JP4986785B2 - Probe card - Google Patents
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Description
本発明は、プローブカードに係り、さらに詳しくは、平板状で端面をプローブ基板上に突き合わせて接合される複数のコンタクトプローブを備えたプローブカードの改良に関する。 The present invention relates to a probe card, and more particularly, to an improvement in a probe card including a plurality of contact probes that are flat and have end faces butted on a probe substrate.
一般に、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ上に形成された電子回路に対して電気的特性試験が行われている。この様な検査対象物に対する電気的特性試験には、プローブカードが用いられる。プローブカードは、プローブ基板上に多数のコンタクトプローブを配列させた装置であり、各コンタクトプローブを検査対象物上の多数の電極パッドにそれぞれ接触させることによって、コンタクトプローブ及び電極パッドを導通させて電気的特性試験が行われる。コンタクトプローブは、例えば、複数の導電層を積層することにより形成され、片持ち梁構造を形成するビーム部と、プローブ基板上に接合させる接合部により構成される。 In general, in the manufacturing process of a semiconductor device, an electrical characteristic test is performed on an electronic circuit formed on a semiconductor wafer. A probe card is used for the electrical characteristic test for such an inspection object. A probe card is a device in which a large number of contact probes are arranged on a probe substrate, and each contact probe is brought into contact with a large number of electrode pads on an object to be inspected to electrically connect the contact probes and the electrode pads. Characteristic testing is performed. The contact probe is formed, for example, by laminating a plurality of conductive layers, and includes a beam portion that forms a cantilever structure and a bonding portion that is bonded onto the probe substrate.
図9は、従来のコンタクトプローブを示した図であり、導電層を積層して形成されたコンタクトプローブ100が示されている。コンタクトプローブ100は、3つの導電層101〜103により構成され、各導電層の端面111により形成された接合部110と、検査対象物上の電極パッドに接触させるための接触部131が先端部に形成されたビーム部120とを有している。接触部131は、検査対象物に向けて、中央の導電層102を外側の導電層101,103よりも突出させることにより形成されている。コンタクトプローブ100は、接合部110を介してプローブ基板に固着される。つまり、プローブカードは、導電層101〜103がプローブ基板と交差するように、各コンタクトプローブ100をプローブ基板上で立てて取り付けることによって形成される。
FIG. 9 is a view showing a conventional contact probe, and shows a
近年、検査対象物上の端子電極の高密度化により、各コンタクトプローブ100をビーム部120の延伸方向に交差する方向に並べてプローブ基板上に配置する際の実装ピッチをこれまで以上に小さくしたいという要望がある。一般に、コンタクトプローブの実装ピッチをより小さくするためには、コンタクトプローブ間の間隙を小さくするだけでなく、コンタクトプローブ自体も微細化する必要がある。ところが、コンタクトプローブを微細化すると、プローブ自体の電気抵抗が大きくなってしまう。しかも、プローブ基板との接触面が小さくなるので、接触部分の抵抗も大きくなってしまうという問題があった。
In recent years, by increasing the density of the terminal electrodes on the inspection object, it is desired to further reduce the mounting pitch when arranging the
また、上述したコンタクトプローブ100では、パターニング用マスクの位置決め精度に限界があるなどの製造工程上の理由から、プローブ基板と接合させる各導電層の端面111を完全に一致させることはできないので、プローブ基板と接合させる接合面には必ずバラツキが発生することとなる。この接合面のバラツキによって、プローブ基板上に固着されたコンタクトプローブ100が斜めに立設している状態となり、隣接するコンタクトプローブ100が接触してショートする可能性があった。このため、従来のプローブカードでは、コンタクトプローブ100の実装ピッチを小さくできないという問題があった。
Further, in the
図10は、従来のプローブカードを示した図であり、プローブ基板200上の電極パッド210に接合部110が半田付けされた複数のコンタクトプローブ100が示されている。このプローブカードでは、プローブ基板200上に一定間隔で設けられた電極パッド210にそれぞれ半田220を用いて接合部110を接合することにより、各コンタクトプローブ100が固着されている。各コンタクトプローブ100は、導電層101〜103をプローブ基板200と交差させるとともに、隣接するコンタクトプローブの導電層を互いに対向させるように、プローブ基板200上に配列されている。各コンタクトプローブ100における接合面のバラツキにより、各コンタクトプローブ100が配列方向に倒れ、隣接するコンタクトプローブ100が接触している。
FIG. 10 is a view showing a conventional probe card, and shows a plurality of
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、多数のコンタクトプローブをプローブ基板上に配置する際の実装ピッチを狭小化することができるプローブカードを提供することを目的としている。また、各コンタクトプローブについてプローブ基板との接触部分の抵抗増大を抑制することができるプローブカードを提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a probe card capable of narrowing a mounting pitch when a large number of contact probes are arranged on a probe substrate. It is another object of the present invention to provide a probe card that can suppress an increase in resistance of a contact portion of each contact probe with the probe substrate.
第1の本発明によるプローブカードは、プローブ基板と、平板状で端面を上記プローブ基板上に突き合わせて接合される複数のコンタクトプローブとを備えたプローブカードであって、上記複数のコンタクトプローブが、導電層を複数積層して構成され、上記端面が凹凸であって、上記端面において突出している層の位置がそれぞれ同一であるように構成される。 A probe card according to a first aspect of the present invention is a probe card comprising a probe substrate and a plurality of contact probes that are flat and end-faced on the probe substrate, and the plurality of contact probes are: A plurality of conductive layers are stacked, the end face is uneven, and the positions of the layers protruding from the end face are the same.
この様な構成によれば、プローブ基板に接合させる接合面の凹凸状態が各コンタクトプローブについて揃うので、コンタクトプローブが倒れる方向をコンタクトプローブ間で一致させることができる。また、導電層を突出させることによって端面に凹凸が形成されているので、プローブ基板との接触面を広げることができ、接触部分の抵抗増大を抑制することができる。 According to such a configuration, since the uneven state of the joint surface to be joined to the probe substrate is uniform for each contact probe, the direction in which the contact probes are tilted can be matched between the contact probes. Moreover, since the projections and depressions are formed on the end surface by projecting the conductive layer, the contact surface with the probe substrate can be widened, and an increase in resistance at the contact portion can be suppressed.
第2の本発明によるプローブカードは、上記構成に加え、上記コンタクトプローブが、検査対象物に向けて、一部の上記導電層を他の導電層よりも突出させることにより形成された接触部を有し、上記接触部を形成する上記導電層が、上記端面内で最も突出している層を形成しているように構成される。この様な構成によれば、接触部を形成する導電層が端面内で最も突出している層を形成しているので、プローブ基板に対する接触部の高さを安定させることができる。 In the probe card according to the second aspect of the present invention, in addition to the above configuration, the contact probe has a contact portion formed by projecting a part of the conductive layer from the other conductive layer toward the inspection object. And the conductive layer forming the contact portion is configured to form a layer that protrudes most in the end face. According to such a configuration, since the conductive layer forming the contact portion forms the most protruding layer in the end face, the height of the contact portion with respect to the probe substrate can be stabilized.
第3の本発明によるプローブカードは、上記構成に加え、上記コンタクトプローブは、3つの導電層を積層することにより形成され、中央の層が上記端面内で最も突出している層を形成しているように構成される。この様な構成によれば、中央の層以外の層を突出させた場合に比べて、各コンタクトプローブの配列方向に関してバランスが良くなるので、コンタクトプローブを倒れにくくすることができる。 In the probe card according to the third aspect of the present invention, in addition to the above-described configuration, the contact probe is formed by laminating three conductive layers, and the central layer forms the most protruding layer in the end face. Configured as follows. According to such a configuration, compared to the case where the layers other than the central layer are protruded, the balance with respect to the arrangement direction of the contact probes is improved, so that the contact probes can be prevented from falling down.
本発明によるプローブカードによれば、プローブ基板に接合させる接合面の凹凸状態が各コンタクトプローブについて揃うので、コンタクトプローブが倒れる方向をコンタクトプローブ間で一致させることができる。従って、多数のコンタクトプローブをプローブ基板上に配置する際の実装ピッチを狭小化することができる。また、導電層を突出させることによって端面に凹凸が形成されているので、プローブ基板との接触面を広げることができ、接触部分の抵抗増大を抑制することができる。 According to the probe card of the present invention, the uneven state of the joint surface to be joined to the probe substrate is uniform for each contact probe, so that the direction in which the contact probes are tilted can be matched between the contact probes. Therefore, it is possible to reduce the mounting pitch when a large number of contact probes are arranged on the probe substrate. Moreover, since the projections and depressions are formed on the end surface by projecting the conductive layer, the contact surface with the probe substrate can be widened, and an increase in resistance at the contact portion can be suppressed.
実施の形態1.
<プローブカード>
図1(a)及び(b)は、本発明の実施の形態1によるプローブカード10の一例を示した図であり、図中の(a)は、検査対象物側から見た平面図であり、図中の(b)は、側面図である。プローブカード10は、ガラスエポキシなどにより形成されたプローブ基板12と、プローブ基板12上に固着された複数のコンタクトプローブ11により構成される。
Embodiment 1 FIG.
<Probe card>
FIGS. 1A and 1B are views showing an example of a probe card 10 according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 1A is a plan view seen from the inspection object side. (B) in a figure is a side view. The probe card 10 includes a
各コンタクトプローブ11は、プローブ基板12における一方の主面上に設けられている。なお、検査対象物がシリコン基板からなる半導体装置である場合、コンタクトプローブ11も、プローブ基板12に支持されたシリコンからなるコンタクト基板(図示せず)上に形成し、両者の熱膨張率を一致させておくことが望ましい。プローブ基板12及びコンタクト基板は、いずれも配線パターンなどが形成された配線基板である。
Each
このプローブカード10は、コンタクトプローブ11が直線上に所定のピッチで配置され、その様なコンタクトプローブ11の列が、ビーム先端を対向させて2列に形成されている。通常、プローブカード10は、水平に保持され、コンタクトプローブ11が形成されたプローブ基板12の主面を鉛直方向の下側に向けて配置されている。従って、検査対象物は、プローブ基板12の上記主面と対向するように、プローブカード10の下方に配置されている。
In this probe card 10,
検査対象物の電気的特性試験を行う際には、各コンタクトプローブ11がそれぞれ検査対象物上の電極パッドと対向するように、検査対象物及びプローブカード10のアライメント、すなわち、検査対象物に対するプローブ基板12の位置合わせが行われる。検査対象物及びプローブカード10が適切に位置合わせされた状態で、プローブ基板12及び検査対象物を互いに近づけることにより、コンタクトプローブ11の先端を当該検査対象物上の電極パッドに当接させることができる。
When performing an electrical property test of an inspection object, the alignment of the inspection object and the probe card 10 so that each
プローブ基板12は、円形形状からなり、テスター装置との間で信号入出力を行うための多数の外部端子13が周縁部に形成されている。このプローブ基板12は、その周辺部がプローブ装置の筐体によって把持され、筐体内において水平となるように支持される。
The
コンタクトプローブ11は、検査対象物上に形成された微細な電極パッドに対し、弾性的に接触させるプローブ(探針)であり、プローブ基板12上には、多数のコンタクトプローブ11が整列配置されている。各コンタクトプローブ11は、プローブ基板12の各配線を介して外部端子13と導通しており、コンタクトプローブ11を当接させることによって、微小な電極パッドをテスター装置と導通させることができる。
The
なお、本実施の形態では、外部端子13及びコンタクトプローブ11が同一基板に設けられる場合の例について説明したが、互いに異なる材料からなる2つの基板にそれぞれ外部端子13及びコンタクトプローブ11を設け、周縁部に外部端子13や配線が形成された基板と、中央部にコンタクトプローブ11が接合された基板とを接合したものであっても良い。
In this embodiment, an example in which the
<コンタクトプローブ>
図2は、図1のプローブカード10の要部の一構成例を示した図であり、プローブ基板12上に形成されるコンタクトプローブ11が示されている。コンタクトプローブ11は、3つの導電層21〜23を積層することにより形成され、各導電層21〜23の端面21a〜23aにより形成された接合部1と、検査対象物上の電極パッドに接触させるための接触部4が先端部に形成されたビーム部2とを有している。
<Contact probe>
FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a main part of the probe card 10 of FIG. 1, and shows a
接触部4は、検査対象物に向けて、中央の導電層22を外側の導電層21,23よりも突出させることにより形成されている。すなわち、接触部4は、導電層21,23の端面3aから突出した構造体となっている。
The
端面21a〜23a上には、加熱により容易に溶融する低融点層20が形成されている。低融点層20は、接合部1をプローブ基板12上の電極パッドに固着するための半田バンプであり、導電層21〜23よりも融点の低い半田などの導電性材料からなるメッキ層として、接合面全体に形成されている。コンタクトプローブ11は、この低融点層20を加熱溶融させることによって、接合部1を介してプローブ基板12に取り付けられる。
A low
接合部1は、コンタクトプローブ11を構成する導電層21〜23のいずれか1つが形成する端面を他の導電層の端面よりも突出させて形成されている。本実施の形態によるプローブカード10は、この様なコンタクトプローブ11をプローブ基板12上に配列することにより、導電層21〜23の層配列に関し、プローブ基板12に向けて最も突出する端面を形成する導電層の層配列内における位置を各コンタクトプローブ11について一致させている。
The joint portion 1 is formed by projecting an end surface formed by any one of the
この例では、外側の導電層21の端面21aを他の導電層22,23の端面22a及び23aよりも突出させている。ここで、導電層21の端面21aを他の導電層22,23の端面22a及び23aよりも突出させる際の突出量は、コンタクトプローブ11の製造工程において生じると考えられる各導電層の端面に関するバラツキに比べて、十分大きいものとする。すなわち、端面21aを他の端面22a,23aから突出させる量は、製造時に偶発的に生じる接合面における凹凸に比べて十分大きいものとする。
In this example, the end face 21 a of the outer
この様に外側の導電層21のみを突出させたことにより、プローブ基板12に接合させる接合面に段差が形成されている。これにより、接合面が平坦である場合に比べて、プローブ基板12との接触面が広くなるので、接触部分の抵抗を小さくすることができ、良好な導通性を得ることができる。
Thus, by projecting only the outer
また、コンタクトプローブ11をプローブ基板12上に実装した際に、プローブ基板12に接合させる接合面の凹凸状態が各コンタクトプローブ11について揃うので、コンタクトプローブ11が倒れる方向をコンタクトプローブ11間で一致させることができる。
Further, when the
図3は、図1のプローブカード10の要部を示した側面図であり、プローブ基板12上の電極パッド31に接合部1が半田付けされた複数のコンタクトプローブ11が示されている。各コンタクトプローブ11は、プローブ基板12上に一定間隔で設けられた電極パッド31に半田20aを介して接合部1が接合されている。半田20aは、接合時に加熱溶融した低融点層20が固化したものである。
FIG. 3 is a side view showing a main part of the probe card 10 of FIG. 1, and shows a plurality of contact probes 11 in which the joint 1 is soldered to the
このプローブカード10では、接合部1における端面21a〜23aの凹凸状態が各コンタクトプローブ11について揃っているので、各コンタクトプローブ11の配列方向(図3の左右方向)に関して、倒れる方向及び量が各コンタクトプローブについて一致している。
In this probe card 10, the unevenness of the end faces 21 a to 23 a in the joint portion 1 is uniform for each
この例では、各コンタクトプローブ11が、いずれも左側の導電層21を突出させて形成されており、右側の導電層23の右角と、左側の導電層21の右角とが電極パッド31に当接し、各コンタクトプローブ11が右側に倒れている。
In this example, each
この様に、倒れる方向や量が各コンタクトプローブ11について一致しているので、接触部4の位置が配列方向やプローブ基板12からの高さ方向(図3の上下方向)に関してばらつくのを防止することができる。また、隣接するコンタクトプローブ11が接触してショートするのを防止することができる。
In this way, since the direction and amount of tilting are the same for each
<コンタクトプローブ形成工程>
図4〜図6は、図2のコンタクトプローブ11の接合部1を形成する工程を模式的に示した断面図である。図4(a)には、犠牲層41が形成されたコンタクトプローブ形成用のシリコン基板40が示されている。コンタクトプローブ11の接合部1を形成する際には、まず、コンタクトプローブ形成用のシリコン基板40上に、導電層21〜23とは異なる導電性材料からなる犠牲層41が形成される。
<Contact probe formation process>
4 to 6 are cross-sectional views schematically showing a process of forming the joint 1 of the
図4(b)には、図4(a)の犠牲層41上にレジスト層42が形成され、このレジスト層42が除去された部分に導電層21が形成されたシリコン基板40が示されている。犠牲層41の形成後、犠牲層41上に感光性有機物質からなるフォトレジストが塗布され、レジスト層42が形成される。そして、このレジスト層42の表面にパターニング用マスク(第1のマスク)を形成し、当該レジスト層42表面を選択的に露光させることにより、レジスト層42が部分的に除去される。
FIG. 4B shows a
この様にしてレジスト層42が除去された部分には、電気めっきにより1層目の導電層21が形成される。
In the portion where the resist
図4(c)には、図4(b)のレジスト層42が完全に除去されたシリコン基板40が示されている。導電層21の形成後には、レジスト層42が完全に除去される。
FIG. 4C shows the
図4(d)には、図4(c)の犠牲層41及び導電層21上に犠牲層43を形成し、導電層21が露出するまで犠牲層43表面が研磨されたシリコン基板40が示されている。レジスト層42が除去されることにより露出した犠牲層41及び導電層21上には、電気めっきにより犠牲層43が形成され、余分に形成された犠牲層43を除去するために、導電層21表面が完全に露出するまで犠牲層43の表面が研磨される。この犠牲層43は、接触部4を針先部3に形成するのに用いられる。
FIG. 4D shows a
図5(a)には、図4(d)の導電層21及び犠牲層43上にレジスト層44が形成され、このレジスト層44が除去された部分に導電層22が形成されたシリコン基板40が示されている。平滑面とされた導電層21及び犠牲層43上には、フォトレジストが塗布され、レジスト層44が形成される。
5A, a
そして、このレジスト層44の表面にパターニング用マスク(第2のマスク)を形成し、当該レジスト層44表面を選択的に露光させることにより、導電層21に対向する領域のレジスト層44が除去される。レジスト層44が除去された部分には、電気めっきにより2層目の導電層22が形成される。
Then, a patterning mask (second mask) is formed on the surface of the resist
図5(b)には、図5(a)のレジスト層44が完全に除去され、その後、犠牲層45を形成して研磨されたシリコン基板40が示されている。レジスト層44が除去されることにより露出した犠牲層43及び導電層22上には、電気めっきにより犠牲層45が形成され、余分に形成された犠牲層45を除去するために、導電層22表面が完全に露出するまで犠牲層45の表面が研磨される。この犠牲層45は、3層目の導電層23の端面を他の導電層の端面から突出させるのに用いられる。
FIG. 5B shows the
図5(c)には、図5(b)の導電層22及び犠牲層45上にレジスト層46が形成され、レジスト層46が除去された部分に導電層23が形成されたシリコン基板40が示されている。平滑面とされた導電層22及び犠牲層45上には、フォトレジストが塗布され、レジスト層46が形成される。
5C shows a
そして、このレジスト層46の表面にパターニング用マスク(第3のマスク)を形成し、当該レジスト層46表面を選択的に露光させることにより、導電層22に対向する領域と、犠牲層45の導電層22側の端部に対向する領域のレジスト層46が除去される。レジスト層46が除去された部分には、電気めっきにより3層目の導電層23が形成される。
Then, a patterning mask (third mask) is formed on the surface of the resist
第3のマスクにより形成されるレジストパターンは、第1及び第2のマスクにより形成されるレジストパターンよりも端面21aとなる部分を突出させたパターンとなっている。
The resist pattern formed by the third mask is a pattern in which a portion that becomes the
図5(d)には、図5(c)のレジスト層46が完全に除去されたシリコン基板40が示されている。3層目の導電層23の形成後には、レジスト層46が完全に除去される。
FIG. 5D shows the
図6(a)には、図5(d)の導電層23及び犠牲層45上にレジスト層47が形成され、このレジスト層47が部分的に除去されたシリコン基板40が示されている。レジスト層46除去後の導電層23及び犠牲層45上には、再びフォトレジストが塗布され、レジスト層47が形成される。
FIG. 6A shows a
そして、このレジスト層47の表面を選択的に露光させることにより、端面21aに対向する領域のレジスト層47が除去される。
Then, by selectively exposing the surface of the resist
図6(b)には、図6(a)のレジスト層47が除去された部分の犠牲層45,43及び41がエッチングにより除去されたシリコン基板40が示されている。レジスト層47が除去された部分に露出している犠牲層45と、その部分の犠牲層45の下方に対向している犠牲層43及び41がエッチングにより除去される。これにより、端面21a〜23aが露出し、これらの端面の前方に空間48が形成される。
FIG. 6B shows the
この空間48は、接合部1を構成している全ての導電層の端面に隣接しており、この様にして形成された空間48内に、低融点層20が形成される。ここで、図6(b)に示した状態では、導電性を有しないシリコン基板40の表面が空間48を介して露出している。このため、空間48内に電気めっきによりメッキ層を形成する場合、導電性材料からなる導電層21〜23、犠牲層41,43及び45における空間48に隣接している端面上に、メッキ層が形成されることになる。
This
図6(c)には、図6(b)の空間48内に融点の低い導電性材料からなるメッキ層49が形成されたシリコン基板40が示されている。空間48内には、導電層21〜23及びこれらの導電層が積層された部分の犠牲層41の各端面に沿った部分と、これらの導電層が積層されていない部分の犠牲層41及びこの犠牲層41上に積層された犠牲層43,45の端面に沿った部分とからなるメッキ層49が電気めっきにより形成される。
FIG. 6C shows a
図6(d)には、図6(c)のメッキ層49形成後に、3層目の導電層23が完全に露出するまでレジスト層47及びメッキ層49表面が研磨されたシリコン基板40が示されている。余分に形成されたメッキ層49を除去するために、3層目の導電層23が完全に露出するまでレジスト層47及びメッキ層49表面を研磨すると、低融点層20がベース端面上に形成された接合部1が完成する。
FIG. 6D shows the
この様にして形成された構造物からレジスト層47を完全に除去し、さらに、犠牲層45,43及び41を除去すると、図2に示したようなコンタクトプローブ11が完成する。
When the resist
本実施の形態によれば、プローブ基板12に接合させる接合面の凹凸状態が各コンタクトプローブ11について揃うので、コンタクトプローブ11が倒れる方向をコンタクトプローブ11間で一致させることができる。従って、多数のコンタクトプローブ11をプローブ基板12上に配置する際の実装ピッチを狭小化することができる。また、導電層の端面をプローブ基板12に向けて突出させることによって接合面に凹凸が形成されるので、プローブ基板12との接触面を広げることができ、接触部分の抵抗増大を抑制することができる。
According to the present embodiment, since the uneven state of the joint surface to be joined to the
実施の形態2.
実施の形態1では、外側の導電層21の端面21aを他の導電層22,23の端面よりも突出させて接合部1が形成される場合の例について説明した。これに対して、本実施の形態では、接触部4を形成する導電層の端面を他の導電層の端面よりも突出させる場合について説明する。
In the first embodiment, the example in which the joint portion 1 is formed by projecting the
図7は、本発明の実施の形態2によるコンタクトプローブ51の一構成例を示した図である。このコンタクトプローブ51は、図2のコンタクトプローブ11と比較すれば、接合部1における端面21a〜23aの凹凸状態が異なっている。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration example of the
このコンタクトプローブ51では、接合部1が、中央の導電層22が形成する端面22aを他の導電層21及び23の端面21a及び23aよりも突出させて形成されている。つまり、コンタクトプローブ51を構成する3つの導電層のうちの中央の層が、接合部1内で最も突出する端面を形成している。また、接触部4を形成する導電層22が、接合部1内で最も突出する端面を形成している。
In the
図8は、図7のコンタクトプローブ51を用いて形成されたプローブカード10の要部を示した側面図である。このプローブカード10では、接合部1における端面21a〜23aの凹凸状態が各コンタクトプローブ51について揃っているので、倒れる方向や量がコンタクトプローブ51間で一致している。
FIG. 8 is a side view showing the main part of the probe card 10 formed using the
この例では、各コンタクトプローブ51が、いずれも中央の導電層22を突出させて形成されており、導電層22の端面22a全体が電極パッド31表面に当接し、各コンタクトプローブ51は、殆ど倒れることなく配置されている。
In this example, each
本実施の形態によれば、接触部4を形成する導電層22が接合部1内で最も突出する端面22aを形成しているので、プローブ基板12に対する接触部4の高さを安定させることができる。また、中央の導電層以外の導電層を突出させた場合に比べて、各コンタクトプローブ51の配列方向に関してバランスが良くなるので、コンタクトプローブ51を倒れにくくすることができる。
According to the present embodiment, since the
1 接合部
2 ビーム部
3a 端面
4 接触部
10 プローブカード
11 コンタクトプローブ
12 プローブ基板
13 外部端子
20 低融点層
21〜23 導電層
21a〜23a 端面
31 電極パッド
51 コンタクトプローブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (3)
上記複数のコンタクトプローブが、導電層を複数積層して構成され、上記端面が凹凸であって、上記端面において突出している層の位置がそれぞれ同一であることを特徴とするプローブカード。 In a probe card comprising a probe board and a plurality of contact probes which are joined in a flat plate shape with their end faces butted on the probe board,
The probe card, wherein the plurality of contact probes are formed by laminating a plurality of conductive layers, the end face is uneven, and the positions of the layers protruding from the end face are the same.
上記接触部を形成する上記導電層が、上記端面内で最も突出している層を形成していることを特徴とする請求項1に記載のプローブカード。 The contact probe has a contact portion formed by projecting a part of the conductive layer from another conductive layer toward the inspection object,
2. The probe card according to claim 1, wherein the conductive layer forming the contact portion forms a layer that protrudes most in the end face.
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