JP4977850B2 - 微小電気機械システムおよび微小電気機械システム製造方法 - Google Patents
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Description
このような微小電気機械システム(MEMS)では、基層であるシリコンとガラスを相互接合させて多層構造とし、その中間に密閉チャンバを形成し、このチャンバ内に所期の機能を実現するための微小機械部品を形成している。
このような微小電気機械システムにおいては、一般にシリコンとガラスは高温(約650K)かつ高圧(500〜1000V)のもとで行われる陽極接合により接合される。
ところが、このようなガスの充填を行う場合、各層の接合過程において電界が発生し、その結果、自由電子が加速され、充填されたガスのイオン化が生じることがある。イオン化されたガスは紫外線(UV)を放出し、紫外線はチャンバ内の表面特性を変化させる可能性があるほか、チャンバ内の電子部品の安定性に悪影響を与える可能性がある。
このようなことから、適切な接合圧力を確保しつつ、電界強度を弱めて、紫外線の放出を減少させる技術が要望されている。
層状の構造の一部に微小機械部品を有する微小電気機械システムであって、
表裏を貫通するキャビティを有しかつこのキャビティ内に前記微小機械部品が設けられる基層と、
前記基層を挟んで配置されかつそれぞれ前記基層に陽極接合された第1密閉層および第2密閉層と、
前記基層の前記キャビティを前記第1密閉層および前記第2密閉層で封止して形成されかつ内部にガスが充填されたチャンバと、
前記第2密閉層の表面のうち前記チャンバ内に露出される領域を覆い、かつ前記基層と電気的に接触する電極と、を有することを特徴とする。
層状の構造の一部に微小機械部品を有する微小電気機械システムを製造するための微小電気機械システム製造方法であって、
基層に表裏を貫通するキャビティを形成しかつこのキャビティ内に前記微小機械部品を形成する工程と、
前記基層に対し第1密閉層を真空状態で陽極接合する工程と、
前記基層に対し第2密閉層をガスの存在する状態で陽極接合することにより、前記キャビティを封止してチャンバを形成し、このチャンバの内部にガスを充填する工程と、を備え、
前記第2密閉層の陽極接合の前に、前記第2密閉層の表面のうち、前記チャンバ内に露出される領域を覆うように、かつ前記第2密閉層と前記基層との接合時に前記基層と電気的に接触するように、電極を形成する工程を備えたことを特徴とする。
図1において、微小電気機械システム10は、基層1と、この基層1を挟んで配置された第1密閉層2および第2密閉層3とを有する多層構造とされている。
本実施形態において、第1密閉層2および第2密閉層3はガラス層、基層1はシリコン層である。
具体的に、基層1には所定位置に表裏を貫通するキャビティ1Aが形成され、このキャビティ1Aの内部に基層1から連続する微小機械部品4が形成されている。この微小機械部品4は、例えば基層1にキャビティ1Aを形成する際に、この微小機械部品4を残すように穿孔を行うことで形成される。この穿孔にはエッチング等の既存のシリコンプロセスが適宜利用できる。
本実施形態において、微小機械部品4は基層1の表面側(第1密閉層2が接合される側)に沿って形成されている。キャビティ1Aは周囲の内壁が傾斜され、基層1の表面側に対して裏面側(第2密閉層3が接合される側)がやや広く形成されている。このようなキャビティ1Aの形状および微小機械部品4の表面側への配置により、キャビティ1Aの穿孔処理は基層1の裏面側から行うことが極めて効率的である。
第1密閉層2および第2密閉層3は、前述した通りガラス層であり、基層1を挟んだ状態で配置され、それぞれ基層1に陽極接合により接合される。
これらの第1密閉層2および第2密閉層3により、前述したキャビティ1Aの表裏の開口部分が覆われて密封される。これにより、微小機械部品4の周辺にチャンバ5が形成される形成されるように構成される。このチャンバ5にはガス9が充填される。
凹部2Aは、第1密閉層2と基層1とが接合された際にキャビティ1Aに連通され、これらの凹部2Aとキャビティ1Aとを併せてチャンバ5が形成される。この凹部2Aにより、チャンバ5が基層1の第1密閉層2の内側まで拡張され、表面側(第1密閉層2が接合される側)に沿って微小機械部品4を配置した場合でも、微小機械部品4と第1密閉層2とが機械的に干渉等することが回避できる。
電極6は、第2密閉層3の表面のうち、第2密閉層3と基層1とが接合された際にチャンバ5内に露出する領域の略全体を覆うように形成されている。
電極6および前記領域は平面矩形とされ、電極6は当該領域よりやや小さく形成され、当該領域の周辺部は電極6の外周においてチャンバ5内に露出している。
電極6の各辺縁には突起状の電極接触構造7が形成され、基層1に対する電気的導通がとられている。電極接触構造7は、電極6の各編円から外向きに延び、その先端部分は漸次薄く形成され、基層1と第2密閉層3との接合部分に挟持されており、これにより基層1に対して電気的な接触を確保している。
微小電気機械システム10の製造にあたっては、先ず基層1を準備する。
基層1は、半導体製造に利用される既存のシリコンウエハを用い、これに既存のシリコンプロセスを適宜利用してキャビティ1Aおよび微小機械部品4を形成する。
基層1の準備と並行して、第1密閉層2に凹部2Aを形成しておくとともに、第2密閉層3の表面に電極6を形成しておく。
続いて、基層1(表面に第1密閉層2が接合された)に対して第2密閉層3を陽極接合する(第2の接合過程)。この接合によりチャンバ5を密封するとともに、このチャンバ5内にガス9を充填する。具体的には、既存の密閉式の半導体製造装置を用い、基層1と第2密閉層3とを収めたプロセスチャンバ内にガス9を充満させておき、このガス9の雰囲気下で基層1と第2密閉層3との陽極接合を行う。この処理により、キャビティ5が封止されて密閉されたチャンバ5を形成され、かつチャンバ5の内部には雰囲気のガス9が充満した状態になる。
以上により本実施形態の微小電気機械システム10が製造される。
微小機械部品4を収めるチャンバ5内に電極6を設け、この電極6を基層1に電気的に導通させることで、チャンバ5内の電界強度を弱めてガス9の雰囲気下であっても紫外線の放出を抑制することができ、チャンバ5内に充填されるガス9のイオン化を抑制することができる。
すなわち、陽極接合の際、電極6の電位は、電極接触構造7による電気的な同友により、基層1のシリコン電位に固定される。そのため、第2密閉層3および基層1の電極6との接触面における電界強度は弱くなる。
第1密閉層2を基層1に接合させる第1の接合過程において、第1密閉層2と基層1とは真空下で陽極接合される。このため第1の接合過程では、ガス9が存在しないため紫外線は放出されない。
一方、第2密閉層3を基層1に接合させる第2の接合過程においては、第2密閉層3と基層1とをガス9の存在する状態で陽極接合される。但し、ガス9の雰囲気下であっても、前述の通り電極6によりチャンバ5内の電界強度が弱められるため、紫外線放出は少なくなる。
このため、本実施形態によれば、ガス9の雰囲気下での接合時にもチャンバ5内の不必要な影響を回避することができ、基層1と第1密閉層2および基層1と第2密閉層3との接合の何れにおいても好適な接合強度を保持したまま、紫外線放出を大幅に低減することができる。これにより各層の接合圧力を弱める必要を回避でき、適切な接合圧力を確保することができる。
さらに、基層1と第1密閉層2とを接合した上で、第2密閉層3との接合を行うことでチャンバ5が密閉されるようにし、かつガス9の雰囲気下でこの接合を行うことでガス9のチャンバ5内への充填も一括して行うことができる。これにより、構造の簡略化とともに、製造手順の簡略化が図れる。
本実施形態において、基層1、第1密閉層2、第2密閉層3の各構成は基本的に図1および図2の実施形態と同様である。このため、共通する要素に関しては同じ符号を付し、重複する説明を省略する。
本実施形態においては、電極6の形状が異なる。
すなわち、前述した図1および図2の実施形態においては、電極6は第2密閉層3のチャンバ5内に露出する領域よりもやや小さく、かつ四辺に設けられた突起状の電極接触構造7により基層1との電気的導通を得ていた。
このように、電極6の形状は実施にあたって適宜選択することができる。そして、図3および図4の実施形態のように、全周にわたる電極接触構造7を用いることで、基層1との導通を確実なものにできる。
但し、図1および図2の実施形態のように、突起状の電極接触構造7を用いることで、基層1と第2密閉層3との接合面積に対する占有を抑制することができる。
微小電気機械システム10においては、本来最大限の接合面積が確保できるよう電極6の占有面積を最小限に抑えることが好ましい。この点で、電極6の接合面積への侵食度合いを低減できるため、図1および図2の実施形態は有益である。
前記実施形態では、基層1にシリコンを用いたが、他の半導体材料などであってもよい。
前記実施形態では、第1密閉層2および第2密閉層3にそれぞれガラスを用いたが、何れかあるいは双方を他の基板材料としてもよく、機械的あるいは電気的な特性を考慮して適宜選択すればよい。
前記実施形態では、微小機械部品4と電極6との間の距離を基層1に用いるウエハの厚み(約100um以上)に対応させたが、この距離は実施にあたって適宜設定すればよい。但し、100um以下とすると微小機械部品4と電極6との距離が小さくなって静電容量の影響が無視できなくなる可能性などがあり、約100um以上としておくことが望ましい。
前記実施形態では、基層1と電極6との電気的導通を突起状の電極接触構造7あるいは全周にわたる電極接触構造7により確保したが、他の形態を利用してもよい。
更に、電極6は第2密閉層3の表面のうち、チャンバ5内に露出される領域を略全面にわたって覆うように形成したが、電極6は、必ずしも第2密閉層3の表面チャンバ5内に露出している領域全体を覆う必要はなく、より縮小されてもよい。
1A キャビティ
2 第1密閉層
2A 凹部
3 第2密閉層
4 微小機械部品
5 チャンバ
6 電極
7 電極接触構造
9 ガス
10 微小電気機械システム
Claims (12)
- 層状の構造の一部に微小機械部品を有する微小電気機械システムであって、
表裏を貫通するキャビティを有しかつこのキャビティ内に前記微小機械部品が設けられる基層と、
前記基層を挟んで配置されかつそれぞれ前記基層に陽極接合された第1密閉層および第2密閉層と、
前記基層の前記キャビティを前記第1密閉層および前記第2密閉層で封止して形成されかつ内部にガスが充填されたチャンバと、
前記第2密閉層の表面のうち前記チャンバ内に露出される領域を覆い、かつ前記基層と電気的に接触する電極と、を有することを特徴とする微小電気機械システム。 - 請求項1に記載の微小電気機械システムにおいて、前記基層がシリコンであることを特徴とする微小電気機械システム。
- 請求項1または請求項2に記載の微小電気機械システムにおいて、前記第1密閉層および前記第2密閉層がガラスであることを特徴とする微小電気機械システム。
- 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の微小電気機械システムにおいて、前記微小機械部品と前記電極との間の距離が、前記電極のいずれの点においても、約100um以上であることを特徴とする微小電気機械システム。
- 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の微小電気機械システムにおいて、
前記電極は少なくとも1つの電気接触構造を有し、
前記電気接触構造は、前記第2密閉層の表面のうち、少なくとも1つの陽極接合された部分に接触するように構成され、
前記接触は、前記電極に設けられた前記電気接触構造によってのみ行われるように構成されていることを特徴とする微小電気機械システム。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の微小電気機械システムにおいて、前記電極は前記第2密閉層の表面のうち、前記チャンバ内に露出される領域を全面にわたって覆うように形成されている、ことを特徴とする微小電気機械システム。
- 層状の構造の一部に微小機械部品を有する微小電気機械システムを製造するための微小電気機械システム製造方法であって、
基層に表裏を貫通するキャビティを形成しかつこのキャビティ内に前記微小機械部品を形成する工程と、
前記基層に対し第1密閉層を真空状態で陽極接合する工程と、
前記基層に対し第2密閉層をガスの存在する状態で陽極接合することにより、前記キャビティを封止してチャンバを形成し、このチャンバの内部にガスを充填する工程と、を備え、
前記第2密閉層の陽極接合の前に、前記第2密閉層の表面のうち、前記チャンバ内に露出される領域を覆うように、かつ前記第2密閉層と前記基層との接合時に前記基層と電気的に接触するように、電極を形成する工程を備えたことを特徴とする微小電気機械システム製造方法。 - 請求項7に記載の微小電気機械システム製造方法において、前記基層としてシリコンを用いることを特徴とする微小電気機械システム製造方法。
- 請求項7または請求項8に記載の微小電気機械システム製造方法において、前記第1密閉層および前記第2密閉層としてガラスを用いることを特徴とする微小電気機械システム製造方法。
- 請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の微小電気機械システム製造方法において、前記微小機械部品と前記電極との間の距離が、前記電極のいずれの点においても、約100um以上となるよう、前記第2密閉層と前記基層とを接合する、ことを特徴とする微小電気機械システム製造方法。
- 請求項7ないし請求項10のいずれかに記載の微小電気機械システム製造方法において、前記電極を、接合時に少なくとも1つの電気接触構造のみにより前記第2密閉層の表面のうち少なくとも1つの陽極接合された部分に接触させる、ことを特徴とする微小電気機械システム製造方法。
- 請求項7ないし請求項9のいずれかに記載の微小電気機械システム製造方法において、前記電極は前記第2密閉層の表面のうち、前記チャンバ内に露出される領域を全面にわたって覆うように形成することを特徴とする微小電気機械システム製造方法。
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