JP4979896B2

JP4979896B2 - 発光装置

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Publication number: JP4979896B2
Application number: JP2005127201A
Authority: JP
Inventors: 良二横谷; 拓磨橋本; 正喜小林
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2005-04-25
Filing date: 2005-04-25
Publication date: 2012-07-18
Anticipated expiration: 2025-04-25
Also published as: JP2006303397A

Description

本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを用いた発光装置に関する。

近年、青色ＬＥＤチップを黄色蛍光体と組み合わせ、青色ＬＥＤの青色発光と黄色蛍光体の黄色発光との混色により白色発光が可能なＬＥＤ発光装置が開発されている。このような発光装置は、照明用途に用いるために、ＬＥＤチップに供給する電力が格段に増加する傾向にある。しかしながら、現在の青色ＬＥＤの主流であるＩｎＧａＮ系化合物半導体ＬＥＤの効率は１０％程度であり、供給した電力の大半は熱になる。ＬＥＤチップの効率は温度依存性を持ち、どのような材料のＬＥＤチップであれ、高温になるほど効率が低下する傾向を有している。従って、ＬＥＤチップの温度を上昇させないようにするために、高電力を供給しながらも、如何にＬＥＤチップから周囲に熱を逃がすかということが重要な課題となる。

現在のＬＥＤ発光装置では、配線基板上にリフロー工法等を用いて自動実装した表面実装型のＬＥＤ発光装置（以下、ＳＭＤ（Surface Mount Device）型ＬＥＤ発光装置という）が主流になりつつある。ＳＭＤ型ＬＥＤ発光装置は、表面に配線部が形成された樹脂製の実装基板上にＬＥＤチップを実装し、ＬＥＤチップと実装基板上の配線部とを導電性ワイヤー等で電気的に接続し、該ＬＥＤチップの周囲を透光性樹脂で封止した構造が一般的である。

ＬＥＤチップから周囲に熱を逃がすという課題に対して、従来から実装基板の材料として用いられていた樹脂は一般に熱伝導率が小さいため、最近では、樹脂に比べて１桁以上熱伝導率が大きい、アルミナや窒化アルミニウムなどのセラミック材料を用いようとする技術的傾向にある。しかしながら、セラミック材料は樹脂に比べて製造コストが大きく、商品として広く流布するには至っていないのが現状である。このため、さらに安価で熱伝導率に優れる実装基板材料が求められている。

また、ＬＥＤチップから出射される光を最大限利用するために、ＬＥＤチップの周囲に反射部を設け、ＬＥＤチップから側面ないし背面方向に出射された光をできるだけ発光装置の正面方向へ向けて照射できるようにした発光装置が知られている。このような発光装置は、一般的に、ＬＥＤチップを収納するための凹部を実装部材（実装基板）に形成し、この凹部の底面部にＬＥＤチップを実装して、凹部の側壁部等でＬＥＤチップから出射された光を反射できるようにしている。例えば、液品ポリマー系の白色樹脂には反射率が約８５％のものがあり、このような樹脂で反射部を形成した発光装置が知られている。

しかしながら、樹脂を反射部として用いた場合、照明用の青色ＬＥＤチップに代表されるようなＬＥＤの短波長化、高出力化に伴い、点灯に伴う樹脂の劣化変色の危険性が指摘されている。また、セラミック材料を実装部材に用いた場合、樹脂の場合のような劣化変色の可能性は小さいが、一般に純度が低いセラミック材料は有色であり反射率が低いという問題がある。その一方、純度の高いアルミナや窒化アルミニウムは白色に近く、例えばアルミナでは８５％程度の反射率を有するものもある。しかしながら純度の高いものは透過率も大きく、反射されない光の一部はセラミック材料内を透過してしまい、発光装置の側面から出た光が正面から出た光とは異なる色味を与えるという問題がある。このため、光反射率に優れ、光透過率が小さく、ＬＥＤによる熱劣化、光劣化の可能性が無い安価な実装基板材料が求められている。

一方、上述ような問題を解決するために、例えば、特許文献１に記載されるような発光装置が知られている。特許文献１に記載される発光装置は、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップを収納するための凹部が形成された実装部材とを備えている。実装部材は、ＬＥＤチップの１対の電極に電気的に接続される１対の金属板と、これら金属板の間に挟まれてこれら金属板を電気的に絶縁する絶縁部とを有している。１対の金属板は正負の電極であり、ＬＥＤチップのｐ側、ｎ側電極に、それぞれ電気的に接続される。セラミック材料と同等ないしそれ以上に熱伝導率を有する金属を実装部材に用いることにより、ＬＥＤチップの放熱性が改善される。また、発光装置の金属板は、反射部としても機能する。種類にもよるが金属は一般に光反射率に優れ、光透過率が小さく、ＬＥＤによる熱劣化、光劣化の可能性も小さいので、長期に亘り発光装置の正面方向への光出力を維持することができる。
特開２００３−３０３９９９号公報

上述したように、特許文献１に記載される発光装置においては、実装部材として凹部が形成された金属板を用いたことにより、放熱性、光反射性が改善されている。しかしながら、これら１対の金属板は反射部を形成すると共に正負の電極でもあるので、凹部の底面部のみならず、凹部の側壁部も電気的に絶縁する必要があり、側壁部にも樹脂等で絶縁部を形成する必要がある。このため、反射部全体としての反射率は、反射部全体が金属である場合に比べて劣り、点灯に伴う樹脂の劣化変色によりさらに低下してしまうという問題があった。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、高い放熱性を有すると共に光反射性に優れる発光装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために請求項１の発明は、ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップを収納するための凹部が形成された実装部材とを備え、前記凹部の底面部は、前記ＬＥＤチップの１対の電極に電気的に接続される１対の電極板と、これら電極板の間に挟まれてこれら電極板を電気的に絶縁する第１の絶縁部とを有し、前記凹部の側壁部は、前記ＬＥＤチップから出射された光を反射する反射部を有する発光装置において、前記凹部の側壁部は、前記電極板と前記反射部を電気的に絶縁するためにこれら電極板と反射部の間に形成された第２の絶縁部を備え、前記反射部を形成する前記凹部の側壁部の少なくとも内壁面が、金属により形成され、前記ＬＥＤチップを封止するための封止樹脂部と、前記ＬＥＤチップ上に設けられた半球形状の光取出し増大部と、前記凹部を覆うように前記凹部の側壁部に取り付けられた波長変換部材と、を備え、前記光取出し増大部は、空気層に比較して前記ＬＥＤチップの光出射面の材料に近い屈折率を有すると共に前記ＬＥＤチップの光出射面を疑似的に非平面化し、前記波長変換部材は、前記ＬＥＤチップから出射された光を吸収して、その波長を変換し、前記封止樹脂部は、前記光取出し増大部を前記ＬＥＤチップに固着し、前記封止樹脂部が、前記第２の絶縁部が形成され前記反射部が形成されていない状態で、前記第２の絶縁部の高さと同じ高さまで液体状の透光性樹脂を前記凹部に充填し、該透光性樹脂を硬化させて形成されていることを特徴とする。

請求項２の発明は、請求項１に記載の発光装置において、前記電極板の側面が、前記第２の絶縁部により覆われていることを特徴とする。

請求項３の発明は、請求項１に記載の発光装置において、前記電極板が、前記凹部の側壁部より外側に張り出していることを特徴とする。

請求項４の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光装置において、前記第１の絶縁部は、発光装置の底面側に突出形成された第１の突起部を有することを特徴とする。

請求項５の発明は、請求項４に記載の発光装置において、発光装置の底面側に突出形成された１乃至複数の第２の突起部を更に有し、前記第１の突起部と第２の突起部の高さが同じであることを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、電極板と反射部の間に形成された第２の絶縁部を備え、該第２の絶縁部により電極板と反射部が電気的に絶縁されているので、反射部に絶縁部を設ける必要がなく、反射部の内壁面の全域を金属で形成することが可能となる。このため、発光装置の光取出し率を向上させることができる。また、ＬＥＤチップを封止するための封止樹脂部を備え、該封止樹脂部が、反射部が形成されていない状態で、第２の絶縁部の高さと略同じ高さまで液体状の透光性樹脂を凹部に充填して形成されているので、凹部に液体状の透光性樹脂を充填し過ぎた場合であっても透明性樹脂が第２の絶縁部の高さでこぼれ出る。このため、封止樹脂の厚さを略一定にすることができ、装置毎の光取出し率のバラツキを抑えることができる。

請求項２に記載の発明によれば、電極板の側面が前記第２の絶縁部により覆われているので、発光装置を取り扱うユーザの感電を防止することができる。

請求項３に記載の発明によれば、電極板が凹部の側壁部より外側に張り出しているので、発光装置を配線基板に実装する際、半田の接合状態を目視にて容易に確認することができ、装置の信頼性を向上させることができる。

請求項４に記載の発明によれば、第１の絶縁部が発光装置の底面側に突出形成された第１の突起部を有するので、発光装置を配線基板に実装する際、この第１の突起部で半田による電極板の間の短絡を防止することができ、装置の信頼性を向上させることができる。

請求項５に記載の発明によれば、発光装置の底面側に、第１の突起部の高さと略同じ高さを有する第２の突起部を有するので、発光装置を配線基板に実装する際、これら第１の突起部と第２の突起部で、発光装置を配線基板に対して略水平に実装させることができ、装置毎の光学特性のばらつきや、放熱性のばらつきを抑制することができる。

以下、本発明の第１の実施形態に係る発光装置について図１（ａ）（ｂ）を参照して説明する。発光装置１は、例えば、照明用途に用いられる装置であり、ＬＥＤチップ２と、該ＬＥＤチップ２を収納するための凹部４が形成された実装部材３とを備えている。凹部４の底面部５は、ＬＥＤチップ２の１対の電極（図示せず）に電気的に接続される１対の電極板５１と、これら電極板５１の間に挟まれてこれら電極板５１を電気的に絶縁する絶縁部５２とを有している。凹部４の側壁部６は、高反射性の微粒子を含む絶縁材料により形成されており、本実施形態では、側壁部６の内壁面６ａ付近が、ＬＥＤチップ２から出射された光を反射する反射部として機能する。

ＬＥＤチップ２としては、例えば、サファイア等の結晶基板上にＧａＮ系化合物半導体を形成したチップを用いることができる。電極板５１には、例えば、銅やアルミニウムなどを用いることができ、間隔を開けて並べた２枚の電極板５１を絶縁部５２となる樹脂で固めて凹部４の底面部５が形成される。なお、発光装置１のサイズは特に限定されるものではないが、例えば、縦３．５ｍｍ、横７ｍｍ、高さ１．８ｍｍの電極板５１を０．２ｍｍの間隔を開けて樹脂で固め、深さ２ｍｍの凹部４を形成して縦７ｍｍ、横７ｍｍ、高さ２ｍｍの外形を有する発光装置１を形成する。これら電極板５１は、各々ＬＥＤチップのｐ側電極、ｎ側電極に電気的に接続される。なお、本実施形態においては、凹部４の底面部５に単結晶Ｓｉ平板からなるサブマウント２１を設置し、その上にＬＥＤチップ２を実装した。サブマウント２１は、実装部材３上にＡｇペースト等を用いて固定される。サブマウント２１のサイズも特に限定されるものではないが、例えば、縦１．５ｍｍ、横２ｍｍ、厚み０．５ｍｍ程度の平板を使用することができる。この場合、固化後のＡｇペースト層の厚みは、約０．１ｍｍとなる。

サブマウント２１には、Ａｕ蒸着等により１対の配線パターンが形成されている。これら配線パターンは、サブマウント２１の端部近傍においてワイヤボンディング用のランドを有している。電極板５１とサブマウントの配線パターンは、Ａｕワイヤー２２等を用いて電気的に接続される。また、配線パターンは、サブマウント２１の中央付近においてバンプ接続のためのランドを有している。ＬＥＤチップ２のｐ電極及びｎ各電極は、Ａｕバンプ２３等を介してサブマウント２１の配線パターンのランドに接合され、電気的に接続される。

上述したように凹部４の側壁部６は、高反射性の微粒子を含む絶縁材料により形成されている。このような微粒子として、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２）の微粒子を用いることでき、酸化チタンの微粒子を透光性のシリコーン樹脂等に分散することにより側壁部６を形成する。酸化チタンは屈折率が約２．５と高く、ＬＥＤチップ２の発光波長に応じてその粒径を調整することにより、入射してきた光の大部分を反射することが可能となる。例えば、ピーク波長約４６０ｎｍの青色ＬＥＤを用いた場合、平均粒子径約０．２μｍの酸化チタンを用いることが好ましい。なお、実際に、平均粒子径約０．２μｍの酸化チタンを透光性のシリコーン樹脂に分散して板材に成型し、ピーク波長約４６０ｎｍの青色ＬＥＤを用いて反射率を測定したところ、銀板の反射率と同程度となる約９６％の高反射率が得られた。

このように本実施形態の発光装置１によれば、反射部が、高反射性の微粒子を含む絶縁材料により形成されており、反射部と電極板５１が絶縁されているので、反射部を、凹部４の側壁部６の全域に亘って形成することが可能なる。このため、発光装置１の光取出し率を向上させることができる。

また、図１（ａ）に示されるように、発光装置１は、電極板５１の側面５ａが、側壁部（第２の絶縁部）６により覆われている。このように本実施形態の発光装置１によれば、電極板５１の側面５ａが側壁部（第２の絶縁部）６により覆われてので、発光装置１を取り扱うユーザの感電を防止することができる。

なお、上記においては、サブマウント２１を介してＬＥＤチップ２を電極板５１に実装した場合について説明したが、図２に示されるように、ＬＥＤチップ２を直接、電極板５１に実装するようにしても発光装置１の光取出し率を向上させる効果を損なうものではない。しかしながら、ＬＥＤチップ２は、電極板５１より一般的に平坦性に勝るサブマウント２１に実装する方が容易なため、サブマウント２１を用いることにより装置の量産性を向上させることができる。また、ＬＥＤチップ２と電極板５１の中間の熱膨張率を有する材料を用いてサブマウント２１を形成することにより、ＬＥＤチップ２と電極板５１の熱膨張率の差に起因する応力を緩和することができる。このため、周囲温度の変化による部材の膨張収縮によりＬＥＤチップ２が実装部材３から剥離することを防ぐことができ、発光装置１の信頼性を向上させることができる。なお、サブマウント２１は、上記構成に限られるものではなく、サブマウント２１に関する効果は、特に断りがない限り他の実施形態についても同様である。

次に、本発明の第２の実施形態に係る発光装置について図３（ａ）（ｂ）を参照して説明する。本実施形態の発光装置１は、凹部４の側壁部６が、電極板５１と反射部６１の間に形成された第２の絶縁部６２を備える点で第１の実施形態と異なる。電極板５１と反射部６１は、この第２の絶縁部６２によって電気的に絶縁される。なお、以下の実施形態においては、１対の電極板５１の間に形成された絶縁部５２を第１の絶縁部という。

第２の絶縁部６２は、樹脂など絶縁性を有する材料により形成される。なお、第２の絶縁部６２は、上述した高反射性の微粒子を含む絶縁材料により形成される必要はないが、このような絶縁材料を用いれば、装置の光取出し率を更に向上させることができる。また、反射率の高い液晶ポリマー等を第２の絶縁部６２に用いることもできる。本実施形態の第１の絶縁部５２と第２の絶縁部６２は、同一材料を用いて電極板５１と一体成型されている。第２の絶縁部６２は、凹部４の底面部５からの高さが、ＬＥＤチップ２の光出射面と略同じ高さ（例えば、０．７ｍｍ）になるように形成されている。

反射部６１は、アルミニウム、銀、又は白金等、反射性に優れる金属により形成されており、電極板５１と接しないように第２の絶縁部６２の上に取り付けられている。なお、反射部６１は、凹部４の側壁部６の少なくとも内壁面６ａに形成されていればよく、例えば、スパッター法により金属膜を凹部４の内壁面６ａに形成するようにしてもよい。

また、本実施形態の発光装置１は、ＬＥＤチップ２を封止するための封止樹脂部７を更に備える。このような封止樹脂部７は、ＬＥＤチップ２の実装後、第２の絶縁部６２が形成され反射部６１が形成されていない状態で、第２の絶縁部６２の高さと略同じ高さまで液体状の透光性樹脂を凹部４に充填し、該透光性樹脂を硬化させることにより形成される。

その他、発光装置１はＬＥＤチップ２の上に略半球形状の光取出し増大部１１を有している。光取出し増大部１１は、例えば、シリコーン樹脂により形成される。光取出し増大部１１は、空気層に比較してＬＥＤチップ２の光出射面の材料に近い屈折率を持ち、本来は平面であるＬＥＤチップ２の光出射面を擬似的に非平面化することにより、ＬＥＤチップ２からの光取り出し率を増加させるための部材である。このような構成の発光装置１では、ＬＥＤチップ２から出射される光を光取出し増大部１１を介して効率よくＬＥＤチップ２の外部へ取り出すことができる。なお、本実施形態において、上述した封止樹脂部７は、光取出し増大部１１をＬＥＤチップ２に固着する役目も果たす。

また、図３（ａ）に示されるように、発光装置１は、ＬＥＤチップ２から出射された光を吸収して、その波長を変換する波長変換部材１２を備えている。なお、図３（ｂ）においては、波長変換部材１２を省略して記載している。波長変換部材１２は、例えば、青色ＬＥＤの発光を吸収して黄色系の発光に変換する蛍光体を樹脂に分散し、該樹脂をシート状に成型することにより形成される。波長変換部材１２は、凹部４を覆うように凹部４の側壁部６に取り付けられる。このような構成の発光装置１では、ＬＥＤチップ２から出射される青色光の一部が波長変換部材１２により黄色光に変換され、変換されずに装置から照射される青色光と混合されることにより白色光を得ることが可能である。

このように、本実施形態の発光装置１によれば、電極板５１と反射部６１の間に形成された第２の絶縁部６２を備え、該第２の絶縁部６２により電極板５１と反射部６１が電気的に絶縁されているので、反射部６１に絶縁部を設ける必要がなく、反射部６１の内壁面の全域を金属で形成することが可能となる。このため、発光装置１の光取出し率を向上させることができる。

また、本実施形態の発光装置１によれば、ＬＥＤチップ２を封止するための封止樹脂部７を備え、該封止樹脂部７が、反射部６１が形成されていない状態で、第２の絶縁部６２の高さと略同じ高さまで液体状の透光性樹脂を凹部４に充填して形成されているので、凹部４に液体状の透光性樹脂を充填し過ぎた場合であっても透明性樹脂が第２の絶縁部６２の高さでこぼれ出る。このため、封止樹脂部７の厚さを略一定にすることができ、装置毎の光取出し率のバラツキを抑えることができる。

なお、第２の絶縁部６２は、電極板５１と反射部６１とを絶縁するスペーサとしての機能が果たせればよいので、図４に示されるように、第２の絶縁部６２が凹部４の内壁面にほとんど現れていなくてもよい。図４に示される実装部材３は、例えば、２枚の電極板５１を絶縁部５２となる樹脂で固めて凹部４の底面部５を形成し、接着剤等を用いて凹部４の底面部５に第２の絶縁部６２を固定し、更に第２の絶縁部６２の上に反射部６１を固定することにより形成される。

次に、本発明の第３の実施形態に係る発光装置について図５を参照して説明する。本実施形態の発光装置１は、反射部が金属カップ部材６１ａにより形成されている点で第２の実施形態と異なる。

金属カップ部材６１ａは、アルミニウム、銀、又は白金等、反射性に優れる金属を、底が抜けたカップ状に成型することにより作製される。凹部４の側壁部６は、第２の絶縁部６２で金属カップ部材６１ａを支持することにより形成されている。なお、第２の絶縁部６２は、第１の実施形態のような高反射性の微粒子を含む絶縁材料により形成される必要はないが、このような絶縁材料を用いれば、装置の光取出し率を更に向上させることができる。

このように本実施形態の発光装置１によれば、第２の実施形態と同様の効果が得られるほか、反射部が金属カップ部材６１ａにより形成され、該金属カップ部材６１ａが第２の絶縁部６２に支持されて凹部４の側壁部６が形成されているので、側壁部６の内壁面に金属蒸着して反射部を形成する場合に比べて製造コストを削減することができる。

次に、本発明の第４の実施形態に係る発光装置について図６（ａ）（ｂ）を参照して説明する。本実施形態の発光装置１は、金属カップ部材６１ａの下端６０が、ＬＥＤチップ２の光出射面の下方に向かって内側に延設されている点、及び、電極板５１が、凹部４の側壁部６より外側に張り出している点で第３の実施形態と異なる。

本実施形態の発光装置１は、電極板５１を配線基板に接合する際、外側に張り出している電極板５１に接合された半田が配線基板の配線パターン上に広がるため、発光装置１の上方から半田接合状態を確認し易くなる。このため、本実施形態の発光装置１によれば、半田接合状態を目視にて容易に確認することができ、装置の信頼性を向上させることができる。

また、本実施形態の発光装置１によれば、金属カップ部材６１ａの下端６０が、ＬＥＤチップ２の光出射面の下方に向かって内側に延設されているので、ＬＥＤチップ２から実装部材３に向かって出射された光を効率よく光取出し面側に反射することができ、さらに光取出し率を向上させることができる。

次に、本発明の第５の実施形態に係る発光装置について図７（ａ）（ｂ）、及び図８を参照して説明する。本実施形態の発光装置１は、発光装置１の底面側に突出形成された第１の突起部７１及び第２の突起部７２を有する点で他の実施形態と異なる。

図７（ａ）（ｂ）に示されるように、第１の突起部７１は、第１の絶縁部５２を、発光装置１の底面側に突出させることにより形成されている。また、第２の突起部７２は、第２の絶縁部６２を、発光装置１の底面側に突出させることにより形成されている。図７（ｂ）に示されるように、本実施形態においては、４つの第２の突起部７２を、発光装置１の底面の４隅に形成している。また、これら第１の突起部７１と４つの第２の突起部７２は、発光装置１の底面からの高さが略同じになるように形成されている。

図８は、発光装置１が配線基板８に実装された状態を示している。配線基板８は、金属板８１、絶縁層８２、及び配線パターン８３を有しており、上記第１の突起部７１と４つの第２の突起部７２に対応する位置には配線パターン８３が形成されていない。発光装置１を配線基板８に実装する際、第１の突起部７１は、半田層８４を介して１対の電極板５１に接続される１対の配線パターン８３の間に配置される。

このように本実施形態の発光装置１によれば、第１の絶縁部５２が発光装置１の底面側に突出形成された第１の突起部７１を有するので、発光装置１を配線基板８に実装する際、この第１の突起部７１で半田による電極板５１の間の短絡を防止することができ、装置の信頼性を向上させることができる。また本実施形態の発光装置１は、発光装置１の底面側に、第１の突起部７１の高さと略同じ高さを有する第２の突起部７２を有するので、発光装置１を配線基板８に実装する際、これら第１の突起部７１と第２の突起部７２で、発光装置１を配線基板８に対して略水平に実装させることができ、装置毎の光学特性のばらつきや、放熱性のばらつきを抑制することができる。

なお、本実施形態においては、第１の突起部７１と第２の突起部７２の高さが略同じとなる場合について説明したが、例えば、図９に示されるように、第１の突起部７１が第２の突起部７２より高くなるように形成し、これを配線基板８に設けた貫通孔８５に挿入するようにしてもよい。このような構成にすることにより、発光装置１を配線基板８に実装する際の位置決めが容易になる。

（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る発光装置の断面図、（ｂ）は同上面図。同発光装置の変形例を示す断面図。（ａ）は本発明の第２の実施形態に係る発光装置の断面図、（ｂ）は同上面図。同発光装置の変形例を示す断面図。本発明の第３の実施形態に係る発光装置の断面図。（ａ）は本発明の第４の実施形態に係る発光装置の断面図、（ｂ）は同底面図。（ａ）は本発明の第５の実施形態に係る発光装置の断面図、（ｂ）は同斜視図。同発光装置を配線基板に実装した状態を示す断面図、変形例に係る発光装置を配線基板に実装した状態を示す断面図。

符号の説明

１発光装置
２ＬＥＤチップ
３実装部材
４凹部
５凹部の底面部
６凹部の側壁部
５１電極板
５２第１の絶縁部（絶縁部）
６１反射部
６２第２の絶縁部

Claims

ＬＥＤチップと、該ＬＥＤチップを収納するための凹部が形成された実装部材とを備え、
前記凹部の底面部は、前記ＬＥＤチップの１対の電極に電気的に接続される１対の電極板と、これら電極板の間に挟まれてこれら電極板を電気的に絶縁する第１の絶縁部とを有し、
前記凹部の側壁部は、前記ＬＥＤチップから出射された光を反射する反射部を有する発光装置において、
前記凹部の側壁部は、前記電極板と前記反射部を電気的に絶縁するためにこれら電極板と反射部の間に形成された第２の絶縁部を備え、
前記反射部を形成する前記凹部の側壁部の少なくとも内壁面が、金属により形成され、
前記ＬＥＤチップを封止するための封止樹脂部と、
前記ＬＥＤチップ上に設けられた半球形状の光取出し増大部と、
前記凹部を覆うように前記凹部の側壁部に取り付けられた波長変換部材と、を備え、
前記光取出し増大部は、空気層に比較して前記ＬＥＤチップの光出射面の材料に近い屈折率を有すると共に前記ＬＥＤチップの光出射面を疑似的に非平面化し、
前記波長変換部材は、前記ＬＥＤチップから出射された光を吸収して、その波長を変換し、
前記封止樹脂部は、前記光取出し増大部を前記ＬＥＤチップに固着し、
前記封止樹脂部が、前記第２の絶縁部が形成され前記反射部が形成されていない状態で、前記第２の絶縁部の高さと同じ高さまで液体状の透光性樹脂を前記凹部に充填し、該透光性樹脂を硬化させて形成されていることを特徴とする発光装置。
前記電極板の側面が、前記第２の絶縁部により覆われていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記電極板が、前記凹部の側壁部より外側に張り出していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
前記第１の絶縁部は、発光装置の底面側に突出形成された第１の突起部を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光装置。
発光装置の底面側に突出形成された１乃至複数の第２の突起部を更に有し、
前記第１の突起部と第２の突起部の高さが同じであることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。