 CPU
77 記憶媒体
78 RAM
79 ROM
80、81、82 セル内のパターン
83 TOPセル
90、92 セル
91、93 OPC禁止枠
94 セルD
95 拡大図

Claims (8)

  1. 階層構造を構成する複数の第1セルからなる入力データから、フォトマスクのパターンに対するパターンデータを作成する方法であって、
    前記階層構造に基づいて、前記第1セル毎に、その上位となる前記第1セルの情報を追加する工程と、
    前記階層構造のすべての階層について順次、一の階層に着目したとき、前記一の階層に属する前記第1セルの内、前記一の階層より上位階層に属する前記第1セルのいずれかと同一となる前記第1セル及び前記一の階層の直上の上位階層において2以上存在する前記第1セルに配置されている前記第1セル、を選択して第1セル群に追加していく、第1セル群構成工程と、
    前記階層構造のすべての階層について順次、前記第1セル群構成工程において、選択されなかった前記第1セルを第2セル群に追加していく第2セル群構成工程と、
    前記第2セル群に属する前記第1セルから前記第1セル群に属する前記第1セルと同一の前記第1セルを除いて、第3セル群を構成する第3セル群構成工程と、
    第3セル群に属する前記第1セルを構成するパターンデータに対し、
    光学的近接効果を補正するように変換したパターンデータを作成し、変換後のパターンデータを含む第2セルより第4セル群を構成する第4セル群構成工程と、
    前記入力データにおいて、前記第1セルを、対応する前記第2セルに置き換える工程と、
    を有することを特徴とするフォトマスクパターンデータの作成方法。
  2. 前記第1セル群構成工程において、相似な前記第1セルを同一性の判断において同一であると判断することを特徴とする請求項1記載のフォトマスクパターンデータの作成方法。
  3. 前記入力データをテキストデータに変換する工程を、さらに、有し、前記各工程の実行において、テキストデータを使用することを特徴とする請求項1記載のフォトマスクパターンデータの作成方法。
  4. 前記第2セル群に属する前記第1セルから前記第1セル群に属する第1セルと同一の前記第1セルを加えて第5セル群を構成する第5セル群構成工程を、さらに、有することを特徴とする請求項3記載のパターンデータ作成方法。
  5. 階層構造を構成する複数の第1セルからなる入力データを受け取ったパターンデータ処理システムに対し、フォトマスクのパターンに対するパターンデータを作成させるプログラムを格納する媒体であって、
    前記プログラムは、
    パターンデータ処理システムに対し、前記階層構造に基づいて、前記第1セル毎に、その上位となる前記第1セルの情報を、前記第1セルに追加させるステップと、
    パターンデータ処理システムに対し、前記階層構造のすべての階層について順次、一の階層に着目したとき、前記一の階層に属する前記第1セルの内、前記一の階層より上位階層に属する前記第1セルのいずれかと同一となる前記第1セル及び前記一の階層の直上の上位階層において2以上存在する前記第1セルに配置されている前記第1セル、を選択して第1セル群に追加させる、第1セル群構成ステップと、
    パターンデータ処理システムに対し、前記階層構造のすべての階層について順次、前記第1セル群構成工程において、選択されなかった前記第1セルを第2セル群に追加させる、第2セル群構ステップと、
    パターンデータ処理システムに対し、前記第2セル群に属する前記第1セルから前記第1セル群に属する前記第1セルと同一の前記第1セルを除いて、第3セル群を構成させる第3セル群構成ステップと、
    パターンデータ処理システムに対し、第3セル群に属する前記第1セルを構成するパターンデータに対し、光学的近接効果を補正するように変換したパターンデータを作成させ、変換後のパターンデータを含む第2セルより第4セル群を構成させる第4セル群構成ステップと、
    パターンデータ処理システムに対し、前記入力データにおいて、前記第1セルを、対応する前記第2セルに置き換させるステップと、
    を有することを特徴とするプログラムを格納する媒体。
  6. 前記第1セル群構成ステップにおいて、パターンデータ処理システムに対し、相似な前記第1セルを同一性の判断において同一であると判断させることを特徴とする請求項5記載のフォトマスクパターンデータを作成させるプログラムを格納する媒体。
  7. 前記入力データをテキストデータに変換させるステップを、さらに、有し、パターンデータ処理システムに対し、前記各ステップの実行において、テキストデータを使用させることを特徴とする付記6記載のフォトマスクパターンデータを作成させるプログラムを格納する媒体。
  8. 請求項6記載のプログラムを実行するパターンデータ処置システムであって、
    前記入力データを受け取り、データ変換を行うインターフェイスと、
    前記入力データを受け取り、前記プログラムを実行するCPUと、
    前記CPUにおいて使用する前記プログラムを格納するROMと、
    前記CPUからの処理結果を記憶する記憶媒体と、を備えるパターンデータ処理システム。
JP2008072869A 2008-03-21 2008-03-21 パターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体 Expired - Fee Related JP5024141B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008072869A JP5024141B2 (ja) 2008-03-21 2008-03-21 パターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体
US12/405,265 US8739075B2 (en) 2008-03-21 2009-03-17 Method of making pattern data, and medium for storing the program for making the pattern data

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008072869A JP5024141B2 (ja) 2008-03-21 2008-03-21 パターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009229623A JP2009229623A (ja) 2009-10-08
JP5024141B2 true JP5024141B2 (ja) 2012-09-12

Family

ID=41090132

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008072869A Expired - Fee Related JP5024141B2 (ja) 2008-03-21 2008-03-21 パターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8739075B2 (ja)
JP (1) JP5024141B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0825506B1 (en) 1996-08-20 2013-03-06 Invensys Systems, Inc. Methods and apparatus for remote process control
US7089530B1 (en) 1999-05-17 2006-08-08 Invensys Systems, Inc. Process control configuration system with connection validation and configuration
AU5025600A (en) 1999-05-17 2000-12-05 Foxboro Company, The Process control configuration system with parameterized objects
US6788980B1 (en) 1999-06-11 2004-09-07 Invensys Systems, Inc. Methods and apparatus for control using control devices that provide a virtual machine environment and that communicate via an IP network
JP5309623B2 (ja) * 2008-03-10 2013-10-09 富士通セミコンダクター株式会社 階層構造を用いたフォトマスクデータの処理方法、フォトマスクデータ処理システム、および、製造方法
EP2304536A4 (en) 2008-06-20 2012-08-15 Invensys Sys Inc SYSTEMS AND METHOD FOR IMMERSIBLE INTERACTION WITH ACTUAL AND / OR SIMULATED DEVICES FOR PROCESS, ENVIRONMENTAL AND INDUSTRIAL CONTROL
US8127060B2 (en) 2009-05-29 2012-02-28 Invensys Systems, Inc Methods and apparatus for control configuration with control objects that are fieldbus protocol-aware
US8463964B2 (en) 2009-05-29 2013-06-11 Invensys Systems, Inc. Methods and apparatus for control configuration with enhanced change-tracking
JP5606932B2 (ja) * 2011-01-18 2014-10-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 マスクの製造方法ならびに光近接効果補正の補正方法および半導体装置の製造方法
US9262578B2 (en) 2014-04-25 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for integrated circuit manufacturing

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05343980A (ja) 1992-06-11 1993-12-24 Seiko Epson Corp 高速レベルシフト回路
US5557533A (en) * 1994-04-19 1996-09-17 Lsi Logic Corporation Cell placement alteration apparatus for integrated circuit chip physical design automation system
GB9423051D0 (en) 1994-11-15 1995-01-04 Sgs Thomson Microelectronics A voltage level converter
US5625564A (en) * 1995-01-13 1997-04-29 Cadence Design Systems, Inc. System and method for hierarchical device extraction
JP3042443B2 (ja) * 1997-03-14 2000-05-15 日本電気株式会社 マスクパターンデータの作成方法
JP3612166B2 (ja) * 1997-03-18 2005-01-19 株式会社東芝 荷電ビーム描画データ作成方法および装置
US6301697B1 (en) 1999-04-30 2001-10-09 Nicolas B. Cobb Streamlined IC mask layout optical and process correction through correction reuse
JP4083965B2 (ja) * 2000-09-27 2008-04-30 株式会社東芝 半導体集積回路の設計パターンのデータ処理方法、及びデータ処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US6584610B1 (en) * 2000-10-25 2003-06-24 Numerical Technologies, Inc. Incrementally resolved phase-shift conflicts in layouts for phase-shifted features
US6901574B2 (en) * 2001-02-09 2005-05-31 Lacour Patrick J. Data management method for mask writing
JP2002268198A (ja) * 2001-03-12 2002-09-18 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクの描画条件準備方法
US6505327B2 (en) * 2001-04-13 2003-01-07 Numerical Technologies, Inc. Generating an instance-based representation of a design hierarchy
JP2003029392A (ja) * 2001-07-11 2003-01-29 Dainippon Printing Co Ltd 描画用データの作成方法および描画方法
US7172838B2 (en) * 2002-09-27 2007-02-06 Wilhelm Maurer Chromeless phase mask layout generation
US7093228B2 (en) * 2002-12-20 2006-08-15 Lsi Logic Corporation Method and system for classifying an integrated circuit for optical proximity correction
US6873183B1 (en) * 2003-05-12 2005-03-29 Xilinx, Inc. Method and circuit for glitchless clock control
US6873186B2 (en) 2003-07-11 2005-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Level shift circuit
JP4295572B2 (ja) 2003-07-11 2009-07-15 パナソニック株式会社 レベルシフト回路
JP3993545B2 (ja) 2003-09-04 2007-10-17 株式会社東芝 パターンの作製方法、半導体装置の製造方法、パターンの作製システム、セルライブラリ、フォトマスクの製造方法
US7337421B2 (en) * 2004-09-30 2008-02-26 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for managing design corrections for optical and process effects based on feature tolerances
US7401319B2 (en) * 2004-12-23 2008-07-15 Invarium, Inc. Method and system for reticle-wide hierarchy management for representational and computational reuse in integrated circuit layout design
JP2007079517A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Toshiba Corp パターン作成方法、パターン作成プログラム及び半導体装置の製造方法
JP2007086587A (ja) * 2005-09-26 2007-04-05 Renesas Technology Corp マスクパターン設計方法および半導体装置の製造方法
JP2007280200A (ja) * 2006-04-10 2007-10-25 Elpida Memory Inc レイアウトパターンデータの補正装置、及び補正方法
JP5309623B2 (ja) * 2008-03-10 2013-10-09 富士通セミコンダクター株式会社 階層構造を用いたフォトマスクデータの処理方法、フォトマスクデータ処理システム、および、製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20090241086A1 (en) 2009-09-24
JP2009229623A (ja) 2009-10-08
US8739075B2 (en) 2014-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5024141B2 (ja) パターンデータの作成方法、そのパターンデータを作成するプログラム、及び、そのプログラムを含む媒体
US7207017B1 (en) Method and system for metrology recipe generation and review and analysis of design, simulation and metrology results
US6560766B2 (en) Method and apparatus for analyzing a layout using an instance-based representation
US7401319B2 (en) Method and system for reticle-wide hierarchy management for representational and computational reuse in integrated circuit layout design
JP4728676B2 (ja) フォトマスクの製造方法、及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法
US8166424B2 (en) Method for constructing OPC model
TWI485509B (zh) 圖案產生方法
WO1999014638A1 (en) Design rule checking system and method
JP4852083B2 (ja) パタンデータの作成方法およびパタンデータ作成プログラム
US6907596B2 (en) Mask data generating apparatus, a computer implemented method for generating mask data and a computer program for controlling the mask data generating apparatus
US6721928B2 (en) Verification utilizing instance-based hierarchy management
CN102117010A (zh) 一种光学邻近修正方法
CN106707681A (zh) 一种增强opc处理精度的方法
US9547230B2 (en) Method for evaluating optical image of pattern, recording medium, and information processing apparatus
JP5309623B2 (ja) 階層構造を用いたフォトマスクデータの処理方法、フォトマスクデータ処理システム、および、製造方法
CN112668271A (zh) 集成电路器件设计方法和***
JPH10153851A (ja) 露光データの補正方法,露光方法,フォトマスク,半導体装置,露光データの補正装置,露光装置及び半導体装置の製造装置
TW201433879A (zh) 產生方法,儲存媒體及資訊處理裝置
JP5665915B2 (ja) マスクデータ作成方法
JP2009151109A (ja) フォトマスクおよびその作成方法ならびに半導体装置の製造方法
JP6415154B2 (ja) パターンの作成方法、プログラムおよび情報処理装置
US8298732B2 (en) Exposure method and method of making a semiconductor device
JP2005159198A (ja) 電子ビーム露光用データ作成システム、電子ビーム露光用データ作成方法、電子ビーム露光用データ作成プログラム
JP2005101405A (ja) ダミーパターン情報生成装置、パターン情報生成装置、マスク、露光装置、マスク作成方法、ダミーパターン情報生成方法、プログラム及び上記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN114721217A (zh) 改善光学近端校正技术的方法及***

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101129

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120517

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120522

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120604

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees