JP4967615B2 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、レーザ光を検出するための光検出素子を備えた半導体発光装置に係り、特に、光検出精度が高度に要求される用途で好適に適用可能な半導体発光装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device including a light detection element for detecting laser light, and more particularly to a semiconductor light emitting device that can be suitably applied in applications that require high light detection accuracy.

従来から、光ファイバや、光ディスクなどの用途の半導体発光装置には、これに組み込まれた半導体レーザの光出力レベルを一定にする目的の一環として、光検出機構により半導体レーザのレーザ光を検出することが行われている。この光検出機構は、例えば、レーザ光の一部を分岐させる反射板と、この分岐したレーザ光を検出する半導体光検出器とにより構成することが可能である。ところが、このようにすると、部品点数が多くなるだけでなく、反射板や、半導体光検出器を半導体レーザに対して高精度に配置しなければならないという問題がある。そこで、そのような問題を解決する方策の１つとして、半導体レーザと半導体光検出器とを一体に形成することが考えられる。   2. Description of the Related Art Conventionally, in semiconductor light emitting devices for applications such as optical fibers and optical disks, the laser light of a semiconductor laser is detected by a light detection mechanism as part of the purpose of keeping the light output level of the semiconductor laser incorporated therein. Things have been done. This light detection mechanism can be constituted by, for example, a reflecting plate that branches a part of the laser light and a semiconductor photodetector that detects the branched laser light. However, in this case, not only the number of parts increases, but also there is a problem that the reflector and the semiconductor photodetector must be arranged with high accuracy with respect to the semiconductor laser. Therefore, as one of the measures for solving such a problem, it is conceivable to integrally form the semiconductor laser and the semiconductor photodetector.

しかし、これらを一体に形成すると、半導体光検出器が、本来検出すべき誘導放出光（レーザ光）だけでなく、自然放出光までも検出する可能性がある。そのような場合には、半導体光検出器によって変換された光電流に基づいて計測される半導体レーザの光出力レベルには、自然放出光の分だけ誤差が含まれることとなる。ここで、自然放出光は温度や動作電流などにより変化するものであり、レーザ光と光電流との相関を非線形にするので、この方法も光出力レベルを高精度に制御することが要求される用途には適さない。   However, if these are integrally formed, the semiconductor photodetector may detect not only stimulated emission light (laser light) that should be detected but also spontaneous emission light. In such a case, an error corresponding to the spontaneous emission light is included in the light output level of the semiconductor laser measured based on the photocurrent converted by the semiconductor photodetector. Here, the spontaneous emission light changes depending on the temperature, the operating current, etc., and the correlation between the laser light and the photocurrent is made non-linear, so this method is also required to control the light output level with high accuracy. Not suitable for use.

そこで、特許文献１では、半導体光検出器内の光検出層をレーザ光の定在波の腹の位置に１つ設け、自然放出光よりも誘導放出光を検出し易くする技術が提案されている。また、特許文献２では、半導体光検出器内に制御層を設け、半導体発光素子から入力される自然放出光の一部を半導体光検出器が検出する前に遮断する技術が提案されている。   Therefore, in Patent Document 1, a technique is proposed in which one photodetecting layer in the semiconductor photodetector is provided at the antinode of the standing wave of the laser light so that the stimulated emission light can be detected more easily than the spontaneous emission light. Yes. Patent Document 2 proposes a technique in which a control layer is provided in a semiconductor photodetector and a part of spontaneous emission light input from the semiconductor light emitting element is blocked before the semiconductor photodetector detects the part.

特表２００３−５２２４２１号公報Special table 2003-522421 gazette 特許２８７７７８５号Japanese Patent No. 2877785

しかし、特許文献１では、定在波の腹と節は発振波長λ０の半分の間隔で現れるので、光検出層を極めて薄くすることが要求される。例えば、発振波長λ０が８５０ｎｍの場合には、半導体光検出器内での波長（λ０／ｎ：ｎは半導体光検出器内の屈折率）は２５０ｎｍ程度となり、１２５ｎｍ周期で腹と節が存在することとなるので、光検出層の厚さは厚くても１００ｎｍ程度となる。通常、光検出層の厚さはμｍオーダであることから勘案すると、特許文献１の技術では、半導体光検出器によって充分な量の誘導放出光を光電流に変換することは困難であり、光検出精度を向上させることは容易ではない。 However, in Patent Document 1, since the antinodes and nodes of the standing wave appear at half the oscillation wavelength λ 0 , it is required to make the photodetection layer extremely thin. For example, when the oscillation wavelength λ 0 is 850 nm, the wavelength in the semiconductor photodetector (λ 0 / n: n is the refractive index in the semiconductor photodetector) is about 250 nm, and the antinodes and nodes have a period of 125 nm. Since it exists, the thickness of the photodetection layer is about 100 nm even if it is thick. Considering that the thickness of the photodetection layer is usually on the order of μm, it is difficult to convert a sufficient amount of stimulated emission light into photocurrent by the semiconductor photodetector in the technique of Patent Document 1, It is not easy to improve detection accuracy.

また、特許文献２では、制御層は半導体光検出器を構成する半導体物質の一部を酸化することにより形成されるものである。しかし、酸化された半導体物質は自然放出光を選択的に反射させることができないので、自然放出光を多少透過してしまう。また、制御層のうち酸化されていない部分は自然放出光をほとんど減衰することなく透過してしまう。そのため、特許文献１の技術では、半導体光検出器による自然放出光の検出レベルを十分に低減することができず、光検出精度を向上させることができないという問題がある。   Moreover, in patent document 2, a control layer is formed by oxidizing a part of semiconductor substance which comprises a semiconductor photodetector. However, since the oxidized semiconductor material cannot selectively reflect the spontaneous emission light, the spontaneous emission light is somewhat transmitted. Further, the non-oxidized portion of the control layer transmits the spontaneous emission light with almost no attenuation. For this reason, the technique of Patent Document 1 has a problem that the level of spontaneous emission light detected by the semiconductor photodetector cannot be sufficiently reduced, and the light detection accuracy cannot be improved.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、光検出精度を向上させることの可能な半導体発光装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a semiconductor light emitting device capable of improving the light detection accuracy.

本発明の半導体発光装置は、積層構造と、光検出層とを備えている。積層構造は、第１導電型の第１半導体層、活性層、および第２導電型の第２半導体層をこの順に含んで構成されており、基本波光と、基本波光の１／２倍の波長のＳＨＧ(Second Harmonic Generation)光とを含む光を発するようになっている。光検出層は、基本波光の波長に相当するエネルギーより大きく、基本波光の波長に相当するエネルギーの２倍以下のバンドギャップを有している。 Semiconductors light emitting device of the present invention includes a laminated structure, a light-detecting layer. The laminated structure includes a first conductive type first semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type second semiconductor layer in this order, and has a fundamental wave light and a wavelength that is ½ times the fundamental wave light. The SHG (Second Harmonic Generation) light is emitted. The photodetection layer has a band gap that is larger than the energy corresponding to the wavelength of the fundamental wave light and not more than twice the energy corresponding to the wavelength of the fundamental wave light.

本発明の半導体発光装置では、基本波光の波長に相当するエネルギーより大きく、基本波光の波長に相当するエネルギーの２倍以下のバンドギャップを有する光検出層が設けられている。これにより、積層構造内で発生した光のうち基本波光は光検出層で吸収されず光検出層を透過するが、基本波光の強度のほぼ二乗に比例した強度の第２高調波光であるＳＨＧ光が光検出層で吸収され光電流に変換される。 In the semiconductor light emitting device of the present invention, a light detection layer having a band gap larger than the energy corresponding to the wavelength of the fundamental light and not more than twice the energy corresponding to the wavelength of the fundamental light is provided . As a result, the fundamental wave light out of the light generated in the laminated structure is not absorbed by the photodetection layer but is transmitted through the photodetection layer, but SHG light that is the second harmonic light having an intensity proportional to the square of the intensity of the fundamental wave light. Is absorbed by the photodetection layer and converted into a photocurrent.

本発明の半導体発光装置によれば、基本波光の波長に相当するエネルギーより大きく、基本波光の波長に相当するエネルギーの２倍以下のバンドギャップを有する光検出層を設けるようにしたので、積層構造内で発生した光のうち基本波光を光検出層で吸収しないでＳＨＧ光を光検出層で吸収し光電流に変換することができる。 According to the semiconductor light emitting device of the present invention, the photodetection layer having a band gap larger than the energy corresponding to the wavelength of the fundamental light and not more than twice the energy corresponding to the wavelength of the fundamental light is provided. SHG light can be absorbed by the light detection layer without being absorbed by the light detection layer among the light generated in the light, and converted into a photocurrent.

ここで、ＳＨＧ光は基本波光の強度のほぼ二乗に比例した強度で発生するので、基本波光のうち強度の大きな誘導放出光によって主に発生し、強度の小さな自然放出光によって発生することはほとんどない。つまり、ＳＨＧ光は積層構造内で発生する基本波光に主に含まれる誘導放出光によって主に発生する。これにより、誘導放出光の割合の多い光を光検出層で検出することができるので、光検出層で変換される光電流は温度や動作電流などにより変化する自然放出光の影響をほとんど受けなくなる。その結果、光検出精度が向上する。   Here, since the SHG light is generated with an intensity that is approximately proportional to the square of the intensity of the fundamental wave light, it is mainly generated by stimulated emission light having a high intensity among the fundamental wave light, and is hardly generated by spontaneous emission light having a low intensity. Absent. That is, SHG light is mainly generated by stimulated emission light mainly included in the fundamental wave light generated in the laminated structure. As a result, light with a high proportion of stimulated emission light can be detected by the photodetection layer, so that the photocurrent converted by the photodetection layer is hardly affected by spontaneous emission light that varies with temperature, operating current, etc. . As a result, the light detection accuracy is improved.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置１の断面構成を表すものである。この半導体発光装置１は、半導体光検出器１０および面発光型半導体レーザ２０を一体に形成したものである。 [First Embodiment]
FIG. 1 shows a cross-sectional configuration of a semiconductor light emitting device 1 according to a first embodiment of the present invention. The semiconductor light emitting device 1 is obtained by integrally forming a semiconductor photodetector 10 and a surface emitting semiconductor laser 20.

この半導体発光装置１は、面発光型半導体レーザ２０のレーザ光がｎ側電極２８（後述）側から外部に射出されると共に半導体光検出器１０側に漏れ出し、この半導体光検出器１０側に漏れ出したレーザ光の出力レベルに応じた光電流が半導体光検出器１０から出力されるようになっている。すなわち、この半導体発光装置１は、面発光型半導体レーザ２０のレーザ光が外部に射出される側とは反対側に半導体光検出器１０を配置して構成したものである。なお、図１は、模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。   The semiconductor light emitting device 1 emits laser light from the surface emitting semiconductor laser 20 from the n-side electrode 28 (described later) side to the outside and leaks to the semiconductor photodetector 10 side. A photocurrent corresponding to the output level of the leaked laser light is output from the semiconductor photodetector 10. That is, the semiconductor light emitting device 1 is configured by disposing the semiconductor photodetector 10 on the side opposite to the side where the laser light of the surface emitting semiconductor laser 20 is emitted to the outside. Note that FIG. 1 is a schematic representation and is different from actual dimensions and shapes.

（面発光型半導体レーザ２０）
面発光型半導体レーザ２０は、半導体光検出器１０上に、ｐ型ＤＢＲ層２１（多層膜反射鏡）、電流狭窄層２２、下部クラッド層２３、活性層２４、上部クラッド層２５、ｎ型ＤＢＲ層２６（多層膜反射鏡）およびｎ型コンタクト層２７をこの順に積層してなる積層構造を備えている。 (Surface emitting semiconductor laser 20)
The surface emitting semiconductor laser 20 includes a p-type DBR layer 21 (multilayer reflector), a current confinement layer 22, a lower cladding layer 23, an active layer 24, an upper cladding layer 25, an n-type DBR on the semiconductor photodetector 10. A layered structure in which the layer 26 (multilayer film reflecting mirror) and the n-type contact layer 27 are stacked in this order is provided.

ｐ型ＤＢＲ層２１は、低屈折率層（図示せず）および高屈折率層（図示せず）を交互に積層して構成されたものである。この低屈折率層は、例えば厚さがλ０／４ｎ１（λ０は発振波長、ｎ１ は屈折率）のｐ型Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓ（０＜ｘ１≦１）、高屈折率層は、例えば厚さがλ０／４ｎ２(ｎ２は屈折率）のｐ型Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ（０≦ｘ２＜ｘ１）によりそれぞれ構成されている。なお、ｐ型不純物としては、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ベリリウム（Ｂｅ）などが挙げられる。 The p-type DBR layer 21 is configured by alternately laminating low refractive index layers (not shown) and high refractive index layers (not shown). This low refractive index layer is, for example, p-type Al x1 Ga 1-x1 As (0 <x1 ≦ 1) having a thickness of λ 0 / 4n 1 (where λ 0 is an oscillation wavelength and n 1 is a refractive index), a high refractive index. The layers are each composed of, for example, p-type Al x2 Ga 1-x2 As (0 ≦ x2 <x1) having a thickness of λ 0 / 4n 2 (n 2 is a refractive index). Examples of p-type impurities include zinc (Zn), magnesium (Mg), and beryllium (Be).

電流狭窄層２２は面発光型半導体レーザ２０の側面から所定の深さまでの領域にリング状の電流狭窄領域２２Ａを有し、それ以外の領域が電流注入領域２２Ｂとなっている。ここで、電流注入領域２２Ｂは、例えばｐ型Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓ（０＜ｘ３≦１）からなる。電流狭窄領域２２Ａは、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）を含んで構成され、後述するように、ｐ型Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３Ａｓからなる電流狭窄層２２Ｄをその側面から酸化することにより得られたものである。従って、電流狭窄層２２は電流を狭窄する機能を有している。 The current confinement layer 22 has a ring-shaped current confinement region 22A in a region from the side surface of the surface emitting semiconductor laser 20 to a predetermined depth, and the other region is a current injection region 22B. Here, the current injection region 22B is made of, for example, p-type Al x3 Ga 1-x3 As (0 <x3 ≦ 1). The current confinement region 22A includes Al 2 O 3 (aluminum oxide), and is obtained by oxidizing a current confinement layer 22D made of p-type Al x3 Ga 1-x3 As from its side surface, as will be described later. It is a thing. Therefore, the current confinement layer 22 has a function of confining current.

下部クラッド層２３は、例えばＡｌｘ４Ｇａ１−ｘ４Ａｓ（０≦ｘ４≦１）により構成されている。活性層２４は、例えばＡｌｘ５Ｇａ１−ｘ５Ａｓ（０≦ｘ５≦１）により構成され、電流注入領域２２Ｂと対向する領域に発光領域２４Ａを有している。上部クラッド層２５は、例えばＡｌｘ６Ｇａ１−ｘ６Ａｓ（０≦ｘ６≦１）により構成されている。 The lower cladding layer 23 is made of, for example, Al x4 Ga 1-x4 As (0 ≦ x4 ≦ 1). The active layer 24 is made of, for example, Al x5 Ga 1-x5 As (0 ≦ x5 ≦ 1), and has a light emitting region 24A in a region facing the current injection region 22B. The upper cladding layer 25 is made of, for example, Al x6 Ga 1-x6 As (0 ≦ x6 ≦ 1).

ｎ型ＤＢＲ層２６は、低屈折率層（図示せず）および高屈折率層（図示せず）を交互に積層して構成されたものである。低屈折率層は、例えば厚さがλ０／４ｎ３（ｎ３は屈折率）のｎ型Ａｌｘ７Ｇａ１−ｘ７Ａｓ（０＜ｘ７≦１）、高屈折率層は、例えば厚さがλ０／４ｎ４（ｎ４は屈折率）のｎ型Ａｌｘ８Ｇａ１−ｘ８Ａｓ（０≦ｘ８＜ｘ７）によりそれぞれ構成されている。なお、ｎ型不純物としては、例えばケイ素（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）などが挙げられる。 The n-type DBR layer 26 is configured by alternately laminating low refractive index layers (not shown) and high refractive index layers (not shown). The low refractive index layer is, for example, an n-type Al x7 Ga 1-x7 As (0 <x7 ≦ 1) having a thickness of λ 0 / 4n 3 (where n 3 is a refractive index), and the high refractive index layer has a thickness of, for example, λ 0 / 4n 4 (n 4 is a refractive index) n-type Al x8 Ga 1-x8 As (0 ≦ x8 <x7). Examples of n-type impurities include silicon (Si) and selenium (Se).

ｎ型コンタクト層２７は、例えばｎ型ＧａＡｓにより構成されている。面発光型半導体レーザ２０はまた、ｎ型コンタクト層２７の表面のうち中央部分に開口部を有するリング状のｎ側電極２８を有している。ここで、ｎ側電極２８は、例えば金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金，ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）とをこの順に積層した構造を有しており、ｎ型コンタクト層２７と電気的に接続されている。   The n-type contact layer 27 is made of, for example, n-type GaAs. The surface emitting semiconductor laser 20 also has a ring-shaped n-side electrode 28 having an opening at the center of the surface of the n-type contact layer 27. Here, the n-side electrode 28 has a structure in which, for example, an alloy of gold (Au) and germanium (Ge), nickel (Ni), and gold (Au) are stacked in this order, and the n-type contact layer 27. And are electrically connected.

（半導体光検出器１０）
半導体光検出器１０は、ｎ型傾斜基板１１上に、ｎ型バッファ層１２、ｎ型ＤＢＲ層１３（多層膜反射鏡）、光検出層１４およびｐ型コンタクト層１５をこの順に積層して構成されている。 (Semiconductor photodetector 10)
The semiconductor photodetector 10 is configured by laminating an n-type buffer layer 12, an n-type DBR layer 13 (multilayer film reflector), a photodetection layer 14 and a p-type contact layer 15 in this order on an n-type inclined substrate 11. Has been.

ｎ型傾斜基板１１は、通常の平な結晶面（１００）に比べて斜めになっている結晶面を有する半導体基板である。ここで、傾斜基板としてＧａＡｓ基板を用いた場合には、結晶面としては、例えば、（０１１）面、（２１１）面、（３１１）面、（４１１）面などがある。ｎ型バッファ層１２は例えばｎ型ＧａＡｓにより構成されている。ｎ型ＤＢＲ層１３は、低屈折率層（図示せず）および高屈折率層（図示せず）を交互に積層して構成されたものであり、上記ｐ型ＤＢＲ層２１と共に共振器の一方のミラーを構成している。低屈折率層は、例えば厚さがλ０／４ｎ３（ｎ３は屈折率）のｎ型Ａｌｘ９Ｇａ１−ｘ９Ａｓ（０＜ｘ９≦１）、高屈折率層は、例えば厚さがλ０／４ｎ５（ｎ５は屈折率）のｎ型Ａｌｘ１０Ｇａ１−ｘ１０Ａｓ（０≦ｘ１０＜ｘ９）によりそれぞれ構成されている。ｐ型コンタクト層１５は例えばｐ型ＧａＡｓにより構成されている。 The n-type inclined substrate 11 is a semiconductor substrate having a crystal plane that is slanted compared to a normal flat crystal plane (100). Here, when a GaAs substrate is used as the inclined substrate, examples of the crystal plane include a (011) plane, a (211) plane, a (311) plane, and a (411) plane. The n-type buffer layer 12 is made of, for example, n-type GaAs. The n-type DBR layer 13 is configured by alternately laminating a low refractive index layer (not shown) and a high refractive index layer (not shown), and one of the resonators together with the p-type DBR layer 21. The mirror is configured. The low refractive index layer is, for example, an n-type Al x9 Ga 1-x9 As (0 <x9 ≦ 1) having a thickness of λ 0 / 4n 3 (where n 3 is a refractive index), and the high refractive index layer has a thickness of, for example, λ 0 / 4n 5 (n 5 is a refractive index) n-type Al x10 Ga 1-x10 As (0 ≦ x10 <x9). The p-type contact layer 15 is made of, for example, p-type GaAs.

光検出層１４は、活性層２４のバンドギャップよりも大きく活性層２４のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体、すなわち、発振波長λ０に相当するエネルギーよりも大きく発振波長λ０に相当するエネルギーの２倍以下のバンドギャップを有する半導体からなる。また、この光検出層１４は、実質的にノンドープの半導体により構成されている。ここで、「実質的にノンドープの半導体」とは、ｐ型およびｎ型のいずれの不純物も全くドープされていない半導体、または、吸収した光を光電流に変換することの可能な程度にわずかな不純物がドープされている半導体も含まれる概念である。なお、光検出層１４は、ｎ型ＤＢＲ層１３およびｐ型ＤＢＲ層２１よりも低い濃度のｐ型またはｎ型の不純物がドープされた半導体により構成されていてもよい。 The photodetection layer 14 is a semiconductor having a band gap larger than the band gap of the active layer 24 and not more than twice the band gap of the active layer 24, that is, greater than the energy corresponding to the oscillation wavelength λ 0 and having an oscillation wavelength λ 0 . It is made of a semiconductor having a band gap equal to or less than twice the corresponding energy. The photodetection layer 14 is substantially composed of a non-doped semiconductor. Here, “substantially non-doped semiconductor” means a semiconductor in which neither p-type or n-type impurities are doped at all, or so small that the absorbed light can be converted into a photocurrent. It is a concept that includes a semiconductor doped with impurities. The photodetection layer 14 may be made of a semiconductor doped with a p-type or n-type impurity having a lower concentration than the n-type DBR layer 13 and the p-type DBR layer 21.

このように、光検出層１４は、ｐ型またはｎ型の不純物が全くドープされていないか、または少量ドープされた半導体により構成されているので、光検出層１４は、面発光型半導体レーザ２０から出力されるレーザ光のうち基本波光（発振波長λ０の光）を吸収しないで基本波光の強度のほぼ二乗に比例した強度の第２高調波光（ＳＨＧ光）を吸収すると共に、吸収した光を光電流に変換するように機能する。なお、光検出層１４で発生した光電流は、半導体光検出器１０に接続された光出力演算回路（図示せず）に光出力モニタ信号として入力され、光出力演算回路において面発光型半導体レーザ２０からｎ側電極２８側（外部）に出力されたレーザ光の出力レベルを計測するために用いられる。 Thus, since the photodetection layer 14 is composed of a semiconductor that is not doped with p-type or n-type impurities at all or is lightly doped, the photodetection layer 14 is composed of a surface emitting semiconductor laser 20. The second harmonic light (SHG light) having an intensity proportional to the square of the intensity of the fundamental wave light without absorbing the fundamental wave light (light having the oscillation wavelength λ 0 ) of the laser light output from the laser light is absorbed. To convert photocurrent into photocurrent. The photocurrent generated in the photodetection layer 14 is input as a light output monitor signal to a light output arithmetic circuit (not shown) connected to the semiconductor photodetector 10, and the surface emitting semiconductor laser is used in the light output arithmetic circuit. This is used to measure the output level of the laser beam output from 20 to the n-side electrode 28 side (external).

ここで、基本波光の波長λ０が９８０ｎｍの場合には、ＳＨＧ光の波長はλ０の１／２である４９０ｎｍとなるので、波長９８０ｎｍの光を吸収せず波長４９０ｎｍの光を吸収する半導体としては、例えば、ＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＺｎＭｇＳＳｅなどがある。なお、基本波光の波長λ０が９８０ｎｍ以外の場合には、その波長の光を吸収せずその波長の１／２となる波長の光を吸収する半導体により光検出層１４を構成すればよい。 Here, when the wavelength λ 0 of the fundamental wave light is 980 nm, the wavelength of the SHG light is 490 nm which is ½ of λ 0. Therefore, the semiconductor does not absorb the light of wavelength 980 nm but absorbs the light of wavelength 490 nm. Examples include GaAs, GaInP, AlInP, AlGaAs, AlGaInP, and ZnMgSSe. If the wavelength λ 0 of the fundamental wave light is other than 980 nm, the light detection layer 14 may be formed of a semiconductor that does not absorb light of that wavelength and absorbs light of a wavelength that is ½ of that wavelength.

また、光検出層１４は、ｎ型ＤＢＲ層１３およびｐ型ＤＢＲ層２１とｎ型ＤＢＲ層２６とにより構成される共振器の内部に配置されており、例えば図１に示したように、ｎ型ＤＢＲ層１３とｐ型ＤＢＲ層２１との間に設けられている。そのため、光検出層１４を共振器のミラーとして利用しない場合には共振器の光学的な周期構造を乱さないような構成とすることが好ましいが、共振器のミラーとして利用する場合にはｎ型ＤＢＲ層１３およびｐ型ＤＢＲ層２１と共に共振器の光学的な周期構造をなすように構成することが好ましい。もっとも、光検出層１４を単一の層で構成する必要はなく、複数層で構成してもよい。このように光検出層１４を複数層で構成する場合には、各層を互いに異なる不純物濃度で構成してもよいし、互いに異なる半導体材料で構成してもよい。また、光検出層１４へのＳＨＧ光の入射量を多くしたい場合には、光検出層１４を活性層２４寄りに設けることが好ましいが、光検出層１４へのＳＨＧ光の入射量が少なくても入射したＳＨＧ光を精度よく検出することが可能である場合には、光検出層１４を共振器の端部または外部に設けてもよい。例えば、図２の半導体発光装置２に示したように、ｐ型ＤＢＲ層２１を厚く形成してｎ型ＤＢＲ層２６およびｐ型ＤＢＲ層２１だけで共振器を構成し、かつｐ型ＤＢＲ層２１と共に共振器の光学的な周期構造をなさないｎ型半導体層１８をｎ型ＤＢＲ層１３の代わりに設けることにより、光検出層１４を共振器の外部に配置することができる。   The photodetection layer 14 is disposed inside a resonator constituted by the n-type DBR layer 13, the p-type DBR layer 21 and the n-type DBR layer 26. For example, as shown in FIG. Provided between the type DBR layer 13 and the p-type DBR layer 21. For this reason, when the photodetection layer 14 is not used as a resonator mirror, it is preferable that the optical periodic structure of the resonator is not disturbed. However, when the photodetection layer 14 is used as a resonator mirror, it is n-type. The DBR layer 13 and the p-type DBR layer 21 are preferably configured so as to form an optical periodic structure of a resonator. However, the photodetection layer 14 need not be composed of a single layer, and may be composed of a plurality of layers. When the photodetection layer 14 is constituted by a plurality of layers as described above, each layer may be constituted by different impurity concentrations, or may be constituted by different semiconductor materials. In order to increase the amount of SHG light incident on the light detection layer 14, it is preferable to provide the light detection layer 14 closer to the active layer 24. However, the amount of SHG light incident on the light detection layer 14 is small. If the incident SHG light can be detected with high accuracy, the light detection layer 14 may be provided at the end of the resonator or outside. For example, as shown in the semiconductor light emitting device 2 of FIG. 2, the p-type DBR layer 21 is formed thick so that the n-type DBR layer 26 and the p-type DBR layer 21 alone constitute a resonator, and the p-type DBR layer 21 is formed. In addition, by providing the n-type semiconductor layer 18 that does not form the optical periodic structure of the resonator instead of the n-type DBR layer 13, the photodetection layer 14 can be disposed outside the resonator.

また、光検出層１４は、基本波光とＳＨＧ光との屈折率差が小さくなる、すなわち基本波光とＳＨＧ光とが位相整合するような構成となっていることが好ましい。また、図３の半導体発光装置３に示したように、基本波光とＳＨＧ光とが光検出層１４に入射する際に位相整合するように、光検出層１４の活性層２４側の表面に位相整合層１９を接して設けてもよい。基本波光およびＳＨＧ光が光検出層１４に入射する際に位相整合していないと、面発光型半導体レーザ２０内で発生したＳＨＧ光同士が打ち消しあってしまい、面発光型半導体レーザ２０側から光検出層１４に入射するＳＨＧ光の強度が極端に低下する虞があるからである。ここで、位相整合層１９は、例えば、基本波光の進行速度が相対的に早くなりＳＨＧ光の進行速度が相対的に遅くなる半導体層と、基本波光の進行速度が相対的に遅くなりＳＨＧ光の進行速度が相対的に早くなる半導体層とを積層した積層構造を有しており、位相整合層１９の光出力側の表面（光検出層１４と位相整合層１９との界面）において基本波光およびＳＨＧ光のそれぞれの進行速度を実質的に等しくするようになっている。   The light detection layer 14 preferably has a configuration in which the difference in refractive index between the fundamental wave light and the SHG light is small, that is, the fundamental wave light and the SHG light are phase-matched. Further, as shown in the semiconductor light emitting device 3 of FIG. 3, the phase of the fundamental wave light and the SHG light is phase-adjusted on the surface of the light detection layer 14 on the active layer 24 side so as to be phase matched when incident on the light detection layer 14. The matching layer 19 may be provided in contact therewith. If the fundamental wave light and the SHG light are not phase-matched when entering the light detection layer 14, the SHG light generated in the surface-emitting type semiconductor laser 20 cancels each other, and light is emitted from the surface-emitting type semiconductor laser 20 side. This is because the intensity of the SHG light incident on the detection layer 14 may be extremely reduced. Here, the phase matching layer 19 includes, for example, a semiconductor layer in which the traveling speed of the fundamental wave light is relatively fast and the traveling speed of the SHG light is relatively slow, and the traveling speed of the fundamental wave light is relatively slow and the SHG light. And a semiconductor layer having a relatively fast traveling speed, and the fundamental wave light on the surface of the phase matching layer 19 on the light output side (interface between the light detection layer 14 and the phase matching layer 19). The traveling speeds of the SHG light and the SHG light are made substantially equal.

また、光検出層１４は、ＳＨＧ変換効率ηＳＨＧの大きな材料により構成されていることが好ましい。光検出層１４に入射した基本波光を光検出層１４内でＳＨＧ光に変換することが可能となるからである。ＳＨＧ変換効率ηＳＨＧは以下の数１に示した式で表すことができる。

Figure 0004967615
The photodetection layer 14 is preferably made of a material having a large SHG conversion efficiency η SHG . This is because the fundamental wave light incident on the light detection layer 14 can be converted into SHG light in the light detection layer 14. The SHG conversion efficiency η SHG can be expressed by the following equation (1).
Figure 0004967615

ここで、Ｐｆ ２は基本波光の光出力（Ｗ）、ＰＳＨ ２はＳＨＧ光の光出力（Ｗ）、ε０は誘電率（Ｆ／ｍ）、μ０は透磁率（Ｈ／ｍ）、ωは基本波光の角振動数（ｒａｄ／ｓ）、ｄは二次の非線形光学係数（ｍ／Ｖ）、ｌはＳＨＧ媒質の長さ（ｍ）、ｎＳＨはＳＨＧ光の屈折率（無次元量）、Δｋは基本波光とＳＨＧ光の伝搬定数の相違（／ｍ）、Ａは断面積（ｍ２）である。 Here, P f 2 is the light output (W) of the fundamental wave light, P SH 2 is the light output (W) of the SHG light, ε 0 is the dielectric constant (F / m), and μ 0 is the magnetic permeability (H / m). , Ω is the angular frequency (rad / s) of the fundamental wave light, d is the second-order nonlinear optical coefficient (m / V), l is the length of the SHG medium (m), and n SH is the refractive index of the SHG light (none (Dimensional amount), Δk is a difference in propagation constant between fundamental wave light and SHG light (/ m), and A is a cross-sectional area (m 2 ).

表１に、ＳＨＧ変換効率ηＳＨＧの大きな材料の一部を列挙した。表１には、基本波光の吸収係数αがゼロでない、すなわち基本波光の一部を吸収する材料も列挙されているが、これらの材料における二次の非線形光学係数ｄは充分に大きいので、これらの材料によって吸収されなかった基本波光からＳＨＧ光を発生させることが可能である。従って、基本波光の吸収係数αがゼロでない材料であっても二次の非線形光学係数ｄが充分に大きな材料であれば、光検出層１４の材料として利用可能である。

Figure 0004967615
Table 1 lists some of the materials with large SHG conversion efficiency η SHG . Table 1 also lists materials whose fundamental light absorption coefficient α is not zero, that is, materials that absorb part of the fundamental light. However, since the second-order nonlinear optical coefficient d in these materials is sufficiently large, It is possible to generate SHG light from fundamental light that has not been absorbed by the material. Therefore, even if the absorption coefficient α of the fundamental wave light is not zero, any material having a sufficiently large second-order nonlinear optical coefficient d can be used as the material of the light detection layer 14.
Figure 0004967615

このような構成を有する半導体発光装置１は、例えば、次のようにして製造することができる。   The semiconductor light emitting device 1 having such a configuration can be manufactured, for example, as follows.

図４、図５および図６はその製造方法を工程順に表したものである。半導体発光装置１を製造するためには、ｎ型ＧａＡｓからなるｎ型傾斜基板１１上にＧａＡｓ系化合物半導体からなる半導体層を、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ：有機金属気相成長）法により一括に形成する。この際、ＧａＡｓ系化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、アルシン (ＡｓＨ３)を用い、ドナー不純物の原料としては、例えばセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えばジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）を用いる。 4, 5, and 6 show the manufacturing method in the order of steps. In order to manufacture the semiconductor light emitting device 1, a semiconductor layer made of a GaAs compound semiconductor is formed on an n-type inclined substrate 11 made of n-type GaAs, for example, by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) method. It forms in a lump. At this time, for example, trimethylaluminum (TMA), trimethylgallium (TMG), or arsine (AsH 3 ) is used as a raw material for the GaAs compound semiconductor, and for example, hydrogen selenide (H 2 Se) is used as the source material for the donor impurity. As the acceptor impurity raw material, for example, dimethyl zinc (DMZn) is used.

具体的には、まず、ｎ型傾斜基板１１上に、ｎ型バッファ層１２、ｎ型ＤＢＲ層１３、光検出層１４、ｐ型コンタクト層１５、ｐ型ＤＢＲ層２１、電流狭窄層２２Ｄ、下部クラッド層２３、活性層２４、上部クラッド層２５、ｎ型ＤＢＲ層２６、ｎ型コンタクト層２７をこの順に積層する（図４）。   Specifically, first, an n-type buffer layer 12, an n-type DBR layer 13, a photodetection layer 14, a p-type contact layer 15, a p-type DBR layer 21, a current confinement layer 22D, a lower portion, The clad layer 23, the active layer 24, the upper clad layer 25, the n-type DBR layer 26, and the n-type contact layer 27 are laminated in this order (FIG. 4).

次に、ｎ型コンタクト層２７の表面のうち所定の領域にマスク（図示せず）を形成したのち、例えばドライエッチング法によりｎ型コンタクト層２７からｐ型ＤＢＲ層２１までを選択的に除去してメサ形状を形成し、その後、マスクを除去する（図５）。   Next, after forming a mask (not shown) in a predetermined region of the surface of the n-type contact layer 27, the n-type contact layer 27 to the p-type DBR layer 21 are selectively removed by, for example, a dry etching method. Then, a mesa shape is formed, and then the mask is removed (FIG. 5).

次に、水蒸気雰囲気中において、高温で酸化処理を行い、側面から電流狭窄層２２Ｄを選択的に酸化する。これにより電流狭窄層２２Ｄの外縁領域が絶縁層（酸化アルミニウム）となる。これにより、外縁領域にリング状の電流狭窄領域２２Ａが形成され、その中央領域が電流注入領域２２Ｂとなる。このようにして、電流狭窄層２２が形成される（図６）。   Next, oxidation treatment is performed at a high temperature in a water vapor atmosphere to selectively oxidize the current confinement layer 22D from the side surface. Thereby, the outer edge region of the current confinement layer 22D becomes an insulating layer (aluminum oxide). As a result, a ring-shaped current confinement region 22A is formed in the outer edge region, and the central region becomes the current injection region 22B. In this way, the current confinement layer 22 is formed (FIG. 6).

次に、例えば蒸着法によりｎ型コンタクト層２７の表面にリング状のｎ側電極２８を形成し、同様にして、ｐ型コンタクト層１５のうち露出している表面にｐ側共通電極１６を、ｎ型傾斜基板１１の裏面にｎ側電極１７をそれぞれ形成する（図１）。このようにして、本実施の形態の半導体発光装置１が製造される。   Next, for example, a ring-shaped n-side electrode 28 is formed on the surface of the n-type contact layer 27 by vapor deposition. Similarly, the p-side common electrode 16 is formed on the exposed surface of the p-type contact layer 15. N-side electrodes 17 are formed on the back surface of the n-type inclined substrate 11 (FIG. 1). In this way, the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment is manufactured.

以下、本実施の形態の半導体発光装置１の作用および効果について説明する。   Hereinafter, the operation and effect of the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment will be described.

この半導体発光装置１では、ｐ側共通電極１６とｎ側電極２８との間に所定の電圧が印加されると、電流狭窄層２２により電流狭窄された電流が活性層２４の利得領域である発光領域２４Ａに注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光には誘導放出によって生じた光だけでなく、自然放出によって生じた光も含まれているが、共振器内で誘導放出が繰り返される結果、所定の波長でレーザ発振が生じ、その所定の波長のレーザ光が共振器内に設けられた光検出層１４に繰り返し入射すると共に、ｎ側電極２８側から外部に出力される。   In the semiconductor light emitting device 1, when a predetermined voltage is applied between the p-side common electrode 16 and the n-side electrode 28, the current confined by the current confinement layer 22 is light emission that is the gain region of the active layer 24. The light is injected into the region 24A, and light is emitted by recombination of electrons and holes. This light includes not only light generated by stimulated emission, but also light generated by spontaneous emission. As a result of repeated stimulated emission in the resonator, laser oscillation occurs at a predetermined wavelength, and the predetermined light is emitted. A laser beam having a wavelength is repeatedly incident on the light detection layer 14 provided in the resonator, and is output to the outside from the n-side electrode 28 side.

ところで、本実施の形態では、面発光型半導体レーザ２０がｎ型傾斜基板１１上に結晶成長することにより形成されているので、図７に例示したように、面発光型半導体レーザ２０の共振器内を往復する光は非対称の媒質中を伝播していることになる。そのため、共振器内を往復する光には、基本波光Ｌ１（発振波長λ０のレーザ光）だけでなく、基本波光Ｌ１の一部が非対称の媒質によって変換されることにより生成された、基本波光Ｌ１の１／２倍の波長のＳＨＧ光Ｌ２も含まれている。このＳＨＧ光Ｌ２は、基本波光Ｌ１の強度のほぼ二乗に比例した強度で発生するので、基本波光Ｌ１のうち強度の大きな誘導放出光によって主に発生し、強度の小さな自然放出光によって発生することはほとんどない。従って、ＳＨＧ光は面発光型半導体レーザ２０内で発生する基本波光Ｌ１に主に含まれる誘導放出光によって主に発生する。 By the way, in the present embodiment, the surface emitting semiconductor laser 20 is formed by crystal growth on the n-type inclined substrate 11, so that the resonator of the surface emitting semiconductor laser 20 is illustrated as illustrated in FIG. The light traveling back and forth propagates through the asymmetric medium. For this reason, not only the fundamental wave light L1 (laser light having an oscillation wavelength λ 0 ) but also a fundamental wave light generated by converting a part of the fundamental wave light L1 by an asymmetric medium is included in the light traveling back and forth in the resonator. SHG light L2 having a wavelength that is ½ times L1 is also included. Since the SHG light L2 is generated with an intensity that is approximately proportional to the square of the intensity of the fundamental wave light L1, it is mainly generated by stimulated emission light having a high intensity in the fundamental wave light L1, and is generated by spontaneous emission light having a low intensity. There is almost no. Accordingly, the SHG light is mainly generated by the stimulated emission light mainly included in the fundamental wave light L1 generated in the surface emitting semiconductor laser 20.

ここで、本実施の形態の光検出層１４は、活性層２４のバンドギャップよりも大きく活性層２４のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成されているので、共振器内を往復するレーザ光のうち基本波光Ｌ１は吸収されず、誘導放出光の割合の多いＳＨＧ光Ｌ２が吸収され光電流に変換される。つまり、面発光型半導体レーザ２０内で発生する基本波光にわずかに含まれる自然放出光は光検出層１４によって吸収されない。この光電流はｐ側共通電極１６およびｎ側電極１７に電気的に接続されたワイヤ（図示せず）を介して光出力モニタ信号として光出力演算回路に出力される。これにより、ｎ側電極２８側から外部に出力されるレーザ光の出力レベルが計測される。   Here, the photodetection layer 14 of the present embodiment is made of a semiconductor having a band gap larger than the band gap of the active layer 24 and not more than twice the band gap of the active layer 24. Of the reciprocating laser light, the fundamental wave light L1 is not absorbed, and the SHG light L2 having a high ratio of stimulated emission light is absorbed and converted into a photocurrent. That is, the spontaneous emission light slightly contained in the fundamental wave light generated in the surface emitting semiconductor laser 20 is not absorbed by the light detection layer 14. This photocurrent is output to the optical output arithmetic circuit as an optical output monitor signal through a wire (not shown) electrically connected to the p-side common electrode 16 and the n-side electrode 17. Thereby, the output level of the laser beam outputted to the outside from the n-side electrode 28 side is measured.

以上のことから、本実施の形態の半導体発光装置１では、面発光型半導体レーザ２０をｎ型傾斜基板１１上に結晶成長することにより形成すると共に、光検出層１４を、活性層２４のバンドギャップよりも大きく活性層２４のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成するようにしたので、主に誘導放出光によって発生したＳＨＧ光を光検出層１４で検出することができる。これにより、光検出層１４で変換される光電流は温度や動作電流などにより変化する自然放出光の影響をほとんど受けなくなるので、光検出精度が向上する。   From the above, in the semiconductor light emitting device 1 of the present embodiment, the surface emitting semiconductor laser 20 is formed by crystal growth on the n-type inclined substrate 11, and the light detection layer 14 is formed in the band of the active layer 24. Since it is configured by a semiconductor having a band gap larger than the gap and not more than twice the band gap of the active layer 24, SHG light generated mainly by stimulated emission light can be detected by the light detection layer 14. As a result, the photocurrent converted in the photodetection layer 14 is hardly affected by the spontaneous emission light that varies depending on the temperature, the operating current, etc., so that the photodetection accuracy is improved.

［第２の実施の形態］
図８は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光装置４の断面構成を表すものである。なお、図８は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。また、以下の説明において、上記実施の形態と同一の符号が用いられている場合は、その同一符号の要素と同様の構成・機能を有することを意味している。 [Second Embodiment]
FIG. 8 shows a cross-sectional configuration of the semiconductor light emitting device 4 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 8 is a schematic representation, which differs from actual dimensions and shapes. Moreover, in the following description, when the same code | symbol as the said embodiment is used, it has having the structure and function similar to the element of the same code | symbol.

この半導体発光装置４は、発光ダイオード（ＬＥＤ）８０の光射出側の表面に、半導体光検出器７０を配置すると共に一体に形成して構成したものである。この半導体発光装置４は、発光ダイオード８０の発光光が半導体光検出器７０のｎ側電極１８（後述）側から外部に射出されるようになっている。さらに、半導体光検出器７０からは入射した光の出力レベルに応じた光電流が出力されるようになっている。   The semiconductor light emitting device 4 is configured by disposing a semiconductor photodetector 70 on the light emitting side surface of a light emitting diode (LED) 80 and integrally forming it. In the semiconductor light emitting device 4, light emitted from the light emitting diode 80 is emitted from the n-side electrode 18 (described later) side of the semiconductor photodetector 70 to the outside. Further, the semiconductor photodetector 70 outputs a photocurrent corresponding to the output level of the incident light.

すなわち、この半導体発光装置４は、光源として発光ダイオード８０を備えている点で、光源として面発光型半導体レーザ２０を備えていた上記実施の形態と主に相違する。そこで、以下、主として上記相違点について詳細に説明し、上記実施の形態と同様の構成・作用・効果についての説明を適宜省略する。   That is, this semiconductor light emitting device 4 is mainly different from the above embodiment in which the surface emitting semiconductor laser 20 is provided as a light source in that the light emitting diode 80 is provided as a light source. Therefore, hereinafter, the above differences will be mainly described in detail, and description of the same configurations, operations, and effects as those in the above embodiment will be appropriately omitted.

（半導体光検出器７０）
半導体光検出器７０は、ｎ型傾斜基板１１上に、ｎ型バッファ層１２、光検出層１４およびｐ型コンタクト層１５をこの順に積層して構成されている。ｎ側傾斜基板１１の裏面には、発光ダイオード８０と対向する部分に開口を有するｎ側電極１８が形成されている。このｎ側電極１８は例えばＡｕＧｅ，ＮｉおよびＡｕをこの順に積層した構造を有しており、ｎ側傾斜基板１１と電気的に接続されている。 (Semiconductor photodetector 70)
The semiconductor photodetector 70 is configured by laminating an n-type buffer layer 12, a photodetection layer 14, and a p-type contact layer 15 in this order on an n-type inclined substrate 11. An n-side electrode 18 having an opening at a portion facing the light emitting diode 80 is formed on the back surface of the n-side inclined substrate 11. The n-side electrode 18 has a structure in which, for example, AuGe, Ni, and Au are laminated in this order, and is electrically connected to the n-side inclined substrate 11.

（発光ダイオード８０）
発光ダイオード８０は、半導体光検出器７０上に、下部クラッド層８１、活性層８２および上部クラッド層８３をこの順に積層してなる積層構造を備えている。上部クラッド層８３の上部にはｎ側電極８４が形成されており、下部クラッド層８１、活性層８２および上部クラッド層８３の側面を絶縁層８５が覆っている。 (Light emitting diode 80)
The light emitting diode 80 has a laminated structure in which a lower clad layer 81, an active layer 82, and an upper clad layer 83 are laminated in this order on a semiconductor photodetector 70. An n-side electrode 84 is formed on the upper cladding layer 83, and the insulating layer 85 covers the side surfaces of the lower cladding layer 81, the active layer 82, and the upper cladding layer 83.

下部クラッド層８１は、例えばＡｌｘ１１Ｇａ１−ｘ１１Ａｓ（０≦ｘ１１≦１）により構成されている。活性層８２は、例えばＡｌｘ１２Ｇａ１−ｘ１２Ａｓ（０≦ｘ１２≦１）により構成され、ｎ側電極８４と対向する領域に発光領域８２Ａを有している。上部クラッド層８３は、例えばＡｌｘ１３Ｇａ１−ｘ１３Ａｓ（０≦ｘ１３≦１）により構成されている。絶縁層８５は例えばＳｉＮやＳｉＯ２などからなる。ｎ側電極８４は例えばＡｕＧｅ，ＮｉおよびＡｕをこの順に積層した構造を有しており、上部クラッド層８３と電気的に接続されている。 The lower cladding layer 81 is made of, for example, Al x11 Ga 1-x11 As (0 ≦ x11 ≦ 1). The active layer 82 is made of, for example, Al x12 Ga 1-x12 As (0 ≦ x12 ≦ 1), and has a light emitting region 82 </ b> A in a region facing the n-side electrode 84. The upper cladding layer 83 is made of, for example, Al x13 Ga 1-x13 As (0 ≦ x13 ≦ 1). The insulating layer 85 is made of, for example, SiN or SiO2. The n-side electrode 84 has a structure in which, for example, AuGe, Ni, and Au are stacked in this order, and is electrically connected to the upper cladding layer 83.

このような構成を有する半導体発光装置４は、例えば、次のようにして製造することができる。まず、ｎ型傾斜基板１１上に、ｎ型バッファ層１２、光検出層１４、ｐ型コンタクト層１５、下部クラッド層８１、活性層８２および上部クラッド層８３をこの順に積層する。   The semiconductor light emitting device 4 having such a configuration can be manufactured, for example, as follows. First, the n-type buffer layer 12, the light detection layer 14, the p-type contact layer 15, the lower cladding layer 81, the active layer 82, and the upper cladding layer 83 are laminated on the n-type inclined substrate 11 in this order.

次に、上部クラッド層８３の表面のうち所定の領域にマスク（図示せず）を形成したのち、例えばドライエッチング法により上部クラッド層８３から下部クラッド層８１までを選択的に除去して台形状のメサを形成し、その後、マスクを除去する。   Next, after forming a mask (not shown) in a predetermined region of the surface of the upper cladding layer 83, the upper cladding layer 83 to the lower cladding layer 81 are selectively removed by, for example, a dry etching method to form a trapezoidal shape. The mesa is formed, and then the mask is removed.

次に、例えば蒸着法により上部クラッド層８３の上部の表面にｎ側電極８４を形成し、同様にして、ｐ型コンタクト層１５のうち露出している表面にｐ側共通電極１６を、ｎ型傾斜基板１１の裏面に発光ダイオード８０と対向する部分に開口を有するｎ側電極１８をそれぞれ形成する。このようにして、本実施の形態の半導体発光装置４が製造される。   Next, the n-side electrode 84 is formed on the upper surface of the upper clad layer 83 by, for example, vapor deposition, and the p-side common electrode 16 is formed on the exposed surface of the p-type contact layer 15 in the same manner. An n-side electrode 18 having an opening in a portion facing the light emitting diode 80 is formed on the back surface of the inclined substrate 11. In this way, the semiconductor light emitting device 4 of the present embodiment is manufactured.

この半導体発光装置４では、ｐ側共通電極１６とｎ側電極８４との間に所定の電圧が印加されると、電流が活性層８２の利得領域である発光領域８２Ａに注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じ、ｎ側電極１８側から外部に出力される。この光には主に自然放出によって生じた光が含まれているが、ごくわずかに誘導放出によって生じた光も含まれている。   In this semiconductor light emitting device 4, when a predetermined voltage is applied between the p-side common electrode 16 and the n-side electrode 84, current is injected into the light emitting region 82 </ b> A that is the gain region of the active layer 82, thereby Light emission occurs due to recombination of holes with holes, and the light is output to the outside from the n-side electrode 18 side. This light mainly includes light generated by spontaneous emission, but also includes light generated by stimulated emission.

ところで、本実施の形態では、発光ダイオード８０がｎ型傾斜基板１１上に結晶成長することにより形成されているので、上記の実施の形態と同様、発光ダイオード８０内の光には、基本波光（活性層８２のバンドギャップのエネルギーに対応する波長の光）だけでなく、基本波光の１／２倍の波長のＳＨＧ光も含まれている。このＳＨＧ光は、基本波光の強度のほぼ二乗に比例した強度で発生するので、基本波光のうち強度の大きな誘導放出光によって主に発生し、強度の小さな自然放出光によって発生することはほとんどない。従って、ＳＨＧ光は発光ダイオード８０内で発生する基本波光にわずかに含まれる誘導放出光によって主に発生する。   By the way, in the present embodiment, since the light emitting diode 80 is formed by crystal growth on the n-type inclined substrate 11, the light in the light emitting diode 80 includes fundamental wave light (like the above embodiment). In addition to light having a wavelength corresponding to the energy of the band gap of the active layer 82, SHG light having a wavelength that is ½ times the fundamental light is also included. Since this SHG light is generated with an intensity approximately proportional to the square of the intensity of the fundamental wave light, it is mainly generated by stimulated emission light having a high intensity among the fundamental wave light, and is hardly generated by spontaneous emission light having a low intensity. . Therefore, SHG light is mainly generated by stimulated emission light slightly contained in the fundamental light generated in the light emitting diode 80.

ここで、本実施の形態の光検出層１４は、活性層８２のバンドギャップよりも大きく活性層８２のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成されているので、発光ダイオード８０内の光のうち基本波光は吸収されず、ＳＨＧ光が吸収され光電流に変換される。つまり、発光ダイオード８０内で発生する基本波光に主に含まれる自然放出光は光検出層１４によって吸収されない。この光電流はｐ側共通電極１６およびｎ側電極１８に電気的に接続されたワイヤ（図示せず）を介して光出力モニタ信号として光出力演算回路に出力される。これにより、ｎ側電極１８側から外部に射出される発光光の出力レベルが計測される。   Here, the photodetection layer 14 of the present embodiment is composed of a semiconductor having a band gap larger than the band gap of the active layer 82 and not more than twice the band gap of the active layer 82. The fundamental wave light is not absorbed, but the SHG light is absorbed and converted into a photocurrent. That is, spontaneous emission light mainly included in the fundamental light generated in the light emitting diode 80 is not absorbed by the light detection layer 14. This photocurrent is output to the optical output arithmetic circuit as an optical output monitor signal through a wire (not shown) electrically connected to the p-side common electrode 16 and the n-side electrode 18. Thereby, the output level of the emitted light emitted from the n-side electrode 18 side to the outside is measured.

以上のことから、本実施の形態の半導体発光装置４では、発光ダイオード８０をｎ型傾斜基板１１上に結晶成長することにより形成すると共に、光検出層１４を、活性層８２のバンドギャップよりも大きく活性層８２のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成するようにしたので、ＳＨＧ光を光検出層１４で検出することができる。これにより、ｎ側電極１８側に向かう発光光は光検出層１４を通過する際にほとんど吸収されないので、光検出層１４において損失をほとんど発生させることなくｎ側電極１８側から外部に射出される発光光の出力レベルを計測することができる。   From the above, in the semiconductor light emitting device 4 of the present embodiment, the light emitting diode 80 is formed by crystal growth on the n-type tilted substrate 11, and the photodetecting layer 14 is made larger than the band gap of the active layer 82. Since the semiconductor layer is made of a semiconductor having a band gap that is not more than twice the band gap of the active layer 82, the SHG light can be detected by the photodetection layer 14. As a result, the emitted light traveling toward the n-side electrode 18 is hardly absorbed when passing through the photodetection layer 14, and is thus emitted to the outside from the n-side electrode 18 side with almost no loss in the photodetection layer 14. The output level of emitted light can be measured.

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。   While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.

例えば、上記実施の形態では、半導体材料をＧａＡｓ系化合物半導体により構成した場合について説明したが、他の材料系、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰなどの赤色系材料や、ＧａＩｎＮなどの青色系材料などにより構成することも可能である。   For example, in the above embodiment, the case where the semiconductor material is composed of a GaAs-based compound semiconductor has been described. However, the material is composed of another material system, for example, a red-based material such as AlGaAs or GaInP, or a blue-based material such as GaInN. It is also possible to do.

また、上記第１の実施の形態では、半導体光検出器１０を面発光型半導体レーザ２０の裏面側に設けていたが、レーザ光を外部に出力する側に設けてもよい。この場合に、上記第１の実施の形態と同様、光検出層を共振器の内部または外部に設けることが可能である。また、上記第２の実施の形態では、半導体光検出器１０を発光ダイオード３０の光射出側に設けていたが、発光ダイオード３０の裏面側に設けてもよい。   In the first embodiment, the semiconductor photodetector 10 is provided on the back side of the surface-emitting type semiconductor laser 20, but may be provided on the side that outputs the laser light to the outside. In this case, as in the first embodiment, the photodetection layer can be provided inside or outside the resonator. Moreover, in the said 2nd Embodiment, although the semiconductor photodetector 10 was provided in the light emission side of the light emitting diode 30, you may provide in the back surface side of the light emitting diode 30. FIG.

また、上記実施の形態では、共通基板としてｎ型傾斜基板１１を用いた場合について説明したが、本発明は、共通基板としてｐ型傾斜基板を用いた場合にも適用可能である。ただし、その場合には、上記実施の形態等で説明した導電型をｐ型からｎ型に、ｎ型からｐ型に置き換えればよい。また、半導体基板は傾斜基板である必要はなく、ＳＨＧ光や、３次以上の高調波光を発生させることの可能な半導体層をエピタキシャルに積層することの可能なものであればよく、例えば、結晶成長が理想的となっていない、平らな結晶面（１００）を有する半導体基板であってもよい。   In the above embodiment, the case where the n-type inclined substrate 11 is used as the common substrate has been described. However, the present invention is also applicable to the case where a p-type inclined substrate is used as the common substrate. However, in that case, the conductivity type described in the above embodiment may be replaced from p-type to n-type and from n-type to p-type. Further, the semiconductor substrate does not need to be a tilted substrate, and may be any substrate that can epitaxially stack a semiconductor layer capable of generating SHG light or third-order or higher harmonic light. It may be a semiconductor substrate having a flat crystal face (100) that is not ideally grown.

また、上記実施の形態では、光検出層１４がＳＨＧ光を吸収可能に構成されていたが、半導体発光装置がｎ次（ｎは３以上の整数）の高調波光を発生させることが可能なように構成されている場合には、光検出層は第ｎ次の高調波光を吸収可能に構成されていることが必要となる。具体的には、光検出層が活性層のバンドギャップよりも大きく活性層のバンドギャップのｎ倍以下のバンドギャップを有する半導体、すなわち、発振波長λ０に相当するエネルギーよりも大きく発振波長λ０に相当するエネルギーのｎ倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成されていればよい。 Moreover, in the said embodiment, although the photon detection layer 14 was comprised so that SHG light could be absorbed, it seems that a semiconductor light-emitting device can generate | occur | produce nth-order (n is an integer greater than or equal to 3) harmonic light. In this case, the photodetection layer needs to be configured to be able to absorb the nth harmonic light. Specifically, a semiconductor in which the photodetection layer has a band gap larger than the band gap of the active layer and not more than n times the band gap of the active layer, that is, the oscillation wavelength λ 0 greater than the energy corresponding to the oscillation wavelength λ 0. As long as it is made of a semiconductor having a band gap equal to or less than n times the energy corresponding to.

また、上記実施の形態では、半導体光検出器１０と面発光型半導体レーザ２０または発光ダイオード３０とで共通に利用可能なｐ側共通電極１６を設けていたが、半導体光検出器１０と面発光型半導体レーザ２０または発光ダイオード３０とにそれぞれ個別に電圧を印加するｐ側電極を設けるようにしてもよい。   In the above embodiment, the p-side common electrode 16 that can be used in common by the semiconductor photodetector 10 and the surface emitting semiconductor laser 20 or the light emitting diode 30 is provided. You may make it provide the p side electrode which applies a voltage separately to the type semiconductor laser 20 or the light emitting diode 30, respectively.

本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置の断面構成図である。1 is a cross-sectional configuration diagram of a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention. 一変形例に係る半導体発光装置の断面構成図である。It is a cross-sectional block diagram of the semiconductor light-emitting device which concerns on one modification. 他の変形例に係る半導体発光装置の断面構成図である。It is a cross-sectional block diagram of the semiconductor light-emitting device which concerns on another modification. 図１の半導体発光装置の製造工程を説明するための断面構成図である。FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram for explaining a manufacturing process of the semiconductor light emitting device of FIG. 1. 図４に続く工程を説明するための断面構成図である。FIG. 5 is a cross-sectional configuration diagram for explaining a process following FIG. 4. 図５に続く工程を説明するための断面構成図である。FIG. 6 is a cross-sectional configuration diagram for explaining a process following FIG. 5. 図１の半導体発光装置の作用を説明するための断面構成図である。It is a cross-sectional block diagram for demonstrating the effect | action of the semiconductor light-emitting device of FIG. 本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光装置の断面構成図である。It is a cross-sectional block diagram of the semiconductor light-emitting device concerning the 2nd Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１〜４…半導体発光装置、１０，３０，５０，７０…半導体光検出器、１１…ｎ型傾斜基板、１２…ｎ型バッファ層、１３，２６…ｎ型ＤＢＲ層、１４…光検出層、１５…ｐ型コンタクト層、１６…ｐ側共通電極、１７，２８，８４…ｎ側電極、１８…ｎ型半導体層、１９…位相整合層、２０，４０，６０…面発光型半導体レーザ、２１…ｐ型ＤＢＲ層、２２，２２Ｄ…電流狭窄層、２２Ａ…電流狭窄領域、２２Ｂ…電流注入領域、２３，８１…下部クラッド層、２４，８２…活性層、２４Ａ，８２Ａ…発光領域、２５，８３…上部クラッド層、２７…ｎ型コンタクト層、８０…発光ダイオード、８５…絶縁層、Ｌ１…基本波光、Ｌ２…ＳＨＧ光。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1-4 ... Semiconductor light-emitting device, 10, 30, 50, 70 ... Semiconductor photodetector, 11 ... N-type inclination board | substrate, 12 ... N-type buffer layer, 13, 26 ... N-type DBR layer, 14 ... Photo detection layer, 15 ... p-type contact layer, 16 ... p-side common electrode, 17, 28, 84 ... n-side electrode, 18 ... n-type semiconductor layer, 19 ... phase matching layer, 20, 40, 60 ... surface emitting semiconductor laser, 21 ... p-type DBR layer, 22, 22D ... current confinement layer, 22A ... current confinement region, 22B ... current injection region, 23, 81 ... lower cladding layer, 24, 82 ... active layer, 24A, 82A ... light emission region, 25, 83: upper cladding layer, 27: n-type contact layer, 80: light emitting diode, 85: insulating layer, L1: fundamental light, L2: SHG light.

Claims (7)

第１導電型の第１半導体層、活性層、および第２導電型の第２半導体層をこの順に含んで構成され、かつ基本波光と、前記基本波光の１／２倍の波長のＳＨＧ(Second Harmonic Generation)光とを含む光を発する積層構造と、
前記基本波光の波長に相当するエネルギーより大きく、前記基本波光の波長に相当するエネルギーの２倍以下のバンドギャップを有する光検出層と
を備える
半導体発光装置。 The first-conductivity-type first semiconductor layer, the active layer, and the second-conductivity-type second semiconductor layer are included in this order , and the fundamental wave light and SHG (Second Harmonic Generation) a laminated structure that emits light including light, and
Greater than energy corresponding to the wavelength of the fundamental light, a semiconductor light emitting device Ru and an optical detection layer having a band gap of 2 times the energy corresponding to the wavelength of the fundamental light. 前記第１半導体層に関して前記活性層とは反対側に設けられた第２導電型の第３半導体層を備え、
前記光検出層は、前記第１半導体層と前記第３半導体層との間に配置されると共に、前記第１半導体層、第２半導体層および第３半導体層のいずれの層よりも低い濃度の不純物がドープされた半導体により構成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。 A third semiconductor layer of a second conductivity type provided on the opposite side of the active layer with respect to the first semiconductor layer;
The photodetection layer is disposed between the first semiconductor layer and the third semiconductor layer and has a lower concentration than any of the first semiconductor layer, the second semiconductor layer, and the third semiconductor layer. the semiconductor light emitting device according to claim 1 impurity has been configured by the doped semiconductor. 前記光検出層は、第１導電型および第２導電型のいずれの不純物も全くドープされていない半導体、または、吸収した光を光電流に変換することの可能な程度にわずかな不純物がドープされている半導体により構成されている
請求項２に記載の半導体発光装置。 The photodetection layer is doped with a semiconductor in which neither impurity of the first conductivity type nor the second conductivity type is doped at all, or a small amount of impurities that can convert the absorbed light into a photocurrent. and that the semiconductor light-emitting device according to claim 2 that is composed of a semiconductor. 前記第１半導体層と前記第２半導体層とは一対の多層膜反射鏡を構成する
請求項１に記載の半導体発光装置。 Wherein the first semiconductor layer and the second semiconductor layer semiconductor light emitting device according to claim 1 that make up the pair of multilayer-film reflective mirror. 前記第１半導体層および光検出層は多層膜反射鏡を構成する
請求項１に記載の半導体発光装置。 It said first semiconductor layer and the light detection layer semiconductor light emitting device according to claim 1 that make up the multilayer reflector. 前記第１半導体層および光検出層は前記活性層から出力された光の波長に対応した周期構造を有する
請求項５に記載の半導体発光装置。 Wherein the first semiconductor layer and the light detection layer semiconductor light emitting device according to claim 5 that have a periodic structure corresponding to the wavelength of light output from the active layer. 前記光検出層と前記活性層との間に、基本波光およびＳＨＧ光のそれぞれの位相を整合させる位相整合層を備える
請求項１に記載の半導体発光装置。 The light between the detection layer and the active layer, a semiconductor light emitting device according to claim 1, Ru a phase matching layer for matching the respective phase of the fundamental wave light and SHG light.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI394299B (en) * 2009-11-06 2013-04-21 Semileds Optoelectronics Co Vertical light emitting diode having an outwardly relocated eletrode
WO2012172606A1 (en) * 2011-06-16 2012-12-20 古河電気工業株式会社 Semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser, semiconductor laser module, and non-linear optical element
KR101979307B1 (en) * 2017-09-27 2019-05-16 고려대학교 산학협력단 Reflector electrode for micro light emitting devices, micro light emitting devices having reflector electrode and manufacturing method thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3244529B2 (en) * 1992-04-16 2002-01-07 アジレント・テクノロジーズ・インク Surface-emitting type second harmonic generation device
US5390210A (en) * 1993-11-22 1995-02-14 Hewlett-Packard Company Semiconductor laser that generates second harmonic light with attached nonlinear crystal
JPH0851248A (en) * 1994-08-09 1996-02-20 Hitachi Ltd Inner resonance surface light emitting shg laser
US6026108A (en) * 1996-10-16 2000-02-15 The Regents Of The University Of California Vertical-cavity surface-emitting laser with an intracavity quantum-well optical absorber
JP2005322857A (en) * 2004-05-11 2005-11-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical resonator and method for manufacturing same

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