JP4969793B2 - Thermal-electrical direct conversion device - Google Patents
Thermal-electrical direct conversion device Download PDFInfo
- Publication number
- JP4969793B2 JP4969793B2 JP2005125404A JP2005125404A JP4969793B2 JP 4969793 B2 JP4969793 B2 JP 4969793B2 JP 2005125404 A JP2005125404 A JP 2005125404A JP 2005125404 A JP2005125404 A JP 2005125404A JP 4969793 B2 JP4969793 B2 JP 4969793B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature side
- direct conversion
- high temperature
- thermal
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
本発明は熱−電気直接変換装置に係り、特に変換効率を良好に維持できる熱−電気直接変換装置に関する。 The present invention relates to a thermal-electrical direct conversion device, and more particularly to a thermal-electrical direct conversion device that can maintain good conversion efficiency.
近年、人類が消費するエネルギー量が歴史的に例を見ない速度で急増した結果、炭酸ガス（ＣＯ２）などの温室効果ガスによる地球温暖化の問題が浮上しており、地球環境を保全するためにＣＯ２発生を可及的に抑制可能なエネルギー源の開発が全世界的に渇望されている。このような状況の中で、主として省エネルギーの観点から、大規模な廃熱の利用が従来から進行し、現在では中小規模の廃熱まで、その再利用が注目されつつある。 In recent years, the amount of energy consumed by mankind has rapidly increased at an unprecedented rate. As a result, the problem of global warming caused by greenhouse gases such as carbon dioxide (CO 2 ) has emerged, and the global environment is preserved. Therefore, development of an energy source capable of suppressing CO 2 generation as much as possible is craved all over the world. Under such circumstances, mainly from the viewpoint of energy saving, the use of large-scale waste heat has been progressing, and the reuse of medium-to-small-scale waste heat is now attracting attention.
ところが、中小規模廃熱については、たとえその廃熱の質が高くとも、熱量規模自体が比較的小さいことから、たとえば蒸気タービンなどの大規模廃熱用の発電装置では、熱量に対して大掛りな装置が必要となる結果、発電効率が極めて低く、既存設備の改造や保守・補修コストに見合う電気量が得られないという課題があった。 However, with regard to medium- and small-scale waste heat, even if the quality of the waste heat is high, the amount of heat itself is relatively small. For example, in a power generator for large-scale waste heat such as a steam turbine, the amount of heat is large. As a result, the power generation efficiency is extremely low, and there is a problem that the amount of electricity corresponding to the modification of existing facilities and the maintenance and repair costs cannot be obtained.
また、その熱量規模が小さいことから、温水利用などの熱利用も見送られている場合が多く、全世界的に中小規模廃熱の利用は進捗し難い状況にある。そのため、これら中小規模の廃熱のエネルギーから電気エネルギーを簡易かつ小型の装置システムで変換できる熱−電気直接変換装置の開発実用化が待望されている。 In addition, due to the small amount of heat, the use of heat, such as the use of hot water, is often forgotten, and the use of medium- and small-scale waste heat is difficult to progress worldwide. Therefore, the development and practical application of a direct heat-electricity conversion device that can convert electric energy from the energy of waste heat of medium and small scales with a simple and small device system is awaited.
このような技術的要請に対処するため、半導体を用いて熱エネルギーを直接電気エネルギーに変換する熱−電気直接変換装置の開発が従来から進められている（例えば特許文献１参照）。 In order to cope with such technical demands, development of a direct thermal-electric conversion device that directly converts thermal energy into electrical energy using a semiconductor has been in progress (see, for example, Patent Document 1).
一般に、この種の熱−電気直接変換装置は、トムソン効果、ペルチェ効果、ゼーベック効果などの熱電効果を利用したｐ型およびｎ型の熱−電気直接変換半導体（熱伝変換素子）を組み合わせて構成される。一般的な構造を図６に示す。すなわち、従来の熱−電気直接変換装置１００は、ｐ型熱−電気直接変換半導体チップ（ｐ型半導体）２およびｎ型熱−電気直接変換半導体チップ（ｎ型半導体）３が、高温側電極５を有する高温側絶縁板７と、低温側電極６を有する低温側絶縁板８に挟まれた構造を有する。ｐ型半導体２およびｎ型半導体３は、熱−電気直接変換半導体対（半導体対）４を形成し、変換装置全体では電気的及び熱的に多くの熱−電気直接変換半導体対が接続される。
In general, this type of direct heat-electric conversion device is composed of a combination of p-type and n-type direct heat-electric conversion semiconductors (thermoconduction elements) that use thermoelectric effects such as the Thomson effect, Peltier effect, and Seebeck effect. Is done. A general structure is shown in FIG. That is, in the conventional direct thermo-
ｐ型半導体２およびｎ型半導体３は、高温側電極５と接続され、さらにｐ型半導体２およびｎ型半導体３は、低温側電極６と低温側電極−半導体チップ接合部（低温側接合部）１２を介して接合されている。
The p-
上記のように構成された熱−電気直接変換装置１において、高温側電極５に熱流１３が供給されると、熱はｐ型半導体２およびｎ型半導体３に伝達され、ｐ型、ｎ型半導体２、３を通過する熱流１４に沿って、ｐ型半導体２の内部では半導体キャリアである正孔１６が、またｎ型半導体３の内部では半導体キャリアである電子１７が、ｐ型半導体２あるいはｎ型半導体３に低温側電極−半導体チップ接合部１２を介して接合されている低温側電極６に向かって移動する。
In the heat-electricity direct conversion device 1 configured as described above, when the
一方ｐ型、ｎ型半導体２、３を通過する熱流１４は、低温側電極６を通過して低温側電極から放出される熱流１５となる。ここで熱−電気直接変換装置１の外部に、適当な電気的負荷１９が、熱−電気直接変換装置１に設置されている電極−電流取出手段との接続手段９と、それに接続された電流取出手段１０とを介して、熱−電気直接変換装置１に電気的に接続されることにより、前記半導体キャリアの移動は電流の流れ１８として熱−電気直接変換装置１の外部に取出して利用することができる。
On the other hand, the
このように熱-電気直接変換装置は、高温側電極と低温側電極との温度差を、熱−電気直接変換半導体を用いて、直接電気に変換し装置外部に電力として取出すことができるものであるが、逆に外部から電流を与えることにより、低温側から高温側あるいは高温側から低温側に熱の移動を行うこともできる。
図７は、従来の熱−電気直接変換装置１００の構造の一形態を示す断面図である。一般に、熱−電気直接変換半導体対４の高温側と低温側との温度差が大きいほど発電効率は高くなる。他方、熱−電気直接変換半導体対４の高温側と低温側との温度差が大きくなると、高温側と低温側の構成部材の熱変形量の差も大きくなる。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing one embodiment of the structure of a conventional direct thermal-
この熱変形量の差を吸収するため、高温側の電極（高温側電極５）を熱−電気直接変換半導体対４に固定せず、熱−電気直接変換半導体対４を跨ぐように載置する形態がとられることがある。高温側電極５と熱−電気直接変換半導体対４とを非固定とすることにより熱変形量を吸収することが可能となり、熱−電気直接変換半導体対４の破損を防止することができる。
In order to absorb this difference in the amount of thermal deformation, the high temperature side electrode (high temperature side electrode 5) is not fixed to the heat-electric direct
この際、高温側電極５が振動等で移動することがないように、バスタブ状の箱構造を有するカバー部材２７を、高温側電極５を覆うように配設する形態としている。このカバー部材２７の存在によって、高温側電極５と熱−電気直接変換半導体対４とが非固定であっても、高温側電極５が熱−電気直接変換半導体対の高温側端面の位置から移動、或いはずれることを回避している。
At this time, the
カバー部材２７は、高温側絶縁板７と高温側電極５との間に設けられるため、高温側電極５に熱を高効率で伝熱させるためには、熱伝導率の高い材料で形成する必要がある。また、高温側絶縁板７の近傍は、例えば、約５００℃以上の高温環境下で使用されることも想定されるため、高い耐熱性が必要とされる。このため、カバー部材２７を形成する材料として熱伝導率が高くかつ耐熱性の高い材料を用いた場合、その材料が電気伝導性を併せ持つ場合がある。
Since the
カバー部材２７の材料が電気伝導性を有する場合、隣接するカバー部材２７同士が接触し、電気的に短絡された状態になることが懸念される。電気的に短絡されると、短絡された熱−電気直接変換半導体対４は熱電変換に寄与しなくなり、全体とし発電性能が低下するという課題がある。
When the material of the
この課題を回避するためには、従来、例えば、熱−電気直接変換半導体対４の間に絶縁板２８を配置し、カバー部材２７同士の短絡を防止するといった対策が必要であった。
In order to avoid this problem, conventionally, for example, it has been necessary to take measures such as disposing the insulating plate 28 between the thermal-electrical direct
しかしながら、この対策方法では、各熱−電気直接変換半導体対４の間に多数の絶縁板２８を配設することとなり、部品点数の増加となる他、組立工数の増加ともなっていた。
However, in this countermeasure method, a large number of insulating plates 28 are disposed between each heat-electrical direct
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、熱−電気直接変換半導体対の高温側電極を覆うカバー部材が互いに接触した場合であっても電気的短絡を防止し、発電効率の低下を回避することが可能であると共に、部品点数が少なく組立工数を低減することができる熱−電気直接変換装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and even when the cover members covering the high-temperature side electrodes of the heat-electric direct conversion semiconductor pair are in contact with each other, an electrical short circuit is prevented, and the power generation efficiency is reduced. An object of the present invention is to provide a thermal-electric direct conversion device that can be avoided and that can reduce the number of parts and the number of assembly steps.
上記課題を解決するために、本発明に係る熱−電気直接変換装置は、ｐ型半導体とｎ型半導体とからなる複数の熱−電気直接変換半導体対と、前記熱−電気直接変換半導体対の低温側端部において前記ｐ型半導体とｎ型半導体とを電気的に接続する複数の低温側電極と、前記複数の低温側電極を介して前記複数の熱−電気直接変換半導体対と熱的に接続される低温側絶縁板と、前記熱−電気直接変換半導体対の高温側端部において前記ｐ型半導体とｎ型半導体とを電気的に接続する複数の高温側電極と、前記複数の高温側電極のそれぞれを覆う複数のカバー部材と、前記複数の高温側電極及び前記カバー部材を介して前記複数の熱−電気直接変換半導体対と熱的に接続される高温側絶縁板と、を備え、前記高温側電極は、前記ｐ型半導体と前記ｎ型半導体とを跨ぐように載置され、前記高温側電極と前記熱−電気直接変換半導体対との間は非固定であり、前記カバー部材は、前記高温側電極を覆うように載置され、前記カバー部材と前記高温側電極の間は非固定であり、前記カバー部材は、金属材料で形成されると共に前記高温側電極に臨む面に開口を有するバスタブ状の箱状部材で形成され、かつ、前記カバー部材の縁部は前記熱−電気直接変換半導体対の高温側端部の一部まで延出し、前記カバー部材の少なくとも露出面に、隣接するカバー部材同士の接触による短絡を防止する電気絶縁層を設けたことを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, a direct thermal-electric conversion device according to the present invention includes a plurality of thermal-electrical direct conversion semiconductor pairs composed of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor, and the thermal-electrical direct conversion semiconductor pair. A plurality of low-temperature side electrodes that electrically connect the p-type semiconductor and the n-type semiconductor at a low-temperature side end portion, and the plurality of thermo-electrical direct conversion semiconductor pairs via the plurality of low-temperature side electrodes; A low temperature side insulating plate to be connected; a plurality of high temperature side electrodes that electrically connect the p-type semiconductor and the n-type semiconductor at a high temperature side end of the thermo-electric direct conversion semiconductor pair; and the plurality of high temperature sides A plurality of cover members covering each of the electrodes, and a high temperature side insulating plate thermally connected to the plurality of thermal-electrical direct conversion semiconductor pairs via the plurality of high temperature side electrodes and the cover member, The high temperature side electrode is formed in front of the p-type semiconductor. It is placed so as to straddle the n-type semiconductor, and the high temperature side electrode and the thermo-electric direct conversion semiconductor pair are not fixed, and the cover member is placed so as to cover the high temperature side electrode. The cover member and the high temperature side electrode are not fixed, and the cover member is formed of a metal material and a bathtub-like box-shaped member having an opening on the surface facing the high temperature side electrode, And the edge part of the said cover member is extended to a part of high temperature side edge part of the said thermoelectric direct conversion semiconductor pair, and prevents the short circuit by contact of adjacent cover members at least to the exposed surface of the said cover member. An electrical insulating layer is provided.
本発明に係る熱−電気直接変換装置によれば、熱−電気直接変換半導体対の高温側電極を覆うカバー部材が互いに接触した場合であっても電気的短絡を防止し、発電効率の低下を回避することが可能であると共に、部品点数が少なく組立工数を低減することができる。 According to the thermal-electrical direct conversion device according to the present invention, even if the cover members covering the high-temperature side electrodes of the thermal-electrical direct conversion semiconductor pair are in contact with each other, an electrical short circuit is prevented, and the power generation efficiency is reduced. This can be avoided, and the number of parts is small and the number of assembly steps can be reduced.
本発明に係る熱−電気直接変換装置の実施形態について、添付図面を参照して説明する。 An embodiment of a direct thermal-electric conversion device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
（１）第１の実施形態
図１（ａ）は第１の実施形態に係る熱−電気直接変換装置１の構造を模式的に示す断面図である。
(1) First Embodiment FIG. 1A is a cross-sectional view schematically showing the structure of a thermoelectric direct conversion device 1 according to a first embodiment.
熱−電気直接変換装置１は、ｐ型半導体２とｎ型半導体３とからなる熱−電気直接変換半導体対４を複数有し、これら複数の熱−電気直接変換半導体対４が高温側絶縁板７と低温側基板２２とに挟まれて構成されている。
The thermal-electrical direct conversion device 1 has a plurality of thermal-electrical direct
熱−電気直接変換半導体対４は、図１（ａ）において上側が熱を印加する高温側であり、下側が熱を放熱する低温側となる。
In FIG. 1A, the heat-electricity direct
熱−電気直接変換半導体対４の低温側端部は、低温側接合部１２を介して低温側電極６と電気的かつ熱的に接続されている。低温側電極６は、隣接する熱−電気直接変換半導体対４のｐ型半導体２の低温側端部とｎ型半導体３の低温側端部との間を電気的に接続している。
The low temperature side end of the thermoelectric direct
一方、熱−電気直接変換半導体対４の高温側端部には高温側電極５が載置され、１つの熱−電気直接変換半導体対４を構成するｐ型半導体２とｎ型半導体３との間をこの高温側電極５によって電気的に接続する。
On the other hand, the high
熱−電気直接変換半導体対４の高温側端部に熱が印加され、高温側端部と低温側端部との間に温度差が生じると、ｐ型半導体２の内部では高温側から低温側に、逆にｎ型半導体３の内部では低温側から高温側に電流が流れる。
When heat is applied to the high temperature side end of the thermoelectric direct
複数ある熱−電気直接変換半導体対４はそれぞれ高温側電極５及び低温側電極６を介して順次に接続されているため、各熱−電気直接変換半導体対４は電気的には直列接続の形態で電気エネルギーを生成することになる。直列接続された熱−電気直接変換半導体対４のうち、両端に位置する熱−電気直接変換半導体対４からは電流取出部１０を介して外部に電気エネルギーを取り出すことができる。
Since the plurality of thermal-electrical direct conversion semiconductor pairs 4 are sequentially connected via the high-
なお、電流取出部１０に電流を印加することにより、熱−電気直接変換装置１を電気エネルギーから熱への変換装置として機能させることもできる。
In addition, by applying a current to the
低温側基板２２は、上記の低温側電極６と、低温側絶縁板８と、低温系統への熱放出部２４とを備えて構成される。
The low
より具体的には、低温側絶縁板８は例えばセラミック板で形成され、このセラミック板の両面に金属板を接合することにより、低温側電極６と低温系統への熱放出部２４とが一体的に形成される。この際、複数ある各低温側電極６は相互に分割され、低温側絶縁板接合部２３を介して低温側絶縁板８の上にパッチ状に接合される。他方、低温系統への熱放出部２４を形成する金属板は、低温側絶縁板８の低温側の略全面に渡って形成される。
More specifically, the low temperature
このように低温側絶縁板８の表面に予め低温側電極６と低温側系統への熱放出部２４とを接合させて低温側基板２２を一体的に形成することにより、熱−電気直接変換装置１の組み立て作業が簡素化される。さらに、低温側絶縁板８と低温側電極６および低温側系統への熱放出部２４との接合強度が高くまた両者の密着度も高く形成できるため、耐久性に優れた熱−電気直接変換装置１が得られる。
In this way, the low-
なお、低温側電極６および低温側系統への熱放出部２４を形成する金属板の材料としては、耐熱性及び電気伝導性あるいは熱伝導性の点から、銅、銀、アルミニウム、錫、鉄基合金、ニッケル、ニッケル基合金、チタン、チタン基合金から選択される少なくとも１種から成ることが好ましい。
In addition, as a material of the metal plate which forms the low
また、低温側絶縁板８を形成するセラミック板の材料としては、絶縁耐性の安定性の点から、アルミナもしくはアルミナを含有するセラミック、アルミナ粉末を分散含有する金属、窒化珪素もしくは窒化珪素を含有するセラミック、窒化アルミニウムもしくは窒化アルミニウムを含有するセラミック、ジルコニアもしくはジルコニアを含有するセラミック、イットリアもしくはイットリアを含有するセラミック、シリカあるいはシリカを含有するセラミック、ベリリアもしくはベリリアを含有するセラミックから選択される少なくとも１種から構成されることが好ましい。
Further, the material of the ceramic plate forming the low-temperature
他方、熱−電気直接変換半導体対４の高温側端部の構成は低温側とは若干異なる。
On the other hand, the configuration of the high temperature side end of the thermoelectric direct
図１（ｂ）は、熱−電気直接変換半導体対４の高温側の構成部材を示す図である。図１（ｂ）に示したように、熱−電気直接変換半導体対４の高温側端部には、高温側電極５がｐ型半導体２とｎ型半導体３を跨ぐように載置される。この際、熱−電気直接変換半導体対４と高温側電極５との間は非固定の状態とする。これによって、熱−電気直接変換半導体対４が熱変形を生じた場合であってもその熱変形を吸収し、熱−電気直接変換半導体対４の破損を防止することが可能となる。
FIG. 1B is a diagram showing components on the high temperature side of the thermoelectric direct
一方、高温側電極５は非固定であるため、傾斜や振動等による移動を防止する対策を予め講じておく必要がある。カバー部材２７はこのための部材であり、高温側電極５を覆うように高温側電極５の上から配設される。カバー部材２７は、高温側電極５に臨む面に開口を有するバスタブ状の箱状部材で形成されている。カバー部材２７の縁部は、熱−電気直接変換半導体対４の高温側端部の一部まで延びており、これにより高温側電極５をカバー部材２７の内部に収容し、移動を防止することができる。
On the other hand, since the high
カバー部材２７の高温側面（図１において上側の面）には高温側絶縁板７が圧接される。
The high temperature
高温側電極５、カバー部材２７、及び高温側絶縁板７は熱−電気直接変換装置１に印加される熱を熱−電気直接変換半導体対４の高温側端部に高い効率で伝えるため、熱伝導率の高い材料で形成する必要がある。また、これらの構成品は高温環境下、例えば約５００℃以上、で使用されるため、高い耐熱性も要求される。以下にこれらの構成品の材料や細部構造について説明する。
The high
高温側電極５は、ｐ型半導体２とｎ型半導体３とを電気的に接続するものであり、高い電気伝導性が必要となる。このため、例えば銅等の金属材料で形成される。
The high
一方、上述したように高温側電極５とｐ型半導体２或いはｎ型半導体３との端部は非固定の状態であるため、より一層接続部の密着性を高め電気抵抗を低減する必要がある。そこで、本実施形態に係る高温側電極５では、銅線等の金属細線を密に編んだ網状金属部材を用いて形成している。この網状金属部材で形成された高温側電極５を、カバー部材２７を介して高温側絶縁板７で圧接することにより、網状金属部材が有する弾性によって、高温側電極５とｐ型半導体２或いはｎ型半導体３との端部との密着性が向上し、高い電気伝導性が確保できる。また、この密着性の向上により熱伝導性も併せて向上させることができる。
On the other hand, as described above, the end portions of the high
さらに、高温側電極５を網状金属部材で形成することにより、熱−電気直接変換半導体対４の高さ方向の誤差（単体及び個体間のばらつきを含む）を吸収することが可能となる。一般に、熱−電気直接変換半導体対４の高さは、製造誤差や印加される熱の不均一性等によって一定の誤差を生じるが、これらの誤差によって高温側電極５と熱−電気直接変換半導体対４との間の密着性が損なわれ、熱伝導性、電気伝導性の低下の要因となる。網状金属部材で形成された高温側電極５により、これらの誤差を吸収し、高い熱伝導性、電気伝導性を確保することができる。
Furthermore, by forming the high
カバー部材２７は、電気伝導性は要求されないが、高い熱伝導性と耐熱性が要求される。このため、金属材料が用いられる場合がある。この場合にはカバー部材２７が結果的に電気伝導性を有することになる。
The
カバー部材２７は、熱−電気直接変換半導体対４の熱変形を吸収するため、高温側電極５と同様に高温側電極５を覆うように載置されるのみで非固定の状態である。このため、熱−電気直接変換装置１が傾斜したときや振動したときに、隣接するカバー部材２７との接触の可能性を完全には排除できない。
The
そこで、第１の実施形態に係るカバー部材２７では、その外周の全面に電気絶縁層２７ａを設ける形態としている。この電気絶縁層２７ａによって、万一カバー部材２７が隣接するカバー部材２７と接触した場合であっても短絡することが無い。
Therefore, the
隣接する熱−電気直接変換半導体対４同士が短絡するとその熱−電気直接変換半導体対４は発電に寄与しなくなり、熱−電気直接変換装置１全体としての熱電変換効率が低下することになるが、電気絶縁層２７ａを設けることによって熱電変換効率の低下を防止することが可能となる。
When the adjacent heat-electric direct conversion semiconductor pairs 4 are short-circuited, the heat-electric direct conversion semiconductor pairs 4 do not contribute to power generation, and the thermoelectric conversion efficiency of the entire heat-electric direct conversion device 1 is reduced. By providing the electrical insulating
電気絶縁層２７ａは、電気絶縁性を有し、熱伝導率が高くかつ耐熱性に優れた材料が好ましく、例えば、耐熱性塗料、アルマイトを含む酸化皮膜、若しくはセラミック材料、又はそれらの組み合わせによって形成される。
The electrical
また前記セラミック材料としては、同様に電気絶縁性を有し、熱伝導率が高くかつ耐熱性に優れた材料として、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、又は窒化珪素等が用いられる。 In addition, as the ceramic material, for example, alumina, aluminum nitride, silicon nitride, or the like is used as a material having electrical insulation, high thermal conductivity, and excellent heat resistance.
カバー部材２７は、熱伝導率が高くかつ耐熱性に優れた材料が要求され、電気伝導性を有する場合には前記高温側電極よりも電気抵抗の大きな材料で形成されることが好ましい。
The
高温側絶縁板７は、複数のカバー部材２７の全体をほぼ覆うようにこれらの上から圧接するように設けられる。高温側絶縁板７の高温側面には熱が直接印加されるため、高い耐熱性が要求される。また、印加された熱を効率よく熱−電気直接変換半導体対４へ伝えるために高い熱伝導率が必要である。さらに、各熱−電気直接変換半導体対４との電気絶縁性を確保する必要もある。このため、高温側絶縁板７は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のように電気絶縁性を有し、熱伝導率が高くかつ耐熱性に優れた材料を用いたセラミック基板で形成される。
The high temperature
高温側絶縁板７の熱伝導性をさらに高めるため、高温側絶縁板７の両面に熱伝導率の高い金属皮膜（箔）を形成する形態としても良い。例えば、高温側絶縁板７の高温側面のほぼ全面に第１の金属皮膜７ａを設け、その反対側の面（カバー部材２７と接する面）にパッチ上の複数の第２の金属皮膜７ｂを設ける形態とする。
In order to further increase the thermal conductivity of the high temperature
第１、第２の金属皮膜７ａ、７ｂを設けることにより、高温側絶縁板７とその両面に接する構成品との密着性が高まり、熱伝導性を向上することができる。
By providing the first and
なお、第２の金属皮膜７ｂは、カバー部材２７の形状に略対応したパッチ形状とし、隣接するパッチとの間を離隔することにより、熱−電気直接変換半導体対４同士の電気絶縁性を確実にしている。
The
熱−電気直接変換半導体対４を構成するｐ型半導体２およびｎ型半導体３は、熱電変換効率の観点から、および良好な熱電効果を長期間維持することができるという観点から、希土類元素、アクチノイド、コバルト、鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、ニッケル、アンチモン、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケル、錫、シリコン、マンガン、亜鉛、ボロン、炭素、窒素、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、バナジウム、ニオブ、バリウムおよびマグネシウムから選択される少なくとも３種の元素から構成される熱−電気直接変換半導体であることが好ましい。
The p-
また、ｐ型半導体２およびｎ型半導体３の主相の結晶構造は、良好な熱電効果の観点から、スクッテルダイト構造、充填スクッテルダイト構造、ホイスラー構造、ハーフホイスラー構造およびクラスレート構造のうちのいずれか１つ、或いはこれらの混相であることが好ましい。
In addition, the crystal structure of the main phase of the p-
上記のように構成された熱−電気直接変換装置１によれば、熱−電気直接変換半導体対４の高温側の構成品、即ち、高温側電極５、カバー部材２７、及び高温側絶縁板７はいずれも高い熱伝導性と耐熱性を有する材料で形成され、かつ熱的に高い密着性を実現できるため、高温側絶縁板７の表面に印加された熱が効率よく熱−電気直接変換半導体対４に伝わり、高い熱電変換効率を確保することができる。
According to the heat-electric direct conversion device 1 configured as described above, components on the high temperature side of the heat-electric direct
また、高温側電極５及びカバー部材２７は、熱−電気直接変換半導体対４に非固定で載置する形態としているため、熱−電気直接変換半導体対４が熱変形した場合でも接合部に応力集中が生じることが無く、熱−電気直接変換半導体対４の破損を防止することができる。
Moreover, since the high
さらに、カバー部材２７の表面に電気絶縁層２７ａを設けたことにより、カバー部材２７同士の電気的短絡を排除することができる。このため、熱−電気直接変換装置１の傾斜や振動等によってカバー部材２７同士が万一接触した場合であっても隣接する熱−電気直接変換半導体対４同士で電気的短絡が生じるおそれがなく、発電効率の低下を回避することができる。
Furthermore, by providing the electrical insulating
（２）第２の実施形態
図２は、第２の実施形態に係る熱−電気直接変換装置１ａの構造を模式的に示す断面図である。第２の実施形態と第１の実施形態との相違点は、カバー部材２７の電気絶縁層の形態にある。
(2) 2nd Embodiment FIG. 2: is sectional drawing which shows typically the structure of the thermoelectric direct conversion apparatus 1a which concerns on 2nd Embodiment. The difference between the second embodiment and the first embodiment is in the form of an electrical insulating layer of the
第１の実施形態では、カバー部材２７の全表面に電気絶縁層２７ａを設ける形態としている。これに対して、第２の実施形態に係るカバー部材２７は、箱形状の外部に露出している面のみに電気絶縁層２７ｂを設ける形態とし、箱形状の内側の面には電気絶縁層を設けていない。
In the first embodiment, the electrical insulating
隣接するカバー部材２７との電気絶縁を確保するという観点からは、カバー部材２７の外側の面のみに電気絶縁層２７ｂを設ければ充分である。
From the viewpoint of ensuring electrical insulation with the
一方、カバー部材２７の内側の面に電気絶縁層を設けずカバー部材２７を露出させる形態としている。このため、第２の実施形態によれば、カバー部材２７自体が有する電気伝導性によって熱−電気直接変換半導体対４のｐ型半導体２とｎ型半導体３との間に電流を流すことができ、高温側電極５の電気伝導性を補完することが可能となる。
On the other hand, the
なお、第１、第２の実施形態のいずれにおいても、構成部品の酸化等による劣化を防止するために、熱−電気直接変換装置１、１ａは、不活性ガス雰囲気中に配設されることが望ましい。不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンから選択されるガスからなることが好ましい。或いはこれらの混合ガスでもよい。これらの非酸化性の気体中に設置し、熱−電気直接変換装置１、１ａの周囲雰囲気を非活性とすることにより、ｐ型半導体２或いはｎ型半導体３等の構成部品が酸化等により劣化することが効果的に防止でき長期にわたって高い変換効率を維持できる熱−電気直接変換装置１、１ａが得られる。
In both the first and second embodiments, the thermal-electrical direct conversion devices 1 and 1a are disposed in an inert gas atmosphere in order to prevent deterioration of components due to oxidation or the like. Is desirable. The inert gas is preferably composed of a gas selected from nitrogen, helium, neon, argon, krypton and xenon. Or these mixed gas may be sufficient. The components such as the p-
（３）第３の実施形態
図３は、第３の実施形態に係る熱−電気直接変換装置１ｂの外観を示す斜視図である。また、図４は、図３に示す熱−電気直接変換装置１ｂのＸ−Ｘ矢視断面図である。
(3) Third Embodiment FIG. 3 is a perspective view showing the external appearance of a thermoelectric
第３の実施形態に係る熱−電気直接変換装置１ｂは、複数の熱−電気直接変換半導体対４とその周辺の構成品等を気密筐体３０に収容する形態である。
The thermal-electrical
気密筐体３０は、複数の熱−電気直接変換半導体対４の高温側端部に熱的に接続される高温側絶縁板７を覆う金属蓋２０と、複数の熱−電気直接変換半導体対４の周囲を取り囲む金属枠２１と、複数の熱−電気直接変換半導体対４の低温側端部に熱的に接続される低温側基板２２とから構成されている。気密筐体３０は、複数の熱−電気直接変換半導体対４等からなる内部構成品を外気から遮断するとともに、気密筐体３０の内部を真空もしくは不活性ガス雰囲気に保持する。
The
不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトンおよびキセノンから選択されるガスからなることが好ましい。或いはこれらの混合ガスでもよい。これらの非酸化性の気体を気密筐体３０内に封入し、内部雰囲気を非活性とすることにより、半導体チップ等の構成部品が酸化等により劣化することが効果的に防止でき長期にわたって高い変換効率を維持できる熱−電気直接変換装置１ｂが得られる。
The inert gas is preferably composed of a gas selected from nitrogen, helium, neon, argon, krypton and xenon. Or these mixed gas may be sufficient. By encapsulating these non-oxidizing gases in the
また、熱−電気直接変換装置１ｂにおいて、不活性ガス雰囲気の圧力が、常温で外気圧より低く設定されていることが好ましい。気密筐体３０内の不活性ガス雰囲気の圧力を外気圧より低く設定することにより、高温時の内圧の上昇に伴う破損を防止するとともに気密筐体３０内の不活性ガス雰囲気中に水分が残留することが効果的に防止でき、水分による半導体チップの劣化損傷を効果的に抑止できる。さらに、気密筐体３０内のガス雰囲気における熱伝導性が低下するために、半導体チップから金属枠方向に熱が放散することが防止でき、熱−電気変換効率を高めることができる。
Moreover, in the heat-electricity
気密筐体３０を構成する金属蓋２０および金属枠２１は、例えばニッケル基合金のような耐熱合金もしくは耐熱金属から形成される。金属蓋２０および金属枠２１を形成する耐熱合金もしくは耐熱金属としては、高温度使用環境における耐久性の点から、ニッケル基合金の他、ニッケル、炭素鋼、ステンレス鋼、クロムを含む鉄基合金、シリコンを含む鉄基合金、コバルトを含有する合金又はニッケル若しくは銅を含有する合金のいずれかより選択されることが好ましい。
The
金属蓋２０と金属枠２１とは、例えば溶接によって接合される。この他、金属蓋２０と金属枠２１とを一体的に成形する形態でもよい。金属蓋２０と金属枠２１とを一体成形することによって部品点数が減り組立作業が簡素化される。
The
金属枠２１と低温側基板２２との接合方法は、特に限定されるものではないが、接合強度の点から、溶接、ハンダ付け若しくはロウ付け、拡散接合又は接着剤により接合されていることが好ましい。
The joining method of the
気密筐体３０を構成する低温側基板２２は、基本的には第１の実施形態と同様のものである。ただし、熱−電気直接変換装置１ｂから電流を取り出す電流取出手段１０は、低温側基板２２を貫通する接続手段９を介して熱−電気直接変換半導体対４（直列に接続された熱−電気直接変換半導体対４のうち、両端に位置する熱−電気直接変換半導体対４）と接続されており、気密筐体３０の機密性を維持する形態となっている。
The low
気密筐体３０の内部に収容される熱−電気直接変換半導体対４、高温側電極５、カバー部材２７、高温側絶縁板７はいずれも第１の実施形態と同様のものであり、カバー部材２７には電気絶縁層２７ａが全表面に設けられている。
The thermal-electrical direct
第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる他、気密筐体３０を備えていることにより、熱−電気直接変換装置１ｂを単独で空気中に設置し、高温環境下で長時間動作させても内部構成品の酸化や窒化による劣化を効果的に抑止することが可能となり、長期間にわたって高い熱電変換効率を維持することができる。
According to the third embodiment, in addition to obtaining the same effect as the first embodiment, by providing the
（４）第４の実施形態
図５は、第４の実施形態に係る熱−電気直接変換装置１ｃの構成を示す断面図である。
(4) 4th Embodiment FIG. 5: is sectional drawing which shows the structure of the thermoelectric direct conversion apparatus 1c which concerns on 4th Embodiment.
第４の実施形態と第３の実施形態との相違点は、カバー部材２７の電気絶縁層の形態にある。
The difference between the fourth embodiment and the third embodiment lies in the form of the electrical insulating layer of the
第３の実施形態では、カバー部材２７の全表面に電気絶縁層２７ａを設ける形態としている。これに対して、第４の実施形態に係るカバー部材２７は、箱形状の外部に露出している面のみに電気絶縁層２７ｂを設ける形態とし、箱形状の内側の面には電気絶縁層を設けていない。
In the third embodiment, the electrical insulating
第４の実施形態によれば、第３の実施形態の効果に加えて、カバー部材２７自体が有する電気伝導性によって熱−電気直接変換半導体対４のｐ型半導体２とｎ型半導体３との間に電流を流すことができ、高温側電極５の電気伝導性を補完することが可能となる。
According to the fourth embodiment, in addition to the effects of the third embodiment, the electrical conductivity of the
上記に説明したように、第１乃至第４の実施形態に係る熱−電気直接変換装置１、１ａ、１ｂ、１ｃによれば、高温側電極５を覆うカバー部材２７に電気絶縁層２７ａ、２７ｂを設けることにより、カバー部材２７が互いに接触した場合であっても電気的短絡を防止し、発電効率の低下を回避することが可能であると共に、部品点数が少なく組立工数を低減することができる。
As described above, according to the thermal-electrical
なお、本発明は上記の各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments as they are, and can be embodied by modifying the components without departing from the scope of the invention in the implementation stage. Moreover, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, the constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.
１、１ａ、１ｂ、１ｃ 熱−電気直接変換装置
２ ｐ型半導体
３ ｎ型半導体
４ 熱−電気直接変換半導体対
５ 高温側電極
６ 低温側電極
７ 高温側絶縁板
７ａ 第１の金属皮膜
７ｂ 第２の金属皮膜
８ 低温側絶縁板
１０ 電流取出手段
１２ 低温側接合部
２０ 金属蓋
２１ 金属枠
２２ 低温側基板
２３ 低温側絶縁板接合部
２４ 低温側系統への熱放出部
２７ カバー部材
２７ａ、２７ｂ 電気絶縁層
２８ 絶縁板
３０ 気密筐体
1, 1a, 1b, 1c Thermal-electrical direct conversion device 2 p-type semiconductor 3 n-
Claims (10)
前記熱−電気直接変換半導体対の低温側端部において前記ｐ型半導体とｎ型半導体とを電気的に接続する複数の低温側電極と、
前記複数の低温側電極を介して前記複数の熱−電気直接変換半導体対と熱的に接続される低温側絶縁板と、
前記熱−電気直接変換半導体対の高温側端部において前記ｐ型半導体とｎ型半導体とを電気的に接続する複数の高温側電極と、
前記複数の高温側電極のそれぞれを覆う複数のカバー部材と、
前記複数の高温側電極及び前記カバー部材を介して前記複数の熱−電気直接変換半導体対と熱的に接続される高温側絶縁板と、
を備え、
前記高温側電極は、前記ｐ型半導体と前記ｎ型半導体とを跨ぐように載置され、前記高温側電極と前記熱−電気直接変換半導体対との間は非固定であり、
前記カバー部材は、前記高温側電極を覆うように載置され、前記カバー部材と前記高温側電極の間は非固定であり、
前記カバー部材は、金属材料で形成されると共に前記高温側電極に臨む面に開口を有するバスタブ状の箱状部材で形成され、かつ、前記カバー部材の縁部は前記熱−電気直接変換半導体対の高温側端部の一部まで延出し、
前記カバー部材の少なくとも露出面に、隣接するカバー部材同士の接触による短絡を防止する電気絶縁層を設けたことを特徴とする熱−電気直接変換装置。 a plurality of direct thermal-electric conversion semiconductor pairs consisting of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor;
A plurality of low-temperature side electrodes that electrically connect the p-type semiconductor and the n-type semiconductor at a low-temperature side end of the thermo-electric direct conversion semiconductor pair;
A low temperature side insulating plate thermally connected to the plurality of thermal-electrical direct conversion semiconductor pairs via the plurality of low temperature side electrodes;
A plurality of high-temperature side electrodes that electrically connect the p-type semiconductor and the n-type semiconductor at a high-temperature side end of the thermo-electric direct conversion semiconductor pair;
A plurality of cover members covering each of the plurality of high temperature side electrodes;
A high temperature side insulating plate thermally connected to the plurality of thermal-electrical direct conversion semiconductor pairs via the plurality of high temperature side electrodes and the cover member;
With
The high-temperature side electrode is placed so as to straddle the p-type semiconductor and the n-type semiconductor, and is not fixed between the high-temperature side electrode and the thermo-electric direct conversion semiconductor pair,
The cover member is placed so as to cover the high temperature side electrode, and is not fixed between the cover member and the high temperature side electrode,
The cover member is formed of a bathtub-like box-shaped member formed of a metal material and having an opening on a surface facing the high temperature side electrode, and an edge portion of the cover member is the thermo-electric direct conversion semiconductor pair. Extending to a part of the high temperature side end of
A direct heat-electric conversion device, wherein an electrical insulating layer for preventing a short circuit due to contact between adjacent cover members is provided on at least an exposed surface of the cover member.
前記熱−電気直接変換半導体対の低温側端部において前記ｐ型半導体とｎ型半導体とを電気的に接続する複数の低温側電極と、
前記複数の低温側電極を介して前記複数の熱−電気直接変換半導体対と熱的に接続される低温側絶縁板と、
前記熱−電気直接変換半導体対の高温側端部において前記ｐ型半導体とｎ型半導体とを電気的に接続する複数の高温側電極と、
前記複数の高温側電極のそれぞれを覆う複数のカバー部材と、
前記複数の高温側電極及び前記カバー部材を介して前記複数の熱−電気直接変換半導体対と熱的に接続される高温側絶縁板と、
前記高温側絶縁板を覆う金属蓋、前記複数の熱−電気直接変換半導体対の周囲を取り囲む金属枠および前記低温側絶縁板を具備して形成され、前記複数の熱−電気直接変換半導体対を外気から遮断するとともに内部を真空もしくは不活性ガス雰囲気に保持する気密筐体とを備え、
前記高温側電極は、前記ｐ型半導体と前記ｎ型半導体とを跨ぐように載置され、前記高温側電極と前記熱−電気直接変換半導体対との間は非固定であり、
前記カバー部材は、前記高温側電極を覆うように載置され、前記カバー部材と前記高温側電極の間は非固定であり、
前記カバー部材は、金属材料で形成されると共に前記高温側電極に臨む面に開口を有するバスタブ状の箱状部材で形成され、かつ、前記カバー部材の縁部は前記熱−電気直接変換半導体対の高温側端部の一部まで延出し、
前記カバー部材の少なくとも露出面に、隣接するカバー部材同士の接触による短絡を防止する電気絶縁層を設けたことを特徴とする熱−電気直接変換装置。 a plurality of direct thermal-electric conversion semiconductor pairs consisting of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor;
A plurality of low-temperature side electrodes that electrically connect the p-type semiconductor and the n-type semiconductor at a low-temperature side end of the thermo-electric direct conversion semiconductor pair;
A low temperature side insulating plate thermally connected to the plurality of thermal-electrical direct conversion semiconductor pairs via the plurality of low temperature side electrodes;
A plurality of high-temperature side electrodes that electrically connect the p-type semiconductor and the n-type semiconductor at a high-temperature side end of the thermo-electric direct conversion semiconductor pair;
A plurality of cover members covering each of the plurality of high temperature side electrodes;
A high temperature side insulating plate thermally connected to the plurality of thermal-electrical direct conversion semiconductor pairs via the plurality of high temperature side electrodes and the cover member;
A metal lid that covers the high-temperature side insulating plate, a metal frame that surrounds the plurality of thermal-electrical direct conversion semiconductor pairs, and the low-temperature side insulating plate are formed, and the plural thermal-electrical direct conversion semiconductor pairs are formed. It has an airtight housing that shields it from the outside air and keeps the inside in a vacuum or inert gas atmosphere,
The high-temperature side electrode is placed so as to straddle the p-type semiconductor and the n-type semiconductor, and is not fixed between the high-temperature side electrode and the thermo-electric direct conversion semiconductor pair,
The cover member is placed so as to cover the high temperature side electrode, and is not fixed between the cover member and the high temperature side electrode,
The cover member is formed of a bathtub-like box-shaped member formed of a metal material and having an opening on a surface facing the high temperature side electrode, and an edge portion of the cover member is the thermo-electric direct conversion semiconductor pair. Extending to a part of the high temperature side end of
A direct heat-electric conversion device, wherein an electrical insulating layer for preventing a short circuit due to contact between adjacent cover members is provided on at least an exposed surface of the cover member.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005125404A JP4969793B2 (en) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | Thermal-electrical direct conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005125404A JP4969793B2 (en) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | Thermal-electrical direct conversion device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006303320A JP2006303320A (en) | 2006-11-02 |
| JP4969793B2 true JP4969793B2 (en) | 2012-07-04 |
Family
ID=37471229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005125404A Expired - Fee Related JP4969793B2 (en) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | Thermal-electrical direct conversion device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4969793B2 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007063168A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-02 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Thermoelectric module for thermoelectric generator to produce electrical energy, has insulating layer sections that are separated from one another, where insulating layer electrically insulates electric guide elements from heat source |
| JP6171513B2 (en) * | 2013-04-10 | 2017-08-02 | 日立化成株式会社 | Thermoelectric conversion module and manufacturing method thereof |
| US20180363852A1 (en) * | 2015-08-20 | 2018-12-20 | Samsung Heavy Ind. Co., Ltd. | Thermoelectric power generating module, and thermoelectric power generating device, anti-freezing vaporizer, and vaporized fuel gas liquefaction process device including same |
| JP7151068B2 (en) * | 2016-12-26 | 2022-10-12 | 三菱マテリアル株式会社 | Thermoelectric conversion module with case |
| KR102434260B1 (en) | 2018-06-26 | 2022-08-19 | 엘지이노텍 주식회사 | Thermoelectric element |
| JP2020012629A (en) * | 2019-07-05 | 2020-01-23 | サムスン ヘビー インダストリーズ カンパニー リミテッド | Anti-icing vaporization device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4011692B2 (en) * | 1997-10-30 | 2007-11-21 | シチズンホールディングス株式会社 | Thermoelectric element |
| JP2002026400A (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-25 | Toshiba Corp | Thermoelectric conversion material and element |
| JP2003273413A (en) * | 2002-03-19 | 2003-09-26 | Citizen Watch Co Ltd | Thermoelement and method of manufacturing the same |
| JP4901049B2 (en) * | 2002-11-21 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | Thermoelectric conversion unit |
| JP4488778B2 (en) * | 2003-07-25 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | Thermoelectric converter |
-
2005
- 2005-04-22 JP JP2005125404A patent/JP4969793B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006303320A (en) | 2006-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4686171B2 (en) | Thermal-electrical direct conversion device | |
| US20080163916A1 (en) | Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion apparatus | |
| JP4969793B2 (en) | Thermal-electrical direct conversion device | |
| JP5105718B2 (en) | Thermal-electrical direct conversion device | |
| JP4901350B2 (en) | Thermoelectric conversion device and manufacturing method thereof | |
| JP5444260B2 (en) | Thermoelectric module and power generator | |
| CN107706296B (en) | Thermoelectric device with integrated packaging structure and preparation method thereof | |
| JP4490765B2 (en) | Direct heat-electric converter | |
| JP5159264B2 (en) | Thermoelectric device and thermoelectric module | |
| JP2005277206A (en) | Thermoelectric converter | |
| JP4528571B2 (en) | Direct heat-electric converter | |
| JP2006073632A (en) | Thermoelectric conversion device and method for manufacturing the same | |
| JP6240514B2 (en) | Thermoelectric conversion module | |
| US20130139866A1 (en) | Ceramic Plate | |
| JP5653455B2 (en) | Thermoelectric conversion member | |
| JP6115047B2 (en) | Thermoelectric conversion module and manufacturing method thereof | |
| JP4287262B2 (en) | Thermoelectric converter | |
| JP2006237547A (en) | Thermoelectric conversion module, power generator and cooler using the same | |
| JP5049533B2 (en) | Thermoelectric converter | |
| JP5075707B2 (en) | Thermoelectric device and thermoelectric module | |
| JP6010941B2 (en) | Thermoelectric conversion module with airtight case | |
| JP5761123B2 (en) | Thermoelectric converter | |
| JP4296066B2 (en) | Thermoelectric converter | |
| JP2007258298A (en) | Ceramic circuit substrate and electronic component module using the same | |
| US20220149260A1 (en) | Thermoelectric conversion module |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080310 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100513 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110613 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110823 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111124 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20111201 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20111213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120214 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120222 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120404 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4969793 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150413 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |