JP5000625B2 - Memsセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に介在する絶縁層と、を有し、
前記第1の基板には、可動電極部及び固定電極部を備えて成るセンサ部と、前記可動電極部及び前記固定電極部の夫々のアンカ部が形成されており、
前記アンカ部は、前記第2の基板の表面に前記絶縁層を介して固定支持されており、
前記センサ部と対面する前記第2の基板の表面には凹部が形成され、前記センサ部と前記第2の基板との間に空間が形成されていることを特徴とするものである。
(a) 第1の基板及び第2の基板を夫々用意し、前記第2の基板表面のセンサ対面領域に凹部を形成する工程、
(b) 前記第2の基板の表面に絶縁層を形成する工程、
(c) 前記第1の基板と前記第2の基板とを前記絶縁層を介して接合する工程、
(d) 前記第2の基板に形成された凹部と対向する位置の前記第1の基板に、可動電極部及び固定電極部を備えて成るセンサ部を形成し、さらに、前記可動電極部及び前記固定電極部の夫々のアンカ部を、前記第1の基板と前記第2の基板との接合位置に形成することで、前記センサ部と前記第2の基板との間に前記凹部の形成による空間を設けるとともに、前記アンカ部を前記第2の基板の表面に前記絶縁層を介して固定支持する工程、
を有することを特徴とするものである。
(e) 前記凹部の表面に形成された前記絶縁層を除去する工程、
を有することが、センサ部と第2の基板(支持基板)間の寄生容量が効果的に低減されたMEMSセンサを簡単且つ適切に製造することができ好適である。
図1,図2に示すように、第1の基板1には、可動電極部15及び固定電極部11,13とを備えて構成されるセンサ部4と、可動電極部15及び固定電極部11,13の夫々のアンカ部12,14,17,19が形成されている。このうち各アンカ部12,14,17,19は、図2,図3(アンカ部12の付近を拡大した部分拡大断面図)に示すように、第2の基板2の表面2aに絶縁層3を介して固定支持されている。
本実施形態では、図5(a)に示したように、第1の基板1と第2の基板2とを別々に単体で用意し、第2の基板2表面2aのセンサ対面領域に、予め、凹部5を形成する。続いて、図5(b)の工程で絶縁層3の形成、図5(c)工程で、第1の基板1と第2の基板2の接合を行う。その後は、従来の工程と同様である。従来では例えば、第1の基板と第2の基板とが絶縁層を介して接合されたSOI基板を用いて、第1の基板にセンサ部及びアンカ部等の形成を行い、センサ部と第2の基板(支持基板)との間に位置する絶縁層を除去することで、センサ部と第2の基板との間に空間を形成していた。これに対して本実施形態では、第1の基板1と第2の基板2を夫々、別々に用意し、これらを接合する前に、単体の前記第2の基板2表面のセンサ対向領域に対して凹部5を形成するから、センサ部4と第2の基板2の間に的確に空間を形成でき、しかも前記凹部5の形成により、センサ部4と第2の基板2の間の高さ方向への距離を従来よりも適切且つ容易に大きくできる。
2 第2の基板
3 絶縁層
4 センサ部
5 凹部
11、13 固定電極部
12、14、17、19 アンカ部
15 可動電極部
25 枠体層
Claims (4)
- 第1の基板と、第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に介在する絶縁層と、を有し、
前記第1の基板には、可動電極部及び固定電極部を備えて成るセンサ部と、前記可動電極部及び前記固定電極部の夫々のアンカ部が形成されており、
前記アンカ部は、前記第2の基板の表面に前記絶縁層を介して固定支持されており、
前記センサ部と対面する前記第2の基板の表面には凹部が形成され、前記センサ部と前記第2の基板との間に空間が形成されていることを特徴とするMEMSセンサ。 - 前記凹部の表面に前記絶縁層は形成されておらず、前記第2の基板の表面が前記空間を介して前記センサ部に直接対向している請求項1記載のMEMSセンサ。
- (a) 第1の基板及び第2の基板を夫々用意し、前記第2の基板表面のセンサ対面領域に凹部を形成する工程、
(b) 前記第2の基板の表面に絶縁層を形成する工程、
(c) 前記第1の基板と前記第2の基板とを前記絶縁層を介して接合する工程、
(d) 前記第2の基板に形成された凹部と対向する位置の前記第1の基板に、可動電極部及び固定電極部を備えて成るセンサ部を形成し、さらに、前記可動電極部及び前記固定電極部の夫々のアンカ部を、前記第1の基板と前記第2の基板との接合位置に形成することで、前記センサ部と前記第2の基板との間に前記凹部の形成による空間を設けるとともに、前記アンカ部を前記第2の基板の表面に前記絶縁層を介して固定支持する工程、
を有することを特徴とするMEMSセンサの製造方法。 - 前記(d)工程の後に、
(e) 前記凹部の表面に形成された前記絶縁層を除去する工程、
を有する請求項3記載のMEMSセンサの製造方法。
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