JP4994905B2 - 撮像装置 - Google Patents

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Description

本発明は、撮像光学系からの光束を互いに分光感度特性が異なる一対の受光素子に受光させ、その受光出力から光源に関する情報を生成し、フォーカス制御のための情報の生成等に用いる撮像装置に関する。
一眼レフカメラ等の撮像装置には、TTL位相差検出方式と称される焦点検出方式が採用される場合が多い。TTL位相差検出方式では、撮像光学系からの光束を一対の再結像光学系によって再結像させることで一対の受光素子列上に2つの像を形成し、該2像の相対的な位置差(位相差)を検出することで、撮像光学系のデフォーカス量を得る。
一般に、撮像光学系や再結像光学系(焦点検出光学系ともいう)では、d線(587nm)を中心とした400nmから700nmの可視波長域で色収差等の諸収差の補正が行われる。このため、可視波長域以外の波長域、例えば近赤外波長域での収差が良好に補正されていることは少ない。この場合、昼光下、タングステンランプ等の色温度の低い光源下、及び蛍光灯等の色温度の高い光源下での撮像において、それぞれ可視光に対する近赤外光の相対的な割合が異なるため、異なる焦点検出結果が得られることが多い。
そこで、特許文献1にて開示されているように、焦点検出用受光素子列の近傍に互いに分光感度特性が異なる一対の光源検出用受光素子を配置し、その出力の比から光源の色温度を検出し、該色温度の検出結果に基づいて焦点検出結果を補正することが好ましい。
また、特許文献2には、1つの光源検出用受光素子に、互いに異なる分光透過率特性を有する色素フィルタを塗布することで、該受光素子内に分光感度特性が異なる2つの受光領域を形成し、光源の色温度検出を行う技術が開示されている。
ただし、被写体から撮像光学系及び再結像光学系を通過して受光素子に到達する光束による受光素子上での照度分布は、該光束が撮像光学系及び再結像光学系の影響を受けることで一様にならない(不均一になる)場合がある。この場合、受光素子内で色温度を検出する被写体の像が形成される位置によって受光素子の出力が異なってしまう。このため、色温度の検出結果に誤差を生じる。
特許文献3には、2つの受光素子列に対する照度分布のアンバランスを補正するための照度分布補正手段を設けた焦点検出装置が開示されている。
特許第2900390号公報 特許第2555681号公報 特開昭63−276010号公報
しかしながら、特許文献3にて開示された焦点検出装置では、2つの受光素子列に対する照度分布のアンバランスを補正するだけであり、1つの受光素子内での照度分布の不均一を補正するものではない。
本発明は、光源検出用受光素子内での照度分布の不均一(受光量むら)による受光素子の出力変化を低減し、被写体像の結像位置や被写体像の大きさによらず良好な光源検出、さらには高精度のフォーカス制御を行えるようにした撮像装置を提供する。
本発明の一側面としての撮像装置は、撮像光学系からの光束を結像させる一対の結像光学系であって、複数の画素を備え互いに分光感度特性が等しい、前記撮影光学系の焦点状態を検出するための信号を出力する一対の第1の受光素子に光束を導く一対の結像光学系と、該一対の結像光学系からの光束をそれぞれ受光する互いに分光感度特性が異なる一対の受光素子であって、前記第1の各受光素子の近傍に配置される一対の第2の受光素子と、前記一対の第2の受光素子からの出力に基づいて光源に関する検出を行う検出手段とを有する。そして、第2の各受光素子は、前記撮像光学系及び前記結像光学系により生じる受光位置に応じた受光量の変化に伴う出力の変化を低減するための遮光部材であって、前記第1の各受光素子は有していない遮光部材を有し、前記遮光部材は、前記第2の各受光素子における前記受光量が、基線長方向及び該方向に対して直交する方向の各々において少ない位置ほど遮光面積が小さくなる形状を有することを特徴とする。
また、本発明の他の側面としての撮像装置は、撮像光学系からの光束を結像させる一対の結像光学系であって、複数の画素を備え互いに分光感度特性が等しい、前記撮影光学系の焦点状態を検出するための信号を出力する一対の第1の受光素子に光束を導く一対の結像光学系と、該一対の結像光学系からの光束をそれぞれ受光する互いに分光感度特性が異なる一対の受光素子であって、前記第1の各受光素子の近傍に配置される一対の第2の受光素子と、該一対の第2の受光素子からの出力に基づいて光源に関する検出を行う検出手段とを有する。そして、第2の各受光素子は、撮像光学系及び結像光学系により生じる受光位置に応じた第2の受光量の変化に伴う出力の変化を低減するための受光部形状であって、前記第1の各受光素子は有していない受光部形状を有し、前記受光部形状は、前記第2の各受光素子における前記受光量が、基線長方向及び該方向に対して直交する方向の各々において少ない位置ほど受光面積が大きくなる受光部形状を有することを特徴とする。
なお、撮像光学系及び一対の結像光学系を介した光束をそれぞれ受光する一対の焦点検出用の受光素子列を有し、該焦点検出用の受光素子列からの出力及び光源に関する情報に基づいて、撮像光学系のフォーカス制御を行うための情報を生成する撮像装置も本発明の他の側面を構成する。
本発明によれば、光源検出用の受光素子内での受光量の変化、すなわち照度分布の不均一による受光素子の出力変化を低減することで、被写体像の結像位置や被写体像の大きさによらず、良好な光源検出を行うことができる。したがって、光源検出結果(光源に関する情報)を用いた精度の高いフォーカス制御を行うことができる。
以下、本発明の好ましい実施例について図面を参照しながら説明する。
まず図8には、本発明の実施例1である一眼レフデジタルカメラ(撮像装置:以下、単にカメラという)を含む撮像システムを示す。該撮像システムは、カメラと該カメラに装着される交換レンズとによって構成される。
同図において、1はカメラであり、その前面には交換レンズ11が装着される。カメラ1内には、光学部品、機械部品、電気回路、及びCCDセンサやCMOSセンサにより構成される撮像素子9が収納されている。
2は主ミラーであり、ファインダ観察状態では撮像光路内に斜めに配置され、撮像状態では撮像光路外に退避する。また、主ミラー2はハーフミラーとなっており、撮像光路内に配置されているときは、交換レンズ11から入射した光束のうち約半分を透過する。20はサブミラーであり、ファインダ観察状態では主ミラー2の背後において撮像光路内に斜めに配置され、撮像状態では撮像光路外に退避する。撮像状態において、サブミラー20は、主ミラー2を透過した光束を下方に折り曲げて、後述の焦点検出ユニットに導く。
3は交換レンズ11の予定結像面に配置されたピント板であり、4はファインダ光路を折り曲げるためのペンタプリズムである。5は接眼レンズである。ピント板3、ペンタプリズム4及び接眼レンズ5によりファインダ光学系が構成され、撮像者は接眼レンズ5を通してピント板3を観察することで、被写体像を観察することができる。
7は被写体の輝度を測定するための測光センサであり、6はペンタプリズム4からの光束を測光センサ7上に被写体像を形成させる結像レンズである。
8は撮像素子9に対する光束の入射量及び入射タイミングを制御するフォーカルプレンシャッタである。
25は焦点検出ユニット(焦点検出装置)であり、結像光学系としての2次結像レンズユニット26と、反射ミラー27と、センサユニット29により構成されている。
2次結像レンズユニット26は、交換レンズ11内の撮像光学系からの光束(サブミラー20により反射された光束)に、一対又は複数対の2次被写体像(A像,B像)をセンサユニット29上に形成させる。焦点検出ユニット25は、A像,B像の相対位置差(位相差)に基づいて交換レンズ11内の撮像光学系の焦点状態に対応する位相差情報を生成する。位相差情報は、コントローラとしてのカメラマイクロコンピュータ30に送られる。
カメラマイクロコンピュータ30は、該位相差情報から撮像光学系のデフォーカス量を求め、さらに該デフォーカス量から合焦を得るためのフォーカスレンズ12の駆動量と駆動方向を算出する。これにより、いわゆるTTL位相差検出方式によるフォーカス制御が行われる。
また、光源に関する検出を行う検出手段としても機能するカメラマイクロコンピュータ30は、算出したデフォーカス量を、後述する色温度(光源に関する情報)の検出結果に基づいて補正し、該補正されたデフォーカス量に基づいてフォーカス制御を行う。すなわち、カメラマイクロコンピュータ30は、後述する光源検出用の一対の受光素子からの出力に基づいて光源に関する情報(ここでは色温度を示す情報)を生成する。そして、後述する焦点検出用の受光素子列からの出力と該光源に関する情報に基づいて、撮像光学系のフォーカス制御を行う。
デフォーカス量の補正は、例えば、色温度によって光源の種類(太陽、蛍光灯、タングステンランプ等)を判別し、その光源の色温度に応じた補正値をデフォーカス量に加算(又は減算)することにより行うことができる。
なお、本実施例では、色温度を光源に関する情報として用いるが、光源に関する情報は色温度に限られない。
10はカメラ1と交換レンズ11との通信インターフェイスとなるマウント接点群である。
交換レンズ11内には、撮像光学系を構成するレンズユニット12〜14及び絞り15が配置されている。最も被写体側の第1レンズユニット(以下、フォーカスレンズという)12は、光軸方向に移動することでピント位置を調整する。第2レンズユニット13は、光軸方向に移動して撮像光学系の変倍を行う。14は固定された第3レンズユニットである。絞り15は、開口径を変化させて光量を調節する。
16はフォーカス駆動モータであり、フォーカスレンズ12を光軸方向に移動させる。17は絞り15の開口径を変化させるための絞り駆動モータである。18は距離エンコーダであり、フォーカスレンズ12に取り付けられたブラシ19がこの距離エンコーダ18上を摺動することで、フォーカスレンズ12の位置に応じた信号を出力する。フォーカスレンズ12が合焦位置に制御された状態での距離エンコーダ18からの位置情報に基づいて、被写体距離を検出できる。また、交換レンズ11には、第2レンズユニット13の位置を検出する不図示のズーム位置検出器も設けられており、該ズーム位置検出器からの信号に基づいて撮像光学系の焦点距離を求めることもできる。
図1には、焦点検出ユニット25内に設けられたセンサユニット29を示している。センサユニット29は、半導体基板をベースとして構成されている。
101a、101bは、撮像画面の中央部の焦点状態を検出するための一対の受光素子アレイ(焦点検出用の受光素子列)であり、水平一次元方向(基線長方向)に複数のフォトダイオード(受光素子)が配列されて構成されている。
受光素子アレイ101aは、前述したA像を光電変換し、該A像の位置に応じた電気信号を出力する。また、受光素子アレイ101bは、前述したB像を光電変換し、該B像の位置に応じた電気信号を出力する。これら電気信号からA像及びB像の相対位置差、つまりは間隔(位相差)を検出することにより、カメラマイクロコンピュータ30は、撮像光学系のデフォーカス量を算出することができる。
また、102a、102bは、撮像画面の右側部分の焦点状態を検出するための一対の受光素子アレイであり、垂直一次元方向(基線長方向)に複数のフォトダイオードが配列されて構成されている。なお、図1に示す焦点面では、像の上下左右が反転するため、受光素子アレイ102a、102bは図の左側に示されている。
受光素子アレイ102aは、前述したA像を光電変換し、該A像の位置に応じた電気信号を出力する。また、受光素子アレイ102bは、前述したB像を光電変換し、該B像の位置に応じた電気信号を出力する。これら電気信号からA像及びB像の位相差を検出することにより、カメラマイクロコンピュータ30は、撮像光学系のデフォーカス量を算出することができる。
また、103a、103bは、撮像画面の左側部分の焦点状態を検出するための一対の受光素子アレイであり、垂直一次元方向(基線長方向)に複数のフォトダイオードが配列されて構成されている。
受光素子アレイ103aは、前述したA像を光電変換し、該A像の位置に応じた電気信号を出力する。また、受光素子アレイ103bは、前述したB像を光電変換し、該B像の位置に応じた電気信号を出力する。これら電気信号からA像及びB像の位相差を検出することにより、カメラマイクロコンピュータ30は、撮像光学系のデフォーカス量を算出することができる。
104a、104bは、受光素子アレイ101a、101bの近傍にそれぞれ配置された互いに分光感度特性が異なる光源検出用の一対の受光素子である。
受光素子104aは、カラーフィルタ等を塗布しないシリコンの分光感度特性、主として可視波長域に対する感度を持つ。これに対して、受光素子104bは、例えば赤色の色素フィルタを塗布して、赤から赤外の波長域に感度を持つ。カメラマイクロコンピュータ30は、両受光素子104a、104bの出力の比から、撮影画面の中央部下側に位置する被写体(つまりは被写体を照らす光源)の色温度を検出することができる。
105a、105bも、受光素子アレイ101a、101bの近傍に配置された互いに分光感度特性が異なる光源検出用の一対の受光素子であり、それぞれ受光素子104a、104bと同様の、かつ互いに異なる分光感度特性を有する。このため、両受光素子105a、105bの出力の比から撮影画面の中央部上側に位置する被写体の色温度を検出することができる。
106a、106bは、受光素子アレイ102a、102bの近傍に配置された互いに分光感度特性が異なる光源検出用の一対の受光素子であり、それぞれ受光素子104a、104bと同様の、かつ互いに異なる分光感度特性を有する。このため、両受光素子106a、106bの出力の比から、撮影画面の右側に位置する被写体の色温度を検出することができる。
107a、107bは、受光素子アレイ103a、103bの近傍に配置された互いに分光感度特性が異なる光源検出用の一対の受光素子であり、それぞれ受光素子104a、104bと同様の、かつ互いに異なる分光感度特性を有する。このため、両受光素子107a、107bの出力の比から、撮影画面の左側に位置する被写体の色温度を検出することができる。
また、色温度を検出する被写体が撮影画面のほぼ全体を占める大きさを有する場合には、受光素子104a、105a、106aの出力と受光素子104b、105b、106bの出力との比を比較して色温度を検出すると、検出精度を高めることができる。
図2を用いて、焦点検出ユニット25の再結像光学系を構成する2次結像レンズユニット26について説明する。
同図において、201a、201bは、撮像画面中央部の被写体から撮像光学系を通過して焦点検出ユニット25に入射した光束を分割して、センサユニット29上に再結像させるための一対の2次結像レンズである。撮像光学系からの光束は、2次結像レンズ201aにより、受光素子アレイ101aと受光素子104a、105a上に再結像され、2次結像レンズ201bにより、受光素子アレイ101bと受光素子104b、10ba上に再結像される。
202a、202bは、撮像画面右側の被写体から撮像光学系を通過して焦点検出ユニット25に入射した光束を分割して、センサユニット29上に再結像させるための一対の2次結像レンズである。撮像光学系からの光束は、2次結像レンズ202aにより、受光素子アレイ102aと受光素子106a上に再結像され、2次結像レンズ202bにより、受光素子アレイ102bと受光素子106b上に再結像される。
203a、203bは、撮像画面左側の被写体から撮像光学系を通過して焦点検出ユニット25に入射した光束を分割して、センサユニット29上に再結像させるための一対の2次結像レンズである。撮像光学系からの光束は、2次結像レンズ203aにより、受光素子アレイ103aと受光素子107a上に再結像され、2次結像レンズ203bにより、受光素子アレイ103bと受光素子107b上に再結像される。
また、図2において、215は撮像光学系の射出瞳を示している。また、図中の実線直線は、撮像光学系の光軸を示す。211a、211bはそれぞれ、2次結像レンズ201a、201bに入射する光束が、撮像光学系の射出瞳215を通過する位置を示している。212a、212bはそれぞれ、2次結像レンズ202a、202bに入射する光束が、撮像光学系の射出瞳215を通過する位置を示している。213a、213bはそれぞれ、2次結像レンズ203a、203bに入射する光束が、撮像光学系の射出瞳215を通過する位置を示している。
図3Aには、受光素子104a、104b上での基線長方向の照度分布(受光量の変化)の例を示す。横軸は受光素子104a、104b上での位置を示し、縦軸は各位置に対する照度(受光量)を示している。また、図中の曲線aは、受光素子104a上での照度分布を示し、曲線bは受光素子104bでの照度分布を示している。
さらに、図3Bには、受光素子104a、104bと受光素子アレイ101a、101bとの位置関係を示す。受光素子104a、104bにおいて、それぞれの左端位置をx0とし、そこから一定間隔の位置をX1,X2,X3とする。位置X2は、2次結像レンズ201a、201bの光軸が通る位置である。
受光素子104a上に結像される光束は、撮像光学系の射出瞳215における光軸からずれた位置211aを通過して2次結像レンズ201aに入射する。また、受光素子104b上に結像される光束は、撮像光学系の射出瞳215における光軸からずれた位置211bを通過して2次結像レンズ201bに入射する。
受光素子104a、104b上の位置X0からX3に入射する光束は、撮像光学系及び2次結像レンズ201a、201bに入射する角度が異なるため、撮像光学系及び2次結像レンズ201a、201bの影響を受ける。
一般に、レンズを通過する光束の光量は、該レンズへの入射角度に応じて変化する。具体的には、入射角度θのCOSθの4乗に比例して少なくなる。このため、撮像光学系及び2次結像レンズ201a、201bを通過して受光素子104a、104bに到達する光束による各受光素子上での照度分布は、図3Aの曲線a,bで示すように一様にはならず不均一になる。言い換えれば、各受光素子上において、受光位置により受光量が変化する。
また、受光素子104a、104bは、撮像光学系の光軸に対して対称に配置されるため、受光素子104a、104b上での照度分布は、それぞれの位置X2に対して対称な分布になる。
なお、基線長方向に直交する方向に関しても、同様の理由で照度分布の不均一(照度むら又は受光量むら)が発生するが、ここでの説明は省略する。また、ここでは四対の光源検出用受光素子のうち一対の受光素子104a、104を代表として示すが、他の対の受光素子についても同様に照度むらが発生する。特に、受光素子106a、106b、107a、107bのように、撮像光学系の光軸から大きく離れた位置を通る光束を受光する受光素子上で、より顕著に照度むらが発生する。
光源検出対象である被写体の像が各受光素子よりも十分に大きい場合にはこのような照度むらはほとんど問題にはならないが、通常は、被写体像が受光素子に比べて小さい場合が多い。この場合、被写体像の結像位置がX2であると、受光素子104a上での照度も受光素子104b上での照度もB2となり、互いに等しい。しかし、被写体像の結像位置がX1であると、受光素子104a上での照度はB3となり、受光素子104b上での照度はB1(>B3)となる。また、被写体像の結像位置がX3であると、受光素子104a上での照度はB1となり、受光素子104b上での照度はB3(<B1)となる。
このように、同じ被写体からの光束であっても受光素子104a、104上での結像位置に応じて照度が異なるため、受光素子104a、104bからの出力の比が異なり、光源検出結果が変化してしまう。
そこで、本実施例では、このような照度むらによる光源検出誤差を解消するため、図4に示すように、各受光素子に遮光マスク(遮光部材)を設けている。図4には、受光素子104a、104bと受光素子105a、105b上に形成した遮光マスク110を示す。なお、図4には、焦点検出用の受光素子アレイ101a、101bも併せて示す。
各受光素子上に形成された遮光マスク110は、図3Aに示す各受光素子における照度が高い(受光量が多い)位置ほど遮光面積が大きくなる、逆に言えば、照度が低い(受光量が少ない)位置ほど遮光面積が小さくなる形状を有する。
受光素子104aでは、位置X3で照度が最も高いので、該受光素子104a上の遮光マスク110は、位置X3での遮光面積(基線長方向に直交する方向でのマスク長さ)が最も大きく、基線長方向両端に向かって遮光面積が減少する形状を有する。
また、受光素子104bでは、位置X1で照度が最も高いので、該受光素子104b上の遮光マスク110は、位置X1での遮光面積が最も大きく、基線長方向両端に向かって遮光面積が減少する形状を有する。
受光素子105a,105b上の遮光マスク110も、基線長方向については、受光素子104a、104b上の遮光マスク110と同様の形状を有する。
このような遮光マスク110を設けることで、各受光素子では、照度が高い位置ほど受光面積(開口部の面積)が小さく、逆に言えば、照度が低い位置ほど受光面積が大きくなる。
受光素子104a、104b上に形成された遮光マスク110は、その左右が反転した形状を有する。また、受光素子105a、105b上に形成された遮光マスク110も、その左右が反転した形状を有する。
さらに、受光素子104a、105a上に形成された遮光マスク110は上下が反転した形状を有し、受光素子104b、105b上に形成された遮光マスク110は上下が反転した形状を有する。
なお、基線長方向に対して直交する方向についても照度むらが発生するので、各遮光マスク110は、照度が高い位置ほど遮光面積が大きくなる、逆に言えば、照度が低い位置ほど遮光面積が小さくなる形状を有する。
このような遮光マスク110を各受光素子に設けることで、撮像光学系及び2次結像レンズにより生じる受光位置に応じた受光量の変化(照度むら)に伴う各受光素子からの出力の変化、つまりは感度分布の不均一が低減される。すなわち、照度むらに起因した各受光素子からの出力の変化が補正される。具体的には、図3Aに一点鎖線cで示すように、受光位置にかかわらず、ほぼ同じレベルの出力が得られる。
なお、以下の説明において、このような補正を、照度むら補正という。
また、遮光マスク110の材料には特に制限はないが、半導体を製作するときに用いられるアルミの配線層を利用して形成するようにすれば、製造コストの大幅な上昇を招くことなく遮光マスク110を形成することができる。
図5には、本発明の実施例2である一眼レフカメラの焦点検出ユニットにおいて、照度むら補正に有効な形状を有する光源検出用受光素子を示している。
本実施例の光源検出用受光素子は、実施例1で説明した一眼レフカメラに搭載される。また、本実施例で説明する光源検出用受光素子は、実施例1と同一の機能を有するので、実施例1と同符号を付す。
本実施例では、受光素子104a、104b、105a、105bの受光部の形状自体を、実施例1で遮光マスク110により覆われない部分(開口部)と同様の形状としている。
すなわち、各受光素子は、撮像光学系及び2次結像レンズにより生じる受光位置に応じた受光量の変化(照度むら)に伴う各受光素子からの出力の変化、つまりは感度分布の不均一が低減される受光部形状を有する。
図6には、本発明の実施例3である一眼レフカメラの焦点検出ユニットにおいて、照度むら補正に有効な半導体構造を有する光源検出用受光素子を示している。
本実施例の光源検出用受光素子は、実施例1で説明した一眼レフカメラに搭載される。また、本実施例で説明する光源検出用受光素子は、実施例1と同一の機能を有するので、実施例1と同符号を付す。
前述したように、受光素子104a、104b上での照度分布は基線長方向だけでなくそれに直交する方向にも変化するので、本実施例の受光素子でも、照度むらを2次元的に補正することが可能な半導体構造を有する。
図6及び図7において、701は受光素子104a,104bの形状に合わせてセンサユニット29のベースとなる矩形のP型半導体基板上に形成されたN型ウェル(第1の半導体)である。601は該N型ウェル701内(つまりは各受光素子内)に島状に配置された複数のP型ウェル(第2の半導体)である。島状とは、離散的に、又は離間して、と言い換えることできる。
複数のP型ウェル601は、実施例1に示した受光素子の開口部及び実施例2に示した受光素子の受光部と同様な形状を有するN型ウェル701の領域内に島状に配置される。また、その配置密度は、照度が高い領域では粗に、照度の低い領域では密になる。言い換えれば、P型ウェル601は、受光量が多い位置ほど密度が低くなるように、逆に言えば、受光量が少ない位置ほど密度が高くなるように配置されている。
受光素子の感度分布は、P型ウェル601及びN型ウェル701の間に形成される空乏層の広がりにより決定される。したがって、P型ウェル601を密に配置した領域では、空乏層が重なり合うため感度が高くなり、粗に配置した領域では、空乏層の重なりが少ないので感度が低くなる。
図7には、図6に示した受光素子の構造を模式的に示している。N型ウェル701は、矩形形状を有し、基本的には受光素子の受光領域を決定している。N型ウェル701内には、島状にP型ウェル601が配置されている。703はアルミ配線であり、P型ウェル601を電気的に接続している。したがって、島状に配置されたP型ウェル601は、電気的には1つのP型領域として扱われる。なお、図7では、N型ウェル701に接続されたアルミ配線は図示を省略している。
以上のように、島状に配置されたP型ウェル601の配置密度を照度分布に応じて異ならせることで、受光素子内の感度分布の不均一を低減する照度むら補正を行うことができる。
また、図6及び図7に示した複数のP型ウェル601は、互いに同一の大きさを有するが、互いの大きさを異ならせてもよい。すなわち、照度が高い領域のP型ウェルの大きさを小さくし、照度が低い領域の各P型ウェル(各第2の半導体)の大きさを大きくしてもよい。言い換えれば、受光量が少ない位置ほど各P型ウェル601のサイズが大きくなるように、逆に言えば、受光量が多い位置ほど各P型ウェル601のサイズが小さくなるようにしてもよい。この場合でも、照度が高い領域のP型ウェルの配置密度を粗とし、照度が低い領域のP型ウェルの配置密度を密としてもよい。このようなP型ウェル601の大きさや配置密度の設定により、よりきめ細かく感度分布を制御することも可能である。
なお、図7に示した受光素子は、P型半導体基板をベースとして構成されたが、N型半導体基板をベースとして構成してもよい。この場合には、N型ウェル701に相当するウェルはP型で形成され、P型ウェル601に相当するウェルはN型で形成される。
以上説明したように、本実施例によれば、撮像光学系及び2次結像レンズにより生じる受光位置に応じた受光量の変化(照度むら)に伴う各受光素子からの出力の変化、つまりは感度分布の不均一が低減される構造を有する受光素子を実現することができる。
なお、上記実施例では、焦点検出ユニット内に光源検出用の受光素子を設けた場合について説明したが、焦点検出ユニットの外部(例えば、ペンタプリズム4の周辺)に、光源検出用の結像光学系と受光素子を設けてもよい。
本発明の実施例1におけるセンサユニットの受光素子の配置を説明する図。 実施例1における焦点検出光学系(再結像光学系)の構成を説明する図。 実施例における光源検出用受光素子上での照度分の例を示す図。 実施例における光源検出用受光素子上での位置を説明する図。 実施例1における光源検出用受光素子を説明する図。 本発明の実施例2における光源検出用受光素子を説明する図。 本発明の実施例3における光源検出用受光素子の構造を説明する図。 実施例3における光源検出用受光素子の構造を示す模式図。 実施例の撮像装置及び交換レンズにより構成される撮像システムを示す図。
符号の説明
1 一眼レフカメラ
7 測光センサ
11 交換レンズ
12 フォーカスレンズ
25 焦点検出ユニット
26 2次結像レンズユニット
29 センサユニット
30 カメラマイクロコンピュータ
101a〜103a,101b〜103b 焦点検出用の受光素子アレイ
104a〜107a,104b〜107b 光源検出用の受光素子
110 遮光マスク
201a〜203b 2次結像レンズ
215 撮像光学系の射出瞳
601 P型ウェル
701 N型ウェル

Claims (3)

  1. 撮像光学系からの光束を結像させる一対の結像光学系であって、複数の画素を備え互いに分光感度特性が等しい、前記撮影光学系の焦点状態を検出するための信号を出力する一対の第1の受光素子に光束を導く一対の結像光学系と、
    該一対の結像光学系からの光束をそれぞれ受光する互いに分光感度特性が異なる一対の受光素子であって、前記第1の各受光素子の近傍に配置される一対の第2の受光素子と、
    前記一対の第2の受光素子からの出力に基づいて光源に関する検出を行う検出手段とを有し、
    前記第2の各受光素子は、前記撮像光学系及び前記結像光学系により生じる受光位置に応じた受光量の変化に伴う出力の変化を低減するための遮光部材であって、前記第1の各受光素子は有していない遮光部材を有し、
    前記遮光部材は、前記第2の各受光素子における前記受光量が、基線長方向及び該方向に対して直交する方向の各々において少ない位置ほど遮光面積が小さくなる形状を有することを特徴とする撮像装置。
  2. 撮像光学系からの光束を結像させる一対の結像光学系であって、複数の画素を備え互いに分光感度特性が等しい、前記撮影光学系の焦点状態を検出するための信号を出力する一対の第1の受光素子に光束を導く一対の結像光学系と、
    該一対の結像光学系からの光束をそれぞれ受光する互いに分光感度特性が異なる一対の受光素子であって、前記第1の各受光素子の近傍に配置される一対の第2の受光素子と、
    前記一対の第2の受光素子からの出力に基づいて光源に関する検出を行う検出手段とを有し、
    前記第2の各受光素子は、前記撮像光学系及び前記結像光学系により生じる受光位置に応じた受光量の変化に伴う出力の変化を低減するための受光部形状であって、前記第1の各受光素子は有していない受光部形状を有し、
    前記受光部形状は、前記第2の各受光素子における前記受光量が、基線長方向及び該方向に対して直交する方向の各々において少ない位置ほど受光面積が大きくなる受光部形状であることを特徴とする撮像装置。
  3. 一対の前記第1の受光素子からの出力と前記光源に関する検出結果とに基づいて、前記撮像光学系のフォーカス制御を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の撮像装置。
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