JP5020047B2 - 表示装置 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 84
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 47
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 23
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 35
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Description
このような表示装置として、表示パネル内のガラス基板上に光センサを搭載して外光を検出し、検出した外光の照度に応じてバックライト輝度を調整するというものが知られている(例えば、特許文献1参照)。ここでは、光センサ本体の光入射面側に、当該光入射面の中心位置からずれた位置に開口部を有する遮光層を配置することで、遮光層の開口部を通過して光センサ本体の光入射面に入射される外光の照度を、表示パネルの視野角に対応させて検出している。
一方で、暗所での視認性確保や消費電力の低減のためには、低照度でのバックライト制御が重要であり、当該低照度での正確な外光検出が必要とされる。
そこで、本発明は、バックライト等の光源の影響を受けることなく、外光検出を精度良く行うことができる表示装置を提供することを課題としている。
また、第2の発明に係る表示装置は、表示パネルを照光する照光部と、外光を検知する光センサを有する光検知部と、前記光検知部の出力値に基づいて前記照光部を制御する制御部とを備える表示装置であって、前記照光部の光の輝度を検出する輝度検出部と、前記光検知部の出力値が所定値以下であるとき、前記輝度検出部で検出した輝度と前記光検知部の出力値とに基づいて、前記光検知部の出力値を減少補正する出力補正部とを備えることを特徴としている。
さらに、第3の発明は、第1又は第2の発明において、前記出力補正部は、前記光検知部の出力値が所定値以下であるとき、前記輝度検出部で検出した輝度が高いほど、前記光検知部の出力値を大きく減少補正することを特徴としている。
さらにまた、第4の発明は、第1乃至第3の何れか1つの発明において、前記出力補正部は、前記光検知部の出力値が所定値以下であるとき、該光検知部の出力値が小さいほど、当該出力値を大きく減少補正することを特徴としている。
また、第5の発明は、第1乃至第4の何れか1つの発明において、前記光検知部は、前記光センサとしての薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極の間に接続されたコンデンサと、前記ソース電極と前記コンデンサの一方の端子に接続されたスイッチ素子とを有し、前記スイッチ素子のオン状態で基準電圧に充電され、前記スイッチ素子のオフ状態で前記薄膜トランジスタへ光が照射されることにより生じる漏れ電流により低下する前記コンデンサの電圧を検知することを特徴としている。
さらに、第6の発明は、第1乃至第5の何れか1つの発明において、前記輝度検出部は、前記制御部による前記照光部の制御量に基づいて、当該照光部の光の輝度を検出することを特徴としている。
これにより、光センサ及びバックライトを制御するバックライト駆動IC内部で外光の検出値補正を完結することができるので、システムとして新たな付加物やコストアップなく、低照度から高照度まで広範囲に亘って正確な検出結果を得ることができる。
図1は本実施形態の表示装置としての液晶表示装置1の構成を示すブロック図である。ここでは、液晶表示装置1として半透過型液晶表示装置を例示する。また、図2は、図1のX−X線で切断した断面図である。
この液晶表示装置1の表示パネルは、図1及び図2に示すように、透明な絶縁性を有する材料、例えばガラス基板からなり、表面に薄膜トランジスタ(TFT)等を搭載したアクティブマトリクス基板(以下、TFT基板という)2と、表面にカラーフィルタ等が形成されたカラーフィルタ基板(以下、CF基板という)25との間に液晶層14が形成され、上記2枚の基板の上下面に偏光板を貼り付けた構成となっている。
まず、TFT基板2を第1のディスペンサ装置にセットしてシール材6を所定パターンで塗布し、次に、TFT基板2を第2のディスペンサ装置にセットしてコンタクト材10Aを各トランスファ電極10a〜10d上に塗布する。
そして、仮止めされた両基板2、25を加圧しながら加熱処理すると、シール材6及びコンタクト材10Aの熱硬化性樹脂が硬化し、空の液晶表示パネルが完成する。この空の液晶表示パネル内に図示しない注入口から液晶14を注入し、この注入口を封止材で塞ぐと半透過型の液晶表示装置1が完成する。
図3は、光検知部LSを構成する光センサ及びスイッチ素子の断面図である。
光検知部LSを構成するTFT光センサ及びスイッチ素子SWは、図3に示すように、いずれもTFTからなりTFT基板2上に形成されている。すなわち、TFT基板2は、その表面にTFT光センサのゲート電極GL、コンデンサCの一方の端子C1及び一方のスイッチ素子SWを構成するゲート電極GSが形成され、これらの表面を覆うようにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜17が積層されている。
また、ゲート絶縁体17上には、アルミニウムやモリブデン等の金属からなるTFT光センサのソース電極SL及びドレイン電極DL、一方のスイッチ素子SWを構成するTFTのソース電極SS及びドレイン電極DSがそれぞれの半導体層19L及び19Sと接触するように設けられている。
図5は、バックライト制御回路の詳細な構成を示すブロック図である。
この図5に示すように、バックライト制御回路は、光検知部LSから得られるアナログ情報を取得する読み取り部31と、バックライト輝度に応じて読み取り部31の出力値を補正する補正部32と、該補正部32の出力値を後述する所定の基準値と比較する比較部33と、該比較部33の結果に基づいてバックライト35を制御するB/L制御部34とを備えている。
補正部32には、読み取り部31から出力される照度データLLSと、B/L制御部34から出力されるバックライト輝度LBLとが入力され、バックライト輝度LBLに応じて照度データLLSの補正を行う。
先ずステップS1で、補正部32は、光検知部LSで検知した照度LLSと、バックライト輝度LBLとを読み込み、ステップS2に移行する。
ステップS2では、補正部32は、光検知部LSで検知した照度LLSが所定の低照度判定閾値A1(例えば、100Lx)以下であるか否かを判定し、LLS>A1である場合には、TFT光センサに中〜高照度の光が照射しており、照度LLSの補正を行う必要はないと判断して、ステップS3に移行する。
ステップS4では、補正部32は、補正後の照度Lを比較部33に対して出力してから照度補正処理を終了する。
一方、前記ステップS2でLLS≦A1であると判定された場合には、TFT光センサに低照度の光が照射していると判断してステップS5に移行する。
また、前記ステップS5で、LBL<B1であると判定されたときには、ステップS7に移行して、バックライト輝度LBLが第1の判定閾値B1より小さい第2の判定閾値B2(例えば、50%)以上であるか否かを判定する。このとき、LBL≧B2である場合にはステップS8に移行して、照度LLSに補正係数C1より大きい補正係数C2(例えば、0.8)を乗算することで補正後の照度Lを算出し、前記ステップS4に移行する。一方、LBL<B2である場合にはステップS9に移行する。
B/L制御部34は、比較部33での比較結果をもとに、バックライト35の輝度が照度Lに応じた最適輝度となるように制御すると共に、バックライト35の制御量としてこのときのバックライト輝度LBLを前記補正部32に出力する。
次に、本発明における実施形態の動作について説明する。
今、バックライト35が点灯していない状態で、TFT光センサに高照度の外光が照射しているものとする。このとき、読み取り部31が光検知部LSのスイッチ素子SWをオン状態とし、光検知部LSのコンデンサCに基準電圧Vsを充電する。そして、その後、読み取り部31がスイッチ素子SWをオフ状態に切り替え、TFT光センサに上記外光が照射されることにより生じる漏れ電流によって、コンデンサCに充電された充電電圧が所定の放電特性で低下する。その後、読み取り部31は、所定の読み取り時間が経過した時点で、コンデンサCの充電電圧を読み取り、その読み取り値から照度LLSを算出し、これを補正部32に出力する。
図7は、外光照度とバックライト35の最適輝度との関係の一例を示す図である。
一方で、低照度領域では、バックライトの影響により光センサの外光検出に誤差が生じることが分かっている。
そこで、本実施形態では、バックライト輝度に応じて、低照度領域で発生する光センサの外光検出誤差を補償し、正確に外光検出を行うようにする。
そのため、補正部32では、図6のステップS2でYesと判定してステップS5に移行する。バックライト35は消灯しておりバックライト輝度LBLは第3の判定閾値C3より低いため、ステップS5、S7及びS9で何れもNoと判定してステップS3に移行し、照度LLSをそのまま補正後の照度Lとして設定する。
そして、例えば、図7に示すような外光照度とバックライト輝度との関係を示す特性図に基づいて、バックライト35の最適輝度が52%に算出され、B/L制御部34でバックライト35が制御されて、バックライト輝度LBL=52%でバックライト35が点灯される。
このとき、センサ検出値が実際の外光照度より高い65Lxとなっているものとすると、LLS≦A1であるため、補正部32では、図6のステップS2でYesと判定してステップS5に移行する。バックライト輝度LBL=52%であり、B2≦LBL<B1であるため、ステップS5でNo、ステップS7でYesと判定してステップS8に移行する。そして、このステップS8で、照度LLSに補正係数C2が乗算され、補正後の照度Lが実際の外光照度と略等しい値まで減少補正される。
このように、上記実施形態では、光検知部の出力値が所定値以下であるとき、バックライト輝度に基づいて光検知部の出力値を減少補正するので、バックライトの漏れ光や迷光等、バックライトの影響を受けて外光検出誤差が発生し易い低照度領域での光センサ出力値の補正を適正に行うことができる。その結果、精度良く外光照度を検出してバックライト制御を適切に行うことができ、表示パネルの視認性確保と消費電力の低減とを実現することができる。
さらに、B/L制御部によるバックライト制御量に基づいてバックライト輝度を検出するので、バックライト制御回路内部で外光の検出値補正を完結することができる。そのため、システムとして新たな付加物やコストアップなく、低照度から高照度まで広範囲に亘って正確な外光検出結果を得ることができる。
例えば、照度LLSが所定の低照度判定閾値A1以下であるとき、LBL≧B1であるときには、L=LLS−C´1(例えば、C´1=8Lx)とし、B2≦LBL<B1であるときには、L=LLS−C´2(例えば、C´2=6Lx)とし、B3≦LBL<B2であるときには、L=LLS−C´3(例えば、C´2=4Lx)とし、LBL<B3であるときにはL=LLSとすることができる。この場合にも、バックライト輝度LBLが高いほど照度LLSを大きく減少補正することになり、バックライト輝度LBLに応じて光センサ出力値を適正に補正することができる。
さらに、上記実施形態においては、低照度判定閾値を1つだけ設け、照度LLSが低照度判定閾値A1以下であるときに、当該照度LLSを補正する場合について説明したが、低照度判定閾値を複数設けることもできる。そして、照度LLSが小さいほど当該照度LLSを大きく減少補正するようにしてもよい。これにより、低照度であるほどセンサ検出値の誤差が大きくなることを考慮して照度LLSを補正することができるなど、より正確に外光検出誤差を補正することができる。
さらにまた、上記実施形態においては、照度LLSが所定の低照度判定閾値A1以下であるとき、照度LLSとバックライト輝度LBLとに基づいて、予め格納されたルックアップテーブルを参照して、補正後の照度Lを算出することもできる。これにより、より緻密に外光検出誤差を補正することができる。
さらに、上記実施形態においては、光センサとしてTFT光センサを適用する場合について説明したが、周知のフォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトTFT、フォトSCR、光導電体、光電池など、任意の光−電気変換素子を適用することができる。
Claims (6)
- 表示パネルを照光する照光部と、外光を検知する光センサを有する光検知部と、前記光検知部の出力値に基づいて前記照光部を制御する制御部とを備える表示装置であって、
前記照光部の光の輝度を検出する輝度検出部と、前記光検知部の出力値が所定値以下であるとき、前記輝度検出部で検出した輝度に基づいて、前記光検知部の出力値を減少補正する出力補正部とを備えることを特徴とする表示装置。 - 表示パネルを照光する照光部と、外光を検知する光センサを有する光検知部と、前記光検知部の出力値に基づいて前記照光部を制御する制御部とを備える表示装置であって、
前記照光部の光の輝度を検出する輝度検出部と、前記光検知部の出力値が所定値以下であるとき、前記輝度検出部で検出した輝度と前記光検知部の出力値とに基づいて、前記光検知部の出力値を減少補正する出力補正部とを備えることを特徴とする表示装置。 - 前記出力補正部は、前記光検知部の出力値が所定値以下であるとき、前記輝度検出部で検出した輝度が高いほど、前記光検知部の出力値を大きく減少補正することを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置。
- 前記出力補正部は、前記光検知部の出力値が所定値以下であるとき、該光検知部の出力値が小さいほど、当該出力値を大きく減少補正することを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記光検知部は、前記光センサとしての薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極とドレイン電極の間に接続されたコンデンサと、前記ソース電極と前記コンデンサの一方の端子に接続されたスイッチ素子とを有し、前記スイッチ素子のオン状態で基準電圧に充電され、前記スイッチ素子のオフ状態で前記薄膜トランジスタへ光が照射されることにより生じる漏れ電流により低下する前記コンデンサの電圧を検知することを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記輝度検出部は、前記制御部による前記照光部の制御量に基づいて、当該照光部の光の輝度を検出することを特徴とする請求項1乃至5の何れか1項に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007317975A JP5020047B2 (ja) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007317975A JP5020047B2 (ja) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009139784A JP2009139784A (ja) | 2009-06-25 |
JP5020047B2 true JP5020047B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=40870422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007317975A Active JP5020047B2 (ja) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | 表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5020047B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7067195B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-05-16 | カシオ計算機株式会社 | 電子機器、照度検出方法、及び照度検出プログラム |
CN112687232B (zh) * | 2019-10-18 | 2022-06-10 | 北京小米移动软件有限公司 | Oled显示屏的调光方法和装置、电子设备、存储介质 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3015400B2 (ja) * | 1990-02-28 | 2000-03-06 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
JPH11295691A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置と液晶表示パネルの製造方法 |
JP4899255B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2012-03-21 | パナソニック株式会社 | ディスプレイ装置 |
JP2005338511A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 映像表示装置 |
JP4429240B2 (ja) * | 2005-09-05 | 2010-03-10 | シャープ株式会社 | 光センサ回路、および受光モジュール |
JP4940733B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2012-05-30 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
-
2007
- 2007-12-10 JP JP2007317975A patent/JP5020047B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009139784A (ja) | 2009-06-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100526 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100526 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101021 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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