JP5012759B2 - Method for manufacturing through electrode substrate - Google Patents
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Description
本発明は、基板の表面と裏面を導通する貫通電極を製造するための貫通電極基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method of manufacturing a through electrode substrate for manufacturing a through electrode that conducts between a front surface and a back surface of the substrate.
近年、電子機器の高密度化、小型化が進み、ＬＳＩチップが半導体パッケージと同程度まで縮小化しており、パッケージ内におけるチップの２次元配置による高密度化は限界に達しつつある。そこで、パッケージ内におけるチップの実装密度を上げるため、ＬＳＩチップを分けて３次元に積層する必要がある。また、ＬＳＩチップを積層した半導体パッケージ全体を高速動作させるために積層回路間の距離を近づける必要がある。 In recent years, electronic devices have been increased in density and miniaturized, and LSI chips have been reduced to the same extent as semiconductor packages, and the density increase by two-dimensional arrangement of chips in the package is reaching its limit. Therefore, in order to increase the mounting density of chips in the package, it is necessary to divide LSI chips and stack them three-dimensionally. Further, it is necessary to reduce the distance between the stacked circuits in order to operate the entire semiconductor package in which the LSI chips are stacked at high speed.
そこで、上記のような要求に応えるため、ＬＳＩチップ間のインターポーザとして基板の表面と裏面を導通する導通部を備えた貫通電極基板が提案されている。このような貫通電極基板では、貫通孔内部に電解メッキによって導電材（Ｃｕ等）を充填することで貫通電極が形成されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。 Therefore, in order to meet the above demands, a through electrode substrate having a conductive portion that conducts electricity between the front surface and the back surface of the substrate has been proposed as an interposer between LSI chips. In such a through electrode substrate, the through electrode is formed by filling the inside of the through hole with a conductive material (Cu or the like) by electrolytic plating (for example, see Patent Document 1 and Patent Document 2).
上記特許文献１、２によれば、貫通孔を備えた基板の一方の面にシード層を形成し、このシード層に給電して貫通孔内部に導電材を充填する方法が提案されている。シード層は、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の成膜法を用いて形成される。
しかし、上記特許文献１、２に提案されている成膜法によりシード層を形成する際には、貫通孔内部に金属粒子が堆積してしまう。このため、従来の成膜法を用いて形成された金属シード層を給電層として、電解メッキによって導電材を充填すると、導電材中にボイドが生じる。このボイドは、貫通孔内部への導電材の充填不足を招き、貫通電極の導電性能を低下させる原因となる。 However, when the seed layer is formed by the film forming method proposed in Patent Documents 1 and 2, metal particles are deposited inside the through hole. For this reason, when a metal seed layer formed using a conventional film forming method is used as a power feeding layer and a conductive material is filled by electrolytic plating, voids are generated in the conductive material. This void causes insufficient filling of the conductive material into the through hole and causes the conductive performance of the through electrode to deteriorate.
本発明は上記に鑑み、貫通孔が形成された基板にシード層を形成する際に、貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止する貫通電極基板の製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above, the present invention prevents metal particles from accumulating inside a through hole when forming a seed layer on a substrate having a through hole, and prevents voids from being formed when filling a conductive material. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a through electrode substrate.
本発明の一実施形態に係る貫通電極基板の製造方法は、基板の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を形成し、前記基板の他方の面側から前記貫通孔を通してスパッタ装置の反応室の内部に気体を供給しながら、前記基板の一方の面にシード層となる薄膜を形成し、前記シード層を給電層として電解メッキにより前記貫通孔内に導電材を充填して、前記基板に貫通電極を形成することを特徴とする。 In the method of manufacturing a through electrode substrate according to an embodiment of the present invention, a through hole penetrating from one surface of the substrate to the other surface is formed, and a reaction of a sputtering apparatus is performed from the other surface side of the substrate through the through hole. Forming a thin film to be a seed layer on one surface of the substrate while supplying gas into the chamber, filling the through hole with a conductive material by electrolytic plating using the seed layer as a feeding layer, A through electrode is formed on the substrate.
本発明の一実施形態に係る貫通電極の製造方法は、基板の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を形成し、前記基板の他方の面側から前記貫通孔を通してスパッタ装置の反応室の内部に気体を供給するとともに、前記基板の他方の面側と異なる方向から前記反応室の内部に前記気体を供給しながら、前記基板の一方の面にシード層となる薄膜を形成し、前記シード層を給電層として電解メッキにより前記貫通孔内に導電材を充填して、前記基板に貫通電極を形成することを特徴とする。 According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a through electrode, wherein a through hole is formed that penetrates from one surface of a substrate to the other surface, and the reaction chamber of the sputtering apparatus passes through the through hole from the other surface side of the substrate. And supplying a gas into the reaction chamber from a direction different from the other surface side of the substrate while forming a thin film serving as a seed layer on one surface of the substrate, The through hole is formed on the substrate by filling the through hole with a conductive material by electrolytic plating using the seed layer as a power feeding layer.
本発明の一実施形態に係る貫通電極の製造方法は、基板の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を形成し、前記基板の他方の面側から前記貫通孔を通して希ガスを供給するスパッタ法を用いて前記基板の一方の面にシード層となる薄膜を形成し、前記シード層を給電層として電解メッキにより前記貫通孔内に導電材を充填して、前記基板に貫通電極を形成することを特徴とする。 In a method for manufacturing a through electrode according to an embodiment of the present invention, a through hole penetrating from one surface of a substrate to the other surface is formed, and a rare gas is supplied from the other surface side of the substrate through the through hole. A thin film to be a seed layer is formed on one surface of the substrate by sputtering, and a conductive material is filled in the through hole by electrolytic plating using the seed layer as a power feeding layer, thereby forming a through electrode on the substrate. It is characterized by doing.
本発明によれば、貫通孔が形成された基板にシード層を形成する際に、貫通孔内部に金属粒子が堆積することを防止し、導電材を充填する際にボイドが生じることを防止する貫通電極基板の製造方法を提供することができる。 According to the present invention, when a seed layer is formed on a substrate in which a through hole is formed, metal particles are prevented from being deposited inside the through hole, and voids are prevented from being generated when filling a conductive material. A method of manufacturing the through electrode substrate can be provided.
（第１の実施の形態）
以下、図面を参照して、本発明の第１の実施の形態を詳細に説明する。
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
＜スパッタ装置の構成＞
図１は、スパッタ装置１００の要部構成を示す図である。図１において、スパッタ装置１００は、反応室を形成するチャンバ１０１と、チャンバ１０１内部の上部に配設されターゲットホルダ１０２と、チャンバ１０１内部の下部に配設された基板ホルダ１０５と、チャンバ１０１外部の下部に配設された気体吸気口１０６と、チャンバ１０１外部の下方左側部に配設された気体排出口１１０と、を備える。
<Configuration of sputtering equipment>
FIG. 1 is a diagram showing a main configuration of the sputtering apparatus 100. In FIG. 1, a sputtering apparatus 100 includes a chamber 101 that forms a reaction chamber, a target holder 102 that is disposed in the upper part of the chamber 101, a substrate holder 105 that is disposed in the lower part of the chamber 101, and the outside of the chamber 101. A gas inlet 106 disposed in the lower portion of the chamber 101 and a gas outlet 110 disposed on the lower left side outside the chamber 101.
ターゲットホルダ１０２は、平板状のターゲット１０３を保持する。ターゲットホルダ１０２には、外部の電源（直流電源又はＲＦ電源）１１２から所定の直流電圧又は所定の交流電圧が印加される。ターゲット１０３としては、薄膜を形成する材料となるアルミニウムＡｌ、チタンＴｉ、クロムＣｒ等の金属板が用いられる。 The target holder 102 holds a flat target 103. A predetermined DC voltage or a predetermined AC voltage is applied to the target holder 102 from an external power source (DC power source or RF power source) 112. As the target 103, a metal plate such as aluminum Al, titanium Ti, or chromium Cr, which is a material for forming a thin film, is used.
基板ホルダ１０５は、平板状の基板１０４を保持する。基板ホルダ１０５は、基板１０４の外周部を保持する環状支持部材１０６により構成される。環状支持部材１０６は、電気的に接地されている。環状支持部材１０６には、気体供給口１０７と連通する連通孔１０６Ａが形成されている。環状支持部材１０６の内部には、基板１０４の背面側となる位置に平板状の噴き上げ板１０８が配設されている。噴き上げ板１０８には、複数の噴き上げ孔１０８Ａが形成されている。なお、基板１０４としては、例えば、シリコン基板等が用いられる。この基板１０４には、後述する貫通電極が形成される。このため、基板ホルダ１０５により保持される基板１０４には、予め複数の貫通孔が形成されているが、図１では貫通孔の図示は省略している。 The substrate holder 105 holds the flat substrate 104. The substrate holder 105 includes an annular support member 106 that holds the outer periphery of the substrate 104. The annular support member 106 is electrically grounded. A communication hole 106 </ b> A that communicates with the gas supply port 107 is formed in the annular support member 106. Inside the annular support member 106, a flat spray plate 108 is disposed at a position on the back side of the substrate 104. The spray plate 108 is formed with a plurality of spray holes 108A. As the substrate 104, for example, a silicon substrate or the like is used. The substrate 104 is provided with a through electrode to be described later. Therefore, a plurality of through holes are formed in advance in the substrate 104 held by the substrate holder 105, but the illustration of the through holes is omitted in FIG.
噴き上げ板１０８の詳細な構成について図２を参照して説明する。図２（Ａ）は噴き上げ板１０８の断面図、図２（Ｂ）は噴き上げ板１０８の下方から見た平面図である。図２（Ｂ）に示すように、噴き上げ板１０８には、所定の間隔を空けて複数の噴き上げ孔１０８Ａ（この場合は５個）が形成されている。なお、噴き上げ孔１０８Ａの形成位置及び数は限定するものではない。噴き上げ板１０８は、周辺部が非接触部１０８Ｂを介して環状支持部材１０６に固定されている。この固定位置により、図２（Ａ）に示すように、基板１０４の背面側と噴き上げ板１０８の上面側との間には空洞１１４が形成される。 A detailed configuration of the spray plate 108 will be described with reference to FIG. 2A is a cross-sectional view of the spray plate 108, and FIG. 2B is a plan view of the spray plate 108 viewed from below. As shown in FIG. 2B, the spray plate 108 is formed with a plurality of spray holes 108A (in this case, five) at predetermined intervals. Note that the position and number of the spray holes 108A are not limited. The peripheral portion of the squirting plate 108 is fixed to the annular support member 106 via the non-contact portion 108B. With this fixed position, as shown in FIG. 2A, a cavity 114 is formed between the back side of the substrate 104 and the top side of the spray plate 108.
気体供給口１０７は、一方の端部がチャンバ１０１内部の壁面に固定され、他方の端部にマスフローコントローラ１０９が接続されている。マスフローコントローラ１０９は、外部に接地されたガスボンベ（図示せず）から供給されるアルゴンＡｒ等の希ガスの流量を制御する。マスフローコントローラ１０９における流量制御は、外部の制御装置（図示せず）から入力される流量制御信号等に応じて行われる。気体供給口１０７には、マスフローコントローラ１０９により流量が調整されたアルゴンＡｒ等の希ガスが供給される。気体吸気口１０７から供給される希ガスは、連通孔１０６Ａを通り、噴き上げ板１０８の噴き上げ孔１０８Ａにより基板１０４の背面側に噴き上げられる。したがって、供給された希ガスは、基板１０４に形成された複数の貫通孔を通ってチャンバ１０１内部に供給される。チャンバ１０１内部に供給される希ガスの流量は、貫通電極基板１０４の表面に薄膜を形成するための成膜処理条件に応じて、マスフローコントローラ１０９により一定に制御される。 One end of the gas supply port 107 is fixed to the wall surface inside the chamber 101, and the mass flow controller 109 is connected to the other end. The mass flow controller 109 controls the flow rate of a rare gas such as argon Ar supplied from a gas cylinder (not shown) grounded to the outside. The flow control in the mass flow controller 109 is performed according to a flow control signal or the like input from an external control device (not shown). A rare gas such as argon Ar whose flow rate is adjusted by the mass flow controller 109 is supplied to the gas supply port 107. The rare gas supplied from the gas inlet 107 passes through the communication hole 106A and is blown up to the back side of the substrate 104 through the blow-up hole 108A of the blow-up plate 108. Accordingly, the supplied rare gas is supplied into the chamber 101 through a plurality of through holes formed in the substrate 104. The flow rate of the rare gas supplied into the chamber 101 is controlled to be constant by the mass flow controller 109 according to the film forming process conditions for forming a thin film on the surface of the through electrode substrate 104.
気体排気口１１０は、一方の端部がチャンバ１０１内部の壁面に固定され、他方の端部が真空ポンプ１１１に接続されている。真空ポンプ１１１は、チャンバ１０１内部を所望の高真空（例えば、１０−５〜１０−７Ｐａ）に排気する。 One end of the gas exhaust port 110 is fixed to the wall surface inside the chamber 101, and the other end is connected to the vacuum pump 111. The vacuum pump 111 exhausts the inside of the chamber 101 to a desired high vacuum (for example, 10 −5 to 10 −7 Pa).
＜スパッタ装置の成膜処理＞
図１において、チャンバ１０１の内部は、真空ポンプ１１１により所望の高真空（例えば、１０−５〜１０−７Ｐａ）まで排気される。高真空状態になったチャンバ１０１の内部には、マスフローコントローラ１０９により流量調整された希ガスが、気体供給口１０７、連通孔１０６Ａ、噴き上げ板１０８、基板１０４の貫通孔を通って供給される。ターゲットホルダ１０２に電源１１２から電圧が印加されると、ターゲット１０３と基板１０４との間に電位差が発生する。この電位差により、チャンバ１０１内部に供給された希ガスは電離してプラズマ１１３となる。例えば、ターゲット１０３に負電圧を印加すると、アルゴンガスから電離したＡｒ＋イオンがターゲット１０２に衝突し、ターゲット１０２から金属原子を飛び出させる。この金属原子が基板１０４表面に堆積し、基板１０４表面に薄膜が形成される。
<Film formation process of sputtering device>
In FIG. 1, the inside of the chamber 101 is evacuated to a desired high vacuum (for example, 10 −5 to 10 −7 Pa) by a vacuum pump 111. A rare gas whose flow rate is adjusted by the mass flow controller 109 is supplied into the chamber 101 in a high vacuum state through the gas supply port 107, the communication hole 106 </ b> A, the spray plate 108, and the through hole of the substrate 104. When a voltage is applied from the power source 112 to the target holder 102, a potential difference is generated between the target 103 and the substrate 104. Due to this potential difference, the rare gas supplied into the chamber 101 is ionized into plasma 113. For example, when a negative voltage is applied to the target 103, Ar + ions ionized from the argon gas collide with the target 102, and metal atoms are ejected from the target 102. The metal atoms are deposited on the surface of the substrate 104, and a thin film is formed on the surface of the substrate 104.
＜貫通電極の形成方法＞
次に、基板１０４に貫通電極を形成する工程について、図３を参照して説明する。図３（Ａ）〜（Ｅ）は、基板１０４に貫通電極を形成する工程を順に示す図である。この場合、図３（Ｃ）に示す工程において、上記スパッタ装置１００が用いられる。なお、図３（Ａ）〜（Ｅ）では、説明を簡略化するため、基板１０４に形成される一つの貫通電極のみを示している。実際の基板１０４には、仕様等に応じて所望の孔径（例えば、１０μｍ〜１００μｍ）の複数の貫通電極が所望の間隔で複数形成される。
<Method for forming through electrode>
Next, a process of forming the through electrode on the substrate 104 will be described with reference to FIG. FIGS. 3A to 3E are diagrams sequentially illustrating a process of forming a through electrode on the substrate 104. In this case, the sputtering apparatus 100 is used in the step shown in FIG. 3A to 3E, only one through electrode formed on the substrate 104 is shown for the sake of simplicity. A plurality of through electrodes having a desired hole diameter (for example, 10 μm to 100 μm) are formed on the actual substrate 104 at a desired interval according to specifications and the like.
（１）貫通孔の形成
まず、図３（Ａ）において、基板１０４をエッチングして、基板１０４の上面から下面に貫通した貫通孔１０４Ａを穿設する。
(1) Formation of Through Hole First, in FIG. 3A, the substrate 104 is etched to form a through hole 104A penetrating from the upper surface to the lower surface of the substrate 104.
（２）絶縁膜の形成
次に、図３（Ｂ）において、基板１０４の上面と下面、及び貫通孔１０４Ａの内壁に絶縁膜１２０を形成する。絶縁層１２０は、シリコン酸化物、シリコン窒化物等の無機絶縁層からなる。この絶縁層１２０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等を用いて形成される。
(2) Formation of Insulating Film Next, in FIG. 3B, the insulating film 120 is formed on the upper and lower surfaces of the substrate 104 and the inner wall of the through hole 104A. The insulating layer 120 is made of an inorganic insulating layer such as silicon oxide or silicon nitride. The insulating layer 120 is formed using a CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like.
（３）シード層の形成
次に、図３（Ｃ）において、絶縁層１２０を形成した基板１０４に対して、上記スパッタ装置１００を用いて下面側にシード層１２１を形成する。図１に示したスパッタ装置１００では、基板ホルダ１０５はチャンバ１０１内部の下側に配設されている。このため、基板１０４は、シード層１２１の形成面がターゲット１０３に向くように基板ホルダ１０５に保持される。
(3) Formation of Seed Layer Next, in FIG. 3C, a seed layer 121 is formed on the lower surface side of the substrate 104 on which the insulating layer 120 is formed using the sputtering apparatus 100. In the sputtering apparatus 100 shown in FIG. 1, the substrate holder 105 is disposed on the lower side inside the chamber 101. Therefore, the substrate 104 is held by the substrate holder 105 so that the formation surface of the seed layer 121 faces the target 103.
スパッタ装置１００では、上述のように、高真空状態になったチャンバ１０１の内部には、マスフローコントローラ１０９により流量調整された希ガスが、気体供給口１０７、連通孔１０６Ａ、噴き上げ板１０８、基板１０４の貫通孔を通って供給される。この場合、図４に示すように、基板１０４の背面側から供給される希ガス（例えば、アルゴンガス）は、基板１０４に形成された微細な貫通孔１０４Ａを通ってチャンバ１０１内部に供給される。この場合、希ガスは、微細な貫通孔１０４Ａからチャンバ１０１内部に噴き上げられる。この希ガス噴き上げ時の圧力により、ターゲット１０３から飛び出した金属原子が貫通孔１０４Ａの内部に堆積することを防止することが可能になる。したがって、ターゲット１０３から飛び出した金属原子は、ターゲット１０３に向かって保持された基板１０４の表面に主に堆積し、シード層１２１となる薄膜を形成する。なお、シード層１２１は、材料としてチタンＴｉ等を用いて一層に形成してもよいし、チタンＴｉと銅Ｃｕを用いて２層に形成してもよい。シード層１２１を２層に形成する場合は、銅Ｃｕの層を後述する導通部１２２と接触する層として形成することが好ましい。 In the sputtering apparatus 100, as described above, the rare gas whose flow rate is adjusted by the mass flow controller 109 is supplied into the chamber 101 in a high vacuum state by the gas supply port 107, the communication hole 106 </ b> A, the spray plate 108, and the substrate 104. Supplied through the through-hole. In this case, as shown in FIG. 4, a rare gas (for example, argon gas) supplied from the back side of the substrate 104 is supplied into the chamber 101 through a fine through-hole 104 </ b> A formed in the substrate 104. . In this case, the rare gas is jetted into the chamber 101 from the fine through-hole 104A. By this pressure when the rare gas is blown up, it is possible to prevent metal atoms jumping out of the target 103 from being deposited inside the through hole 104A. Therefore, the metal atoms jumping out from the target 103 are mainly deposited on the surface of the substrate 104 held toward the target 103 to form a thin film that becomes the seed layer 121. The seed layer 121 may be formed in one layer using titanium Ti or the like as a material, or may be formed in two layers using titanium Ti and copper Cu. When the seed layer 121 is formed in two layers, it is preferable to form the copper Cu layer as a layer in contact with the conductive portion 122 described later.
（４）導通部の形成
次に、図３（Ｄ）において、電解メッキによって基板１０４のシード層１２１を給電層として貫通孔１０４Ａ内部に導電材（Ｃｕ等）を充填して、導通部１２２を形成する。この場合、図３（Ｄ）に示すように、導通部１２２は、シード層１２１を形成した面にも形成される。
(4) Formation of Conductive Portion Next, in FIG. 3D, a conductive material (Cu or the like) is filled in the through-hole 104A using the seed layer 121 of the substrate 104 as a power feeding layer by electrolytic plating, and the conductive portion 122 is formed. Form. In this case, as shown in FIG. 3D, the conductive portion 122 is also formed on the surface on which the seed layer 121 is formed.
（５）貫通電極の形成
次に、図３（Ｅ）において、基板１０４のシード層１２１及び導通部１２２が形成された面をエッチングして、導通部１２２とシード層１２１を除去して、貫通電極１３０の形成は完了する。
(5) Formation of Through Electrode Next, in FIG. 3E, the surface of the substrate 104 where the seed layer 121 and the conductive portion 122 are formed is etched, and the conductive portion 122 and the seed layer 121 are removed to penetrate the substrate 104. The formation of electrode 130 is complete.
以上のように、第１の実施の形態に示したスパッタ装置１００では、成膜処理が行われる基板１０４の背面側からプラズマを発生させる希ガスをチャンバ１０１内部に供給するようにした。このため、希ガスは、基板１０４に予め形成された微細な貫通孔１０４Ａを通ってチャンバ１０１内部に噴き上げられて、ターゲット１０３から飛び出した金属原子が貫通孔１０４Ａの内部に堆積することを防止することが可能になった。その結果、電解メッキによって導電材を貫通孔１０４Ａの内部に充填する際に、図５に示すように導電材中にボイド１２３が生じることを防止し、貫通電極１３０の導電性能が低下することを防止することが可能になった。なお、スパッタ処理における成膜処理条件と、基板１０４に形成する貫通孔１０４の孔径との具体的な対応関係等は、以下に開示する第２の実施の形態において説明する。 As described above, in the sputtering apparatus 100 described in the first embodiment, the rare gas that generates plasma is supplied into the chamber 101 from the back side of the substrate 104 on which the film formation process is performed. For this reason, the rare gas is blown up into the chamber 101 through the fine through-hole 104A previously formed in the substrate 104, and prevents the metal atoms jumping out of the target 103 from being deposited inside the through-hole 104A. It became possible. As a result, when filling the inside of the through hole 104A with the conductive material by electrolytic plating, the formation of the void 123 in the conductive material as shown in FIG. 5 is prevented, and the conductive performance of the through electrode 130 is reduced. It became possible to prevent. A specific correspondence between the film forming process conditions in the sputtering process and the diameter of the through hole 104 formed in the substrate 104 will be described in a second embodiment disclosed below.
（第２の実施の形態）
以下、図面を参照して、本発明の第２の実施の形態を詳細に説明する。
(Second Embodiment)
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
＜スパッタ装置の構成＞
図６は、スパッタ装置２００の要部構成を示す図である。図６において、図１に示したスパッタ装置１００と同一の構成部分には、同一符号を付して、その構成説明を省略する。
<Configuration of sputtering equipment>
FIG. 6 is a diagram showing a main configuration of the sputtering apparatus 200. In FIG. 6, the same components as those in the sputtering apparatus 100 shown in FIG.
図６において、スパッタ装置２００は、チャンバ１０１外部の下方右側部に第２気体供給口２０１を配設している。第２気体供給口２０１は、一方の端部がチャンバ１０１内部の壁面に固定され、他方の端部に第２マスフローコントローラＭＦＣ２（第２流量調整装置）が接続されている。これらの構成により、上記気体供給口１０７は、第１気体供給口１０７とし、上記マスフローコントローラ１０９は、第１マスフローコントローラＭＦＣ１（第１流量調整装置）とする。 In FIG. 6, the sputtering apparatus 200 is provided with a second gas supply port 201 on the lower right side outside the chamber 101. One end of the second gas supply port 201 is fixed to the wall surface inside the chamber 101, and the second mass flow controller MFC2 (second flow rate adjusting device) is connected to the other end. With these configurations, the gas supply port 107 is the first gas supply port 107, and the mass flow controller 109 is the first mass flow controller MFC1 (first flow rate adjusting device).
第２マスフローコントローラＭＦＣ２は、外部に接地されたガスボンベ（図示せず）から供給されるアルゴンＡｒ等の希ガスの流量を制御する。第２マスフローコントローラＭＦＣ２における流量制御は、外部の制御装置（図示せず）から入力される流量制御信号等に応じて行われる。第２気体供給口２０１には、第２マスフローコントローラＭＦＣ２により流量が調整されたアルゴンＡｒ等の希ガスが供給される。第２気体吸気口２０１から供給される希ガスの流量は、第１気体供給口１０７から供給される希ガスの流量より少なく設定される。したがって、第１気体供給口１０７及び第２気体吸気口２０１から供給される希ガスの流量は、貫通電極基板１０４の表面に薄膜を形成するための成膜処理条件に応じて、第１、第２マスフローコントローラＭＦＣ１，ＭＦＣ２により一定に制御される。 The second mass flow controller MFC2 controls the flow rate of a rare gas such as argon Ar supplied from a gas cylinder (not shown) grounded to the outside. The flow rate control in the second mass flow controller MFC2 is performed according to a flow rate control signal or the like input from an external control device (not shown). The second gas supply port 201 is supplied with a rare gas such as argon Ar whose flow rate is adjusted by the second mass flow controller MFC2. The flow rate of the rare gas supplied from the second gas intake port 201 is set to be smaller than the flow rate of the rare gas supplied from the first gas supply port 107. Therefore, the flow rate of the rare gas supplied from the first gas supply port 107 and the second gas intake port 201 depends on the film forming process conditions for forming a thin film on the surface of the through electrode substrate 104. 2 It is controlled by the mass flow controllers MFC1 and MFC2.
＜スパッタ装置の成膜処理＞
図６において、チャンバ１０１の内部は、真空ポンプ１１１により所望の高真空（例えば、１０−５〜１０−７Ｐａ）まで排気される。高真空状態になったチャンバ１０１の内部には、第１マスフローコントローラＭＦＣ１により流量調整された希ガスが、第１気体供給口１０７、連通孔１０６Ａ、噴き上げ板１０８、基板１０４の貫通孔を通って供給されるとともに、第２マスフローコントローラＭＦＣ２により流量調整された希ガスが第２気体吸気口２０１から供給される。この時、第１マスフローコントローラＭＦＣ１の気体流量は、第２マスフローコントローラＭＦＣ２の気体流量より多く設定される。ターゲットホルダ１０２に電源１１２から電圧が印加されると、ターゲット１０３と基板１０４との間に電位差が発生する。この電位差により、チャンバ１０１内部に供給された希ガスは電離してプラズマ１１３となる。例えば、ターゲット１０３に負電圧を印加すると、アルゴンガスから電離したＡｒ＋イオンがターゲット１０２に衝突し、ターゲット１０２から金属原子を飛び出させる。この金属原子が基板１０４表面に堆積し、基板１０４表面に薄膜が形成される。
<Film formation process of sputtering device>
In FIG. 6, the inside of the chamber 101 is evacuated to a desired high vacuum (for example, 10 −5 to 10 −7 Pa) by the vacuum pump 111. In the chamber 101 in a high vacuum state, a rare gas whose flow rate is adjusted by the first mass flow controller MFC1 passes through the first gas supply port 107, the communication hole 106A, the blow-up plate 108, and the through hole of the substrate 104. The rare gas whose flow rate is adjusted by the second mass flow controller MFC2 is supplied from the second gas inlet 201 while being supplied. At this time, the gas flow rate of the first mass flow controller MFC1 is set to be larger than the gas flow rate of the second mass flow controller MFC2. When a voltage is applied from the power source 112 to the target holder 102, a potential difference is generated between the target 103 and the substrate 104. Due to this potential difference, the rare gas supplied into the chamber 101 is ionized into plasma 113. For example, when a negative voltage is applied to the target 103, Ar + ions ionized from the argon gas collide with the target 102, and metal atoms are ejected from the target 102. The metal atoms are deposited on the surface of the substrate 104, and a thin film is formed on the surface of the substrate 104.
図６に示したスパッタ装置２００では、貫通孔が形成された基板１０４に対して成膜処理を行う際に、第１マスフローコントローラＭＦＣ１から供給する希ガスの流量を、第２マスフローコントローラＭＦＣ２から供給する希ガスの流量より多く設定したことに特徴がある。これら第１マスフローコントローラＭＦＣ１と第２マスフローコントローラＭＦＣ２における各気体流量の具体例については、以下に示す成膜処理条件の具体例において説明する。 In the sputtering apparatus 200 shown in FIG. 6, when the film forming process is performed on the substrate 104 having the through holes, the flow rate of the rare gas supplied from the first mass flow controller MFC1 is supplied from the second mass flow controller MFC2. The characteristic is that the flow rate is set higher than the flow rate of the rare gas. Specific examples of the respective gas flow rates in the first mass flow controller MFC1 and the second mass flow controller MFC2 will be described in the following specific examples of film forming process conditions.
次に、図６に示したスパッタ装置２００と同様に構成したスパッタ装置３００を用いて、貫通孔が形成された基板に対して成膜処理を行う場合の具体例について、図７及び図８を参照して説明する。 Next, a specific example in the case where a film forming process is performed on a substrate in which a through hole is formed using a sputtering apparatus 300 configured similarly to the sputtering apparatus 200 shown in FIG. The description will be given with reference.
＜スパッタ装置３００の構成＞
図７は、スパッタ装置３００の要部構成を簡略化して示した図である。図７において、スパッタ装置３００は、反応室を形成するチャンバ３０１と、チャンバ３０１内部の下部に配設されターゲット３０２と、チャンバ３０１内部の上部に配設された基板３０３と、基板３０３の背面側からチャンバ３０１内部にアルゴンガスを供給する２台の第１マスフローコントローラＭＦＣ１と、チャンバ３０１の左右側部からチャンバ３０１内部にアルゴンガスを供給する２台の第２マスフローコントローラＭＦＣ２と、ターゲット３０２と基板３０３の間に直流電圧を印加する直流電源３１０と、を備える。また、図７において、３０４はプラズマを示し、３２０は真空ポンプを示す。なお、図７に示すスパッタ装置３００のターゲット３０２と基板３０３の各配設位置は、図６に示したスパッタ装置２００のターゲット１０３と基板１０４の各配設位置と異なっているが、成膜処理プロセスが異なることはない。すなわち、ターゲットと基板の配置関係は、スパッタ装置内部の構成上の違いだけであり、成膜処理プロセスに影響を与える要素ではない。
<Configuration of Sputtering Apparatus 300>
FIG. 7 is a diagram showing a simplified configuration of the main part of the sputtering apparatus 300. In FIG. 7, a sputtering apparatus 300 includes a chamber 301 that forms a reaction chamber, a target 302 that is disposed in the lower part of the chamber 301, a substrate 303 that is disposed in the upper part of the chamber 301, and the back side of the substrate 303. Two first mass flow controllers MFC1 for supplying argon gas into the chamber 301 from the inside, two second mass flow controllers MFC2 for supplying argon gas into the chamber 301 from the left and right sides of the chamber 301, a target 302 and a substrate And a direct-current power source 310 that applies a direct-current voltage between the two. In FIG. 7, 304 indicates plasma, and 320 indicates a vacuum pump. 7 is different from the arrangement positions of the target 103 and the substrate 104 of the sputtering apparatus 200 shown in FIG. The process is never different. That is, the positional relationship between the target and the substrate is only a difference in configuration inside the sputtering apparatus, and is not an element that affects the film forming process.
＜スパッタ装置の成膜処理＞
図７において、チャンバ３０１の内部は、真空ポンプ３２０により所望の高真空（例えば、１０−５〜１０−７Ｐａ）まで排気される。高真空状態になったチャンバ３０１の内部には、チャンバ３０１の上部から２台の第１マスフローコントローラＭＦＣ１により流量調整されたアルゴンガスが基板３０３の貫通孔を通って供給されるとともに、チャンバ３０１の左右側部から２台の第２マスフローコントローラＭＦＣ２により流量調整されたアルゴンガスが供給される。この時、第１マスフローコントローラＭＦＣ１から供給する希ガスの流量は、第２マスフローコントローラＭＦＣ２から供給する希ガスの流量より多く設定される。例えば、第１マスフローコントローラＭＦＣ１から供給する希ガスの流量を１００（ｓｃｃｍ）、第２マスフローコントローラＭＦＣ２から供給する希ガスの流量を３０（ｓｃｃｍ）に設定される。他の具体例については、以下に示す図８において説明する。
<Film formation process of sputtering device>
In FIG. 7, the inside of the chamber 301 is evacuated to a desired high vacuum (for example, 10 −5 to 10 −7 Pa) by the vacuum pump 320. Argon gas whose flow rate is adjusted by the two first mass flow controllers MFC1 from the upper part of the chamber 301 is supplied to the inside of the chamber 301 in a high vacuum state through the through hole of the substrate 303, and Argon gas whose flow rate is adjusted by two second mass flow controllers MFC2 is supplied from the left-right part. At this time, the flow rate of the rare gas supplied from the first mass flow controller MFC1 is set higher than the flow rate of the rare gas supplied from the second mass flow controller MFC2. For example, the flow rate of the rare gas supplied from the first mass flow controller MFC1 is set to 100 (sccm), and the flow rate of the rare gas supplied from the second mass flow controller MFC2 is set to 30 (sccm). Another specific example will be described with reference to FIG.
次に、ターゲット３０２と基板３０３の間に直流電源３１０から直流電圧が印加されると、ターゲット３０２と基板３０３との間に電位差が発生する。この電位差により、チャンバ３０１内部に供給されたアルゴンガスは電離してプラズマ３０４となる。この場合、基板３０３に正電圧（＋）を印加し、ターゲット３０３に負電圧（−）を印加している。アルゴンガスから電離したＡｒ＋イオンがターゲット３０２に衝突し、ターゲット３０２から金属原子（ターゲット原子）を飛び出させる。この金属原子が基板３０３表面に堆積し、基板３０３表面に薄膜が形成される。 Next, when a DC voltage is applied between the target 302 and the substrate 303 from the DC power supply 310, a potential difference is generated between the target 302 and the substrate 303. Due to this potential difference, the argon gas supplied into the chamber 301 is ionized into plasma 304. In this case, a positive voltage (+) is applied to the substrate 303 and a negative voltage (−) is applied to the target 303. Ar + ions ionized from the argon gas collide with the target 302, and metal atoms (target atoms) are ejected from the target 302. The metal atoms are deposited on the surface of the substrate 303, and a thin film is formed on the surface of the substrate 303.
上記成膜処理における具体的な成膜処理条件を図８に示す。図８は、成膜処理条件として、第１マスフローコントローラＭＦＣ１により調整される気体流量「ＭＦＣ１流量（ｓｃｃｍ）」と、第２マスフローコントローラＭＦＣ２により調整される気体流量「ＭＦＣ２流量（ｓｃｃｍ）」と、基板３０３に形成された貫通孔の貫通孔径「φ３０（μｍ），φ５０（μｍ），φ７０（μｍ）」とを対応付けた場合を示している。図８において、「従来の成膜処理条件」は、第２マスフローコントローラＭＦＣ２のみからアルゴンガスをチャンバ３０１内部に供給する場合を示す。また、「本案の成膜処理条件」は、第１マスフローコントローラＭＦＣ１と第２マスフローコントローラＭＦＣ２の双方からアルゴンガスをチャンバ３０１内部に供給する場合を示す。 Specific film forming process conditions in the film forming process are shown in FIG. FIG. 8 shows a gas flow rate “MFC1 flow rate (sccm)” adjusted by the first mass flow controller MFC1, and a gas flow rate “MFC2 flow rate (sccm)” adjusted by the second mass flow controller MFC2, as the film formation processing conditions. The case where the through-hole diameter “φ30 (μm), φ50 (μm), φ70 (μm)” of the through-hole formed in the substrate 303 is associated is shown. In FIG. 8, “Conventional film forming process conditions” indicates a case where argon gas is supplied into the chamber 301 only from the second mass flow controller MFC2. Further, “the present film forming process condition” indicates a case where argon gas is supplied into the chamber 301 from both the first mass flow controller MFC1 and the second mass flow controller MFC2.
まず、「従来の成膜処理条件」では、第２マスフローコントローラＭＦＣ２からチャンバ３０１内部に供給するアルゴンガスの流量を３０（ｓｃｃｍ）に調整し、基板３０３の貫通孔径をφ３０（μｍ），φ５０（μｍ），φ７０（μｍ）に変更して、成膜処理を行っている。この成膜処理の後、上述の電解メッキによって導電材を基板３０３の貫通孔の内部に充填した。そして、貫通孔径φ３０（μｍ），φ５０（μｍ），φ７０（μｍ）毎に導通部の良（図中の○）、不良（図中の×）を判定した。この場合、いずれの貫通孔径でも導通部は不良（×）であった。 First, in the “conventional film forming process conditions”, the flow rate of argon gas supplied from the second mass flow controller MFC2 into the chamber 301 is adjusted to 30 (sccm), and the through-hole diameter of the substrate 303 is φ30 (μm), φ50 ( (μm) and φ70 (μm). After this film forming process, the conductive material was filled in the through holes of the substrate 303 by the above-described electrolytic plating. Then, good (◯ in the figure) and bad (x in the figure) of the conduction part were determined for each through-hole diameter φ30 (μm), φ50 (μm), and φ70 (μm). In this case, the conduction part was defective (x) at any through-hole diameter.
上記「従来の成膜処理条件」により貫通電極が形成された基板の断面をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）で撮影した結果を図９に示す。図９に示すように、貫通電極内にボイドが生じていることが判る。したがって、第２マスフローコントローラＭＦＣ２のみからチャンバ３０１内部にアルゴンガスを供給する成膜処理条件では、図９に示すようなアスペクト比が大きい貫通電極を形成することが困難であることが判った。図９に示した貫通電極の成膜処理条件は、図８に示したＭＦＣ２流量：３０（ｓｃｃｍ），ＭＦＣ１流量：０（ｓｃｃｍ），貫通孔径：φ５０（μｍ）に設定した場合である。また、貫通孔の深さは、４００μｍである。 FIG. 9 shows a result obtained by photographing a cross section of the substrate on which the through electrode is formed under the above-described “conventional film forming process conditions” with an SEM (Scanning Electron Microscope). As shown in FIG. 9, it can be seen that voids are generated in the through electrodes. Therefore, it has been found that it is difficult to form a through electrode having a large aspect ratio as shown in FIG. 9 under the film forming process conditions in which argon gas is supplied into the chamber 301 only from the second mass flow controller MFC2. The through electrode deposition process conditions shown in FIG. 9 are set when the MFC2 flow rate: 30 (sccm), the MFC1 flow rate: 0 (sccm), and the through hole diameter: φ50 (μm) shown in FIG. 8 are set. The depth of the through hole is 400 μm.
次に、「本案の成膜処理条件」として、第１マスフローコントローラＭＦＣ１と第２マスフローコントローラＭＦＣ２からチャンバ３０１内部に各々供給するアルゴンガスの流量を３０（ｓｃｃｍ）に調整し、基板３０３の貫通孔径をφ３０（μｍ），φ５０（μｍ），φ７０（μｍ）に変更して、成膜処理を行っている。この成膜処理の後、上述の電解メッキによって導電材を基板３０３の貫通孔の内部に充填した。この場合、基板３０３の貫通孔径をφ３０（μｍ），φ５０（μｍ），φ７０（μｍ）に変更したが、何れの場合も形成された貫通電極は不良（×）となった。 Next, as “deposition film forming process conditions”, the flow rate of argon gas supplied from the first mass flow controller MFC1 and the second mass flow controller MFC2 to the inside of the chamber 301 is adjusted to 30 (sccm), and the through hole diameter of the substrate 303 is adjusted. Is changed to φ30 (μm), φ50 (μm), and φ70 (μm) to perform the film forming process. After this film forming process, the conductive material was filled in the through holes of the substrate 303 by the above-described electrolytic plating. In this case, the diameter of the through hole of the substrate 303 was changed to φ30 (μm), φ50 (μm), and φ70 (μm), but in any case, the formed through electrode was defective (x).
「本案の成膜処理条件」として、第１マスフローコントローラＭＦＣ１からチャンバ３０１内部に供給するアルゴンガスの流量を５０（ｓｃｃｍ）に調整し、第２マスフローコントローラＭＦＣ２からの供給流量を０（ｓｃｃｍ）に調整し、基板３０３の貫通孔径をφ３０（μｍ），φ５０（μｍ），φ７０（μｍ）に変更して、成膜処理を行っている。この成膜処理の後、上述の電解メッキによって導電材を基板３０３の貫通孔の内部に充填した。この場合、基板３０３の貫通孔径をφ３０（μｍ）に設定して形成された貫通電極は良（○）となり、貫通孔径をφ５０（μｍ），φ７０（μｍ）に設定して形成された貫通電極は不良（×）となった。 As “the present film forming process conditions”, the flow rate of argon gas supplied from the first mass flow controller MFC1 into the chamber 301 is adjusted to 50 (sccm), and the supply flow rate from the second mass flow controller MFC2 is set to 0 (sccm). The film forming process is performed by adjusting the through hole diameter of the substrate 303 to φ30 (μm), φ50 (μm), and φ70 (μm). After this film forming process, the conductive material was filled in the through holes of the substrate 303 by the above-described electrolytic plating. In this case, the through electrode formed by setting the through hole diameter of the substrate 303 to φ30 (μm) is good (◯), and the through electrode formed by setting the through hole diameter to φ50 (μm) and φ70 (μm) Became defective (×).
また、「本案の成膜処理条件」として、第１マスフローコントローラＭＦＣ１からチャンバ３０１内部に供給するアルゴンガスの流量を１００（ｓｃｃｍ）に調整し、第２マスフローコントローラＭＦＣ２からの供給流量を０（ｓｃｃｍ）又は３０（ｓｃｃｍ）に調整し、基板３０３の貫通孔径をφ３０（μｍ），φ５０（μｍ），φ７０（μｍ）に変更して、成膜処理を行っている。この成膜処理の後、上述の電解メッキによって導電材を基板３０３の貫通孔の内部に充填した。この場合、基板３０３の貫通孔径をφ３０（μｍ），φ５０（μｍ）に設定して形成された貫通電極は共に良（○）となり、貫通孔径をφ７０（μｍ）に設定して形成された貫通電極は不良（×）となった。 Further, as the “deposition film forming process condition”, the flow rate of argon gas supplied from the first mass flow controller MFC1 into the chamber 301 is adjusted to 100 (sccm), and the supply flow rate from the second mass flow controller MFC2 is set to 0 (sccm). ) Or 30 (sccm), and the through hole diameter of the substrate 303 is changed to φ30 (μm), φ50 (μm), and φ70 (μm) to perform the film forming process. After this film forming process, the conductive material was filled in the through holes of the substrate 303 by the above-described electrolytic plating. In this case, the through electrodes formed with the through-hole diameters of the substrate 303 set to φ30 (μm) and φ50 (μm) are both good (O), and the through-holes formed with the through-hole diameter set to φ70 (μm) The electrode was defective (x).
以上の「本案の成膜処理条件」の結果から、少なくとも第２マスフローコントローラＭＦＣ２のみからアルゴンガスを供給する場合よりも、第１マスフローコントローラＭＦＣ１からチャンバ３０１内部にアルゴンガスを供給する方が、良好な貫通電極を形成できることが判った。 From the result of the above “deposition film forming process conditions”, it is better to supply argon gas from the first mass flow controller MFC1 into the chamber 301 than to supply argon gas from only the second mass flow controller MFC2. It has been found that a through electrode can be formed.
上記「本案の成膜処理条件」により貫通電極が形成された基板の断面をＳＥＭで撮影した結果を図１０に示す。図１０に示すように、貫通電極内にボイドが生じていないことが判る。したがって、第１マスフローコントローラＭＦＣ１からチャンバ３０１内部に供給するアルゴンガスの流量を、第２マスフローコントローラＭＦＣ２から供給するアルゴンガスの流量より多くすることにより、アスペクト比が大きい貫通電極を形成する際に用いる成膜処理としては良好な結果が得られることが判った。図１０に示した貫通電極の成膜処理条件は、図８に示したＭＦＣ２流量：０（ｓｃｃｍ），ＭＦＣ１流量：１００（ｓｃｃｍ），貫通孔径：φ５０（μｍ）に設定した場合である。また、貫通孔の深さは、４００μｍである。 FIG. 10 shows the result of photographing the cross section of the substrate on which the through electrode is formed under the above-mentioned “deposition film forming process conditions” with an SEM. As shown in FIG. 10, it can be seen that no void is generated in the through electrode. Therefore, the flow rate of the argon gas supplied from the first mass flow controller MFC1 into the chamber 301 is made larger than the flow rate of the argon gas supplied from the second mass flow controller MFC2, thereby forming a through electrode having a large aspect ratio. It has been found that good results can be obtained as a film forming process. The through electrode deposition process conditions shown in FIG. 10 are the cases where the MFC2 flow rate: 0 (sccm), the MFC1 flow rate: 100 (sccm), and the through hole diameter: φ50 (μm) shown in FIG. 8 are set. The depth of the through hole is 400 μm.
なお、図８に示した各成膜処理条件は、あくまで一例であり、基板に形成する貫通電極の貫通孔径に応じて、その成膜処理条件を変更可能であることは勿論である。 Each film forming process condition shown in FIG. 8 is merely an example, and it is needless to say that the film forming process condition can be changed according to the through hole diameter of the through electrode formed on the substrate.
また、第２の実施の形態において、上記成膜処理以外に貫通電極を形成する他の工程は、第１の実施の形態において図３で説明した各工程と同様であるため説明は省略する。 In the second embodiment, other steps for forming the through electrode in addition to the film forming process are the same as the steps described in FIG. 3 in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
１００，２００，３００…スパッタ装置、１０１，３０１…チャンバ、１０２…ターゲットホルダ、１０３，３０２…ターゲット、１０４，３０３…基板、１０４Ａ…貫通孔、１０５…基板ホルダ、１０７…気体供給口（第１気体供給口）、１０８…噴き上げ板、１０９…マスフローコントローラ、１２１…シード層、１２２…導通部、１３０…貫通電極、２０１…第２気体供給口、ＭＦＣ１…第１マスフローコントローラ、ＭＦＣ２…第２マスフローコントローラ。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100,200,300 ... Sputtering apparatus, 101,301 ... Chamber, 102 ... Target holder, 103, 302 ... Target, 104, 303 ... Substrate, 104A ... Through-hole, 105 ... Substrate holder, 107 ... Gas supply port (first Gas supply port), 108 ... Blowing plate, 109 ... Mass flow controller, 121 ... Seed layer, 122 ... Conducting part, 130 ... Through electrode, 201 ... Second gas supply port, MFC1 ... First mass flow controller, MFC2 ... Second mass flow controller.
Claims (6)
前記基板の他方の面側から前記貫通孔を通してスパッタ装置の反応室の内部に気体を供給しながら、前記基板の一方の面にシード層となる薄膜を形成し、
前記シード層を給電層として電解メッキにより前記貫通孔内に導電材を充填して、前記基板に貫通電極を形成することを特徴とする貫通電極基板の製造方法。 Forming a through-hole penetrating from one surface of the substrate to the other surface;
Forming a thin film to be a seed layer on one surface of the substrate while supplying gas from the other surface side of the substrate to the inside of the reaction chamber of the sputtering apparatus through the through hole,
A method of manufacturing a through electrode substrate, comprising forming a through electrode on the substrate by filling the through hole with a conductive material by electrolytic plating using the seed layer as a power feeding layer.
前記基板の他方の面側から前記貫通孔を通してスパッタ装置の反応室の内部に気体を供給するとともに、前記基板の他方の面側と異なる方向から前記反応室の内部に前記気体を供給しながら、前記基板の一方の面にシード層となる薄膜を形成し、
前記シード層を給電層として電解メッキにより前記貫通孔内に導電材を充填して、前記基板に貫通電極を形成することを特徴とする貫通電極基板の製造方法。 Forming a through-hole penetrating from one surface of the substrate to the other surface;
While supplying gas into the reaction chamber of the sputtering apparatus from the other surface side of the substrate through the through hole, and supplying the gas into the reaction chamber from a direction different from the other surface side of the substrate, Forming a thin film to be a seed layer on one surface of the substrate;
A method of manufacturing a through electrode substrate, comprising forming a through electrode on the substrate by filling the through hole with a conductive material by electrolytic plating using the seed layer as a power feeding layer.
前記基板の他方の面側から前記貫通孔を通して希ガスを供給するスパッタ法を用いて前記基板の一方の面にシード層となる薄膜を形成し、
前記シード層を給電層として電解メッキにより前記貫通孔内に導電材を充填して、前記基板に貫通電極を形成することを特徴とする貫通電極基板の製造方法。
Forming a through-hole penetrating from one surface of the substrate to the other surface;
Forming a thin film to be a seed layer on one surface of the substrate using a sputtering method of supplying a rare gas from the other surface side of the substrate through the through-hole,
A method of manufacturing a through electrode substrate, comprising forming a through electrode on the substrate by filling the through hole with a conductive material by electrolytic plating using the seed layer as a power feeding layer.
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| WO2005027606A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-24 | Hoya Corporation | Method for manufacturing double-sided printed glass board |
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