JP5008905B2 - Solid-state imaging device - Google Patents
Solid-state imaging device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5008905B2 JP5008905B2 JP2006170937A JP2006170937A JP5008905B2 JP 5008905 B2 JP5008905 B2 JP 5008905B2 JP 2006170937 A JP2006170937 A JP 2006170937A JP 2006170937 A JP2006170937 A JP 2006170937A JP 5008905 B2 JP5008905 B2 JP 5008905B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- axis
- solid
- imaging device
- state imaging
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 66
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 29
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 16
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 12
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 47
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
本発明は、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサやCCD(Charge Coupled Device)イメージセンサ等の固体撮像装置に関するものである。 The present invention relates to a solid-state imaging device such as a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and a charge coupled device (CCD) image sensor.
一般的な固体撮像装置は、画素に含まれるフォトダイオードへ入射する光(外部光)を電荷に変換する。そのため、フォトダイオードの受光面(光電変換領域)に入射する光信号は、画素単位で電気信号へと変換される。すると、画素面積に対する受光面の面積比率(開口率)が高いほど、光信号が多く取得されることになり、固体撮像装置の感度が向上する。 A general solid-state imaging device converts light (external light) incident on a photodiode included in a pixel into an electric charge. Therefore, the optical signal incident on the light receiving surface (photoelectric conversion region) of the photodiode is converted into an electrical signal in units of pixels. Then, as the area ratio (aperture ratio) of the light receiving surface to the pixel area is higher, more optical signals are acquired, and the sensitivity of the solid-state imaging device is improved.
しかし、画素面積内には、光電変換領域以外の他の要素(例えばトランジスタ等)も含まれる。そのため、開口率の向上には限界がある。そこで、外部光を光電変換領域に集光させるマイクロレンズ(オンチップレンズ)を備える固体撮像装置が種々開発されている。なぜなら、このようなマイクロレンズは、外部光を集光させて(すなわち光量を増加させて)光電変換領域に導けるので、固体撮像装置の感度が向上するためである(なお、かかるような光量増加のことを、見かけの開口率が向上したと表現してもよい)。 However, other elements (for example, transistors) other than the photoelectric conversion region are included in the pixel area. Therefore, there is a limit to improving the aperture ratio. Therefore, various solid-state imaging devices having a microlens (on-chip lens) for condensing external light on the photoelectric conversion region have been developed. This is because such a microlens condenses external light (that is, increases the amount of light) and leads it to the photoelectric conversion region, thereby improving the sensitivity of the solid-state imaging device (in addition, such an increase in the amount of light). This may be expressed as an improvement in the apparent aperture ratio).
ところが、最近では、固体撮像装置の高画素化の要望のために、画素サイズの縮小化(すなわち画素ピッチの縮小化)が進んでいる。そのため、画素表面に設けられている画素毎のマイクロレンズの面サイズ(外径等)も縮小してしまい、光電変換領域に導かれる光量が向上しにくくなっている。 Recently, however, the pixel size has been reduced (that is, the pixel pitch has been reduced) due to the demand for higher pixels in the solid-state imaging device. For this reason, the surface size (outer diameter, etc.) of the microlens for each pixel provided on the pixel surface is also reduced, and the amount of light guided to the photoelectric conversion region is hardly improved.
そこで、効果的な光量増加を図るべく、図7に示すように、マイクロレンズmsとフォトダイオードddとの間に、層内レンズisを設けた固体撮像装置139が種々開発されている(例えば特許文献1)。なぜなら、このような層内レンズisは、マイクロレンズmsからの透過光を集光させて光電変換領域へと導けるためである。
ただし、特許文献1の固体撮像装置139は、画素のピッチ(すなわちマイクロレンズMSのピッチ)を等間隔にしている上に、フォトダイオードddのピッチも等間隔にし、さらに、フォトダイオードddの受光面側の上方に、マイクロレンズmsおよび層内レンズisを重畳させるように配置させている。このような固体撮像装置139であれば、層内レンズisによって、マイクロレンズmsの透過光をフォトダイオードddに導ける。しかし、図8のような固体撮像装置139の場合では問題が生じる。その問題について、図8と図9・図10とを参照しながら以下に説明する(なお、理解を容易にすべく断面図でのハッチングを省略している場合もある)。
However, in the solid-
図8に示される固体撮像装置139は、面内配置で2行2列の画素を一組(画素組)としており、画素のピッチ(すなわちマイクロレンズmsのピッチPa)と層内レンズisのピッチPbを等間隔にしている。なお、この固体撮像装置139は、マイクロレンズmsおよび層内レンズisの面内中心(黒丸)を一致(重畳)させ、さらに外径も同じにしているで、Pa=Pbとなる。
The solid-
しかしながら、フォトダイオードddは画素組の面内中心に近づくように配置されている。そのため、画素組内のフォトダイオードdd同士の間隔Pdと隣り合う画素組同士でのフォトダイオードdd同士の間隔Peとが異なる(なお、白丸が光電変換領域の面内中心であり、Pd<Pe,Pd+Pe=Pa×2=Pb×2)。 However, the photodiode dd is disposed so as to approach the in-plane center of the pixel group. Therefore, the interval Pd between the photodiodes dd in the pixel group is different from the interval Pe between the photodiodes dd in adjacent pixel groups (note that the white circle is the in-plane center of the photoelectric conversion region, and Pd <Pe, Pd + Pe = Pa × 2 = Pb × 2).
したがって、かかる固体撮像装置139では、画素のピッチは等間隔になっているものの、フォトダイオードddのピッチは不等間隔になる。なお、画素は不図示のカラーフィルタを含んでおり、赤(RED)の画素には「R」、緑(GREEN)の画素には「G」、青(BLUE)の画素には「B」を付している。
Therefore, in the solid-
また、図9に示すように、複数画素の配置から成る受光面irの面内の一方向をx方向、このx方向に垂直な面内の一方向をy方向、x方向およびy方向に垂直な方向をz方向とした場合に、受光面irの上方に射出瞳EPが位置すると、受光面のx方向では、射出瞳EPを境に入射光が傾く。すなわち、射出瞳EPを境にしたx方向における一方側の受光面[AREA(L)]では、入射光はθxの入射角度(+θx)を有するようになり、他方側の受光面[AREA(R)]でも、入射光はθxの入射角度(−θx)を有するようになる。 Further, as shown in FIG. 9, one direction in the plane of the light receiving surface ir composed of a plurality of pixels is set in the x direction, and one direction in the plane perpendicular to the x direction is set in the y direction, and in the x direction and the y direction. If the exit pupil EP is positioned above the light receiving surface ir when the correct direction is the z direction, the incident light is inclined with respect to the exit pupil EP in the x direction of the light receiving surface. That is, on one light receiving surface [AREA (L)] in the x direction with the exit pupil EP as a boundary, incident light has an incident angle (+ θx) of θx, and the other light receiving surface [AREA (R ]], However, the incident light has an incident angle (−θx) of θx.
すると、図8の固体撮像装置139における入射光でも、図9のような入射角度が生じることになる。それを図示すると、図10A・図10Bのようになる。なお、この図10A・図10Bの固体撮像装置139は、図9におけるx方向およびz方向から成る一面に対応しており、図10Aは図9での受光面[AREA(L)]、図10Bは図9での受光面[AREA(R)]に対応している。また、図10A・図10B上、y方向においては青および緑のカラーフィルタ、または緑および赤のカラーフィルタが並ぶことになるので、かかるカラーフィルタの色に応じて「B/G,G/R」が付されている。
Then, the incident angle as shown in FIG. 9 is generated even in the incident light in the solid-
そして、図10A・図10Bに示すように、マイクロレンズmsの面頂点の法線方向を基準軸とした場合、フォトダイオードddの受光面の面内中心は基準軸からずれている。詳説すると、図10Aでは、B/Gのカラーフィルタに対応するフォトダイオードddは、マイクロレンズmsおよび層内レンズisを透過する入射角度(+θx)の光の集光点に近づくようにずれる一方、G/Rのカラーフィルタに対応するフォトダイオードddは、かかる集光点から離れるようにずれている。そのため、B/Gのカラーフィルタに対応するフォトダイオードddには多量の光量が到達するが、G/Rのカラーフィルタに対応するフォトダイオードddには少量の光量しか到達しないことになる。したがって、全画素面における一方が青味がかることになる。 As shown in FIGS. 10A and 10B, when the normal direction of the surface vertex of the microlens ms is used as the reference axis, the in-plane center of the light receiving surface of the photodiode dd is shifted from the reference axis. More specifically, in FIG. 10A, the photodiode dd corresponding to the B / G color filter is shifted so as to approach the condensing point of light having an incident angle (+ θx) transmitted through the microlens ms and the in-layer lens is, The photodiode dd corresponding to the G / R color filter is shifted away from the condensing point. Therefore, a large amount of light reaches the photodiode dd corresponding to the B / G color filter, but only a small amount of light reaches the photodiode dd corresponding to the G / R color filter. Therefore, one of all the pixel surfaces is bluish.
一方、図10Bでは、G/Rのカラーフィルタに対応するフォトダイオードddは、マイクロレンズmsおよび層内レンズisを透過する入射角度(−θx)の光の集光点に近づくようにずれる一方、B/Gのカラーフィルタに対応するフォトダイオードddは、かかる集光点から離れるようにずれている。そのため、G/Rのカラーフィルタに対応するフォトダイオードddには多量の光量が到達するが、B/Gのカラーフィルタに対応するフォトダイオードddには少量の光量しか到達しないことになる。したがって、全画素面における他方が赤味がかることになる。 On the other hand, in FIG. 10B, the photodiode dd corresponding to the G / R color filter is shifted so as to approach the condensing point of the light having the incident angle (−θx) transmitted through the microlens ms and the in-layer lens is. The photodiode dd corresponding to the B / G color filter is shifted away from the condensing point. Therefore, a large amount of light reaches the photodiode dd corresponding to the G / R color filter, but only a small amount of light reaches the photodiode dd corresponding to the B / G color filter. Therefore, the other pixel surface becomes reddish.
このような色味がかる現象を色シェーディング現象というが、この色シェーディング現象は、図9における射出瞳EPを境にしたy方向の一方と他方とにおいても生じる。したがって、図8に示すような固体撮像装置139では、高品位なカラー画像を提供できない。そして、その理由は、全画素におけるフォトダイオードddに同量(均一)の光量が到達しないことに起因するといえる。
Such a tinted phenomenon is called a color shading phenomenon, and this color shading phenomenon also occurs in one and the other in the y direction with the exit pupil EP as a boundary in FIG. Therefore, the solid-
本発明は、上記の状況を鑑みてなされたものである。そして、本発明の目的は、面内配置で不等間隔に並ぶフォトダイオードを有する固体撮像装置(フォトダイオードのピッチが不等間隔になっている固体撮像装置)であっても、全フォトダイオードに同量の光量を到達させることにある。 The present invention has been made in view of the above situation. An object of the present invention is to provide a solid-state image pickup device having solid-state image pickup devices (solid-state image pickup devices in which the pitches of the photodiodes are unequally spaced) having photodiodes arranged in unequal intervals in an in-plane arrangement. The purpose is to reach the same amount of light.
本発明の固体撮像装置は、面内配置で不等間隔に並ぶ光電変換部を有する画素を備えるとともに、面内配置で等間隔に並ぶ外部光を集光させるマイクロレンズと、上記マイクロレンズを透過する光を集光させる内部レンズと、を含んでいる。そして、かかる固体撮像装置は、マイクロレンズを透過してくる外部光を、面内配置で不等間隔に並ぶ内部レンズに透過させることで、光電変換部に導いている。 A solid-state imaging device according to the present invention includes pixels having photoelectric conversion units arranged in unequal intervals in an in-plane arrangement, condenses external light arranged in an in-plane arrangement at equal intervals, and transmits the micro lens. And an internal lens that collects the light to be collected. Such a solid-state imaging device guides the external light transmitted through the microlens to the photoelectric conversion unit by transmitting the external light through the internal lenses arranged at unequal intervals in the in-plane arrangement.
ここで詳説するために、マイクロレンズ、内部レンズ、および光電変換部の各々に、外部光に向いた基準軸を設定し、マイクロレンズの基準軸を第1軸、内部レンズの基準軸を第2軸、光電変換部の基準軸を第3軸とする。そして、第1軸に対し第3軸をずらすように光電変換部がずれて配置されている場合に、第1軸に対し第2軸をずらすように内部レンズがずれて配置されることで、その内部レンズを透過する光がずれて配置された光電変換部に導かれるようになっている固体撮像装置が本発明といえる。 In order to describe in detail here, a reference axis facing external light is set for each of the microlens, the internal lens, and the photoelectric conversion unit, the reference axis of the microlens is the first axis, and the reference axis of the internal lens is the second. The third axis is the axis and the reference axis of the photoelectric conversion unit. And, when the photoelectric conversion unit is arranged so as to shift the third axis with respect to the first axis, the internal lens is arranged so as to shift the second axis with respect to the first axis, It can be said that the present invention is a solid-state imaging device in which light transmitted through the internal lens is guided to a photoelectric conversion unit arranged in a shifted manner.
ただし、第1軸に対し第2軸がずれる方向と、第1軸に対し第3軸がずれる方向とが一致していると望ましい。また、第1軸に対し第2軸がずれているずれ量と、第1軸に対し第3軸がずれているずれ量とが同量であると望ましい。 However, it is desirable that the direction in which the second axis deviates from the first axis coincides with the direction in which the third axis deviates from the first axis. Further, it is desirable that the amount of deviation of the second axis with respect to the first axis is the same as the amount of deviation of the third axis with respect to the first axis.
なお、画素が各々分光特性を有している場合、分光特性上、複数種類の画素が集まって、画素組が形成されていると望ましい。また、画素組における画素の少なくとも一部で、全色情報が取得されていると望ましい。 In addition, when each pixel has spectral characteristics, it is desirable that a plurality of types of pixels are gathered to form a pixel set in terms of spectral characteristics. In addition, it is desirable that all color information is acquired in at least some of the pixels in the pixel set.
また、固体撮像装置には、光電変換部により生成される電気信号を増幅させる信号増幅部が設けられていると望ましい。なお、単数または複数の画素組に対応して、信号増幅部が単数または複数設けられていると望ましい。 Further, it is desirable that the solid-state imaging device is provided with a signal amplifying unit that amplifies an electric signal generated by the photoelectric conversion unit. Note that it is desirable that one or more signal amplifying units are provided corresponding to one or a plurality of pixel sets.
また、信号増幅部が光電変換部同士の間である隙間空間に配置されていると、信号増幅部の存在しない隙間空間には、光電変換部同士を電気的に絶縁する素子分離部が設けられていると望ましい。 In addition, when the signal amplification unit is disposed in a gap space between the photoelectric conversion units, an element isolation unit that electrically insulates the photoelectric conversion units is provided in the gap space where the signal amplification unit does not exist. It is desirable.
特に、画素組が、ずれて配置されることで密集する光電変換部を有する画素から成り立つ場合(例えば2行2列の面内配置の画素組の場合)、素子分離部は、画素組内での隙間空間に設けられていると望ましい。なお、素子分離部の材質は特に限定されないが、不純物拡散材から成っていると望ましい。 In particular, when the pixel group is composed of pixels having photoelectric conversion portions that are densely arranged by being shifted (for example, in the case of a pixel group having an in-plane arrangement of 2 rows and 2 columns), the element separation unit is included in the pixel group. It is desirable to be provided in the gap space. The material of the element isolation part is not particularly limited, but is preferably made of an impurity diffusion material.
本発明の固体撮像装置によれば、マイクロレンズから光電変換部に至るまでの間に、面内配置で不等間隔に並ぶ内部レンズが介在する。かかる内部レンズがあれば、面内配置で等間隔に並ぶマイクロレンズによって、一旦、等間隔に集光された外部光を、面内配置で不等間隔に並ぶ光電変換部に合致するように集光できる。そのため、全ての光電変換部が均一光量を受光できる。 According to the solid-state imaging device of the present invention, the internal lenses arranged at unequal intervals in the in-plane arrangement are interposed between the microlens and the photoelectric conversion unit. With such an internal lens, external light once collected at equal intervals by the microlenses arranged at equal intervals in the in-plane arrangement is collected so as to match the photoelectric conversion units arranged at irregular intervals in the in-plane arrangement. Can shine. Therefore, all the photoelectric conversion units can receive a uniform light amount.
[実施の形態1]
本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、図面によっては便宜上、部材番号等を省略する場合もあるが、かかる場合、他の図面を参照するものとする。また、理解を容易にすべくハッチングを省略している場合もある。
[Embodiment 1]
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, although member numbers etc. may be abbreviate | omitted for convenience for some drawings, in such a case, other drawings shall be referred to. In some cases, hatching is omitted for easy understanding.
図1は、固体撮像装置39の画素を主体的に示した断面図および平面図である。この図1に示すように、固体撮像装置39は、基板11内に組み込まれたフォトダイオード(光電変換部)DDと、基板11に積層された層間絶縁膜12上に位置する層内レンズ(内部レンズ)ISと、層間絶縁膜12に積層された平担化膜13上に位置するマイクロレンズMSとを有している。
FIG. 1 is a cross-sectional view and a plan view mainly showing pixels of the solid-
なお、画素の面サイズ(破線により区分けされた領域)における最長辺とマイクロレンズMSの直径(外径)とがほぼ同サイズになっている上、画素のピッチとマイクロレンズMSのピッチとは同間隔(同ピッチ)になっている。その上、画素の面内中心とマイクロレンズMSの面内中心とが一致するようにもなっている(なお、両面内中心は黒丸で示されている)。 It should be noted that the longest side in the pixel surface size (region divided by the broken line) and the diameter (outer diameter) of the microlens MS are substantially the same size, and the pixel pitch and the microlens MS pitch are the same. Interval (same pitch). In addition, the in-plane center of the pixel coincides with the in-plane center of the microlens MS (the in-plane center is indicated by a black circle).
そして、かかる固体撮像装置39は、画素同士(マイクロレンズMS同士)の間隔Taを等間隔にするとともに、面内配置で2行2列の画素を一組(画素組)とし、かかる画素組同士のピッチも等間隔(間隔Ta×2)にしている。また、固体撮像装置39は、フォトダイオードDDおよび層内レンズISを画素組の面内中心に近づくように配置している(なお、フォトダイオードDDの受光面中心と層内レンズISの面内中心とが一致するようになっており、白丸で示されている)。
And this solid-
ただし、画素組内の層内レンズIS同士の間隔Tbと、隣り合う画素組同士での層内レンズIS同士の間隔Tcとが異なるようになっている(Tb<Tc)。また、画素組内のフォトダイオードDD同士の間隔Tdと、隣り合う画素組同士でのフォトダイオードDD同士の間隔Teとが異なるようになっている(Td<Te)。 However, the interval Tb between the in-layer lenses IS in the pixel set is different from the interval Tc between the in-layer lenses IS in the adjacent pixel sets (Tb <Tc). Further, the interval Td between the photodiodes DD in the pixel group is different from the interval Te between the photodiodes DD in the adjacent pixel groups (Td <Te).
なお、図1に示される固体撮像装置39では、間隔Tbと間隔Tdとが一致し、間隔Tcと間隔Teとが一致するようになっている(Tb=Td,Tc=Te)。また、間隔においては、「Tb+Tc=Ta×2,Td+Te=Ta×2」の関係が成立するようになっている。
In the solid-
したがって、かかる固体撮像装置39では、画素の面内配置におけるピッチは等間隔になっているものの、フォトダイオードDD同士および層内レンズIS同士の面内配置におけるピッチは不等間隔になる(層内レンズISの場合には間隔Tb・Tcが存在し、フォトダイオードDDの場合には間隔Td・Teが存在する)。
Therefore, in the solid-
なお、便宜上、マイクロレンズMS、層内レンズIS、およびフォトダイオードDDの各々に外部光に向いた基準軸が設定された場合に、マイクロレンズMSの基準軸を第1軸A1、層内レンズISの基準軸を第2軸A2、フォトダイオードDDの基準軸を第3軸A3とすると、以下のような関係が成立する。
・隣り合うマイクロレンズMSの第1軸A1同士の間隔 =間隔Ta
・画素組内での層内レンズISの第2軸A2同士の間隔 =間隔Tb
・画素組同士での層内レンズISの第2軸A2同士の間隔 =間隔Tc
・画素組内でのフォトダイオードDDの第3軸A3同士の間隔 =間隔Td
・画素組同士でのフォトダイオードDDの第3軸A3同士の間隔 =間隔Te
For convenience, when a reference axis directed to external light is set for each of the microlens MS, the in-layer lens IS, and the photodiode DD, the reference axis of the microlens MS is the first axis A1, and the in-layer lens IS. Assuming that the reference axis is the second axis A2 and the reference axis of the photodiode DD is the third axis A3, the following relationship is established.
-Distance between first axes A1 of adjacent microlenses MS = distance Ta
The distance between the second axes A2 of the in-layer lenses IS within the pixel set = the distance Tb
The distance between the second axes A2 of the in-layer lenses IS between the pixel groups = the distance Tc
The interval between the third axes A3 of the photodiodes DD within the pixel group = the interval Td
The interval between the third axes A3 of the photodiodes DD between the pixel groups = the interval Te
すると、固体撮像装置39では、第1軸A1に対し第3軸A3をずらすようにフォトダイオードDDがずれて配置されている上に、第1軸A1に対し第2軸A2をずらすように層内レンズISがずれて配置されているといえる。
Then, in the solid-
なお、カラー対応の固体撮像装置39では、画素は不図示のカラーフィルタ等を含んでいる。そのため、赤(RED)のカラーフィルタを有する画素には「R」、緑(GREEN)のカラーフィルタを有する画素には「G」、青(BLUE)のカラーフィルタを有する画素には「B」を付している。すると、図1の固体撮像装置39は、ベイヤー型のカラーフィルタを有しているといえる。なお、図1の断面図では、紙面の表から裏に至る方向においては青および緑のカラーフィルタ、または緑および赤のカラーフィルタが並ぶことになるので、かかるカラーフィルタの色に応じて「B/G,G/R」が付されている。
In the color-compatible solid-
そして、以上のようなフォトダイオードDDを有する画素を複数備える固体撮像装置39は、マイクロレンズMSに外部光を集光させるとともに、層内レンズISにマイクロレンズMSを透過する光を集光させて、面内で不等間隔に並ぶフォトダイオードDDに外部光を導くようにしている。かかる外部光の光路、すなわち、外部からフォトダイオードDDの受光面に到達するまでの外部光の光路(一点鎖線)を示した図が、図2A〜図2Cになる。
The solid-
ただし、図2A〜図2Cは外部光の光路の一例を示した図であり、図2Aは、第1軸A1と同方向で進行してくる外部光の光路を示している。一方、図2Bは、第1軸A1に対して傾斜(+θ)をもって入射する外部光の光路を示し、図2Cは図2Bと逆方向の傾斜(−θ)をもって入射する外部光の光路を示している。 2A to 2C are diagrams showing an example of the optical path of the external light, and FIG. 2A shows the optical path of the external light traveling in the same direction as the first axis A1. On the other hand, FIG. 2B shows an optical path of external light incident with an inclination (+ θ) with respect to the first axis A1, and FIG. 2C shows an optical path of external light incident with an inclination (−θ) in the opposite direction to FIG. ing.
これらの図に示すように、第1軸A1に対し第3軸A3をずらすようにフォトダイオードDDがずれて配置されていると、第1軸A1に対し第2軸A2をずらすように層内レンズISがずれて配置されることで、その層内レンズISを透過する光が、ずれて配置されたフォトダイオードDDに到達するようになる。 As shown in these drawings, when the photodiode DD is arranged so as to shift the third axis A3 with respect to the first axis A1, the inner layer is shifted so as to shift the second axis A2 with respect to the first axis A1. When the lens IS is displaced, light transmitted through the in-layer lens IS reaches the photodiode DD that is displaced.
すなわち、等しい間隔Taで並ぶマイクロレンズMSによって、一旦、等間隔に集光された外部光が、不等間隔(間隔Tb・Tc)に並ぶ層内レンズISによって、不等間隔(間隔Td・Te)に並ぶフォトダイオードDDに導かれている。 That is, the external light once condensed at equal intervals by the microlenses MS arranged at equal intervals Ta is unequal (interval Td · Te) by the intra-layer lenses IS arranged at unequal intervals (intervals Tb · Tc). ) To the photodiode DD.
そのため、フォトダイオードDDの受光面中心に外部光が到達できるようになり、全てのフォトダイオードDDが均一光量を受光するようになる。つまり、全画素面内において、一部の画素が多量の光量を受光する一方で、残りの一部の画素は少量の光量しか受光できない、というような事態は生じ得ない。 Therefore, external light can reach the center of the light receiving surface of the photodiode DD, and all the photodiodes DD receive a uniform amount of light. In other words, a situation in which a part of the pixels receives a large amount of light while a remaining part of the pixels can receive only a small amount of light in the entire pixel surface cannot occur.
すると、外部光のある入射角度(例えば、+θ)に起因して、例えばベイヤー型の青色および緑色のカラーフィルタを有する画素には多量の外部光が入射する一方、緑色および赤色のカラーフィルタを有する画素には少量の外部光しか入射しない、といった事態は生じ得ない。また、外部光の他の入射角度(例えば、−θ)に起因して、例えばベイヤー型の緑色および赤色のカラーフィルタを有する画素には多量の外部光が入射する一方、青色および緑色のカラーフィルタを有する画素には少量の外部光しか入射しない、といった事態も生じ得ない。つまり、カラー対応の固体撮像装置39において、色シェーディング現象が生じないことになる。
Then, due to a certain incident angle (for example, + θ) of external light, for example, a large amount of external light is incident on a pixel having a Bayer-type blue and green color filter, while the green and red color filters are included. A situation where only a small amount of external light is incident on the pixel cannot occur. Further, due to other incident angles (for example, -θ) of external light, a large amount of external light is incident on a pixel having, for example, a Bayer-type green and red color filter, while a blue and green color filter A situation in which only a small amount of external light is incident on a pixel having a pixel cannot occur. That is, the color shading phenomenon does not occur in the color-compatible solid-
なお、図1の固体撮像装置39は、第1軸A1に対し第2軸A2がずれる方向と、第1軸A1に対し第3軸A3がずれる方向とが一致している一例である。しかし、これに限定されるものではない。また、図1の固体撮像装置39は、第1軸A1に対し第2軸A2がずれているずれ量と、第1軸A1に対し第3軸A3がずれているずれ量とが同量である一例でもあるが、これに限定されるものではない。
The solid-
要は、1軸A1に対し第3軸A3をずらすようにフォトダイオードDDがずれて配置されている場合に、第1軸A1に対し第2軸A2をずらすように層内レンズISがずれて配置されることで、その層内レンズISを透過する光が、ずれて配置されたフォトダイオードDDに到達するようになっていればよい。したがって、第1軸A1に対し第2軸A2がずれる方向と、第1軸A1に対し第3軸A3がずれる方向とが完全に一致していなくともよいし、第1軸A1に対し第2軸A2がずれているずれ量と、第1軸A1に対し第3軸A3がずれているずれ量とが完全に同量でなくてもよい。 In short, when the photodiode DD is shifted so as to shift the third axis A3 with respect to the first axis A1, the in-layer lens IS is shifted so as to shift the second axis A2 with respect to the first axis A1. It is only necessary that the light transmitted through the in-layer lens IS reaches the photodiode DD that is displaced by being arranged. Therefore, the direction in which the second axis A2 deviates from the first axis A1 and the direction in which the third axis A3 deviates from the first axis A1 do not have to be completely coincident with each other. The amount of displacement by which the axis A2 is displaced may not be completely the same as the amount of displacement by which the third axis A3 is displaced with respect to the first axis A1.
ただし、層内レンズISがずれて配置される理由は、マイクロレンズMSを透過してきた外部光をフォトダイオードDDの受光面に導くためである。そのため、第1軸A1に対し第2軸A2がずれる方向と、第1軸A1に対し第3軸A3がずれる方向とが完全に一致していると、層内レンズIS透過光の進行方向が、確実にフォトダイオードDDの受光面に向くようになるので、極めて望ましいといえる。 However, the reason why the in-layer lens IS is displaced is to guide the external light transmitted through the microlens MS to the light receiving surface of the photodiode DD. Therefore, if the direction in which the second axis A2 is displaced from the first axis A1 and the direction in which the third axis A3 is displaced from the first axis A1 are completely coincident with each other, the traveling direction of the intralayer lens IS transmitted light is determined. This is extremely desirable because it surely faces the light receiving surface of the photodiode DD.
なお、層内レンズISおよびフォトダイオードDDのピッチが不等間隔になっていても、画素表示面に位置するマイクロレンズMSのピッチは等間隔(間隔Ta)になっている。そのため、入射光(入射画像)に対して有効な画素のピッチも等間隔になる。したがって、色シェーディング現象を抑制した上に、解像度の劣化しない固体撮像装置39が実現しているといえる。
Even if the pitches of the in-layer lenses IS and the photodiodes DD are unevenly spaced, the pitches of the microlenses MS located on the pixel display surface are equally spaced (interval Ta). Therefore, the effective pixel pitch with respect to the incident light (incident image) is equally spaced. Therefore, it can be said that the solid-
[実施の形態2]
本発明の実施の形態2について説明する。なお、実施の形態1で用いた部材と同様の機能を有する部材については、同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Embodiment 2]
A second embodiment of the present invention will be described. In addition, about the member which has the same function as the member used in
通常、画素に含まれるフォトダイオードDDは、光を電荷(電子)に変換させている。そして、この電荷の量によって信号は現されることになる。そこで、固体撮像装置39には、図3に示すように、電荷量を検出する電荷検出部21と、この電荷検出部21にフォトダイオードDDにて変換された電荷を転送する電荷転送部(転送ゲート)22とが含まれている。
Usually, the photodiode DD included in the pixel converts light into electric charges (electrons). The signal is expressed by the amount of this charge. Therefore, as shown in FIG. 3, the solid-
そして、特に、電荷検出部21にて生じる電位差を増幅することで信号としての出力を可能にする信号増幅部23も固体撮像装置39に含まれている。そのため、かかる固体撮像装置39は、フォトダイオードDDにより生成される電気信号を増幅させる信号増幅部23を有する増幅型タイプといえる。ただし、信号増幅部23の個数は特に限定されるものではない。
In particular, the solid-
また、信号増幅部23や電荷検出部21、電荷転送部22等の素子の配置位置も特に限定されない。ただし、これらの素子を配置するために別個の空間(スペース)を設けてしまうと、固体撮像装置39のサイズの大型化につながってしまう。そこで、これらの素子は、画素面内において比較的大きな隙間(隙間空間)に配置されると望ましい。例えば、図3に示すように、画素組と画素組との間の隙間空間に、これらの素子が位置しているとよい。このようになっていれば、昨今の高画素化に対応した固体撮像装置39であっても(すなわち、極めて小型化した画素を有する固体撮像装置39であっても)、素子が配置できるためである。
Further, the arrangement positions of the elements such as the
また、かかるような信号増幅部23を有する固体撮像装置39(すなわち増幅型固体撮像装置39)では、信号増幅部23等の素子が、例えば、隣り合う画素組でのフォトダイオードDD同士の間である隙間空間に配置されている。このようになっていれば、信号増幅部23等の存在によって、フォトダイオードDD同士が電気的に絶縁される。逆に、信号増幅部23等が存在しない隙間空間を挟むように位置するフォトダイオードDD同士を、確実に絶縁するためには何らかの方策が必要ともいえる。
Further, in the solid-
その方策の一例としては、不純物(不純物拡散材)をイオン注入することで形成される素子分離層24(網点部分)が挙げられる(図4参照)。そして、かかる素子分離層24は、信号増幅部23の存在しない少なくとも一部の隙間空間に設けられていればよい。このようになっていれば、信号増幅部23等の素子が無くとも、素子分離層(素子分離部)24によって確実にフォトダイオードDD同士が絶縁されるためである。
An example of the measure is an element isolation layer 24 (halftone dot portion) formed by ion implantation of impurities (impurity diffusion material) (see FIG. 4). The
特に、ずれて配置されることで密集するフォトダイオードDDを有する画素から、画素組が成り立つ場合、素子分離層24は画素組内での隙間空間に設けられていると望ましい。素子分離層24は、通常、信号増幅部23の素子よりも小型化・薄型化しやすい。そのため、画素組内での密集するフォトダイオードDD同士の隙間空間に、素子分離層24が配置されれば、フォトダイオードDD同士は確実に絶縁されるにもかかわらず隙間空間が極めて縮小し、ひいては画素組内の画素同士をより一層密集させることができる。その結果、固体撮像装置39は、高画素化に対応していても、小型になりやすい。
In particular, in the case where a pixel group is formed from pixels having photodiodes DD that are densely arranged by being displaced, it is desirable that the
なお、素子分離層24は不純物注入によって形成されているので、素子分離層24にフィールド酸化膜を設ける必要はない。そのため、素子分離層24の厚み(隣り合うフォトダイオードDD同士の間隔と同義)は極めて薄くなり、画素面積内を占めるフォトダイオードDDの受光面積の比率(すなわち開口率)が高まる。
Since the
[その他の実施の形態]
なお、本発明は上記の実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
[Other embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
例えば、上記では、層内レンズISの間隔TbとフォトダイオードDDの間隔Tdとが一致し、さらに、層内レンズISの間隔TcとフォトダイオードDDの間隔Teとが一致している固体撮像装置39(図1参照)を例に挙げた。しかし、これに限定されるものではない。すなわち、間隔Tbと間隔Tdとが異なっていてもよいし、間隔Tcと間隔Teとが異なっていてもよい。
For example, in the above, the solid-
また、図3および図4に示すように、1個の画素組に対応して信号増幅部23が単数設けられていてもよいし、図5に示すように、1個の画素組に対応して信号増幅部23が複数設けられていてもよい。また、複数の数の画素組に対応して、信号増幅部23が単数または複数設けられていてもよい。
Further, as shown in FIGS. 3 and 4, a single
また、画素組の個数の4個に限定されない。例えば、図6に示すように、3個の画素から成る画素組であってもよい。そして、かかる画素組では、4個の画素から成る画素組同様に、赤のカラーフィルタを有する画素、緑のカラーフィルタを有する画素、および青のカラーフィルタを有する画素が含まれている。すなわち、4個の画素から成る画素組であっても、3組の画素から成る画素組であっても、赤・緑・青のカラーフィルタに応じた分光特性を有する画素を含むようになっている。 Further, the number of pixel groups is not limited to four. For example, as shown in FIG. 6, it may be a pixel group composed of three pixels. Such a pixel group includes a pixel having a red color filter, a pixel having a green color filter, and a pixel having a blue color filter, as in the pixel group composed of four pixels. That is, a pixel set consisting of four pixels or a pixel set consisting of three pixels includes pixels having spectral characteristics corresponding to red, green, and blue color filters. Yes.
このようになっていれば、画素組を単位として、全ての色情報(白色情報)を取得できる。すなわち、4個の画素から成る画素組の場合、赤・緑・青のカラーフィルタに応じた分光特性を有する合計3個の画素でも、赤・緑・緑・青のカラーフィルタに応じた分光特性を有する合計4個の画素でも、全色情報を取得できることになる。また、3個の画素から成る画素組の場合、赤・緑・青のカラーフィルタに応じた分光特性を有する全画素で、全色情報を取得できることになる。 If it is in this way, all the color information (white information) can be acquired for a pixel group as a unit. In other words, in the case of a pixel group consisting of four pixels, the spectral characteristics corresponding to the red, green, green, and blue color filters can be obtained even with a total of three pixels having spectral characteristics corresponding to the red, green, and blue color filters. All color information can be acquired even with a total of four pixels having. Further, in the case of a pixel group composed of three pixels, all color information can be acquired from all the pixels having spectral characteristics corresponding to the red, green, and blue color filters.
なお、3個の画素から成る画素組は、面内で最密充填するような配置になっている。すなわち、図6に示すように、3個の画素で三角状になっている画素組が、水平方向において交互に上下反転しながら並ぶようになっている(かかる並び方をデルタ配置と称してもよい)。ただし、このような配置であっても、マイクロレンズMSは等間隔で配置され、層内レンズISおよびフォトダイオードDDは画素組の面内中心に近づくように配置される。したがって、層内レンズISおよびフォトダイオードDDは実施の形態1・2同様に、不等間隔で配置されている。 Note that the pixel group composed of three pixels is arranged so as to be packed most closely in the plane. That is, as shown in FIG. 6, a pixel group having a triangular shape with three pixels is arranged while being alternately inverted in the horizontal direction (this arrangement may be referred to as a delta arrangement). ). However, even in such an arrangement, the microlenses MS are arranged at equal intervals, and the in-layer lens IS and the photodiode DD are arranged so as to approach the in-plane center of the pixel group. Therefore, the in-layer lenses IS and the photodiodes DD are arranged at unequal intervals as in the first and second embodiments.
そして、マイクロレンズMSの第1軸A1に対しフォトダイオードDDの第3軸A3がずれるようになっているものの、マイクロレンズMSの第1軸A1に対し層内レンズISの第2軸A2がずれ、かかる層内レンズISを透過する光を、ずれて配置されたフォトダイオードDDに到達するようになっている。そのため、3個の画素から成る画素組であっても、フォトダイオードDDの受光面中心に外部光が到達できるようになり、全てのフォトダイオードDDが均一光量(均一の光強度)を受光するようになる。 Although the third axis A3 of the photodiode DD is shifted from the first axis A1 of the microlens MS, the second axis A2 of the in-layer lens IS is shifted from the first axis A1 of the microlens MS. The light transmitted through the in-layer lens IS reaches the photodiode DD arranged in a shifted manner. Therefore, even in a pixel group consisting of three pixels, external light can reach the center of the light receiving surface of the photodiode DD, and all the photodiodes DD receive a uniform amount of light (uniform light intensity). become.
なお、図6の固体撮像装置39は、第1軸A1に対し第2軸A2がずれる方向と、第1軸A1に対し第3軸A3がずれる方向とが一致している一例であり、さらに、第1軸A1に対し第2軸A2がずれているずれ量と、第1軸A1に対し第3軸A3がずれているずれ量とが同量である一例でもある。
Note that the solid-
また、第1軸A1〜第3軸A3の基準軸の取り方は種々想定できる。すなわち、マイクロレンズMSの面頂点に対する法線方向を第1軸A1、層内レンズISの面頂点に対する法線方向を第2軸A2、フォトダイオードDDの受光面中心を通り、その面内に対する法線方向を第3軸A3、とする基準軸の取り方に限定されるものではない。 Various ways of taking the reference axes of the first axis A1 to the third axis A3 can be assumed. That is, the normal direction with respect to the surface vertex of the microlens MS passes through the first axis A1, the normal direction with respect to the surface vertex of the in-layer lens IS passes through the second axis A2, the center of the light receiving surface of the photodiode DD, and the method with respect to that surface. It is not limited to the way of taking the reference axis with the line direction as the third axis A3.
例えば、マイクロレンズMSや層内レンズISの面頂点ではなく、レンズの周端等から外部光に向かうような第1軸A1や第2軸A2であってもよいし、フォトダイオードDDの受光面中心以外の面内の箇所から外部光に向かうような第3軸A3であってもよい。また、基準軸の外部光に向かう方向は鉛直方向に限定されるものではない。すなわち、傾くような基準軸であっても構わない。 For example, instead of the surface apex of the microlens MS or the in-layer lens IS, it may be the first axis A1 or the second axis A2 that goes from the peripheral edge of the lens toward the external light, or the light receiving surface of the photodiode DD. The third axis A3 may be the direction from the location in the plane other than the center toward the external light. Further, the direction of the reference axis toward the external light is not limited to the vertical direction. That is, the reference axis may be inclined.
要は、マイクロレンズMS、層内レンズIS、およびフォトダイオードDDの基本になる位置と、変位した位置とを規定できるような基準軸であればよい。このような基準軸であれば、マイクロレンズMS、層内レンズIS、およびフォトダイオードDDの面内配置が規定でき、これらが等間隔で並んでいるのか不等間隔で並んでいるのかを明白にできるためである。 In short, any reference axis may be used as long as it can define the basic position and the displaced position of the microlens MS, the in-layer lens IS, and the photodiode DD. With such a reference axis, the in-plane arrangement of the microlens MS, the in-layer lens IS, and the photodiode DD can be defined, and it is clear whether these are arranged at equal intervals or at irregular intervals. This is because it can.
そして、面内配置で不等間隔に並ぶフォトダイオードDDを有する画素を複数備えるとともに、面内配置で等間隔に並ぶ外部光を集光させるマイクロレンズMSと、かかるマイクロレンズMSを透過する光を集光させる層内レンズISと、を含む固体撮像装置39にあって、マイクロレンズMSを透過してくる外部光を、面内配置で不等間隔に並ぶ層内レンズISに透過させることで、フォトダイオードDDに導けることが本発明の一例といえる。
A plurality of pixels having photodiodes DD arranged at unequal intervals in the in-plane arrangement, a microlens MS for collecting external light arranged at equal intervals in the in-plane arrangement, and light transmitted through the microlens MS In the solid-
MS マイクロレンズ
IS 層内レンズ(内部レンズ)
DD フォトダイオード(光電変換部)
A1 第1軸
A2 第2軸
A3 第3軸
11 基板
12 層間絶縁膜
13 平担化膜
21 電荷検出部
22 電荷転送部
23 信号増幅部
24 素子分離層(素子分離部)
39 固体撮像装置
MS Microlens IS In-layer lens (internal lens)
DD photodiode (photoelectric converter)
A1 1st axis A2 2nd axis A3
39 Solid-state imaging device
Claims (9)
面内配置で等間隔に並び外部光を集光し、各画素毎に形成されたマイクロレンズと、
面内配置で不等間隔に並び上記マイクロレンズを透過する光を集光させ、上記光電変換部に導く各画素毎に形成された内部レンズと、
を含み、
上記のマイクロレンズ、内部レンズ、および光電変換部の各々に、上記外部光に向いた基準軸を設定するとともに、マイクロレンズの基準軸を第1軸、内部レンズの基準軸を第2軸、光電変換部の基準軸を第3軸とした場合に、
第1軸に対し第3軸をずらすように光電変換部がずれて配置され、
第1軸に対し第2軸をずらすように内部レンズがずれて配置され、
上記の第1軸に対し第2軸がずれる方向と、上記の第1軸に対し第3軸がずれる方向とが一致し、
上記の第1軸に対し第2軸がずれているずれ量と、上記の第1軸に対し第3軸がずれているずれ量とが同量である固体撮像装置。 With pixels having photoelectric conversion parts arranged at unequal intervals in the in-plane arrangement,
A microlens formed for each pixel, collecting external light arranged at equal intervals in an in-plane arrangement,
An internal lens formed for each pixel that collects light that passes through the microlenses arranged at unequal intervals in an in-plane arrangement and guides the light to the photoelectric conversion unit;
Including
A reference axis facing the external light is set for each of the microlens, the internal lens, and the photoelectric conversion unit, the reference axis of the microlens is a first axis, the reference axis of the internal lens is a second axis, When the reference axis of the conversion unit is the third axis,
The photoelectric conversion unit is arranged so as to be shifted so as to shift the third axis with respect to the first axis,
The internal lens is arranged so as to shift the second axis with respect to the first axis,
The direction in which the second axis deviates from the first axis matches the direction in which the third axis deviates from the first axis,
A solid-state imaging device in which the amount of deviation of the second axis with respect to the first axis is the same as the amount of deviation of the third axis with respect to the first axis.
互いに分光特性の異なる画素を含む複数種類の上記画素が集まって、画素組を形成している請求項1に記載の固体撮像装置。 When each of the above pixels has spectral characteristics,
The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a plurality of types of the pixels including pixels having different spectral characteristics are gathered to form a pixel set.
上記信号増幅部の存在しない上記隙間空間には、上記光電変換部同士を電気的に絶縁する素子分離部が設けられている請求項4または5に記載の固体撮像装置。 When the signal amplification unit is arranged in a gap space between the photoelectric conversion units,
6. The solid-state imaging device according to claim 4, wherein an element separation unit that electrically insulates the photoelectric conversion units is provided in the gap space where the signal amplification unit does not exist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006170937A JP5008905B2 (en) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006170937A JP5008905B2 (en) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | Solid-state imaging device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008004658A JP2008004658A (en) | 2008-01-10 |
JP5008905B2 true JP5008905B2 (en) | 2012-08-22 |
Family
ID=39008822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006170937A Active JP5008905B2 (en) | 2006-06-21 | 2006-06-21 | Solid-state imaging device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5008905B2 (en) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3178629B2 (en) * | 1992-11-24 | 2001-06-25 | 株式会社ニコン | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
JP3403061B2 (en) * | 1998-03-31 | 2003-05-06 | 株式会社東芝 | Solid-state imaging device |
EP1557886A3 (en) * | 2004-01-26 | 2006-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device and camera |
JP5089017B2 (en) * | 2004-09-01 | 2012-12-05 | キヤノン株式会社 | Solid-state imaging device and solid-state imaging system |
JP4793042B2 (en) * | 2005-03-24 | 2011-10-12 | ソニー株式会社 | Solid-state imaging device and imaging apparatus |
-
2006
- 2006-06-21 JP JP2006170937A patent/JP5008905B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008004658A (en) | 2008-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8208054B2 (en) | Solid-state imaging device | |
JP4793042B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging apparatus | |
US9865631B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus | |
JP4659788B2 (en) | Back-illuminated image sensor | |
JP2015170620A (en) | solid-state imaging device | |
JP2008227250A (en) | Compound type solid-state image pickup element | |
JP3571982B2 (en) | Solid-state imaging device and solid-state imaging system having the same | |
US20070097227A1 (en) | Solid-state imaging device | |
JP2009099817A (en) | Solid-state imaging device | |
JP4700947B2 (en) | Single layer color solid-state imaging device with photoelectric conversion film | |
JP5504382B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging apparatus | |
JP4264248B2 (en) | Color solid-state imaging device | |
JP2010182789A (en) | Solid-state imaging element, imaging device, and manufacturing method of solid-state imaging element | |
TW200525773A (en) | Image sensor with improved uniformity of effective incident light | |
JP4495949B2 (en) | Two-plate color solid-state imaging device and digital camera | |
JP4070639B2 (en) | CCD color solid-state imaging device | |
TWI253597B (en) | Solid-state image sensor for improving sensing quality and manufacturing method thereof | |
JP5008905B2 (en) | Solid-state imaging device | |
WO2010090133A1 (en) | Solid-state image pickup device | |
JP2009158689A (en) | Solid-state imaging element | |
JP5569715B2 (en) | Image sensor | |
JP2006202907A (en) | Image pickup element | |
WO2019180863A1 (en) | Solid-state image capturing device | |
JP4840536B2 (en) | Solid-state imaging device and imaging apparatus | |
JP2008047608A (en) | Single-plate solid-state image sensing element |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20071122 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110422 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120223 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120530 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5008905 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150608 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |