JP5007944B2 - Tftアレイの検査方法及びtftアレイ検査装置 - Google Patents
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- TFT基板のTFTアレイに対して電圧を印加し、電子線照射により得られる二次電子を検出してTFTアレイの欠陥を検査するTFT基板の検査方法であって、
前記TFT基板に第1の検査信号を印加した状態で第1の検出信号を検出し、当該第1の検出信号の信号強度に基づいて、第1の真欠陥ピクセルを検出する第1欠陥検出工程と
前記第1欠陥検出工程の検出結果から擬似欠陥ピクセルを検出する擬似欠陥検出工程と、
前記TFT基板に前記第1の検査信号と異なる信号パターンを有する第2の検査信号を印加した状態で第2の検出信号を検出し、当該第2の検出信号に基づいて、第2の真欠陥ピクセルおよび擬似欠陥ピクセルを検出する第2の欠陥検出工程と、
前記第2欠陥検出工程で検出した第2の真欠陥ピクセルおよび擬似欠陥ピクセルから前記擬似欠陥検出工程で検出した擬似欠陥ピクセルを削除して第2の真欠陥ピクセルを抽出し、前記第1の真欠陥ピクセルと当該第2の真欠陥ピクセルを欠陥ピクセルとして分類する欠陥分類工程とを備えることを特徴とする、TFT基板の検査方法。 - 前記第1欠陥検出工程は、正常ピクセルから得られる検出信号の信号強度よりも低く設定した信号強度を第1のしきい値として前記第1の検出信号の信号強度と比較し、当該第1のしきい値よりも低い信号強度のピクセルを第1の真欠陥ピクセルとして検出することを特徴とする、請求項1に記載のTFT基板の検査方法。
- 前記擬似欠陥検出工程は、第1の検出信号のレンジのスケールを前記第1のしきい値を下限とするスケールにレンジ変換し、
当該変換したスケールにおいて、正常ピクセルから得られる検出信号の信号強度よりも高く設定した信号強度を擬似欠陥検出用しきい値として前記レンジ変換した第1の検出信号の信号強度と比較し、当該擬似欠陥検出用しきい値よりも高い信号強度のピクセルを擬似欠陥ピクセルとして検出することを特徴とする、請求項1に記載のTFT基板の検査方法。 - 前記第2欠陥検出工程は、正常ピクセルから得られる検出信号の信号強度よりも高く設定した信号強度を第2のしきい値として前記第2の検出信号の信号強度と比較し、当該第2のしきい値よりも高い信号強度のピクセルを第2の真欠陥ピクセル又は擬似欠陥ピクセルとして検出することを特徴とする、請求項1に記載のTFT基板の検査方法。
- 前記欠陥分類工程は、前記第2欠陥検出工程で検出した第2の真欠陥ピクセル又は擬似欠陥ピクセルから、前記擬似欠陥検出工程で検出した擬似欠陥ピクセルを内側に囲むピクセル範囲に含まれるピクセルを削除することを特徴とする、請求項1に記載のTFT基板の検査方法。
- TFT基板のTFTアレイに対して電圧を印加し、当該電圧印加による電圧状態を電子線照射により得られる二次電子によって検出し、TFTアレイの欠陥を検査するTFT基板の検査装置であって、
TFT基板に電子線を照射する電子線源と、
TFT基板から放出される二次電子を検出する検出器と、
TFT基板のTFTアレイに検査信号を生成し印加する検査信号生成部と、
前記検出器の検出信号に基づいてTFTアレイの欠陥を検出する欠陥検出部とを備え、
前記検査信号生成部は、信号パターンを異にする第1の検査信号と第2の検査信号を生成し、
前記欠陥検出部は、
前記TFT基板に第1の検査信号を印加した状態で第1の検出信号を検出し、当該第1の検出信号の信号強度に基づいて、第1の真欠陥ピクセルを検出する第1欠陥検出処理と
前記第1欠陥検出処理の検出結果から擬似欠陥ピクセルを検出する擬似欠陥検出処理と、
前記TFT基板に前記第1の検査信号と異なる信号パターンを有する第2の検査信号を印加した状態で第2の検出信号を検出し、当該第2の検出信号に基づいて、第2の真欠陥ピクセルおよび擬似欠陥ピクセルを検出する第2の欠陥検出処理と、
前記第2欠陥検出処理で検出した第2の真欠陥ピクセルおよび擬似欠陥ピクセルから前記擬似欠陥検出処理で検出した擬似欠陥ピクセルを削除して第2の真欠陥ピクセルを抽出し、前記第1の真欠陥ピクセルと当該第2の真欠陥ピクセルを欠陥ピクセルとして分類する欠陥分類処理の各検出処理を行うことを特徴とする、TFT基板の検査装置。 - 前記欠陥検出部は、
正常ピクセルから得られる検出信号の信号強度よりも低く設定した第1のしきい値と、正常ピクセルから得られる検出信号の信号強度よりも高く設定した擬似欠陥検出用しきい値と、正常ピクセルから得られる検出信号の信号強度よりも高く設定した第2のしきい値とを記憶する記憶手段と、前記各しきい値を用いて信号強度の比較を行う比較手段と、
信号強度のレンジのスケールを変換するレンジ変換手段と、欠陥ピクセルを分類する欠陥分類手段とを備え、
前記比較手段は、前記記憶手段から各しきい値を読み出し、第1の検出信号の信号強度を第1のしきい値と比較し、第1のしきい値よりも低い信号強度のピクセルを第1の真欠陥ピクセルとして検出することで第1欠陥検出処理を行い、
前記検出信号の全スケールの内で前記第1のしきい値以下をカットし、当該第1のしきい値を下限としたスケールにレンジ変換した検出信号について、擬似欠陥検出用しきい値と比較し、擬似欠陥検出用しきい値よりも高い信号強度のピクセルを擬似欠陥ピクセルとして検出することで擬似欠陥検出処理を行い、
第2の検出信号の信号強度を第2のしきい値と比較し、第2のしきい値よりも高い信号強度のピクセルを第2の真欠陥ピクセルとして検出することで第2欠陥検出処理を行い、
前記第1の真欠陥ピクセルおよび第2の真欠陥ピクセルの座標を欠陥ピクセル座標として記憶することを特徴とする、請求項6に記載のTFT基板の検査装置。 - TFT基板を光学的に撮像して光学画像を取得する撮像手段を備え、
当該撮像手段は、前記欠陥検出部で分類し記憶した欠陥ピクセル座標に基づいて撮像することを特徴とする、請求項6又は請求項7に記載のTFT基板の検査装置。
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