JP5005417B2 - 発光表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は発光表示装置に係り、より詳しくは、ダミー画素を含む発光表示装置であって、そのダミー画素のバイアスを調節する発光表示装置に関するものである。
一般に有機発光表示装置は有機物質の発光を使った有機発光素子を用いた表示装置であって、行列形態に配列されたＮ×Ｍ個の有機発光セルを電圧駆動、或いは電流駆動して映像を表現する。有機発光セルはダイオード特性を有して有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｏｄｅ；以下、有機発光素子という。）とも呼ばれ、アノード、有機薄膜、カソード電極層の構造を有している。
従来有機発光表示装置の表示パネルは実際発光する複数の画素を含む領域上下左右に複数のダミー画素を含んでいる。この時、実際発光する複数の画素に選択信号はダミー画素を経て伝えられる。ダミー画素によって、選択信号を伝達する走査線のロードが増加する。したがって、ダミー画素を構成するトランジスタの短絡及び漏洩電流を防止しなければならない。
具体的には、バイアスされたダミー画素によって、走査線にロードが増加して、走査信号に遅延が発生した。また、ダミー画素のトランジスター及びキャパシタに絶縁破壊現象が発生し、漏洩電流によって短絡が発生することがある。
韓国公開特許１０−２００６−００１９７５８号公報
本発明の目的は、ダミー画素のバイアス条件を異にして、前述したダミー画素の短絡現象及び漏洩電流を除去して、走査信号遅延を防止できる有機発光表示装置を提供することにある。
本発明による発光表示装置は、データ信号を生成して、複数のデータ線それぞれに伝達するデータ駆動部、第１選択信号を生成して、複数の第１走査線それぞれに伝達する走査駆動部、前記複数のデータ線及び前記複数の第１走査線を含み、前記データ線と前記第１走査線によって定義される複数の第１画素及び前記走査駆動部に隣接した複数のダミー画素で構成される第１ダミー画素群、及び前記データ駆動部に隣接した複数のダミー画素で構成される第２ダミー画素群を含む表示部を備える発光表示装置であって、前記第１ダミー画素群の画素回路は、前記データ信号及び第１選択信号の代わりに第１電源の電圧が印加され、前記第２ダミー画素群それぞれの画素回路は、前記第１選択信号の代わりに前記第１電源の電圧が印加される。
この時、前記第１ダミー画素群のダミー画素は、印加される電流に対応して光を発光し、一端に第１電源の電圧が印加される発光素子、前記第１電源の電圧が第１電極及び制御電極に印加される第１トランジスター、前記発光素子の他端及び第１トランジスタの第２電極に第２電極が連結され、制御電極及び第１電極の電圧差に対応する電流が流れる第２トランジスター、及び前記第２トランジスタの制御電極に片端が連結され、他端に前記第１電源の電圧が印加される第１キャパシタを含む。
また、前記表示部は前記第１画素の発光開始を制御する発光制御信号を伝達する複数の発光制御線を含み、前記第１ダミー画素群の画素回路は、前記第２トランジスターと前記発光素子との間に第１電極及び第２電極がそれぞれ連結され、前記第１電源の電圧が制御電極に印加される第３トランジスター、及び前記第１キャパシタの他端と前記第２トランジスタの第１電極の間に第１電極及び第２電極がそれぞれ連結され、前記第１電源の電圧が制御電極に印加される第４トランジスターを更に含む。この時、前記発光制御信号を生成する発光制御駆動部を更に含み、前記発光制御駆動部と前記表示部との間に第３ダミー画素群を更に含み、前記第３ダミー画素群の画素回路は前記第１ダミー画素群の画素回路と同一である。
また、第１ダミー画素群の画素回路は、前記第１キャパシタの一端に第２電極が連結され、第１電極及び制御電極に前記第１電源の電圧が印加される第５トランジスター、及び前記第２トランジスタの第１電極及び制御電極にそれぞれ第１電極及び第２電極が連結されており、制御電極に前記第１電源の電圧が印加される第６トランジスターを含む。
この時、前記発光制御信号を生成する発光制御駆動部を更に含み、前記発光制御駆動部と前記表示部との間に第３ダミー画素群を更に含み、前記第３ダミー画素群の画素回路は前記第１ダミー画素群の画素回路と同一である。
そして、前記第２ダミー画素群のダミー画素は、印加される電流に対応して光を発光し、一端に第１電源の電圧が印加される第１発光素子、前記第１電源の電圧が制御電極に印加され、第１電極はフローティングされており、第２電極は前記発光素子の他端に連結される第１トランジスター、制御電極と第１電極の電圧差に対応する電流が発生して、前記第１発光素子に電流を伝達する第２トランジスター、及び前記制御電極に片端が連結され、他端はフローティングされている第１キャパシタを含む。
この時、表示部は前記第１画素の発光開始を制御する発光制御信号を伝達する複数の発光制御線を更に含み、前記第２ダミー画素群の画素回路は、前記第２トランジスターと前記発光素子との間に第１電極及び第２電極がそれぞれ連結され、前記第１電源の電圧が制御電極に印加される第３トランジスター、及び第１電極はフローティングされており、前記第２トランジスタの第１電極に第２電極が連結されており、前記第１電源の電圧が制御電極に印加される第４トランジスターを更に含む。
また、前記第２ダミー画素群の画素回路は、前記第１キャパシタの一端に第２電極が連結され、第１電極に前記第１電源の電圧が印加され、前記制御電極に選択信号が印加される第５トランジスター、及び前記第２トランジスタの第１電極及び制御電極にそれぞれ第１電極及び第２電極が連結されており、制御電極に前記第１電源の電圧が印加される第６トランジスターを含む。
そして前記第１ダミー画素群のダミー画素は、印加される電流に対応して光を発光し、一端に第１電源の電圧が印加される第２発光素子、前記第１電源の電圧が第１電極及び制御電極に印加される第７トランジスター、前記発光素子の他端及び第７トランジスタの第２電極に第２電極が連結され、制御電極及び第１電極の電圧差に対応する電流が流れる第８トランジスター、及び前記第８トランジスタの制御電極に片端が連結され、他端に前記第１電源の電圧が印加される第２キャパシタを含む。
この時、前記発光制御信号を生成する発光制御駆動部を更に含み、前記発光制御駆動部と前記表示部との間に第３ダミー画素群を更に含み、前記第３ダミー画素群の画素回路は前記第１ダミー画素群の画素回路と同一である。
本発明によれば、ダミー画素によって発生する走査線のロードを除去して、選択信号を遅延なしに画素に伝達できる。
また、漏洩電流によってダミー画素が発光することを防止できる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態について当業者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかしながら、本発明は多様に異なる形態で実現できるので、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。図面で本発明を明確に説明するために説明と関係ない部分は省略した。明細書全体を通じて類似した部分については同一図面符号で示すものとする。
明細書全体で、どんな部分が他の部分と“連結”されているという時、これは“直接的に連結”されている場合だけでなく、その中間に他の素子を間において“電気的に連結”されている場合も含む。また、どんな部分がどんな構成要素を“含む”とする時、これは特に反対になる記載がない限り他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素を更に含むことができることを意味する。
さて、本発明の表示装置に関する一実施形態の有機発光表示装置と画素回路について図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す図面である。
図１に示すように、本発明の実施形態による有機発光表示装置は表示部１００、走査駆動部２００、データ駆動部３００及び発光制御駆動部４００を含む。
表示部１００は、列方向にのびている複数のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）、行方向にのびている複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）及び複数の発光制御線（Ｅ１〜Ｅｎ）を含む。そして表示部１００は、複数のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）と複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）が交差する領域に位置する複数の画素を含み、各画素は複数のデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）、複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）及び複数の発光制御線（Ｅ１〜Ｅｎ）それぞれに連結されている。各画素には画素回路１１０が形成されている。また、表示部１００は第１ダミー画素群１２０及び第２ダミー画素群１３０を含み、第１ダミー画素群１２０は表示部１００の上部、表示部１００と走査駆動部２００の間及び表示部１００と発光制御駆動部４００の間に位置した複数のダミー画素であり、第２ダミー画素群１３０はデータ駆動部３００と表示部１００との間に位置した複数のダミー画素である。データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）は画像信号を示すデータ信号を画素回路１１０に伝達し、走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）は選択信号を画素回路１１０に伝達し、発光制御線（Ｅ１〜Ｅｋ）は発光制御信号を画素回路１１０に伝達する。
一方、色表示を実現するためには各画素が原色のうち一つの色相を固有なように表示したり各画素が時間により交互に原色を表示するようにして、これら原色の空間的または時間的和で所望の色相が認識されるようにする。原色の例としては赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）を挙げることができる。この時、時間的和で色相を表示する場合には一つの画素で時間的にＲ、Ｇ及びＢ色相が交互に表示されて、一つの色相が実現される。そして空間的和で色相を表示する場合にはＲ画素、Ｇ画素及びＢ画素の三画素によって、一つの色相が実現されるので、各画素を副画素と呼んで三個の副画素を一つの画素と呼んだりもする。また、空間的和で色相を表示する場合にはＲ画素、Ｇ画素及びＢ画素が行方向または列方向にかわるがわる行きながら配列でき、または三画素が三角形の三頂点に相当する位置に配列されてもよい。
走査駆動部２００は走査線（Ｓ１〜Ｓｎ）にそれぞれ選択信号を順次に生成して印加し、ここで走査線に関する用語を定義すれば、現在選択信号を伝達しようとする走査線を“現在走査線”とし、現在選択信号が伝えられる直前に選択信号を伝達した走査線を“直前走査線”という。
データ駆動部３００は、データ線（Ｄ１〜Ｄｍ）に画像信号に対応するデータ電圧を生成して印加する。
発光制御駆動部４００は、有機発光素子の発光を制御するための発光制御信号を順次に発光制御線（Ｅ１〜Ｅｋ）に印加する。
走査駆動部２００、データ駆動部３００及び／または発光制御駆動部４００は表示部１００に電気的に連結でき、または表示部１００に接着されて、電気的に連結されているテープキャリヤパッケージにチップなどの形態で装着できる。または表示部１００に接着されて、電気的に連結されているフレキシブル印刷回路またはフィルム等にチップなどの形態で装着できる。これとは異なって走査駆動部２００、データ駆動部３００及び／または発光制御駆動部４００は表示部１００のガラス基板上に直接装着されてもよく、またはガラス基板上に走査線、データ線、発光制御線及び薄膜トランジスターと同一層で形成されている駆動回路と代替されてもよく、直接装着されてもよい。
図２は、本発明の実施形態による画素１１０の回路を示す図面である。
図２でのように、画素回路１１０は５個のトランジスター（Ｍ１〜Ｍ６）、２個のキャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）を含む。ここで６個のトランジスター（Ｍ１〜Ｍ６）はＰＭＯＳトランジスターを使った。これらトランジスター（Ｍ１〜Ｍ６）はソース電極とドレーン電極を形成する二つの電極とゲート電極を制御電極として有する。有機発光素子（ＯＬＥＤ）はダイオード特性を有するため有機発光ダイオードと呼ばれ、一般にアノード電極、有機薄膜及びカソード電極の構造を有する。
トランジスター（Ｍ１）は有機発光素子（ＯＬＥＤ）を駆動するための駆動トランジスターであって、電圧を供給するための電源（ＥＬＶＤＤ）と有機発光素子（ＯＬＥＤ）との間に接続され、ゲート電極とソース電極の電圧差によって、有機発光素子に流れる電流が発生する。トランジスター（Ｍ４）は電源（ＥＬＶＤＤ）と初期電圧（Ｖｉｎｉｔ）を供給する電源間に接続され、直前走査線（Ｓｎ−１）からの選択信号に応答してオン／オフされる。トランジスター（Ｍ４）が導通されれば、トランジスター（Ｍ１）のゲートに初期電圧（Ｖｉｎｉｔ）が伝えられる。トランジスター（Ｍ２）は現在走査線（Ｓｎ）からの選択信号に応答してオン／オフされ、トランジスター（Ｍ１）のゲート電極及びソース電極の間に連結されている。トランジスター（Ｍ３）は現在走査線（Ｓｎ）からの選択信号に応答してオン／オフされ、データ線及びトランジスター（Ｍ１）のドレーン電極の間に連結されている。トランジスター（Ｍ３）は現在走査線（Ｓｎ）からの選択信号に応答してトランジスター（Ｍ１）のドレーン電極にデータ電圧（ＶＤＡＴＡ）を伝達する。トランジスター（Ｍ５）は発光制御線（Ｅｋ）の発光制御信号に応答してトランジスター（Ｍ１）と電源（ＥＬＶＤＤ）を連結する。トランジスター（Ｍ６）はトランジスター（Ｍ１）と有機発光素子（ＯＬＥＤ）との間に連結されており、発光制御線（Ｅｋ）の発光制御信号に応答して有機発光素子（ＯＬＥＤ）にトランジスター（Ｍ１）を通じて流れる電流を伝達する。キャパシタ（Ｃ１）はトランジスター（Ｍ４）と電源（ＥＬＶＤＤ）の電圧を供給する電源の間に連結されている。トランジスター（Ｍ４）が導通されれば、キャパシタ（Ｃ１）には電源（ＥＬＶＤＤ）の電圧と初期電圧（Ｖｉｎｉｔ）の差に相当する電圧（ＥＬＶＤＤ−Ｖｉｎｉｔ）が充電され、トランジスター（Ｍ１）のゲート電極と電源（ＥＬＶＤＤ）の電圧を供給する電源の間の電圧を一定に維持する。キャパシタ（Ｃ２）は現在走査線（Ｓｎ）に片電極が連結され、トランジスター（Ｍ１）のゲート電極に他電極が連結されている。キャパシタ（Ｃ２）は現在走査線（Ｓｎ）からの選択信号とトランジスター（Ｍ１）のゲートの電圧差を一定に維持する。有機発光素子（ＯＬＥＤ）はトランジスター（Ｍ６）のドレーンと電源（ＥＬＶＳＳ）との間に連結されている。本発明の実施形態による画素回路１１０では電源（ＥＬＶＤＤ）の電圧レベルが電源（ＥＬＶＳＳ）の電圧より高いレベルを有する。
次に、図３を参照して画素回路１１０の動作について説明する。
図３は画素回路１１０に印加される信号波形を示す図面である。
まず、区間（Ｄ１）の間、直前走査線（Ｓｎ−１）からの選択信号がローレベル（イネーブルレベル）の走査電圧が印加されれば、トランジスター（Ｍ４）が導通されて、キャパシタ（Ｃ１）の一端が初期電圧（Ｖｉｎｉｔ）で初期化され、電源電圧（ＶＤＤ）と初期電圧（Ｖｉｎｉｔ）の差に相当する電圧（ＶＤＤ−Ｖｉｎｉｔ）が充電される。
その次に、区間（Ｄ２）の間、現在走査線（Ｓｎ）からの選択信号がローレベル（イネーブルレベル）（Ｖｌｏｗ）になって、トランジスター（Ｍ２、Ｍ３）が導通される。トランジスター（Ｍ２）が導通されれば、トランジスター（Ｍ１）はダイオード連結され、導通されたトランジスター（Ｍ３）を通じて、データ電圧（ＶＤＡＴＡ）がトランジスター（Ｍ１）に伝えられる。そうすれば、ダイオード連結されたトランジスター（Ｍ１）のゲート電圧（ＶＤＡＴＡ＋ＶＴＨ）（ＶＴＨ；しきい電圧）が印加される。したがって、キャパシタ（Ｃ２）の両端には電圧（ＶＤＡＴＡ＋ＶＴＨ）と電圧（Ｖｌｏｗ）がそれぞれ印加されて、キャパシタ（Ｃ２）には電圧（ＶＤＡＴＡ＋ＶＴＨ−Ｖｌｏｗ）が充電される。
次に、区間（Ｄ３）では、現在走査線（Ｓｎ）からの選択信号がハイレベル（ディスエーブルレベル）（Ｖｈｉｇｈ）になって、発光制御線（Ｅｋ）からの発光制御信号がローレベル（イネーブルレベル）（Ｖｌｏｗ）になれば、発光制御信号に応答してトランジスター（Ｍ５、Ｍ６）が導通される。トランジスター（Ｍ１）のソース電極には電源（ＥＬＶＤＤ）の電圧が印加され、ゲート電極には区間（Ｄ２）の間印加された電圧（ＶＤＡＴＡ＋ＶＴＨ）が現在走査線（Ｓｎ）からの選択信号がハイレベル（Ｖｈｉｇｈ）になりながら変動が発生する。
現在走査線（Ｓｎ）からの選択信号がローレベル（Ｖｌｏｗ）からハイレベル（Ｖｈｉｇｈ）になれば、キャパシタ（Ｃ２）と現在走査線（Ｓｎ）の接続点の電圧が選択信号のレベル上昇幅（ΔＶＳ）ぐらい増加する。したがってキャパシタ（Ｃ１、Ｃ２）のカップリングによって、トランジスター（Ｍ１）のゲート電圧（ＶＧ）は区間（Ｄ２）での電圧に比べて増加するようになって、その増加量（ΔＶＧ）は数１の通りである。
Figure 0005005417
トランジスター（Ｍ１）のゲート電圧（ＶＧ）がΔＶＧぐらい増加したのでトランジスター（Ｍ１）に流れる電流（ＩＯＬＥＤ）は数２のようになる。つまり、トランジスター（Ｍ１）のゲート電圧（ＶＧ）が変動したほどトランジスター（Ｍ１）のケート−ソース電圧（ＶＧＳ）の大きさが変動し、トランジスター（Ｍ１）のドレーン電流（ＩＯＬＥＤ）の大きさもこれにより変動する。
Figure 0005005417
以下、本発明の実施形態による第１ダミー画素群１２０と第２ダミー画素群１３０それぞれの画素について図４〜図５を参照して説明する。本発明の実施形態による第１ダミー画素群１２０及び第２ダミー画素群１３０の区分はデータ駆動部３００と表示部１００との間に存在する複数のダミー画素と残り複数のダミー画素に区分したものであり、本発明の実施形態による位置に限定されるものではない。
図４は第１ダミー画素群１２０のうち任意の画素回路を示す図面である。
表示部１００の画素１１０と比較して、第１ダミー画素群１２０の画素回路に伝えられる選択信号、発光制御信号、データ信号線及び電源は同一な電圧を供給する電源に連結されている。
具体的には、電源（ＥＬＶＤＤ）の代わりに電源（ＥＬＶＳＳ）が第１キャパシタ（Ｃ１）の一端に連結され、データ電圧（ＶＤＡＴＡ）の代わりに電源（ＥＬＶＳＳ）が伝えられる。そして、現在走査線（Ｓｎ）からの選択信号、直前走査線（Ｓｎ−１）からの選択信号及び発光制御線（Ｅｋ）からの発光制御信号の代わりに電源（ＥＬＶＳＳ）の電圧が伝えられる。また、初期電圧（Ｖｉｎｉｔ）の代わりに電源（ＥＬＶＳＳ）の電圧が印加される。また、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のカソード電極は電源（ＥＬＶＳＳ）に連結されている。
そうすれば、トランジスター（Ｍ´５）のゲート電極及びソース電極に同一な電圧が印加されて、トランジスター（Ｍ´５）はオフの状態に維持される。トランジスター（Ｍ´３）のゲート電極及びソース電極もまた同一な電圧が印加されて、トランジスター（Ｍ´３）はオフの状態に維持される。また、トランジスター（Ｍ´４）が電源（ＥＬＶＤＤ）の電圧によって導通されても、第１キャパシタ（Ｃ´１）の両端は同一な電圧が印加されて、第１キャパシタ（Ｃ´１）には電荷が充電されない。この時、トランジスター（Ｍ´２）が電源（ＥＬＶＳＳ）の電圧によって導通されて、トランジスター（Ｍ´１）がダイオード連結されても、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノード方向に流れる電流は発生しないので、漏洩電流による短絡現象は発生しない。
このように、第１ダミー画素群の画素回路は選択信号を伝達する走査線に連結されず、同一な電源の電圧が印加されるので、各走査線毎にダミー画素によるロードを除去できる。したがって、各走査線に遅延なしに選択信号を伝達できる。また、ダミー画素で、漏洩電流による有機発光素子の発光を防止できる。
図５は、第２ダミー画素群１３０のうち任意の画素回路を示す図面である。
表示部１００の画素１１０と比較して、第２ダミー画素群１３０の画素回路に伝えられる現在選択信号、発光制御信号、初期電圧及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）のカソード電極は同一な電圧を供給する電源に連結されている。電源（ＥＬＶＤＤ）、データ電圧（ＶＤＡＴＡ）及び直前走査ライン（Ｓｎ）からの選択信号は第２ダミー画素群１３０の画素回路に伝えられる。また、電源（ＥＬＶＤＤ）とトランジスター（Ｍ´´５）のソース電極を連結するコンタクトホール、電源（ＥＬＶＤＤ）と第１キャパシタ（Ｃ１）の一端を連結するコンタクトホール、及びデータ線（Ｄ１〜Ｄｍ）とトランジスター（Ｍ´´３）のソース電極を連結するコンタクトホールは形成されない。つまり、トランジスター（Ｍ´´５）のソース電極、トランジスター（Ｍ´´３）の第１電極及び第１キャパシタ（Ｃ１）の一端はフローティングされている。したがって、トランジスター（Ｍ´´１）のソース電極に電源（ＥＬＶＤＤ）の電圧が印加されたり、ドレーン電極にデータ電圧（ＶＤＡＴＡ）が印加されない。また、第１キャパシタ（Ｃ１）の一端がフローティングされているので、両端間の電圧差が一定に維持できなくて電荷が充電されない。
また、現在走査線（図示せず）からの選択信号、及び発光制御線（Ｅｋ）からの発光制御信号の代わりに電源（ＥＬＶＳＳ）の電圧が伝えられる。そして初期電圧（Ｖｉｎｉｔ）の代わりに電源（ＥＬＶＳＳ）の電圧が印加され、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のカソード電極は電源（ＥＬＶＳＳ）に連結されている。
走査線（Ｓｎ）のイネーブル選択信号が印加されて、トランジスター（Ｍ´´４）が導通されれば、第１キャパシタ（Ｃ１）の他端には電源（ＥＬＶＳＳ）の電圧が印加される。この時、トランジスター（Ｍ´´２）が電源（ＥＬＶＳＳ）の電圧によって導通されて、トランジスター（Ｍ´´１）がダイオード連結されても、有機発光素子（ＯＬＥＤ）のアノード方向に流れる電流は発生しないので、漏洩電流による短絡現象は発生しない。
本発明の実施形態による第２ダミー画素群１３０はデータ駆動部４００と表示部１００との間に位置し、第２ダミー画素群１３０に選択信号を伝達する走査線（Ｓｎ）と実際発光する複数の画素回路に選択信号を伝達する複数の走査線（Ｓ１〜Ｓｎ−１）とのロードバランスのために電源（ＥＬＶＳＳ）の電圧を伝達せず、実際発光する複数の画素回路と同様に選択信号（Ｓｎ）が印加される。
このように、第２ダミー画素群の画素回路はロードバランスのために選択信号を伝達する走査線に連結しているが、同一な電源の電圧が印加されるので発光しない。また、ダミー画素で漏洩電流による有機発光素子の発光を防止できる。
つまり、本発明の実施形態によれば、実際に発光しない複数のダミー画素によって、発生する走査線のロードを除去できる。従って、本発明の実施形態による有機発光表示装置は遅延なしに複数の画素に選択信号を伝達できる。また、ダミー画素には漏洩電流が発生しなくて、短絡によってダミー画素の有機発光素子が発光することは発生しない。
本発明の実施形態では６個のトランジスターと２個のキャパシタを使用する画素回路を説明したが、他の構造を有する画素回路でもこれと同一に適用できる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施するのが可能であり、これもまた本発明の範囲に属することは当然である。
本発明の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す図面である。 本発明の実施形態による画素の回路を示す図面である。 画素回路に印加される信号波形を示す図面である。 第１ダミー画素群のうち任意の画素回路を示す図面である。 第２ダミー画素群のうち任意の画素回路を示す図面である。
符号の説明
１００ 表示部
１２０ 第１ダミー画素群
１３０ 第２ダミー画素群
３００ データ駆動部
Ｃ１、Ｃ´１ キャパシタ
ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳ 電源
Ｅｋ 発光制御線
Ｍ´１、Ｍ´２、Ｍ´３、Ｍ´４、Ｍ´５ トランジスター
Ｓｎ 現在走査線
Ｓｎ−１ 直前走査線
ＶＤＡＴＡ データ電圧
Ｖｉｎｉｔ 初期電圧

Claims (5)

  1. データ信号を生成して、複数のデータ線それぞれに伝達するデータ駆動部、
    第１選択信号を生成して、複数の第１走査線それぞれに伝達する走査駆動部、
    前記複数のデータ線及び前記複数の第１走査線を含み、前記データ線と前記第１走査線によって定義される複数の第１画素及び前記走査駆動部に隣接した複数のダミー画素で構成される第１ダミー画素群、及び前記データ駆動部に隣接した複数のダミー画素で構成される第２ダミー画素群を含む表示部を備え、
    前記第１ダミー画素群の画素回路は、
    前記データ信号及び第１選択信号の代わりに第１電源の電圧が印加され、
    前記第２ダミー画素群それぞれの画素回路は、
    前記第１選択信号の代わりに前記第１電源の電圧が印加され、
    前記第１及び第２ダミー画素群に含まれているダミー画素は非表示領域に形成されており、
    前記第１画素およびダミー画素は、
    一端に前記第１電源の電圧が印加され、流れる電流に対応して、光を発光する発光素子と、
    前記発光素子を駆動するための駆動トランジスタである第１トランジスタと、
    前記第１トランジスタのゲート電極およびソース電極の間に接続されるとともに、前記第１走査線に接続され、前記第１選択信号に応答してオン／オフされる第２トランジスタと、
    前記データ線がソース電極に接続され、前記第１トランジスタのドレイン電極がドレイン電極に接続されるとともに、前記第１走査線がベース電極に接続され、前記第１選択信号に応答してオン／オフされる第３トランジスタと、
    初期電圧を供給する第２電源がドレイン電極に接続され、直前走査線からの選択信号に応答して、オン／オフされる第４トランジスタと、
    発光制御信号に応答して前記第１トランジスタのソース電極と第３電源を連結する第５トランジスタと、
    前記第１トランジスタのドレイン電極と前記発光素子との間に連結されており、前記発光制御信号に応答して前記発光素子に前記第１トランジスタを通じて流れる電流を伝達する第６トランジスタと、
    前記第４トランジスタのソース電極と前記第３電源の間に接続されている第１キャパシタと、
    前記第１走査線に接続され、他端が前記第１トランジスタのゲート電極と接続されている第２キャパシタと、
    を具備し、
    第４トランジスタと第１キャパシタとの間のノードが、第１トランジスタのゲート電極および第２キャパシタの他端と接続され、
    前記第１ダミー画素群の画素回路は、
    前記第３電源の代わりに前記第１電源が前記第１キャパシタの一端に接続され、
    前記データ線上にデータ電圧の代わりに前記第１電源の電圧が印加され、
    前記第１選択信号、前記発光制御信号、および前記直前走査線からの選択信号の代わりに前記第１電源の電圧が印加され、
    前記初期電圧の代わりに前記第１電源の電圧が印加されていることを特徴とする発光表示装置。
  2. 前記発光制御信号を生成する発光制御駆動部を更に含み、
    前記発光制御駆動部と前記表示部との間に第３ダミー画素群を更に含み、
    前記第３ダミー画素群の画素回路は前記第１ダミー画素群の画素回路と同一な、請求項１に記載の発光表示装置。
  3. 前記発光制御信号を生成する発光制御駆動部を更に含み、
    前記発光制御駆動部と前記表示部との間に第３ダミー画素群を更に含み、
    前記第３ダミー画素群の画素回路は前記第１ダミー画素群の画素回路と同一な、請求項１に記載の発光表示装置。
  4. 前記第２ダミー画素群の画素回路は、
    前記第３電源と前記第１キャパシタは連結されておらずフローティングされており、前記第５トランジスタと前記第３電源も連結されておらずフローティングされており、
    前記第１選択信号、前記発光制御信号、および前記初期電圧の代わりに前記第１電源の電圧が印加され、前記直前走査線からの選択信号の代わりに前記第１選択信号が印加される、請求項１に記載の発光表示装置。
  5. 前記発光制御信号を生成する発光制御駆動部を更に含み、
    前記発光制御駆動部と前記表示部との間に第３ダミー画素群を更に含み、
    前記第３ダミー画素群の画素回路は前記第１ダミー画素群の画素回路と同一な、請求項４に記載の発光表示装置。
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