JP5020748B2 - Silicon substrate processing method and liquid discharge head manufacturing method - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 143
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 143
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 143
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 142
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229920002614 Polyether block amide Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 THG Chemical compound 0.000 description 1
- 229920000535 Tan II Polymers 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Weting (AREA)
Description
本発明は、シリコン基板に貫通穴を形成するためのシリコン基板の加工方法、及び記録用紙等の被記録材にインク等の液体を吐出する液体吐出ヘッドの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a silicon substrate for forming a through hole in a silicon substrate, and a method for manufacturing a liquid ejection head that ejects a liquid such as ink onto a recording material such as recording paper.
液体であるインクを吐出するインクジェットヘッドとしては、吐出エネルギを発生するヒータの上方に向けてインクを吐出するタイプのインクジェットヘッド(以下、サイドシュータ型ヘッドと称する)が知られている。このサイドシュータ型ヘッドでは、ヒータが形成されたシリコン基板に貫通穴が設けられ、ヒータが形成された表面の裏面側から、貫通穴である長尺状のインク供給口を介してインクを供給する方式が採られている。 As an ink jet head that discharges ink that is liquid, an ink jet head that discharges ink upward of a heater that generates discharge energy (hereinafter referred to as a side shooter type head) is known. In this side shooter type head, a through hole is provided in a silicon substrate on which a heater is formed, and ink is supplied from the back side of the surface on which the heater is formed through a long ink supply port that is a through hole. The method is adopted.
このサイドシュータ型ヘッドにおいて、シリコン基板を貫通するインク供給口の形成方法としては、例えば特許文献1に開示されている方法がある。特許文献1には、<100>面の結晶面方位を有するシリコン基板に、強アルカリ溶液による異方性エッチングによってインク供給口を形成している。このシリコン基板の異方性エッチングでは、シリコン基板の結晶面方位をなす<100>面及び<111>面の強アルカリ溶液に対する溶解度の差を利用して、インク供給口を形成している。 In this side shooter type head, as a method of forming an ink supply port penetrating the silicon substrate, for example, there is a method disclosed in Patent Document 1. In Patent Document 1, an ink supply port is formed in a silicon substrate having a <100> plane crystal plane orientation by anisotropic etching with a strong alkaline solution. In this anisotropic etching of the silicon substrate, the ink supply port is formed by utilizing the difference in solubility between the <100> plane and the <111> plane forming the crystal plane orientation of the silicon substrate with respect to the strong alkaline solution.
ところで、強アルカリ溶液を用いた異方性エッチングによってシリコン基板にインク供給口を形成する工程は、そのエッチング時間が比較的長く、インクジェットヘッドの生産効率を低下させる要因の1つとなっている。 By the way, the process of forming the ink supply port on the silicon substrate by anisotropic etching using a strong alkaline solution is one of the factors that reduce the production efficiency of the inkjet head because the etching time is relatively long.
また、図10に示すように、異方性エッチングによって形成されたインク供給口106の断面形状は、<111>面がなす角度54.7°に沿って、開口断面積が裏面側から表面側に向かって次第に小さくなるテーパー形状に形成されてしまう。すなわち、ヒータ103が形成されたシリコン基板101の表面側のインク供給口106の開口幅に対して、シリコン基板101の裏面側のインク供給口106の開口幅が広くなってしまう。その結果、ヒータと、インクを吐出するノズルとを有するインクジェットヘッドを構成する素子基板(インクジェットヘッド用基板)の横幅(長尺状のインク供給口の短辺方向の寸法)は、シリコン基板の裏面側のインク供給口の開口幅に依存している。すなわち、インクジェットチップの横幅が大きいことで、インクジェットヘッドの製造コストの増加を招いている。したがって、製造コストの低減を図るためには、インクジェットチップの裏面側のインク供給口の開口幅を小さくすることで、インクジェットチップの横幅を小さくする必要がある。
Also, as shown in FIG. 10, the cross-sectional shape of the ink supply port 106 formed by anisotropic etching is such that the opening cross-sectional area varies from the back side to the front side along the angle 54.7 ° formed by the <111> plane. It will be formed in the taper shape which becomes small gradually toward. That is, the opening width of the ink supply port 106 on the back surface side of the
この対策としては、ドライエッチングを用いてシリコン基板の表裏面(主面)に垂直な壁面をもってインク供給口を形成する方法が提案されている。また、ドライエッチングと異方性エッチングとを組み合わせて行い、インク供給口の壁面を、シリコン基板の表裏面に垂直形状に形成する方法も開示されている(特許文献2参照)。
しかしながら、上述のようにインク供給口の形成工程でドライエッチングを用いた場合には、そのエッチング処理に比較的長いエッチング時間を要しており、エッチング時間の短縮を図り、生産効率を向上することが求められている。 However, when dry etching is used in the ink supply port formation process as described above, the etching process requires a relatively long etching time, thereby reducing the etching time and improving the production efficiency. Is required.
そこで、本発明は、シリコン基板の裏面における貫通穴の開口を小さく形成すると共に、貫通穴を効率良く形成することができるシリコン基板の加工方法、液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッドを提供することを目的とする。 Therefore, the present invention provides a silicon substrate processing method, a liquid discharge head manufacturing method, and a liquid discharge head that can form a through hole on the back surface of the silicon substrate to be small and can efficiently form the through hole. For the purpose.
上述した目的を達成するため、本発明に係るシリコン基板の加工方法は、開口部を有するエッチングマスク層をシリコン基板の裏面に形成する工程と、シリコン基板の裏面からエッチングマスク層の開口部にレーザ光を照射してシリコン基板の内部に変質層を形成する工程と、シリコン基板の裏面からエッチングマスク層の開口部にレーザ光を照射してシリコン基板の裏面からシリコン基板の表面まで貫通しない複数の未貫通穴を形成する工程と、未貫通穴及び変質層が形成されたシリコン基板に異方性エッチングを施してシリコン基板の表面まで貫通する貫通穴を形成する工程と、を有する。変質層を形成する工程では、シリコン基板の表面に平行な面において変質層を複数の列状に配列して形成する。 In order to achieve the above-described object, a silicon substrate processing method according to the present invention includes a step of forming an etching mask layer having an opening on the back surface of the silicon substrate, and a laser from the back surface of the silicon substrate to the opening of the etching mask layer. A step of forming a deteriorated layer inside the silicon substrate by irradiating light, and a plurality of laser beams that do not penetrate from the back surface of the silicon substrate to the surface of the silicon substrate by irradiating the opening of the etching mask layer from the back surface of the silicon substrate. A step of forming a non-through hole, and a step of forming a through hole penetrating to the surface of the silicon substrate by performing anisotropic etching on the silicon substrate on which the non-through hole and the altered layer are formed. In the step of forming the deteriorated layer, the deteriorated layers are arranged in a plurality of rows on a plane parallel to the surface of the silicon substrate.
本発明によれば、シリコン基板の裏面における貫通穴の開口を小さく形成すると共に、貫通穴を効率良く形成することができる。したがって、本発明によれば、貫通穴の加工速度を向上し、製造コストの低減を図ることができる。 According to the present invention, the opening of the through hole on the back surface of the silicon substrate can be formed small and the through hole can be formed efficiently. Therefore, according to the present invention, the processing speed of the through hole can be improved and the manufacturing cost can be reduced.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
本発明に係るシリコン基板の加工方法は、シリコン基板を含んで構成される構造体、特にインクジェットヘッド等のデバイスの製造工程において、インクジェットヘッドのインク供給口(液体供給口)のような貫通穴をシリコン基板に形成する際に用いられて好適である。本発明の特徴は、シリコン基板のエッチング処理に先立って、インク供給口を形成するシリコン基板に対してレーザ光を照射することによって、シリコン基板の内部にアモルファス化させた変質層と、未貫通穴としての先導孔と、をそれぞれ形成する点にある。 The silicon substrate processing method according to the present invention provides a through hole such as an ink supply port (liquid supply port) of an inkjet head in a manufacturing process of a structure including a silicon substrate, particularly a device such as an inkjet head. It is preferably used when forming on a silicon substrate. A feature of the present invention is that, prior to the etching process of the silicon substrate, the silicon substrate forming the ink supply port is irradiated with laser light to make the altered layer amorphous in the silicon substrate, and the non-through hole And leading holes are formed respectively.
(第1の実施形態)
本実施形態のシリコン基板の加工方法は、開口部を有するエッチングマスク層をシリコン基板の裏面に形成する工程と、レーザ光を照射してシリコン基板の内部に変質層を形成する工程と、レーザ光を照射して未貫通穴としての複数の先導孔を形成する工程とを有している。また、この加工方法は、先導孔及び変質層が形成されたシリコン基板に異方性エッチングを施してシリコン基板の表面まで貫通する貫通穴を形成する工程を有している。
(First embodiment)
The silicon substrate processing method of the present embodiment includes a step of forming an etching mask layer having an opening on the back surface of the silicon substrate, a step of irradiating a laser beam to form a deteriorated layer inside the silicon substrate, and a laser beam. And forming a plurality of leading holes as non-through holes. Further, this processing method includes a step of forming a through hole penetrating to the surface of the silicon substrate by performing anisotropic etching on the silicon substrate on which the leading hole and the altered layer are formed.
図1に、インクジェットヘッド用基板の一部の斜視図を示す。図1に示すように、結晶軸(100)のシリコン基板1の表面上には、インクを吐出するエネルギを発生する吐出エネルギ発生素子としてのヒータをなす電熱変換素子(TaN)2が配置されている。さらに、シリコン基板1の表面上には、電熱変換素子2の保護層としてSiN層4、Ta層5が積層されて形成されている。
FIG. 1 shows a perspective view of a part of an inkjet head substrate. As shown in FIG. 1, an electrothermal conversion element (TaN) 2 serving as a heater serving as a discharge energy generating element that generates energy for discharging ink is disposed on the surface of a silicon substrate 1 having a crystal axis (100). Yes. Further, a SiN layer 4 and a Ta layer 5 are laminated on the surface of the silicon substrate 1 as a protective layer of the
なお、電気熱変換素子2には、この素子を駆動させるための制御信号入力電極(不図示)が電気的に接続されている。また、シリコン基板1の厚みとしては625μm程度に形成されている。また、本実施形態では、インクジェットヘッド用基板の一部をなすシリコン基板1単体について説明するが、実際にはウエハ単位で同様の加工を行うものとする。
The
図2は、図1におけるA−A断面を示している。図2に示すように、シリコン基板1の裏面には、シリコン基板1のSiO2層1aにポリエーテルアミド樹脂が積層されて、開口部7を有するエッチングマスク層6が形成されており、この開口部7内がエッチング部分となる。
FIG. 2 shows an AA cross section in FIG. As shown in FIG. 2, on the back surface of the silicon substrate 1, a polyether amide resin is laminated on the SiO 2 layer 1a of the silicon substrate 1, and an
まず、図3に示すように、シリコン基板1の裏面から表面に向けて、エッチングマスク層6の開口部7内にレーザ光を照射して、シリコン基板1の内部に、アモルファス化させた変質層8を形成する。このとき、シリコン基板1の裏面からおよそ500μmの深さの位置を焦点としてレーザ光を集光させ、多光子吸収を利用したレーザ加工によって変質層8を、シリコン基板(インクジェットヘッド用基板)1の長辺方向に沿って列状に配列して形成する。すなわち、シリコン基板1に長尺状に形成される貫通穴としてのインク供給口の長辺方向に平行な列状に配列して形成する。変質層8は、アモルファス化されることでエッチングレートが比較的速くされる。
First, as shown in FIG. 3, an altered layer formed into an amorphous state in the silicon substrate 1 by irradiating laser light into the
また、本実施形態では、変質層8を、シリコン基板1の表面(裏面)に平行な面において、シリコン基板1の長辺方向に沿って6列で形成している。また、変質層8は、シリコン基板1の短辺方向に対するピッチ距離を36μmで形成し、またシリコン基板1の長辺方向に対して長さ8.6mm程度で形成した。この変質層8は、YAGレーザの基本波(波長1060nm)のレーザ光を用いて形成され、そのレーザ光の出力及び周波数を適切な値に設定した。
In the present embodiment, the
なお、本実施形態では、YAGレーザの基本波(波長1060nm)のレーザ光を用いて変質層8の加工を行った。しかし、シリコン基板1を形成する材料であるシリコンに対してレーザ光による多光子吸収を利用できるものであれば、加工で用いるレーザ光としてはこのレーザ光に限定されない。例えば、フェムト秒レーザも同様にシリコンに対する多光子吸収加工が可能とされており、このようなレーザ光を用いて変質層を形成してもよい。
In the present embodiment, the deteriorated
また、変質層8を形成する工程では、シリコン基板1の表面からシリコン基板1の厚みの10%以上50%以下の範囲の深さの位置に変質層8を形成することが好ましい。シリコン基板1の表面からシリコン基板1の厚みの10%未満の深さの位置に変質層を形成した場合には、変質層形成時のレーザ加工深さのばらつきによって、シリコン基板の表面の伝熱変換素子等へのレーザ光による損傷を回避する制御が困難である。また、シリコン基板1の表面からシリコン基板1の厚みの50%未満の深さの位置に変質層を形成した場合には、インク供給口を形成するためのウエットエッチングの加工時間が長くなり、形成されるシリコン基板の裏面側のインク供給口の短辺方向の幅が広くなる場合がある。
In the step of forming the
次に、図4に示すように、シリコン基板1の裏面からレーザ光を照射することによって、シリコン基板1の裏面から表面に向かって、シリコン基板1の裏面から表面まで貫通しない複数の未貫通穴としての複数の先導孔9を形成する。先導孔9を形成する工程では、YAGレーザの3倍波(THG:波長355nm)のレーザ光を用いて先導孔9を形成し、そのレーザ光の出力及び周波数を適切な値に設定した。本実施形態では、先導孔9の直径をφ40μm程度に形成した。先導孔9の直径としては、φ5μm〜100μm程度であることが望ましい。先導孔の直径が小さすぎる場合には、この後の工程で行われる異方性エッチングの際にエッチング液が先導孔内に進入し難くなるので好ましくない。また、先導孔の直径が大きすぎる場合には、所望の深さの先導孔を形成するのに比較的長い時間を要するので好ましくない。先導孔9の深さとしては、シリコン基板1の裏面から、およそ500μm〜575μm程度の深さに形成した。
Next, as shown in FIG. 4, a plurality of non-through holes that do not penetrate from the back surface to the front surface of the silicon substrate 1 from the back surface to the front surface of the silicon substrate 1 by irradiating laser light from the back surface of the silicon substrate 1. A plurality of leading
また、複数の先導孔9は、シリコン基板1の内部に形成されている変質層8におけるシリコン基板1の表面に平行な領域の外周に沿って、変質層8を取り囲むような四角形の枠状をなすように配列して形成した。すなわち、複数の先導孔9は、シリコン基板1の長辺方向に対するピッチ距離が33μmで配列され、この長辺方向に平行な2列をなして形成された。2列で配列された先導孔9の長手方向の両端部には、シリコン基板1の短辺方向に対しても複数の先導孔9を同様のピッチで配列させ、短辺方向に対して幅150μmをなすように形成した。図5に、先導孔9が形成されたシリコン基板1の裏面からの斜視図を示す。このシリコン基板は、インクジェットヘッドの一部を構成する。
Further, the plurality of leading
なお、本実施形態では、YAGレーザの3倍波(THG:波長355nm)のレーザ光を用いて先導孔9の加工を行った。しかし、シリコン基板1の材料であるシリコンに対して穴加工が可能な波長であればよく、先導孔9の加工に用いるレーザ光をこのレーザ光に限定するものではない。例えば、YAGレーザの2倍波(SHG:波長532nm)であっても、THGと同様にシリコンに対して比較的高い吸収率を有しており、このようなレーザ光を用いて先導孔を形成してもよい。また、先導孔は、レーザ光のアブレーション、いわゆるレーザアブレーション法によって形成されてもよい。
In the present embodiment, the leading
また、先導孔9は、シリコン基板1の厚み方向に対する深さを、変質層8と同じ深さに先導孔の先端が位置するように形成するのが好ましい。つまり、先導孔9は、先導孔9の先端が変質層8に到達する深さまで加工することが望ましい。先導孔9の先端が変質層8に到達していない場合には、後の工程でウエットエッチングを行う際に迅速なエッチングが行われないおそれがあるので好ましくない。
The leading
次に、レーザ加工によって変質層8及び先導孔9が形成されたシリコン基板1に対して異方性エッチングを行った。この異方性エッチングとしては、例えばTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)等のアルカリ水溶液を用いたウエットエッチングを行った。ウエットエッチングであれば、数十枚のシリコン基板を一括で処理できるので、スループットの観点から好適である。
Next, anisotropic etching was performed on the silicon substrate 1 on which the altered
レーザ加工を施したシリコン基板1をウエットエッチングすることで、まず各先導孔9の内部にエッチング液が浸透し、図6に示すように、先導孔9の内部のエッチングが進行する。続いて、エッチング液が変質層8に到達したとき、変質層8は、多光子吸収加工されていることによって、その結晶構造が崩れているので、他の部分よりもエッチング速度が速くなる。したがって、図7に示すように、変質層8のエッチングが優先的に進行する。その結果、図8に示すように、変質層8と先導孔9とによって囲まれた領域が、片状のシリコン部位10として除去される。したがって、シリコン基板1に貫通穴(インク供給口)を形成するためのウエットエッチングを比較的短時間で行うことが可能になる。
By wet etching the silicon substrate 1 that has been subjected to laser processing, first, the etching solution penetrates into each of the leading
シリコン部位10を除去した後に、シリコン基板1の表面まで貫通するインク供給口11が形成されるまでウエットエッチングを行った。さらに、シリコン基板1の表面におけるインク供給口11の開口部位に形成されているSiN層4をドライエッチングで除去して、シリコン基板1の表面側に開口するインク供給口11を得た(図9)。
After removing the
上述した実施形態では、25枚のシリコン基板1を一括でウエットエッチングしており、そのエッチング処理に要した時間は5時間であった。レーザ加工を含めたシリコン基板1枚当たりの処理時間はおよそ20分程度であった。 In the embodiment described above, 25 silicon substrates 1 are wet-etched at once, and the time required for the etching process is 5 hours. The processing time per silicon substrate including laser processing was about 20 minutes.
従来、ドライエッチングでシリコン基板を加工した場合は、シリコン基板1枚当たり40分〜60分であり、ドライエッチングとウエットエッチングとを組み合わせた場合はシリコン基板1枚当たり30分〜50分の処理時間を要していた。したがって、本実施形態のシリコン基板の加工方法は、従来の加工方法に比較して、シリコン基板の裏面における開口幅が比較的狭いインク供給口を効率的に形成することができた。 Conventionally, when a silicon substrate is processed by dry etching, the processing time is 40 minutes to 60 minutes per silicon substrate, and when dry etching and wet etching are combined, processing time is 30 minutes to 50 minutes per silicon substrate. Needed. Therefore, the silicon substrate processing method of the present embodiment can efficiently form an ink supply port having a relatively narrow opening width on the back surface of the silicon substrate, as compared with the conventional processing method.
上述したように、本実施形態のシリコン基板の加工方法は、シリコン基板1の内部に変質層8を形成する工程と、複数の先導孔9を形成する工程と、先導孔9及び変質層8が形成されたシリコン基板1に異方性エッチングを施して貫通穴であるインク供給口11を形成する工程と、を有している。これによって、シリコン基板1の裏面におけるインク供給口11の開口を小さく形成すると共に、インク供給口11を効率良く形成することができる。したがって、本実施形態によれば、インク供給口11の加工速度を向上し、インクジェットヘッドの製造コストの低減を図ることができる。
As described above, the silicon substrate processing method of the present embodiment includes the step of forming the altered
なお、上述した本実施形態では、シリコン基板1に対してインク供給口11を形成する加工例について説明した。しかしながら、インクジェットヘッドを製造する際は、本実施形態で行われるインク供給口11の形成工程前に、シリコン基板1の表面にインク流路形成部材を形成する工程が行われるのが好ましい。図示しないが、この構成の場合には、シリコン基板1の表面に、液体であるインクを吐出する吐出口と、吐出口に連通する液体流路としてのインク流路とを有するインク流路形成部材が形成される。 In the above-described embodiment, the processing example in which the ink supply port 11 is formed on the silicon substrate 1 has been described. However, when manufacturing the ink jet head, it is preferable that a step of forming an ink flow path forming member on the surface of the silicon substrate 1 is performed before the step of forming the ink supply port 11 performed in the present embodiment. Although not shown, in the case of this configuration, an ink flow path forming member having, on the surface of the silicon substrate 1, a discharge port that discharges ink that is a liquid and an ink flow path as a liquid flow path that communicates with the discharge port. Is formed.
(第2の実施形態)
本実施形態では、第1の実施形態における変質層8を形成する工程の前に、先導孔9を形成する工程が行われる点以外は、第1の実施形態と同様に各工程を行うことで、シリコン基板にインク供給口を形成する。
(Second Embodiment)
In the present embodiment, each step is performed in the same manner as in the first embodiment, except that the step of forming the leading
本実施形態において、先導孔を形成する工程では、シリコン基板の表面に平行な面において複数の先導孔を上述したような枠状に配列させて形成する。続いて、変質層を形成する工程では、シリコン基板に形成された複数の先導孔がなす枠内に変質層を形成する。そして、先導孔及び前記変質層が形成されたシリコン基板にウエットエッチングを施してシリコン基板の表面まで貫通するインク供給口を形成する。 In the present embodiment, in the step of forming the leading holes, a plurality of leading holes are arranged in a frame shape as described above on a plane parallel to the surface of the silicon substrate. Subsequently, in the step of forming the deteriorated layer, the deteriorated layer is formed in a frame formed by a plurality of leading holes formed in the silicon substrate. Then, wet etching is performed on the silicon substrate on which the leading hole and the altered layer are formed to form an ink supply port penetrating to the surface of the silicon substrate.
そして、本実施形態におけるウエットエッチングの処理時間は、第1の実施形態と同様に5時間であった。したがって、変質層8を形成する工程と、先導孔9を形成する工程の順序はどちらが先に行われる場合であっても、インク供給口を形成するために要する時間を短縮することができる。
In addition, the wet etching processing time in this embodiment is 5 hours as in the first embodiment. Therefore, the time required for forming the ink supply port can be shortened regardless of the order of the step of forming the altered
1 シリコン基板
2 電気熱変換素子
6 エッチングマスク層
7 開口部
8 変質層
9 先導孔
10 シリコン部位
11 インク供給口(貫通穴)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (8)
前記シリコン基板の裏面から前記エッチングマスク層の開口部にレーザ光を照射して、前記シリコン基板の内部に変質層を形成する工程と、
前記シリコン基板の裏面から前記エッチングマスク層の開口部にレーザ光を照射して、前記シリコン基板の裏面から前記シリコン基板の表面まで貫通しない複数の未貫通穴を形成する工程と、
前記未貫通穴及び前記変質層が形成された前記シリコン基板に異方性エッチングを施して前記シリコン基板の表面まで貫通する貫通穴を形成する工程と、を有し、
前記変質層を形成する工程では、前記シリコン基板の表面に平行な面において前記変質層を複数の列状に配列して形成するシリコン基板の加工方法。 Forming an etching mask layer having an opening on the back surface of the silicon substrate;
Irradiating the opening of the etching mask layer with a laser beam from the back surface of the silicon substrate to form an altered layer inside the silicon substrate;
Irradiating the opening of the etching mask layer with a laser beam from the back surface of the silicon substrate to form a plurality of non-through holes that do not penetrate from the back surface of the silicon substrate to the surface of the silicon substrate;
Forming a through hole penetrating to the surface of the silicon substrate by performing anisotropic etching on the silicon substrate on which the non-through hole and the altered layer are formed , and
In the step of forming the deteriorated layer, a method of processing a silicon substrate , wherein the deteriorated layer is formed in a plurality of rows in a plane parallel to the surface of the silicon substrate.
前記変質層を形成する工程では、前記複数の未貫通穴がなす枠内に前記変質層を形成する、請求項1又は2に記載のシリコン基板の加工方法。 In the step of forming the non-through holes, the plurality of non-through holes are arranged in a frame shape on a plane parallel to the surface of the silicon substrate,
The method for processing a silicon substrate according to claim 1, wherein in the step of forming the deteriorated layer, the deteriorated layer is formed in a frame formed by the plurality of non-through holes.
前記シリコン基板の裏面から前記貫通穴を形成することで、前記液体流路に連通する前記液体供給口を形成する、液体吐出ヘッドの製造方法。 Using the processing method of a silicon substrate according to any one of claims 1 to 7, a discharge port for discharging liquid, energy for discharging the liquid flow path communicating with the discharge port, the liquid from the discharge port A liquid discharge head manufacturing method for forming a liquid supply port for supplying a liquid to the liquid flow path on a silicon substrate provided with a discharge energy generating element for generating a liquid on the surface side,
A method of manufacturing a liquid ejection head, wherein the liquid supply port communicating with the liquid flow path is formed by forming the through hole from the back surface of the silicon substrate.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007231355A JP5020748B2 (en) | 2007-09-06 | 2007-09-06 | Silicon substrate processing method and liquid discharge head manufacturing method |
US12/203,536 US8197705B2 (en) | 2007-09-06 | 2008-09-03 | Method of processing silicon substrate and method of manufacturing liquid discharge head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007231355A JP5020748B2 (en) | 2007-09-06 | 2007-09-06 | Silicon substrate processing method and liquid discharge head manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009061668A JP2009061668A (en) | 2009-03-26 |
JP5020748B2 true JP5020748B2 (en) | 2012-09-05 |
Family
ID=40556728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007231355A Expired - Fee Related JP5020748B2 (en) | 2007-09-06 | 2007-09-06 | Silicon substrate processing method and liquid discharge head manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5020748B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010104184A1 (en) | 2009-03-13 | 2010-09-16 | 三菱化学株式会社 | Process for manufacturing organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, organic el display, and organic el lighting |
JP5942828B2 (en) * | 2012-12-07 | 2016-06-29 | 株式会社デンソー | Manufacturing method of semiconductor device |
JP6188354B2 (en) * | 2013-03-06 | 2017-08-30 | キヤノン株式会社 | Method for manufacturing liquid discharge head |
CN114643428A (en) * | 2020-12-17 | 2022-06-21 | 钛昇科技股份有限公司 | Method for forming through hole in substrate |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59182529A (en) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Hitachi Ltd | Pattern formation of semiconductor layer |
JP2003258285A (en) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Sharp Corp | Manufacturing method of rugged surface structure and solar battery |
JP4050534B2 (en) * | 2002-03-12 | 2008-02-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | Laser processing method |
JP3998254B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-10-24 | キヤノン株式会社 | Inkjet head manufacturing method |
JP2005116844A (en) * | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
JP2006110587A (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Canon Inc | Laser interference machining method and device |
JP2006315017A (en) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Canon Inc | Laser beam cutting method, and member to be cut |
JP4692292B2 (en) * | 2006-01-16 | 2011-06-01 | 株式会社デンソー | Manufacturing method of semiconductor dynamic quantity sensor |
-
2007
- 2007-09-06 JP JP2007231355A patent/JP5020748B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009061668A (en) | 2009-03-26 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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