JP4974872B2 - Method for manufacturing periodically poled structure - Google Patents
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Description
本発明は、周期分極反転構造の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a periodically poled structure.
ニオブ酸リチウム単結晶やタンタル酸リチウム単結晶などの強誘電体単結晶に、周期的な分極反転構造を形成した擬似位相整合(Quasi−Phase−matching)方式の第2高調波発生(Second−Harmonic−Generation)デバイスは、紫外から赤外まで、比較的任意な波長の光を発生させることができる。このデバイスは、光ディスクメモリ用、医学用、光化学用、及び各種光計測用などの幅広い応用が可能である。 Quasi-phase-matching second harmonic generation (Second-Harmonic) in which a periodically poled structure is formed in a ferroelectric single crystal such as lithium niobate single crystal or lithium tantalate single crystal. -Generation) devices can generate light of a relatively arbitrary wavelength from ultraviolet to infrared. This device can be used in a wide range of applications such as optical disk memory, medical use, photochemistry use, and various optical measurement applications.
非特許文献1の記載の方法では、ニオブ酸リチウムのZ基板の表面に絶縁膜を設け、絶縁膜にストライプ状の細長い隙間を設けた上で、絶縁膜および隙間を被覆するように導電膜を設けている。そして、この導電膜にパルス電圧を印加することによって、基板に周期分極反転構造を形成している。
また、特許文献1では、ニオブ酸リチウム基板の表面に、金属の櫛形電極を形成している。この櫛形電極は、細長い太幅の給電電極と、この給電電極のエッジから多数延びている細長い電極片とを備えている。各電極片は、その長手方向に向かって、所定長さごとに分離されている。
また、特許文献2の電圧印加法では、基板表面の櫛形電極の各電極片を複数に区分し、隣接する電極片の間にギャップを設けている。そして、電極片の長さを変化させたり、電極片の間のギャップの寸法を規定することで、深い分極反転構造を形成することを試みている。
特許文献1、2記載の方法では、電極片をその長手方向に向かって複数の細長い断片に分け、断片間に隙間を設けている。これによって、電極片の各断片の各エッジをそれぞれ出発点として分極反転を開始させ、進行させており、これによって、分極反転に要する時間を短くし、また分極反転深さを大きくすることができる。しかし、隣接する分極反転部がつながりやすい傾向があり、基本波エネルギーの変換効率の低下をもたらすことがある。
In the methods described in
非特許文献1記載の方法では、隣接する分極反転部がつながりにくいが、しかし電極片が長くなると、分極反転に要する時間が長く、分極反転幅が揃わなくなる傾向がある。特に分極反転に時間がかかることから生産性が低くなる。
In the method described in
本発明の課題は、電圧印加法によって周期分極反転構造を形成するのに際して、隣接する分極反転部の連結を防止すると共に、短時間で周期分極反転構造を形成可能な方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method capable of forming a periodic polarization reversal structure in a short time while preventing the connection of adjacent polarization reversal portions when forming a periodic polarization reversal structure by a voltage application method. .
本発明は、単分域化している強誘電体単結晶基板の主面上に設けられた電極構造を用いて、電圧印加法により周期分極反転構造を製造する方法である。 The present invention uses the electrode structure provided on the main surface of the ferroelectric single crystal substrate is a single-poling, Ru method der to produce a periodically poled by the voltage application method.
電極構造が、強誘電体単結晶基板の主面上に設けられた複数の隙間のある絶縁膜と、絶縁膜の隙間および絶縁膜を被覆するように設けられている導電膜とを備えており、導電膜が、絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆部と、隙間に設けられた電極片部とを備えており、電極片部が、主面上で電極片部の長手方向に垂直な方向に向かって互いに離間された状態で配列されており、電極片部の長手方向の導電膜の縁部における電極片部の幅が、導電膜の縁部にある電極片部から見て内側にある電極片部の幅よりも大きいことを特徴とする。 The electrode structure includes an insulating film having a plurality of gaps provided on the main surface of the ferroelectric single crystal substrate, and a conductive film provided to cover the gaps of the insulating films and the insulating film. The conductive film includes an insulating film covering portion that covers the insulating film, and an electrode piece portion provided in the gap, and the electrode piece portion is perpendicular to the longitudinal direction of the electrode piece portion on the main surface. The electrodes are arranged so as to be spaced apart from each other, and the width of the electrode piece at the edge of the conductive film in the longitudinal direction of the electrode piece is on the inner side when viewed from the electrode piece at the edge of the conductive film It is characterized by being larger than the width of one part.
本発明によれば、電極構造が、強誘電体単結晶基板の主面上に設けられた複数の隙間のある絶縁膜と、この絶縁膜の隙間および絶縁膜を被覆するように設けられている導電膜とを備えており、この導電膜が、絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆部と、隙間に設けられた電極片部とを備えている。これによって、隣接する分極反転部が連結しにくい。その上で、本発明者は、電極片部の長手方向の導電膜の縁部における電極幅を大きくし、電荷が集中する電極エッジ(縁部)が基板に接触する面積を増やすことで、より反転に寄与する電荷を多く取り込むことが出来、反転時間が従来より短くなることを見いだした。 According to the present invention, the electrode structure is provided so as to cover the insulating film having a plurality of gaps provided on the main surface of the ferroelectric single crystal substrate and the gaps and the insulating films of the insulating films. The conductive film includes an insulating film covering portion that covers the insulating film, and an electrode piece portion provided in the gap. This makes it difficult for adjacent polarization inversion portions to be connected. In addition, the present inventor increases the electrode width at the edge of the conductive film in the longitudinal direction of the electrode piece, and increases the area where the electrode edge (edge) where charges are concentrated contacts the substrate. It was found that a large amount of charge contributing to inversion can be taken in, and the inversion time is shorter than before.
以下、図面を適宜参照しつつ、本発明を更に説明する。
まず、図1(a)に示すように、強誘電体結晶基板1の一方の主面1aに絶縁膜を形成する。1bは他方の主面である。次いで、絶縁膜に細長い隙間8を形成し、パターニングされた絶縁膜7を残す。絶縁膜7には、多数の隙間8が形成されており、各隙間8には基板1の主面1aを露出させる。次いで、図1(b)に示すように、基板1上に導電膜20を形成する。この導電膜20は、基板主面1aを被覆しており、絶縁膜7を被覆する絶縁膜被覆部6と、主面1aを直接被覆する電極片部5を備えている。基板1の他方の主面1bには一様電極2を形成する。
The present invention will be further described below with reference to the drawings as appropriate.
First, as shown in FIG. 1A, an insulating film is formed on one main surface 1a of the
図2は、基板1の主面1aを概略的に示す平面図であり、図3は、電極片部の形態を拡大して示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view schematically showing the main surface 1a of the
各電極片部5は、基板主面1a上に形成されているものであり、絶縁膜被覆部6は、絶縁膜7上に形成されているものである。各電極片部5は、絶縁膜被覆部6と切れ目なくつながっている。平面的に見ると、電極片部5は、いずれも細長いストライプ状の形態を有している。そして、複数の電極片部5が、電極片部の長手方向に垂直な方向xに向かって配列されており、方向xで見て隣接する電極片部5間には間隙4が形成されている。また、複数の電極片部5が、電極片5の長手方向yに向かって配列されており、方向yで見て隣接する電極片部5間には間隙9が形成されている。
Each
この後、導電膜5と一様電極7との間に所定の電圧を印加し、多数の分極反転部を基板1内に形成することによって、周期分極反転構造を形成する。この電圧印加方法は特に限定されない。例えば不活性雰囲気中に基板を設置して電圧を印加してもよく、絶縁体液体中に基板を設置して電圧を印加してもよい。
Thereafter, a predetermined voltage is applied between the
ここで、本発明者は、図2に示すAのような、電極の縁部(エッジ部分)の形態に着目した。即ち、電極構造の縁部においては、末端の電極片部5が長手方向yに向かって延びているが、末端の電極片部5の途中を導電膜20の縁部20aが横切っている。この結果、電極片部5は縁部20aで終止し、その先では隙間8に導電膜が充填されておらず、基板表面1aが露出している。
Here, the present inventor paid attention to the form of the edge portion (edge portion) of the electrode as indicated by A in FIG. That is, at the edge of the electrode structure, the
ここで、従来は、導電膜20の縁部20aにおいても、電極片部5の幅Tは特に変化しなかった。即ち、Tは、縁部20aから離れた場所における電極片部5の幅tと等しかった。
Here, conventionally, the width T of the
しかし、本発明者はこの縁部20aに着目し、図5に示すように、長手方向yの導電膜20の縁部20aにおける電極片部22の幅Tを、電極片部22から見て内側にある電極片部5の幅tよりも大きくした。内側の電極片部5は、絶縁膜の隙間を導電膜がすべて充填している場所の電極片部を示す。内側の電極片部5は、縁部の電極片部22から見て隣接する電極片部5であることが好ましい。即ち、導電膜20の縁部20aの近傍で電極片部を幅広にした。これによって、導電膜のエッジ付近で発生する電荷を電極片の端部に集中して収集し、単位時間当たりの分極反転量を著しく増大できることを見いだした。
However, the inventor pays attention to the
絶縁膜をパターニングするときのX方向の周期Γx(図3参照)は、発生させたい波長変換光の波長に適した値に設計する。例えば、緑色の2次高調波を発生させる場合は、Γxは約7μmとなる。電極片部5の幅tは、周期Γxの影響を受けて定まるので、特に好適範囲を定めるものではない。しかし、例えば実用上は、tを0.8〜1.5μmとすることができる。
The period Γx (see FIG. 3) in the X direction when patterning the insulating film is designed to a value suitable for the wavelength of the wavelength converted light to be generated. For example, when generating a green second harmonic, Γx is about 7 μm. Since the width t of the
本発明の観点からは、(T−t)、(T/t)を大きくすることによって、末端の電極片部における電荷の回収を促進することができ、単位時間当たりの分極反転部の生成量を増大させることができる。この観点からは、(T−t)を18μm以上とすることが好ましく、30μm以上とすることがさらに好ましい。また、(T/t)を10以上とすることが好ましく15以上とすることがさらに好ましい。 From the viewpoint of the present invention, by increasing (T−t) and (T / t), it is possible to promote charge recovery at the terminal electrode piece, and the amount of polarization inversion portion generated per unit time. Can be increased. From this viewpoint, (Tt) is preferably 18 μm or more, and more preferably 30 μm or more. Further, (T / t) is preferably 10 or more, more preferably 15 or more.
ただし、Tの上限は特になく、周期Γx未満であってよい。 However, the upper limit of T is not particularly limited, and may be less than the period Γx.
また、(T/t)の上限は特になく、(Γx/t)未満であってよい。 Further, there is no particular upper limit for (T / t), and it may be less than (Γx / t).
本発明において、好ましくは、縁部から連続する電極片部が、電極片部の長手方向へと向かって延びる一定幅の拡幅部と、この拡幅部から幅が狭くなるテーパ部とを備えている。例えば、図5の例では、縁部20aから連続する電極片部22が、電極片部の長手方向へと向かって延びる一定幅Tの拡幅部22bと、この拡幅部22bから幅が狭くなるテーパ部22aとを備えている。これによって、分極反転効率への影響を最小限とすることができる。
In the present invention, preferably, the electrode piece portion continuous from the edge portion includes a widened portion having a constant width extending toward the longitudinal direction of the electrode piece portion, and a tapered portion having a width narrowed from the widened portion. . For example, in the example of FIG. 5, the
好適な実施形態においては、図6に示すように、基板1の下に別体の支持基板11を積層し、基板1と11との間に少なくとも一様電極2を介在させる。そして、支持基板11のうち基板1とは反対側の主面にも電極12を形成する。そして、基板1と11とを絶縁性気体13内に浸漬し、基板1上の導電膜20と電極12とにそれぞれ電線19を結線する。そして、電源18から導電膜20および電極12に対して電圧を印加し、周期分極反転構造を形成する。
In a preferred embodiment, as shown in FIG. 6 , a separate support substrate 11 is laminated under the
本発明において、好ましくは、電極片部が、電極片部の長手方向に向かって互いに離間された状態で配列されている。 In the present invention, the electrode pieces are preferably arranged in a state of being separated from each other in the longitudinal direction of the electrode pieces.
図3の例では、絶縁膜の隙間に形成された導電膜20は、方向yに向かって絶縁膜によって複数の電極片部5に分断されている。これによって、各電極片部5の各エッジを出発点として分極反転が進展するので、深い分極反転を短時間で形成可能である。
In the example of FIG. 3, the
その上で、本例では、方向xに向かって分極反転部分が連結することを防止できる。これと共に、各電極片の長手方向yで見たときには、隣り合う電極片5下に生ずる分極反転部分は互いにつながり易く、一連の細長い分極反転部を形成しやすい。
In addition, in this example, it is possible to prevent the polarization inversion portion from being connected in the direction x. At the same time, when viewed in the longitudinal direction y of each electrode piece, the polarization inversion portions generated below the
周期分極反転構造を形成するべき基板を構成する強誘電体材料の種類は、限定されない。しかし、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体、K3Li2Nb5O15の各単結晶が特に好ましい。 The kind of the ferroelectric material that constitutes the substrate on which the periodically poled structure is to be formed is not limited. However, single crystals of lithium niobate (LiNbO 3 ), lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate-lithium tantalate solid solution, and K 3 Li 2 Nb 5 O 15 are particularly preferable.
強誘電体単結晶中には、三次元光導波路の耐光損傷性を更に向上させるために、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、スカンジウム(Sc)及びインジウム(In)からなる群より選ばれる1種以上の金属元素を含有させることができ、マグネシウムが特に好ましい。 The ferroelectric single crystal is selected from the group consisting of magnesium (Mg), zinc (Zn), scandium (Sc), and indium (In) in order to further improve the light damage resistance of the three-dimensional optical waveguide. More than one metal element can be contained, and magnesium is particularly preferred.
強誘電体単結晶中には、ドープ成分として、希土類元素を含有させることができる。この希土類元素は、レーザ発振用の添加元素として作用する。この希土類元素としては、特にNd、Er、Tm、Ho、Dy、Prが好ましい。 The ferroelectric single crystal can contain a rare earth element as a doping component. This rare earth element acts as an additive element for laser oscillation. As this rare earth element, Nd, Er, Tm, Ho, Dy, and Pr are particularly preferable.
本発明では、基板としてZカット基板を使用するが、オフカットZ基板であってもよい。このオフカット角度は、本発明の作用効果という観点から、10°以下が好ましく、5°以下が更に好ましい。 In the present invention, a Z-cut substrate is used as the substrate, but an off-cut Z substrate may be used. This off-cut angle is preferably 10 ° or less, more preferably 5 ° or less, from the viewpoint of the effect of the present invention.
また、オフカットZ基板のオフカット角が10 °以下であれば、半導体レーザとの光軸調整も、傾き補正しなくても波長変換効率の劣化は無視でき、高効率な波長変換素子を実現することができる。 In addition, if the off-cut angle of the off-cut Z substrate is 10 ° or less, the deterioration of wavelength conversion efficiency can be ignored without adjusting the optical axis with the semiconductor laser and correcting the tilt, realizing a highly efficient wavelength conversion element. can do.
絶縁膜の材質は限定されないが、SiO2やTa2O5のような酸化物、窒化珪素のような窒化物であってよい。絶縁膜の成膜方法としては、蒸着法でもスパッタリング法、スピンコート法でもよい。絶縁膜の成膜厚さは、特に限定されないが、500オングストローム以上、3000オングストローム以下が好ましい。絶縁膜の厚さが小さい場合は、絶縁性が低くなり、周期状分極反転が形成されにくい。絶縁膜が厚すぎる場合は、パターニング精度が悪くなる。 The material of the insulating film is not limited, but may be an oxide such as SiO 2 or Ta 2 O 5 or a nitride such as silicon nitride. As a method for forming the insulating film, an evaporation method, a sputtering method, or a spin coating method may be used. The thickness of the insulating film is not particularly limited, but is preferably 500 Å or more and 3000 Å or less. In the case where the thickness of the insulating film is small, the insulating property is lowered and it is difficult to form periodic polarization inversion. When the insulating film is too thick, the patterning accuracy is deteriorated.
絶縁膜をパターニングして隙間を形成する方法は特に限定されない。例えば、絶縁膜上にフォトレジストをスピンコーティングし、マスク露光、現像を経て、レジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして、エッチング処理を行うことで、隙間を形成できる。エッチング処理はウェットエッチングでも、ドライエッチングでもよいが、理想的には基板表面にダメージを与えにくいウェットエッチングの方が好適である。 A method for forming the gap by patterning the insulating film is not particularly limited. For example, a gap can be formed by spin-coating a photoresist on an insulating film, forming a resist pattern through mask exposure and development, and performing an etching process using the resist pattern as a mask. The etching process may be wet etching or dry etching, but ideally wet etching is preferable because it hardly damages the substrate surface.
電圧印加法において使用する電極片部、一様電極の材質は限定されないが、Al、Au、Ag、Cr、Cu、Ni、Ni-Cr 、Pd、Ta 、Mo、W、Ta、AuCrの積層膜などが好ましい。 The material of the electrode piece and uniform electrode used in the voltage application method is not limited, but a laminated film of Al, Au, Ag, Cr, Cu, Ni, Ni-Cr, Pd, Ta, Mo, W, Ta, AuCr Etc. are preferable.
支持基板11の材質は、絶縁性が高く、材質内の体積抵抗率が均一で、所定の構造強度を有していることが必要である。この材質としては、シリコン、サファイア、水晶、ガラスを例示できる。 The material of the support substrate 11 needs to be highly insulating, have a uniform volume resistivity within the material, and have a predetermined structural strength. Examples of this material include silicon, sapphire, crystal, and glass.
基板を絶縁性液体に浸漬して電圧印加法を実施するのに際しては、絶縁オイル(例えばシリコンオイル)、フッ素系不活性液体を例示できる。 When the voltage application method is performed by immersing the substrate in an insulating liquid, insulating oil (for example, silicon oil) or a fluorine-based inert liquid can be exemplified.
絶縁膜の隙間と隙間との間隔Gyは、特に限定されないが、y方向に隣接する分極反転部の連結を促進するという観点から、0.5μm以上が好ましく、0.8μm以上がさらに好ましい。絶縁膜の隙間と隙間との間隔Gyは、y方向に隣接する分極反転部の連結を促進するという観点から、2.0μm以下が好ましく、1.5μm以下がさらに好ましい。y方向の周期Γyは、特に制限を設けるわけではないが、5〜100μmであってよい。 The gap Gy between the gaps of the insulating film is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 0.8 μm or more, from the viewpoint of promoting the connection of the polarization inversion portions adjacent in the y direction. The gap Gy between the gaps of the insulating films is preferably 2.0 μm or less, more preferably 1.5 μm or less, from the viewpoint of promoting the connection of the polarization inversion portions adjacent in the y direction. The period Γy in the y direction is not particularly limited, but may be 5 to 100 μm.
基板背面側の一様電極の形成方法は特に限定されず、蒸着法でもよく、スパッタリング法でもよい。一様電極の膜厚は、例えば500〜3000オングストロームとすることができる。 The method for forming the uniform electrode on the back side of the substrate is not particularly limited, and may be a vapor deposition method or a sputtering method. The film thickness of the uniform electrode can be, for example, 500 to 3000 angstroms.
(対照例)
図1〜4および図6を参照しつつ説明した手順に従い、周期分極反転構造を形成した。ただし、基板1としては、MgO添加のLiNbO3(MgOLN)のZカット基板を使用した。基板1の+z面1aに、絶縁膜としてSiO2膜を成膜した。絶縁膜の膜厚は約2000オングストロームとした。次いで、絶縁膜上にフォトレジストをスピンコーティングし、マスク露光、現像を経て、レジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクにして、ウェットエッチング処理を行うことで、図1(a)に示すような絶縁膜パターン7を形成した。周期Γxは約7μmとし、Gyは1.2μmとし、Γyは10μmとした。電極片部の幅tは0.8μmとした。
(Control example)
Following the procedure described with reference to FIGS. 1-4 and 6, to form a periodic domain inversion structure. However, as the
続いて、スパッタリング法によって、導電膜20および2を成膜した。これらの膜厚は1000オングストロームとし、材質はタンタルとした。導電膜の縁部における電極形状は、図4に示すようにした。このように作製した基板1を、図6を参照しつつ説明した方法を適用することによって、周期状分極反転構造を得ることができた。ただし、絶縁性液体として絶縁オイルを使用し、温度設定を150℃にした。また、電圧印加条件としては、ウェハの抗電界となる電界強度の約3kV/mmに設定し、約1msec幅の矩形パルスを印加した。パルスの印加回数は、パターン面積に依存するが、例えば20mm2のとき、20000パルスが好適であった。
Subsequently,
こうした得られた基板表面を、ふっ硝酸でウェットエッチングし、次いで顕微鏡で観察した。x方向(横方向)にみたときに、隣接する分極反転部は互いにつながることはなかった。また、y方向(縦方向)にみたときには、隣接する分極反転部は互いにつながり、1本の繋がった分極反転部が形成されていた。長さ14.5mmにわたる分極反転に要する時間は、9分であった。 The surface of the substrate thus obtained was wet-etched with nitric acid and then observed with a microscope. When viewed in the x direction (lateral direction), the adjacent domain-inverted portions were not connected to each other. When viewed in the y direction (longitudinal direction), adjacent polarization inversion portions are connected to each other, and one connected polarization inversion portion is formed. The time required for polarization reversal over a length of 14.5 mm was 9 minutes.
(実施例)
対照例において、導電膜の縁部近傍の電極形状を、本発明に従って、図5に示すように変更した。ただし、縁部20aの電極片部から内側に隣接する電極片部5の幅tは0.8μmとし、導電膜の縁部10aにおける電極片部22の幅Tは3.2μmとした。
(Example)
In the control example, the electrode shape in the vicinity of the edge of the conductive film was changed according to the present invention as shown in FIG. However, the width t of the
こうした得られた基板表面を、ふっ硝酸でウェットエッチングし、次いで顕微鏡で観察した。x方向(横方向)にみたときに、隣接する分極反転部は互いにつながることはなかった。また、y方向(縦方向)にみたときには、隣接する分極反転部は互いにつながり、1本の繋がった分極反転部が形成されていた。長さ14.5mmにわたる分極反転に要する時間は、7分であった。即ち、単位分極反転面積あたりに必要な時間が、約20%短縮された。 The surface of the substrate thus obtained was wet-etched with nitric acid and then observed with a microscope. When viewed in the x direction (lateral direction), the adjacent domain-inverted portions were not connected to each other. When viewed in the y direction (longitudinal direction), adjacent polarization inversion portions are connected to each other, and one connected polarization inversion portion is formed. The time required for polarization reversal over a length of 14.5 mm was 7 minutes. That is, the time required per unit polarization inversion area was shortened by about 20%.
本発明の特定の実施形態を説明してきたけれども、本発明はこれら特定の実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲の範囲から離れることなく、種々の変更や改変を行いながら実施できる。 Although specific embodiments of the present invention have been described, the present invention is not limited to these specific embodiments and can be implemented with various changes and modifications without departing from the scope of the claims.
1 基板 1a 、1b 主面 2 一様電極 5、22 電極片部 6 絶縁膜被覆部 7 絶縁膜 20 導電膜 20a 導電膜の縁部 22a テーパ部 t 電極片部の幅 T 導電膜の縁部における電極片部の幅 x 電極片部の長手方向に垂直な方向 y 電極片部の長手方向 Gy 方向yに見た電極片部の間隔 Γx x方向の周期 Γy y方向の周期
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記電極構造が、前記強誘電体単結晶基板の前記主面上に設けられた複数の隙間のある絶縁膜と、この絶縁膜の前記隙間および前記絶縁膜を被覆するように設けられている導電膜とを備えており、この導電膜が、前記絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆部と、前記隙間に設けられた電極片部とを備えており、前記電極片部が、前記主面上で前記電極片部の長手方向に垂直な方向に向かって互いに離間された状態で配列されており、前記電極片部の前記長手方向の前記導電膜の縁部における前記電極片部の幅が、前記縁部にある前記電極片部から見て内側にある電極片部の幅よりも大きいことを特徴とする、周期分極反転構造の製造方法。 A method of manufacturing a periodically poled structure by a voltage application method using an electrode structure provided on a main surface of a single-domain ferroelectric single crystal substrate,
The electrode structure is provided with an insulating film having a plurality of gaps provided on the main surface of the ferroelectric single crystal substrate, and a conductive film provided so as to cover the gaps and the insulating film of the insulating film. The conductive film includes an insulating film covering portion that covers the insulating film, and an electrode piece portion provided in the gap, and the electrode piece portion is formed on the main surface. The electrode pieces are arranged in a state of being separated from each other in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the electrode pieces, and the width of the electrode pieces at the edge of the conductive film in the longitudinal direction of the electrode pieces is A method for producing a periodic domain-inverted structure, characterized in that the width is larger than the width of an electrode piece on the inside as viewed from the electrode piece on the edge.
The electrode piece portion continuous from the edge portion includes a widened portion having a constant width extending toward the longitudinal direction of the electrode piece portion, and a tapered portion having a width narrowed from the widened portion. The method according to claim 1 or 2.
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