JP4981235B2 - 超高真空で作動する粒子源を備えた粒子放射装置およびこの種の粒子放射装置のためのカスケード状ポンプ装置 - Google Patents
超高真空で作動する粒子源を備えた粒子放射装置およびこの種の粒子放射装置のためのカスケード状ポンプ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4981235B2 JP4981235B2 JP2002508824A JP2002508824A JP4981235B2 JP 4981235 B2 JP4981235 B2 JP 4981235B2 JP 2002508824 A JP2002508824 A JP 2002508824A JP 2002508824 A JP2002508824 A JP 2002508824A JP 4981235 B2 JP4981235 B2 JP 4981235B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pump
- particle
- preparation chamber
- ultra
- high vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04D19/00—Axial-flow pumps
- F04D19/02—Multi-stage pumps
- F04D19/04—Multi-stage pumps specially adapted to the production of a high vacuum, e.g. molecular pumps
- F04D19/046—Combinations of two or more different types of pumps
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04D—NON-POSITIVE-DISPLACEMENT PUMPS
- F04D25/00—Pumping installations or systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/188—Differential pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/2602—Details
- H01J2237/2605—Details operating at elevated pressures, e.g. atmosphere
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Non-Positive Displacement Air Blowers (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Description
本発明は、超高真空で作動する粒子源を備えた粒子放射装置およびこの種の粒子放射装のためのカスケード状ポンプ装置に関するものである。
【0002】
米国特許第5828064号明細書には、電界放出源を備えたいわゆる環境走査電子顕微鏡(Environmental Scanning Elektronenmikroskop ESEM)が記載されている。この種のESEMを用いると、通常の大気圧で試料を電子顕微鏡で検査することができ、或いは、通常の大気圧よりもわずかに減圧して検査することができる。他方、電界放出源と、しばしば電界放出源とも呼ばれるショットキーエミッターは超高真空を必要とするので、電子顕微鏡全体は3つの中間圧力段を備えた差動ポンプシステムとして構成されている。その結果システム全体は5つの圧力領域を有し、これら圧力領域は4つの圧力段または圧力段絞りによって互いに分離されている。ポンプに対するコスト以外にも、3つの中間圧力領域の真空接続部にスペースが必要であるので、電子光学的構成要素には必要としない付加的な高さが必要である。
【0003】
米国特許第4720633号明細書からは他のESEMが知られているが、電子源のチャンバーの真空は、装置を電界放出源で作動させるにはあまりにも不具合である。
【0004】
米国特許第5717204号明細書からは、半導体製造において検査用に使用する電子顕微鏡が知られている。超高真空領域と該超高真空領域に隣接している中間圧力領域とはゲッターイオンポンプにより真空にされている。試料室と該試料室に隣接している圧力領域とはそれぞれ別個のターボ分子ポンプによってポンピングされており、両ターボ分子ポンプは共通のフォアポンプの吸込み側に接続されている。通常この種の検査装置は、試料室の不具合な真空状態で作動するようには想定されていない。
【0005】
ドイツ連邦共和国特許公開第4331589A1号明細書からは、複数のターボ分子ポンプを互いに直列に接続したカスケード状ポンプ装置が知られている。このポンプ装置では、ターボ分子ポンプの吐出し側はその上流側に配置されたターボ分子ポンプのメインポートによって予めポンピングされる。この場合、前記上流側に配置されたターボ分子ポンプはT形部材を介して中間圧力領域にも接続されている。このカスケード状ポンプ装置により、上流側に配置されたターボ分子ポンプによってポンピングされる中間圧力領域の真空は、次に高い真空段によって負荷される。
【0006】
米国特許第4889995号明細書から知られている走査電子顕微鏡では、回転ポンプによって予めポンピングされるターボ分子ポンプは弁を介してプレパラート室を真空にするためにも、電子源および中間圧力領域のチャンバーを真空にするためにも並行的に用いられる。さらに、電子源とこれに隣接している両中間圧力領域とのチャンバーを真空にするために超高真空ポンプが設けられている。このようなポンプ装置によっても試料室が不具合な真空状態での作動は不可能である。
【0007】
日本応用物理学会、付録2、第249頁以下(1974年)の論文からは、オイル拡散ポンプから成るポンプ装置を備えた電子顕微鏡が知られている。しかしながら、オイル拡散ポンプは高圧でのポンプキャパシティが小さいために、プレパラート室を可変圧力で作動させることができねばならない電子顕微鏡には適していない。
【0008】
【特許文献1】
米国特許第5828064号
【特許文献2】
米国特許第4720633号
【特許文献3】
米国特許第5717204号
【特許文献4】
ドイツ連邦共和国特許公開第4331589A1
【特許文献5】
米国特許第4889995号
【非特許文献1】
日本応用物理学会、付録2、第249頁以下(1974年)
【0009】
本発明の目的は、試料室がほぼ周囲圧まで変化し、且つ粒子源の領域は超高真空であるにもかかわらず、簡潔な構成を有する粒子線放射装置、特に走査電子顕微鏡を提供することである。本発明の他の目的は、粒子線放射装置の簡潔な構成を可能にする真空システムを提供することである。
【0010】
上記の目的は、本発明によれば、請求項1の構成を備えたポンプ装置と、請求項4の構成を備えた粒子放射装置とによって達成される。
【0011】
本発明による粒子放射装置用カスケード状ポンプ装置は2つのターボ分子ポンプを有し、そのうち第2のターボ分子ポンプは第1のターボ分子ポンプの出口側を予めポンピングするために用いられる。この場合、第2のターボ分子ポンプの吐出し側は第1のターボ分子ポンプのメインポートと吐出し側との間にある中間圧力領域に接続されている。
【0012】
第1のターボ分子ポンプはいわゆるスプリットフローポンプであってよく、ターボ分子ポンプのドラグ段の領域にある付加的なポンプポートを有している。このドラグ段ポンプポートは、第2のターボ分子ポンプを予めポンピングするために使用するのが有利である。
【0013】
ドラグ段とは、通常のようにターボ分子ポンプにしばしば使用される機構であり、ステータのまわりを回転する、***部を備えたディスクと、エッジ領域に設けた穴とから構成される。ディスクはターボ分子ポンプの最後のロータプレートの出力側に配置され、ポンピングされたガスを補助的に圧縮するためのものである。
【0014】
予めポンピングされるターボ分子ポンプの中間圧力領域を、たとえばドラグ段ポンプポートを予め真空にすることによって1つのターボ分子ポンプを予めポンピングすることにより、メインポンプポートの領域が予めポンピングされたターボ分子ポンプのガス流によって負荷されないという利点が得られる。これにより、予めポンピングされるターボ分子ポンプの二重機能にもかかわらず、メインポンプポートにより真空にされた領域の真空状態がより改善される。
【0015】
カスケード状ポンプ装置を備えた粒子放射装置は、超高真空で作動される粒子源と、高真空領域の圧力により少なくとも1hPa(ヘクトパスカル Hektopascal)までの10−3hPa以下の圧力で作動可能なプレパラート室とを有している。本発明による粒子放射装置では、粒子源の超高真空領域とプレパラート室との間に正確に2つの他の中間圧力領域が設けられている。
【0016】
したがって粒子放射装置は正確に4つの圧力領域を有し、すなわち粒子源が配置されている超高真空領域と、2つの中間圧力領域と、プレパラート室とを有している。これにより本発明による粒子放射装置では全部で3つの圧力段が得られ、これら圧力段に対し全部で3つの圧力段絞りが必要である。
【0017】
3つの圧力段だけで済ませるために、超高真空領域に隣接している圧力領域は第2のターボ分子ポンプによりポンピングされている。さらに、このターボ分子ポンプの吐出し側はその上流側に配置されるターボ分子ポンプによって予めポンピングされる。この場合、ターボ分子ポンプの吐出し側はその上流側に配置されるターボ分子ポンプのドラグ段に接続されている。このポンプ配置構成により、超高真空領域に隣接している圧力領域の圧力は10−6hPa以上の値に保持される。
【0018】
他の有利な実施態様では、第1のターボ分子ポンプのメインポンプポートはプレパラート室に隣接している圧力領域に接続されている。これにより第1のターボ分子ポンプは二重機能を有することができ、すなわち第2のターボ分子ポンプの吐出し側を予めポンピングする機能と、試料室に隣接している圧力領域を真空にする機能を有する。
【0019】
さらに、第1のターボ分子ポンプの吐出し側を予めポンピングするフォアポンプを設けるのが有利である。このフォアポンプは、これに加えて、プレパラート室を所望の圧力に真空にするためにも用いることができる。しかしながら、プレパラート室の圧力が5hPa以上の圧力でも作動可能でなければならないような粒子放射装置を使用する場合は、プレパラート質を真空にする第2のフォアポンプを設けて、第1のフォアポンプは、第1のターボ分子ポンプの吐出し側を予めポンピングするためにのみ用いるのが好ましい。
【0020】
次に、図面に記載した実施形態に関し本発明をさらに詳細に説明する。
【0021】
図1において(1)はプレパラート室、(2)は粒子放射装置の電子光学的コラムである。電子光学的コラム(2)は3つの圧力領域(6),(7),(8)を有し、これらの圧力領域はそれぞれ圧力段絞り(9),(10),(11)によって互いに分離されている。(幾何学的に見て)電子光学的コラム(2)の最上位の圧力領域(6)は、5×10−8hPaよりも低い圧力で超高真空を維持するように構成されている。この超高真空領域はゲッターイオンポンプ(12)を介して真空にされる。当該超高真空領域内には、電界放出源またはショットキーエミッターの形態の粒子源(3)が配置されている。
【0022】
超高真空領域(6)とこれに隣接している中間圧力領域(7)との間には粒子放射装置のコンデンサ(5)が配置され、図1ではそのポールシューのみを図示した。コンデンサ(5)とほぼ同じ高さで、或いは、(電子の伝播方向に見て)コンデンサレンズ(5)のポールシュースリットの後方には、前記圧力段絞り(9)が配置されている。この圧力段絞り(9)は超高真空領域(6)とこれに隣接している中間圧力領域(7)との間で適当な圧力差を維持するためのものである。
【0023】
第1の中間圧力領域(7)の後には第2の中間圧力領域(8)が設けられている。第2の中間圧力領域(8)は第2の圧力段絞り(10)によって第1の中間圧力領域(7)から分離されている。この第2の中間圧力領域(8)とプレパラート室との間には粒子放射装置の対物レンズ(4)が配置され、図1ではそのポールシューのみを図示した。対物レンズ(4)の間、或いは、(電子の伝播方向に見て)対物レンズ(4)のポールシューの前方には、第3の圧力段絞り(11)が配置されている。この第3の圧力段絞り(11)は第2の中間圧力領域(8)とプレパラート室(1)との間で適当な圧力差を確保するためのものである。
【0024】
適当な真空条件を設定するため、図1の実施形態では、超高真空領域(6)用のゲッターイオンポンプ(12)以外に、フォアポンプ(16)と部分的には同様に直列に接続されている2つのターボ分子ポンプ(13),(14)とから成るカスケード状のポンプ装置が設けられている。この場合フォアポンプ(16)は二重に機能を果たす。すなわちフォアポンプ(16)は、別個のパイプコネクションを介して直接プレパラート室(1)を真空にするために用いるとともに、第1のターボ分子ポンプ(14)の出口(25)を吸引するためにも用いる。この場合、プレパラート室(1)の真空状態はパイプコネクションに設けた弁(17)を介して調節可能である。プレパラート室の圧力は図示していない調節可能なガス供給弁を介して設定することができる。
【0025】
第1のターボ分子ポンプ(14)は、出力が大きいいわゆるスプリットフローポンプとして構成され、三重に機能を果たす。メインポンプポート(21)の吸込み側接続部は、配管系(15)を介して、プレパラート室(1)に隣接している中間圧力領域(8)に直接フランジ結合され、これによりこの中間圧力領域を直接真空にする用を成している。同時にメインポンプポート(21)の吸込み側接続部は第2の弁(19)を介して直接プレパラート室(1)にフランジ結合されている。さらに、第1のターボ分子ポンプ(14)のドラグステップポート(22)の吸込み側接続部は第2のターボ分子ポンプ(13)の吐出し側に接続されており、その結果第1のターボ分子ポンプ(14)は、プレパラート室(1)に隣接している中間圧力領域(8)を真空にする機能に加えて、ドラグステップポート(22)を介して第2のターボ分子ポンプ(13)を予めポンピングする用をも成している。第2のターボ分子ポンプ(13)の吸込み側接続部(23)は、超高真空領域(6)に隣接している中間圧力領域(7)に直接接続されている。
【0026】
上述したように、或いは以下で説明するように、1つの真空ポンプを1つの圧力領域に直接接続する限りにおいては、このポンプにより行なわれる圧力領域の真空化は直接に行われる。すなわち、このポンプから吐き出されたガス分子を、圧力領域と当該ポンプの吸込み側接続部との間において圧力段絞りを通過させる必要がない。
【0027】
以上説明した真空システムは、全部で4つの圧力領域を備えた差動ポンプ型真空システムである。
【0028】
直列に接続されているカスケード状のポンプ装置により、ただ1つのゲッターイオンポンプ(12)と、2つのターボ分子ポンプ(13),(14)と、ただ1つのフォアポンプ(16)とを用いて、プレパラート室(1)の圧力が5hPaないし10−7hPaである場合、超高真空室(6)内の圧力を5×10−8hPa以下の超高真空に維持させることができる。プレパラート室(1)内の圧力が所望の10−2hPaないし5hPaである場合、フォアポンプ(16)とプレパラート室(1)との間にある弁(17)は開いており、第1のターボ分子ポンプ(14)とプレパラート室(1)との間にある第2の弁(19)は閉じている。この場合プレパラート室(1)内の真空は、フォアポンプ(16)を用いて達成可能な真空またはフォアポンプ(16)で設定された真空だけで決定されている。第1のターボ分子ポンプ(14)のドラグ段(24)を前もって真空にすることにより第2のターボ分子ポンプの吐出し側(26)を予めポンピングすることによって、且つ第1のターボ分子ポンプ(14)のポンプパワーのほぼ全部をプレパラート室に隣接している中間圧力領域(8)をポンピングするためにのみ用いることによって、超高真空領域に隣接している中間圧力領域(7)を10−4hPaないし10−6hPaの真空に維持することが保証される。
【0029】
プレパラート室(1)内の圧力がフォアポンプ(16)で達成できない10−2hPa以下の圧力の場合、フォアポンプ(16)とプレパラート室(1)との間にある第1の弁(17)は閉じられ、プレパラート室(1)と第1のターボ分子ポンプ(14)との間にある第2の弁(19)は開かれる。この場合、フォアポンプ(16)は第1のターボ分子ポンプ(14)を予めポンピングすることにのみ用いられる。このときプレパラート室(1)も該プレパラート室(1)に隣接している中間圧力領域(8)もターボ分子ポンプ(14)によって直接ポンピングされる。この場合、対物レンズ(4)内に配置されている圧力段絞り(11)は作用しない。この場合にも、第1のターボ分子ポンプ(14)により予めポンピングされる第2のターボ分子ポンプ(13)により、超高真空領域(6)に隣接している中間圧力領域(7)では10−4hPaないし10−6hPaの真空が維持される。
【0030】
両ケースとも、第1のターボ分子ポンプのドラグ段(24)は補助真空状態にあり、この補助真空状態により第2のターボ分子ポンプ(13)は10−1hPaないし10−4hPaの範囲で予めポンピングされる。
【0031】
上述した実施形態において、プレパラート室(1)が開口しても超高真空領域(6)の超高真空が維持されるように、電子光学的コラムの内部には、有利には超高真空領域と該超高真空領域に隣接している圧力領域(7)との間に遮断弁(18)が設けられている。遮断弁(18)はプレパラート室(1)が開口する前に閉じられる。これにより、フォアポンプ(16)と両ターボ分子ポンプ(13),(14)とはプレパラート室(1)が開口したときに停止させることができる。
【0032】
図2に図示した実施形態は概ね図1の実施形態に対応している。したがって図2においては、図1の実施形態の構成要素に対応する構成要素には同一の符号を付した。両実施形態が一致している限りにおいては、図2に関しては図1の上記説明を参照してもらいたい。
【0033】
図2の実施形態と図1の実施形態との主要な違いは、図2の実施形態においてはフォアポンプ(16)が第1のターボ分子ポンプ(14)を予めポンピングするためにのみ用いられることである。ターボ分子ポンプ(14)の補助真空側のドラグ段(24)は第2のターボ分子ポンプ(13)を予めポンピングするために用いられる。プレパラート室(1)を真空にするため第2のフォアポンプ(20)が設けられ、そのポンプパワーは第1の弁(17’)を介して調節可能である。第2のフォアポンプ(20)を備えたこの択一的なポンプ装置により、超高真空領域(6)内の超高真空を維持した状態で粒子放射装置をプレパラート室の圧力が100hPa以下でも使用可能である。プレパラート室(1)の室内圧力が10−2hPa以下の場合は、プレパラート室(1)も該プレパラート室(1)に隣接している中間圧力領域(8)も第1のターボ分子ポンプだけを介してポンピングされる。この場合、第2のフォアポンプ(20)とプレパラート室(1)との間にある第1の弁(17’)は閉じており、第1のターボ分子ポンプ(14)とプレパラート室(1)との間にある第2の弁(19)は開いている。これに対して圧力が10−2hPaないし100hPaの場合には第1の弁(17’)は開いており、その結果プレパラート室(1)は第2のフォアポンプ(20)によって真空にされ、第2の弁(19)は閉じられる。この実施形態の場合、プレパラート室(1)と該プレパラート室に隣接している中間圧力室(8)との間でより高い室圧によってより強いガス流を生じさせるため、第1のフォアポンプ(16)は第1のターボ分子ポンプ(14)を予めポンピングするためにのみ用いられ、これにより第1のターボ分子ポンプ(14)の搬送パワーは対応的に高くなる。この場合も、10−1hPaないし10−4hPaの範囲の補助真空状態にある第1のターボ分子ポンプ(14)のドラグ段(24)によって予めポンピングされる第2のターボ分子ポンプ(13)は、超高真空領域(6)に境を接している中間圧力領域(7)が10−5hPaないし10−6hPaの範囲の真空に維持されるのを保証する。
【0034】
図2に図示した実施形態の場合、超高真空領域(6)とプレパラート室との間には、10程度の圧力差、すなわち1010hPaの圧力差が2つの中間圧力領域だけを介して維持される。
【0035】
基本的には、引用した従来の技術の場合と同様に、超高真空領域に境を接している中間圧力領域(7)をも第2のゲッターイオンポンプを用いて真空にしてもよい。この場合には、プレパラート室(1)に境を接している中間圧力領域は、1つのターボ分子ポンプのドラグ段によって予めポンピングされるターボ分子ポンプにより真空にされる。しかしながら、この場合第2のゲッターイオンポンプは非常に高いポンプパワーを持つように設計されていなければならず、これによりゲッターイオンポンプのサイズが大きくなるので、電子光学的コラムの高さも大きくなってしまう。
【図面の簡単な説明】
【図1】 プレパラート室の圧力が比較的低い場合に対して適している、本発明の第1実施形態の原理図である。
【図2】 プレパラート室の圧力が比較的高い場合に対して適している、本発明の第1実施形態の原理図である。
Claims (11)
- 第1および第2のターボ分子ポンプ(13,14)を備えた粒子放射装置のためのカスケード状ポンプ装置であって、前記第2のターボ分子ポンプ(13)の吐出し側(26)が前記第1のターボ分子ポンプ(14)のメインポンプポート(21)と吐出し側(25)との間にあるドラグ段(24)により予めポンピングされているカスケード状ポンプ装置。
- 前記第1のターボ分子ポンプ(14)が、前記ドラグ段(24)への接続部(22)を備えたスプリットフローポンプであり、前記第2のターボ分子ポンプ(13)の吐出し側(26)が前記第1のターボ分子ポンプ(14)の前記ドラグ段(24)に接続されている、請求項1に記載のカスケード状ポンプ装置。
- 前記第1のターボ分子ポンプ(14)の吐出し側(25)を予めポンピングするためのフォアポンプ(16)が設けられている、請求項1または2に記載のカスケード状ポンプ装置。
- 超高真空で作動する粒子源(3)と、少なくとも1hPa以下の高真空の圧力で作動可能なプレパラート室(1)とを有し、請求項1から3までのいずれか1項に記載のカスケード状ポンプ装置が設けられている粒子放射装置。
- 粒子源の超高真空領域(6)と前記プレパラート室(1)との間に2つの他の中間圧力領域(7),(8)が設けられている請求項4に記載の粒子放射装置。
- 超高真空領域(6)に隣接している圧力領域が前記第2のターボ分子ポンプ(13)によりポンピングされている請求項4,5のいずれか1項に記載の粒子放射装置。
- 前記第1のターボ分子ポンプ(14)が前記メインポンプポート(21)を介して、前記プレパラート室(1)に隣接している前記中間圧力領域(8)にも直接接続されている請求項4乃至6のいずれか1項に記載の粒子放射装置。
- フォアポンプ(16)が弁(17)を介して前記プレパラート室(1)に直接接続されている請求項7に記載の粒子放射装置。
- 前記第1のターボ分子ポンプ(14)がさらに他の弁(19)を介して前記プレパラート室(1)に直接接続されている請求項4から8までのいずれか1項に記載の粒子放射装置。
- 第2のフォアポンプ(20)が設けられ、前記プレパラート室(1)に接続されている請求項8乃至9のいずれか1項に記載の粒子放射装置。
- 前記超高真空領域(6)を真空にするためのゲッターイオンポンプ(12)が設けられている請求項4から10までのいずれか1項に記載の粒子放射装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10032607.2 | 2000-07-07 | ||
DE10032607A DE10032607B4 (de) | 2000-07-07 | 2000-07-07 | Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät |
PCT/EP2001/007597 WO2002005310A1 (de) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | Teilchenstrahlgerät mit einer im ultrahochvakuum zu betreibenden teilchenquelle und kaskadenförmige pumpanordnung für ein solches teilchenstrahlgerät |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004503063A JP2004503063A (ja) | 2004-01-29 |
JP4981235B2 true JP4981235B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=7647835
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002508824A Expired - Fee Related JP4981235B2 (ja) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | 超高真空で作動する粒子源を備えた粒子放射装置およびこの種の粒子放射装置のためのカスケード状ポンプ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6872956B2 (ja) |
EP (1) | EP1299898B1 (ja) |
JP (1) | JP4981235B2 (ja) |
CZ (1) | CZ302134B6 (ja) |
DE (2) | DE10032607B4 (ja) |
WO (1) | WO2002005310A1 (ja) |
Families Citing this family (130)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE0102497D0 (sv) * | 2001-07-13 | 2001-07-13 | Nanofactory Instruments Ab | Kammare för elektronmikroskop |
DE10211977A1 (de) | 2002-03-18 | 2003-10-02 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Rasterelektronenmikroskop |
GB0229353D0 (en) | 2002-12-17 | 2003-01-22 | Boc Group Plc | Vacuum pumping system and method of operating a vacuum pumping arrangement |
EP1515359A1 (en) * | 2003-09-12 | 2005-03-16 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Chamber with low electron stimulated desorption |
GB0409139D0 (en) | 2003-09-30 | 2004-05-26 | Boc Group Plc | Vacuum pump |
GB0411426D0 (en) | 2004-05-21 | 2004-06-23 | Boc Group Plc | Pumping arrangement |
EP1794771A1 (en) * | 2004-09-01 | 2007-06-13 | Cebt Co., Ltd. | Motioning equipment for electron column |
GB0424198D0 (en) | 2004-11-01 | 2004-12-01 | Boc Group Plc | Pumping arrangement |
JP2007141633A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡 |
EP1798751A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-20 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Protecting aperture for charged particle emitter |
JP4634295B2 (ja) * | 2005-12-26 | 2011-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡の真空排気装置 |
JP4930754B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2012-05-16 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 荷電粒子ビーム装置 |
EP1816668A2 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-08 | FEI Company | Particle-optical apparatus with a predetermined final vacuum pressure |
EP2565900B1 (en) * | 2007-11-13 | 2016-02-03 | Carl Zeiss Microscopy Limited | Beam device and system comprising a particle beam device and an optical microscope |
JP5244730B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2013-07-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 低真空走査電子顕微鏡 |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US8461526B2 (en) | 2010-12-01 | 2013-06-11 | Kla-Tencor Corporation | Electron beam column and methods of using same |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
JP5320418B2 (ja) | 2011-01-31 | 2013-10-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
WO2014022429A1 (en) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Fei Company | Environmental sem gas injection system |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
JP6035602B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2016-11-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料台ユニット、及び試料観察方法 |
US9684145B2 (en) | 2012-11-30 | 2017-06-20 | Commscope Technologies Llc | Distributed split configuration for multi-dwelling unit |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US20140311581A1 (en) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Applied Materials, Inc. | Pressure controller configuration for semiconductor processing applications |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US10269537B2 (en) * | 2013-12-16 | 2019-04-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Vacuum assembly for an ion implanter system |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
CN107430972B (zh) * | 2015-04-15 | 2019-07-16 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子束装置及其真空排气方法 |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
JP2022534259A (ja) * | 2019-05-29 | 2022-07-28 | エドワーズ リミテッド | ターボ分子ポンプ、真空ポンプシステム、及び真空チャンバを排気する方法 |
DE102022208597A1 (de) | 2022-08-18 | 2024-02-29 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vorrichtung zum Abbilden und Bearbeiten einer Probe mit einem fokussierten Teilchenstrahl |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4651171A (en) * | 1985-04-25 | 1987-03-17 | Image Graphics, Inc. | Vacuum system for a charged particle beam recording system |
US4720633A (en) * | 1986-01-17 | 1988-01-19 | Electro-Scan Corporation | Scanning electron microscope for visualization of wet samples |
WO1988001099A1 (en) | 1986-08-01 | 1988-02-11 | Electro-Scan Corporation | Multipurpose gaseous detector device for electron microscopes |
US4785182A (en) | 1987-05-21 | 1988-11-15 | Electroscan Corporation | Secondary electron detector for use in a gaseous atmosphere |
JP2607572B2 (ja) * | 1987-12-23 | 1997-05-07 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子を用いる分析装置および方法 |
US5717204A (en) * | 1992-05-27 | 1998-02-10 | Kla Instruments Corporation | Inspecting optical masks with electron beam microscopy |
DE4331589C2 (de) * | 1992-12-24 | 2003-06-26 | Pfeiffer Vacuum Gmbh | Vakuumpumpsystem |
EP0603694A1 (de) * | 1992-12-24 | 1994-06-29 | BALZERS-PFEIFFER GmbH | Vakuumpumpsystem |
US5733104A (en) * | 1992-12-24 | 1998-03-31 | Balzers-Pfeiffer Gmbh | Vacuum pump system |
GB9318801D0 (en) * | 1993-09-10 | 1993-10-27 | Boc Group Plc | Improved vacuum pumps |
US5828064A (en) * | 1995-08-11 | 1998-10-27 | Philips Electronics North America Corporation | Field emission environmental scanning electron microscope |
DE29516599U1 (de) * | 1995-10-20 | 1995-12-07 | Leybold AG, 50968 Köln | Reibungsvakuumpumpe mit Zwischeneinlaß |
US6193461B1 (en) * | 1999-02-02 | 2001-02-27 | Varian Inc. | Dual inlet vacuum pumps |
US7462839B2 (en) | 2000-07-07 | 2008-12-09 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Detector for variable pressure areas and an electron microscope comprising a corresponding detector |
-
2000
- 2000-07-07 DE DE10032607A patent/DE10032607B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-03 CZ CZ20030367A patent/CZ302134B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-07-03 JP JP2002508824A patent/JP4981235B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-03 WO PCT/EP2001/007597 patent/WO2002005310A1/de active IP Right Grant
- 2001-07-03 EP EP01956509A patent/EP1299898B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-03 DE DE50113269T patent/DE50113269D1/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-06 US US10/337,795 patent/US6872956B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10032607A1 (de) | 2002-01-24 |
EP1299898B1 (de) | 2007-11-14 |
WO2002005310A1 (de) | 2002-01-17 |
EP1299898A1 (de) | 2003-04-09 |
US6872956B2 (en) | 2005-03-29 |
DE50113269D1 (de) | 2007-12-27 |
CZ302134B6 (cs) | 2010-11-03 |
CZ2003367A3 (cs) | 2003-06-18 |
US20040076529A1 (en) | 2004-04-22 |
JP2004503063A (ja) | 2004-01-29 |
DE10032607B4 (de) | 2004-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4981235B2 (ja) | 超高真空で作動する粒子源を備えた粒子放射装置およびこの種の粒子放射装置のためのカスケード状ポンプ装置 | |
JP5719370B2 (ja) | 質量分析システム | |
US11434913B2 (en) | Multiple port vacuum pump system | |
CA2332777C (en) | Friction vacuum pump with a stator and a rotor | |
US3668393A (en) | Apparatus having evacuation spaces and a pumping assembly | |
JPS5937540B2 (ja) | 電界放射形走査電子顕微鏡 | |
US10304655B2 (en) | Charged particle beam device and evacuation method for same | |
EP1515359A1 (en) | Chamber with low electron stimulated desorption | |
JPH06215716A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
US20220316462A1 (en) | A vacuum pumping system having multiple pumps | |
WO2020079396A1 (en) | Non-mechanical vacuum pumping system and analytical instrument | |
JP7396237B2 (ja) | 質量分析装置 | |
JP4634295B2 (ja) | 電子顕微鏡の真空排気装置 | |
CA3050780A1 (en) | Turbo molecular pump for mass spectrometer | |
CN111542699A (zh) | 多级真空泵和差异化地抽吸多个真空室的方法 | |
US20230113996A1 (en) | Flange for a vacuum apparatus | |
CN113924417B (zh) | 涡轮分子泵、真空抽吸***和排空真空腔室的方法 | |
JPH1140094A (ja) | 真空装置の排気システムおよび排気方法 | |
JPH07272670A (ja) | 真空ポンプ及びその排気方法 | |
JP2005243587A (ja) | 低真空走査電子顕微鏡 | |
CN116601391A (zh) | 具有三级涡轮分子泵和增压泵的用于质谱泄漏检测的装置 | |
JPS63227976A (ja) | 減圧装置 | |
JP2022048479A5 (ja) | ||
JPS60257049A (ja) | イオン源用真空排気装置 | |
JP2001279434A (ja) | エクスターナル・カソード電極搭載型スパッタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110613 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120321 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120420 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150427 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4981235 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |