JP4979576B2 - プラズマドーピング方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
そこで、特許文献2に示すようなプラズマ処理装置を用いてプラズマドーピングを試みたが、ゲートシャッターの駆動によってパーティクルが発生してしまった。
このような構成により、超微細なシリコン半導体デバイスを製造することができる。
このような構成により、試料のプラズマ処理を均一に行えるプラズマ処理装置を実現できる。とくに、プラズマドーピング処理を均一に行うことが可能となる。
2 ガス供給装置
3 ターボ分子ポンプ
4 調圧弁
5 プラズマ源用高周波電源
6 試料電極
7 誘電体窓
8 コイル
9 基板
10 試料電極用高周波電源
11 排気口
12 支柱
13 ガス導入経路
14 ガス主経路
15 ガス吹き出し口
16 貫通ゲート
17 インナーチャンバ
18 ゲートシャッター
19 駆動装置
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1について、図1から図3を参照して説明する。
図1に、本発明の実施の形態1において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図1において、真空容器1内に、ガス供給装置2から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つことができる。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8(図1中には、コイルの断面部が図示されている)に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させることができる。試料電極6上に、試料としてのシリコン基板9を載置する。また、試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料としての基板9がプラズマに対して負の電位をもつように、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。このようにして、プラズマ中のイオンを試料の表面に向かって加速し衝突させて試料の表面に不純物を導入することができる。なお、ガス供給装置2から供給されたガスは、排気口11からポンプ3へ排気される。ターボ分子ポンプ3及び排気口11は、試料電極6の直下に配置されており、また、調圧弁4は、試料電極6の直下で、かつ、ターボ分子ポンプ3の直上に位置する昇降弁である。試料電極6は、基板9を載置する略正方形状の台座となり、各辺において支柱12により真空容器1に固定され、計4本の支柱12により、真空容器1に固定されている。
図3は、駆動装置19の構成を詳細に示す断面図である。図3において、インナーチャンバ17とゲートシャッター18とが、円筒状のベアリングユニット20により連結されている。ベアリングユニット20の詳細は図では省略しているが、内筒、外筒、ベアリングからなり、内筒がインナーチャンバ17に固定され、外筒がゲートシャッター18に固定されており、インナーチャンバ17とゲートシャッター18の相対的な位置を、同軸運動に関して任意に変化させることが可能な構成としている。ゲートシャッター18の外周に、弾性を有する樹脂製(例えば、バイトン、カルレッツなどの耐薬品性に優れた樹脂)の回転体21が密着している。回転体21は軸22に固定され、軸22の中央付近に小ギア23が固定されている。小ギア23と連結された大ギア24が設けられ、軸25、台形ギア26を介してモーターシャフト27に連なっている。モーター28を作動させると、その回転運動が、モーターシャフト27、台形ギア26、軸25、大ギア24、小ギア23、軸22からなる伝達部を通じて回転体21に伝えられ、インナーチャンバ17とゲートシャッター18の相対的な位置を、同軸運動に関して任意に変化させることができる。
実施の形態1では、ゲートシャッター18を円筒状のものとした。このような構成により、円形の試料を均一に処理することができる。また、真空容器1を円筒状のものとした。
このような構成により、ゲートシャッター18の回転によるパーティクルの発生を抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態2について、図4を参照して説明する。
図4に、本発明の実施の形態2において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図4において、基本的な構成は図1に示した実施の形態1と同様であるが、円筒状のベアリングユニット20を、上下2ヶ所に備えた点が異なる。このような構成により、ゲートシャッター18の、インナーチャンバ17に対して同軸状となる回転運動の精度が高まるため、ゲートシャッター18の内壁とインナーチャンバ17の外壁が接触する可能性が極めて低くなり、パーティクルの発生を抑制することができる。
以下、本発明の実施の形態3について、図5を参照して説明する。
図5に、本発明の実施の形態3において用いたプラズマドーピング装置の、インナーチャンバ17とゲートシャッター18のリンク部の拡大断面図を示す。図5において、ゲートシャッター18の円筒の内側に突き出た凸部29の内周が、インナーチャンバ17の円筒の外側に設けられた凹部30に嵌合し、凸部29と凹部30の間にベアリングユニット20が設けられ、凸部29の内径がインナーチャンバ17の円筒の外形よりも小さくなるよう構成されている。このような構成により、ゲートシャッター17の回転によるパーティクルの発生を抑制することができる。すなわち、ゲートシャッター17の回転によって、ゲートシャッター18及びインナーチャンバ17とベアリングユニット20との接触部において発生したパーティクルは、その大部分がインナーチャンバ17の円筒の外側に設けられた凹部30に滞留し、インナーチャンバ17とゲートシャッター18の間を下方へと落下するパーティクルが激減する。
以下、本発明の実施の形態4について、図6から図8を参照して説明する。
図6に、本発明の実施の形態4において用いたプラズマドーピング装置の断面図を示す。図6において、基本的な構成は図1に示した実施の形態1と同様であるが、真空容器1が円筒状でなく、排気装置としてのポンプ3が貫通ゲート16の反対側に設けられている点と、インナーチャンバ17にインナーチャンバ底が設けられている点が異なる。
図7は、オープン位置における配置を示している。クローズ位置に移動すると、図8のような配置となる。
例えば、コイル8を平面状としてもよく、あるいは、ヘリコン波プラズマ源、磁気中性ループプラズマ源、有磁場マイクロ波プラズマ源(電子サイクロトロン共鳴プラズマ源)を用いてもよいし、平行平板型プラズマ源を用いてもよい。
また、ヘリウム以外の不活性ガスを用いてもよく、ネオン、アルゴン、クリプトンまたはキセノン(ゼノン)のうち少なくともひとつのガスを用いることができる。これらの不活性ガスは、試料への悪影響が他のガスよりも小さいという利点がある。
本出願は、2005年3月30日出願の日本特許出願、出願番号2005-099149に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
Claims (13)
- 真空容器の貫通ゲートを介して試料を真空容器内に搬送した後、真空容器内の試料電極に試料を載置し、試料の対向面より試料に向けて概ね等方的にガスを吹き出しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内にプラズマを発生させ、プラズマ中の不純物イオンを試料の表面に衝突させて試料の表面に不純物イオンを導入するプラズマドーピング方法であって、
モーターと、ゲートシャッターに密着した回転体と、伝達部とを備えた駆動装置を用いて、
前記モーターの回転運動を回転体に伝えることによって、前記ゲートシャッターを、
貫通ゲートを開口させるオープン位置と貫通ゲートを覆うクローズ位置との間で移動可能とし、
前記ゲートシャッターをオープン位置に配して、前記試料電極に試料を載置し、
プラズマを発生させる際に、前記貫通ゲートを前記ゲートシャッターで覆うようにしたプラズマドーピング方法。 - 請求項1に記載のプラズマドーピング方法であって、
前記試料がシリコンよりなる半導体基板であり、
前記不純物が砒素、燐、ボロン、アルミニウムまたはアンチモンであるプラズマドーピング方法。 - 真空容器と、試料電極と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、試料電極に対向して等方的に配置されたガス吹き出し口と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内の圧力を制御する圧力制御装置と、試料電極に電力を供給する試料電極用電源を備えたプラズマドーピング装置であって、
真空容器に貫通ゲートが設けられ、貫通ゲートを開口させるオープン位置と、貫通ゲートを覆うクローズ位置との間で移動可能な駆動装置を備えたゲートシャッターを備え、
前記駆動装置が、モーターと、前記ゲートシャッターに密着した回転体と、モーターの回転運動を回転体に伝える伝達部とを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記ゲートシャッターが円筒状であるプラズマ処理装置。 - 請求項4に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記真空容器が円筒状であるプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記ゲートシャッターの内側に、真空容器に固定された円筒状のインナーチャンバを備えたプラズマ処理装置。 - 請求項6に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記インナーチャンバの最下部が、ゲートシャッターの最下部よりも下に位置するプラズマ処理装置。 - 請求項6に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記インナーチャンバの最下部が、試料電極の上面よりも下に位置するプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記回転体が弾性を有する樹脂製であるプラズマ処理装置。 - 請求項6に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記インナーチャンバが、円筒の外側に突き出た庇部を真空容器の上面に載せることによって真空容器に固定されているプラズマ処理装置。 - 請求項10に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記インナーチャンバと前記ゲートシャッターとを、円筒状のベアリングユニットによって連結したプラズマ処理装置。 - 請求項11に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記円筒状のベアリングユニットを、上下2ヶ所に備えたプラズマ処理装置。 - 請求項11に記載のプラズマドーピング装置であって、
前記ゲートシャッターの円筒の内側に突き出た凸部の内周が、前記インナーチャンバの円筒の外側に設けられた凹部に嵌合し、凸部と凹部の間に前記ベアリングユニットが設けられ、凸部の内径が前記インナーチャンバの円筒の外形よりも小さいプラズマ処理装置。
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